JPWO2009047932A1 - 液晶表示パネル及び液晶表示装置 - Google Patents
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Abstract
Description
以下に本発明を詳述する。
上記液晶表示パネルは、他方の電極(液晶分子を放射状配向させる形状を有する電極とは別の電極)に開口が形成されず、かつ上記電極(他方の電極)上に配向制御突起物(液晶分子の配向を制御するための突起)が配置されていないことが好ましい。本発明では一方の基板の電極に形成された開口により放射状配向の特異点を電極内に囲い込み、垂直配向膜表面に形成された重合体により放射状配向の特異点を固定することができる。このため、他方の基板に備えられた電極には、開口が形成されず、かつ他方の基板に備えられた電極上に配向制御突起物が形成されていなくても配向制御を安定して行うことができるため、製造工程の簡略化及び突起による光漏れによるコントラスト比の低下を抑制することができる。また、他方の基板に備えられた電極は、上記一方の基板に備えられた電極が対向する領域の全面に形成されることが好ましい。このように、他方の基板に備えられた電極は、上記一方の基板に備えられた電極に対向する領域全てを覆うように一続きに形成されてもよい。
例えば、一つの電極内に放射状配向の暗線領域が特異点に対して90°間隔で形成される場合には、放射状配向の暗線領域の間隙部に、特異点に対して90°間隔で開口を配置することが好ましい。
このように、上記液晶表示パネルは、平面視したときに互いに直交して配置されたゲート配線とソース配線とを備え、上記液晶層は、ゲート配線又はソース配線に対して45°又は135°方位に偏光軸を有する直線偏光が入射したときに、液晶分子の配向ベクトルが該偏光軸に対して平行及び直交する方位に延びる複数の暗線を含む暗線領域を有し、上記開口は、平面視したときに、隣接する暗線間の隙間に形成されてもよい。
以下に第二液晶表示パネルの好ましい形態について説明する。
上記液晶表示パネルは、平面視したときに互いに直交して配置されたゲート配線とソース配線とを備え、上記開口は、開口が形成された電極の中心を挟み、かつゲート配線又はソース配線に対して平行及び直交する方位に配置されることが好ましい。
上記液晶表示パネルは、平面視したときに互いに直交して配置されたゲート配線とソース配線とを備え、上記液晶層は、ゲート配線又はソース配線に対して45°又は135°方位に偏光軸を有する直線偏光が入射したときに、液晶分子の配向ベクトルが上記偏光軸に対して平行及び直交する方位に暗線領域を有し、上記開口は、平面視したときに、上記暗線領域の間隙部に相当する位置に形成されることが好ましい。
上記開口は、電極の端を除く領域に形成されることが好ましい。
上記開口は、平面視したときに、開口が形成された電極の中心に向かって延伸する形状であることが好ましい。
上記開口は、短辺の長さが5μm以上の長方形であることが好ましい。
上記開口部が形成された電極は、絵素電極を分割して形成されたサブピクセル電極であることが好ましく、上記放射状配向させる構造は、サブピクセル電極のエッジ部からなることがより好ましい。
上記開口が形成された電極は、絵素電極を分割して形成されたサブピクセル電極であることが好ましく、上記サブピクセル電極は、絵素電極を長辺方向に分割することにより構成されることがより好ましい。
これらによれば、本発明の第一液晶表示パネルの好ましい形態と同様の作用効果を得ることができる。なお、本発明の第一及び第二液晶表示パネルの説明中で述べた各種形態については、互いに適宜援用することができる。
図1は、実施形態1に係る液晶表示パネルの一絵素の構成を示す平面模式図である。図2は、図1中の絵素をA−B線分で切断したときの液晶表示パネルの構成を示す断面模式図である。
図1及び図2に示すように、実施形態1に係る液晶表示パネルの背面側基板160xは、互いに直交して配置されたゲート配線108及びソース配線109に囲まれる一絵素の領域内に、3つのサブピクセル電極106a、106b及び106cが形成されている。サブピクセル電極106a、106b及び106cは、絵素電極106xの長辺方向を3分割するように設けられている。各サブピクセル電極106a、106b及び106cの間には、電極が形成されていない領域が形成され、サブピクセル電極106a、106b及び106cのエッジ部分により、液晶分子を放射状配向させることができる。また、サブピクセル電極106a、106b及び106cの中心に向かって、絵素電極106xの長辺方向及び短辺方向のそれぞれに開口112が2つずつ設けられている。3分割された絵素電極106xの真ん中のサブピクセル電極106bが設けられた領域には、コンタクトホール110が設けられており、コンタクトホール110の下層に配置されたドレイン配線103とサブピクセル電極106bとは接続されている。なお、サブピクセル電極106a、106b及び106cは連続しており、サブピクセル電極106a、106b及び106cの間にある絵素電極106xで接続されている。
まず、背面側基板160xの製造方法について説明する。基板100上に、ゲート配線108及び補助容量配線101を形成する。その後、ゲート絶縁膜102をゲート配線108及び補助容量配線101上に形成する。ゲート絶縁膜102上に、絵素のスイッチングを行う薄膜トランジスタを構成する半導体層(図示せず)を形成する。続いて、ソース配線109及びドレイン配線103を形成し、その上に、層間絶縁膜104を形成する。
図4は、比較例1に係る液晶表示パネルの一絵素の構成を示す平面模式図である。図5は、図4中の液晶表示パネルをC−D線分で切断したときの構成を示す断面模式図である。なお、図4中に示されている配向制御突起物124及びフォトスペーサ111は対向側基板上に設けられており、他の部材は背面側基板に設けられている。
比較例1に係る液晶表示パネルは、図4及び5に示すように、背面側基板160yを構成する絵素電極106yを分割して形成されたサブピクセル電極106d、106e及び106fに開口が設けられていないこと、対向側基板170yを構成する対向電極122上に配向制御突起物124が設けられており、その上から、垂直配向膜123bが形成されていること、及び、垂直配向膜105及び123b上に光重合体107が配置されていないこと以外は、実施形態1と同様の形態である。
図6は、比較例2に係る液晶表示パネルの一絵素の構成を示す平面模式図である。図7は、図6中の液晶表示パネルをE−F線分で切断したときの構成を示す断面模式図である。
図6及び7に示すように、比較例2に係る液晶表示パネルは、背面側基板160zを構成する、サブピクセル電極106g、106h及び106iを含む絵素電極106z上の垂直配向膜105上と、対向側基板170zを構成する垂直配向膜123a上とに光重合体が配置されていないこと以外は、実施形態1と同様の形態である。
評価試験では、実施形態1、比較例1及び2に係る液晶表示パネルについて、液晶配向特性、応答速度、コントラスト比について評価した。
まず、液晶配向特性について評価を行った。配向確認は絵素電極と対向電極との間の電圧を無印加状態から飽和電圧(6V)まで一気に印加することで行った。直線偏光下では主に液晶配向の方位角(液晶分子の仰ぎ角)分布を、円偏光下では主に液晶配向の極角(液晶分子の倒れ角)分布を観察した。直線偏光下では特定方位に振動面を有する直線偏光が液晶に入射するため、液晶配向の方位角により複屈折性が変化する。また、円偏光下では位相差板により振動面が螺旋状に回転した円偏光が液晶に入射するため、方位角では複屈折性は変化せず、液晶配向の極角によって複屈折性が変化する。
次に、実施形態1、比較例1及び2に係る液晶表示パネルについて、応答速度の評価を行った。応答速度の評価は、液晶表示パネルの透過率を10%から90%まで変化させたときの立ち上がり時間(τr)と、透過率を90%から10%まで変化させたときの立ち下がり時間(τd)とを測定し、両時間を合計することによって行った。測定結果を下記表1に示す。
続いて、実施形態1、比較例1及び2に係る液晶表示パネルについて、コントラスト比の評価を行った。コントラスト比の評価は、黒表示と白表示との輝度の比を測定することによって行った。
以上の結果から、実施形態1の液晶表示パネルは、表示のざらつき及び残像を抑制し、更に応答速度が速い液晶表示パネルということができる。
101:補助容量配線
102:ゲート絶縁膜
103:ドレイン配線
104:層間絶縁膜
105、123a、123b:垂直配向膜
106x、106y、106z:絵素電極
106a、106b、106c、106d、106e、106f、106g、106h、106i:サブピクセル電極
107:光重合体
108:ゲート配線
109:ソース配線
110:コンタクトホール
111:フォトスペーサ
112:開口
121:カラーフィルタ
122:対向電極
124:配向制御突起物
130:液晶層
150:液晶分子
151:暗線領域
152:特異点
160x、160y、160z:背面側基板
170x、170y、170z:対向側基板
L1:絵素領域の長辺の長さ
L2:絵素領域の短辺の長さ
L3:サブピクセル電極の長辺の長さ
L4:サブピクセル電極の短辺の長さ
L5:電極抜き領域の幅
L6:サブピクセル電極の端辺から開口までの距離
L7:開口の長辺の長さ
L8:開口の短辺の長さ
Claims (12)
- 負の誘電率異方性を有する液晶分子を含む液晶層と、該液晶層を挟持する一対の基板とを備える液晶表示パネルであって、
該一対の基板は、それぞれに電極を備え、少なくとも一方に、垂直配向膜と、光重合体とを備え、
該電極の一方は、電圧印加時に液晶分子を放射状配向させる形状を有し、更に該放射状配向の特異点を該電極内に囲い込む開口が部分的に形成されたものであることを特徴とする液晶表示パネル。 - 前記液晶表示パネルは、他方の電極に開口が形成されず、かつ該電極上に配向制御突起物が配置されていないことを特徴とする請求項1記載の液晶表示パネル。
- 前記液晶表示パネルは、平面視したときに互いに直交して配置されたゲート配線とソース配線とを備え、
前記開口は、開口が形成された電極の中心を挟み、かつゲート配線又はソース配線に対して平行及び直交する方位に配置されることを特徴とする請求項1又は2記載の液晶表示パネル。 - 前記液晶表示パネルは、平面視したときに互いに直交して配置されたゲート配線とソース配線とを備え、
前記液晶層は、ゲート配線又はソース配線に対して45°又は135°方位に偏光軸を有する直線偏光が入射したときに、液晶分子の配向ベクトルが該偏光軸に対して平行及び直交する方位に暗線領域を有し、
前記開口は、平面視したときに、該暗線領域の間隙部に相当する位置に形成されることを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載の液晶表示パネル。 - 前記開口は、電極の端を除く領域に形成されることを特徴とする請求項1〜4のいずれかに記載の液晶表示パネル。
- 前記開口は、平面視したときに、開口が形成された電極の中心に向かって延伸する形状であることを特徴とする請求項1〜5のいずれかに記載の液晶表示パネル。
- 前記開口は、短辺の長さが5μm以上の長方形であることを特徴とする請求項6記載の液晶表示パネル。
- 前記開口が形成された電極は、絵素電極を分割して形成されたサブピクセル電極であることを特徴とする請求項1〜7のいずれかに記載の液晶表示パネル。
- 前記サブピクセル電極は、絵素電極を長辺方向に分割することにより構成されることを特徴とする請求項8記載の液晶表示パネル。
- 前記光重合体は、液晶層中に分散させたモノマーを液晶層に電圧を印加しながら光重合させることにより形成されたものであることを特徴とする請求項1〜9のいずれかに記載の液晶表示パネル。
- 負の誘電率異方性を有する液晶分子を含む液晶層と、該液晶層を挟持する一対の基板とを備える液晶表示パネルであって、
該一対の基板は、それぞれに電極を備え、少なくとも一方に、垂直配向膜と、液晶層に電圧を印加しながら液晶層中に分散させたモノマーを光重合させて形成された光重合体とを備え、
該電極の一方は、電圧印加時に液晶分子を放射状配向させる形状を有し、更に該放射状配向の特異点を電極内に囲い込む開口が部分的に形成されたものであることを特徴とする液晶表示パネル。 - 請求項1〜11のいずれかに記載の液晶表示パネルを備えることを特徴とする液晶表示装置。
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