JPWO2008152974A1 - 耐熱エージング特性に優れた金属被覆ポリイミド樹脂基板の製造方法 - Google Patents
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Abstract
ポリイミド樹脂フィルムの両面又は片面にＢを含有する無電解ニッケルめっき層を形成し、その表層に無電解銅めっき又は電気銅めっきにより導電性皮膜を形成する金属被覆ポリイミド樹脂基板の製造方法において、上記無電解ニッケルめっきに先立って、ポリイミド樹脂基板をアルカリ金属水酸化物からなる溶液に浸漬し親水化する処理、触媒付与処理及び触媒活性化処理を施した後、前記無電解ニッケル層の形成を２工程に分け、第１工程で第２工程よりも厚い無電解ニッケルめっき層を形成した後、加熱処理を行い、さらに第２工程で再度無電解ニッケルめっき層を形成することを特徴とする金属被覆ポリイミド樹脂基板の製造方法。無接着剤フレキシブルラミネートの密着力の指標である初期密着力を低下させることなく加熱エージング後（１５０°Ｃ、大気中に１６８時間放置された後）の密着力を高めることを課題とする。
Description
フレキシブルプリント基板、ＴＡＢ、ＣＯＦ等の電子部品の実装素材として用いられる無接着剤フレキシブルラミネート材、特に耐熱エージング特性に優れた金属被覆ポリイミド樹脂基板の製造方法に関する。
ポリイミドフィルムに主として銅からなる金属導体層を積層したＦＣＣＬ（Flexible Copper Clad Laminate）は、電子産業における回路基板の素材として広く用いられている。中でも、ポリイミドフィルムと金属層との間に接着剤層を有しない無接着剤フレキシブルラミネート（特に、二層フレキシブル積層体）は回路配線幅のファインピッチ化に伴い注目されている。
無接着剤フレキシブルラミネート、特にファインピッチに対応した無接着剤フレキシブルラミネートの製造方法としては、ポリイミドフィルム上にスパッタリング、ＣＶＤ、蒸着などの乾式メッキ法により金属層を予め形成し、次いで湿式メッキ法により導体層となる金属層を製膜する、いわゆるメタライジング法がある。
このメタライジング法においては、金属層とポリイミドフィルムとの密着力を高めるために、金属層を形成するに先立ち、ポリイミドフィルム表面をプラズマ処理により、表面の汚染物質の除去ならびに表面粗さの向上を目的として改質を行うことが行われている（特許文献１及び２参照）。この方法は極めて有効な方法ではあるが、回路形成時の熱処理や使用環境での長期信頼性などにおいて、やや密着力が低下する問題がある。
このメタライジング法においては、金属層とポリイミドフィルムとの密着力を高めるために、金属層を形成するに先立ち、ポリイミドフィルム表面をプラズマ処理により、表面の汚染物質の除去ならびに表面粗さの向上を目的として改質を行うことが行われている（特許文献１及び２参照）。この方法は極めて有効な方法ではあるが、回路形成時の熱処理や使用環境での長期信頼性などにおいて、やや密着力が低下する問題がある。
また、接着剤を使用せずにポリイミド樹脂フィルムに無電解ニッケルめっきを施し、さらにその上に、銅めっきしたものも提案されている。
この方法は、ニッケルめっきは銅のポリイミド樹脂への拡散を防止するバリアの役目をすること、そして無電解ニッケルめっきがポリイミド樹脂フィルムとの接着性に優れているという特性を利用するものである。しかし、この方法は熱負荷がかかった場合に接着強度が低下し剥離する問題がある。
これはポリイミド樹脂に吸湿性があることが原因である。例えば回路設計の際に、はんだ付けなどの熱がかかった場合、ポリイミド樹脂に吸収された水分が熱のために膨張し変形すると、ポリイミド樹脂フィルムとニッケめっきとの間に微小な空隙ができ、接着力が低下するからである。上記の通り、湿式法である無電解ニッケルめっきが避けられない処理工程である以上、この接着強度の低下が避けられない問題である。
この方法は、ニッケルめっきは銅のポリイミド樹脂への拡散を防止するバリアの役目をすること、そして無電解ニッケルめっきがポリイミド樹脂フィルムとの接着性に優れているという特性を利用するものである。しかし、この方法は熱負荷がかかった場合に接着強度が低下し剥離する問題がある。
これはポリイミド樹脂に吸湿性があることが原因である。例えば回路設計の際に、はんだ付けなどの熱がかかった場合、ポリイミド樹脂に吸収された水分が熱のために膨張し変形すると、ポリイミド樹脂フィルムとニッケめっきとの間に微小な空隙ができ、接着力が低下するからである。上記の通り、湿式法である無電解ニッケルめっきが避けられない処理工程である以上、この接着強度の低下が避けられない問題である。
このようなことから、無電解ニッケルめっき工程を２工程に分け、１工程目で薄くニッケルめっきを行い、析出したニッケル粒子間に多数の微細孔が形成されるようにし、次に乾燥してポリイミド樹脂に吸収された水分をニッケル粒子間に多数の微細孔を通過させて蒸発させ、次いで２工程目で所定の厚みに、厚くニッケルめっきする方法が提案されている（特許文献３参照）。２工程で無電解ニッケルめっきを行うことは有効ではあるが、必ずしも十分な接着性を持続できないという問題がある。
この原因は、２工程目で再度厚く無電解ニッケルめっきを行う段階で、前記１工程目で形成された多数の微細孔が、ポリイミド樹脂への無電解ニッケルめっき液の通過孔となる矛盾が生ずるからと考えられる。
この原因は、２工程目で再度厚く無電解ニッケルめっきを行う段階で、前記１工程目で形成された多数の微細孔が、ポリイミド樹脂への無電解ニッケルめっき液の通過孔となる矛盾が生ずるからと考えられる。
また、一般的に使用される無電解Ｎｉめっき液としてはＮｉ−Ｐ系無電解Ｎｉめっき液が提案されているが、成膜されたＮｉ−Ｐ系無電解Ｎｉめっき皮膜は、耐食性に優れる一方で、エッチング性が悪く、ファインパターン形成には難があるという問題も抱えていた。
特許第３１７３５１１号公報
特表２００３−５１９９０１号公報
特開２００５−１５４８９５号公報
本願発明は、無接着剤フレキシブルラミネートの初期密着力を低下することなく加熱エージング後（１５０°Ｃ、大気中に１６８時間放置された後）の密着力を高めることを課題とするものである。
上記の課題に鑑み、本発明は以下の発明を提供するものである。
１）ポリイミド樹脂フィルムの両面又は片面にＢを含有する無電解ニッケルめっき層を形成し、その表層に無電解銅めっき又は電気銅めっきにより導電性皮膜を形成する金属被覆ポリイミド樹脂基板の製造方法において、上記無電解ニッケルめっきに先立って、ポリイミド樹脂基板をアルカリ金属水酸化物からなる溶液に浸漬し親水化する処理、触媒付与処理及び触媒活性化処理を施した後、前記無電解ニッケルめっき層の形成を２工程に分け、第１工程で第２工程よりも厚い無電解ニッケルめっき層を形成した後、加熱処理を行い、さらに第２工程で再度無電解ニッケルめっき層を形成することを特徴とする金属被覆ポリイミド樹脂基板の製造方法を提供する。
加熱処理は、大気中で行うことができる。また、ポリイミド樹脂フィルムをめっき処理する前に、乾燥させて脱水を行う処理を妨げるものではない。
１）ポリイミド樹脂フィルムの両面又は片面にＢを含有する無電解ニッケルめっき層を形成し、その表層に無電解銅めっき又は電気銅めっきにより導電性皮膜を形成する金属被覆ポリイミド樹脂基板の製造方法において、上記無電解ニッケルめっきに先立って、ポリイミド樹脂基板をアルカリ金属水酸化物からなる溶液に浸漬し親水化する処理、触媒付与処理及び触媒活性化処理を施した後、前記無電解ニッケルめっき層の形成を２工程に分け、第１工程で第２工程よりも厚い無電解ニッケルめっき層を形成した後、加熱処理を行い、さらに第２工程で再度無電解ニッケルめっき層を形成することを特徴とする金属被覆ポリイミド樹脂基板の製造方法を提供する。
加熱処理は、大気中で行うことができる。また、ポリイミド樹脂フィルムをめっき処理する前に、乾燥させて脱水を行う処理を妨げるものではない。
さらに、本発明は、
２）第１工程で形成する無電解ニッケルめっきの厚みがニッケルめっき層全体厚みの５５％以上になるように形成する前記１）記載の金属被覆ポリイミド樹脂基板の製造方法を提供する。特に、好適な厚さとしては、７０％〜８０％である。
２）第１工程で形成する無電解ニッケルめっきの厚みがニッケルめっき層全体厚みの５５％以上になるように形成する前記１）記載の金属被覆ポリイミド樹脂基板の製造方法を提供する。特に、好適な厚さとしては、７０％〜８０％である。
また、本願発明は、
３）無電解ニッケルの合計厚みが０．１〜１．０μｍである前記１）又は２）記載の金属被覆ポリイミド樹脂基板の製造方法。
４）加熱処理の温度を９０°Ｃ〜３００°Ｃとする前記１）〜３）のいずれかに記載の金属被覆ポリイミド樹脂基板の製造方法を提供する。この温度はポリイミド樹脂基板から水分を蒸発させるための好適な条件である。
３）無電解ニッケルの合計厚みが０．１〜１．０μｍである前記１）又は２）記載の金属被覆ポリイミド樹脂基板の製造方法。
４）加熱処理の温度を９０°Ｃ〜３００°Ｃとする前記１）〜３）のいずれかに記載の金属被覆ポリイミド樹脂基板の製造方法を提供する。この温度はポリイミド樹脂基板から水分を蒸発させるための好適な条件である。
また、本願発明は、
５）前記触媒付与処理において、予め金属捕捉能を持つ官能基を有するシランカップリング剤と貴金属化合物とを混合又は反応させた溶液に浸漬することも有効である。前記本願発明の金属被覆ポリイミド樹脂基板の製造方法は、これらを必要に応じて適用することができ、本願発明はこれらを包含する。
５）前記触媒付与処理において、予め金属捕捉能を持つ官能基を有するシランカップリング剤と貴金属化合物とを混合又は反応させた溶液に浸漬することも有効である。前記本願発明の金属被覆ポリイミド樹脂基板の製造方法は、これらを必要に応じて適用することができ、本願発明はこれらを包含する。
６）前記無電解ニッケルめっきとしては、特に０．１〜３ｗｔ％のＢを含有する無電解ニッケルめっきであることが有効である。本願発明は、０．１〜３ｗｔ％のＢを含有する無電解ニッケルめっきを使用した金属被覆ポリイミド樹脂基板の製造方法を提供するものである。このＢ入りニッケル無電解めっきは、ポリイミド樹脂からの水分を蒸発させかつポリイミド樹脂への水分の再侵入を阻止するめっき層として有効である。また、一般的に幅広く用いられているＮｉ−Ｐ無電解ニッケルめっき皮膜と比較してエッチング性が良いため、ファインパターン回路形成に優れているといった特徴がある。
以上により、導体である銅を被覆する工程の前において、ポリイミド樹脂フィルムに親水化処理、触媒付与および触媒活性化処理を施した後に、Ｂ含有無電解ニッケルめっき層を形成し、大気中で熱処理を行った後に再度無電解ニッケルめっきを行い、耐熱エージング特性を向上させた金属被覆ポリイミド基板の製造方法を提供するものであり、特にポリイミドフィルムと金属層間の積層後の初期密着力を、低下させることなくエージング後の密着力を高めることが可能であるという優れた効果を有する。
次に、本願発明の具体例について説明する。なお、以下の説明は本願発明を理解し易くするためのものであり、この説明に発明の本質を制限されるものではない。すなわち、本発明に含まれる他の態様または変形を包含するものである。
本願発明の金属被覆ポリイミド樹脂基板の製造方法は、ポリイミド樹脂基板をアルカリ金属水酸化物からなる溶液に浸漬して親水化する処理、触媒付与処理及び触媒活性化処理を施した後、該ポリイミド樹脂フィルムの両面又は片面に無電解ニッケルめっきによりＢ含有ニッケル層を形成するものである。なお、以下の説明において、本願発明の無電解ニッケルめっき層は、全てＢ含有ニッケル層を示すものとする。
前記無電解ニッケルめっきを行う場合には、無電解ニッケルめっき層の形成を２工程に分け、第１工程で第２工程よりも厚い無電解ニッケルめっき層を形成し、次に加熱処理を行う。そして、さらに第２工程で再度無電解ニッケルめっき層を形成する。
加熱処理は、大気中で行うことができる。また、ポリイミド樹脂フィルムをめっき処理する前に、乾燥させて脱水を行う処理を妨げるものではない。
前記無電解ニッケルめっきを行う場合には、無電解ニッケルめっき層の形成を２工程に分け、第１工程で第２工程よりも厚い無電解ニッケルめっき層を形成し、次に加熱処理を行う。そして、さらに第２工程で再度無電解ニッケルめっき層を形成する。
加熱処理は、大気中で行うことができる。また、ポリイミド樹脂フィルムをめっき処理する前に、乾燥させて脱水を行う処理を妨げるものではない。
ここで重要なことは、前記第１工程における無電解ニッケルめっきは、薄い膜ではなく、むしろ前記第１工程における無電解ニッケルめっきを、より厚く形成するということである。このようにする理由は、２層目の無電解めっき液による水分のポリイミド樹脂への浸入の進み方が、１層目の厚みに依存する傾向があるからである。また、後述するように、前記第１工程後の加熱処理は比較的温度を高くして行うことが望ましい。
これによって、単に前記第１工程における無電解ニッケルめっきは、多数の蒸発孔が形成されるように薄く被覆するのではなく、厚く被覆するために、むしろめっき膜の孔は減少する。これは第２工程目の無電解ニッケルめっきの際のめっき浴からの水分の浸入を防ぐ役割を持つ。これは、本願発明の大きな特徴と言える。
これによって、単に前記第１工程における無電解ニッケルめっきは、多数の蒸発孔が形成されるように薄く被覆するのではなく、厚く被覆するために、むしろめっき膜の孔は減少する。これは第２工程目の無電解ニッケルめっきの際のめっき浴からの水分の浸入を防ぐ役割を持つ。これは、本願発明の大きな特徴と言える。
この無電解ニッケルめっき膜は、極めて薄い膜なので、ポリイミド樹脂からの水分の蒸発とポリイミド樹脂への水分の再侵入を阻止する機構を十分に解明できたとは言えないが、後述するエージング後のピール強度の実験データから、それを確認することができる。特に、ホウ素含有無電解ニッケルめっきは有効である。
金属被覆ポリイミド樹脂基板の製造方法は、さらに第１工程で形成する無電解ニッケルめっき層の厚みがニッケルめっき層の全体厚みの５５％以上になるように形成することが望ましい。これは、第１工程で形成する無電解ニッケルめっき層の厚みの下限値を示すものである。第１工程で形成する無電解ニッケルめっき層の厚みの上限値は、全体厚みの９６％とするのが望ましい。
金属被覆ポリイミド樹脂基板の製造方法は、さらに第１工程で形成する無電解ニッケルめっき層の厚みがニッケルめっき層の全体厚みの５５％以上になるように形成することが望ましい。これは、第１工程で形成する無電解ニッケルめっき層の厚みの下限値を示すものである。第１工程で形成する無電解ニッケルめっき層の厚みの上限値は、全体厚みの９６％とするのが望ましい。
また、本願発明の金属被覆ポリイミド樹脂基板の製造方法は、無電解ニッケルの合計厚みを０．１〜１．０μｍとすることができる。無電解ニッケルの合計厚みは、特に限定されないのであるが、フレキシブル性を向上させるためには、上限を１．０μｍとするのが望ましい。しかし、これは好適な厚さを示すものであり、製品の要求度に応じてこの厚さに制限されないことを知るべきである。
前記無電解ニッケル又はニッケル合金の合計厚みの下限値は、ポリイミド樹脂基板との接着性と銅のポリイミド樹脂基板への拡散防止のためには、０．１μｍとするのが良い。これも好適な厚さを示すものであり、製品の要求度に応じて変えることも可能である。
前記無電解ニッケル又はニッケル合金の合計厚みの下限値は、ポリイミド樹脂基板との接着性と銅のポリイミド樹脂基板への拡散防止のためには、０．１μｍとするのが良い。これも好適な厚さを示すものであり、製品の要求度に応じて変えることも可能である。
また、本願発明の金属被覆ポリイミド樹脂基板の製造方法は、加熱処理の温度を９０°Ｃ〜３００°Ｃとすることができる。この温度は、ポリイミド樹脂基板から水分を蒸発させるための好適な条件である。一方、上記の通り、第１工程目の無電解ニッケルめっき層は厚く形成されているので、めっきが粒子状に形成された場合でも、相互の粒子が近接しているため、低温度の加熱でも無電解ニッケルの微細孔を閉塞させる効果を有するものと考えられる。
これによって、第２工程目の無電解ニッケルめっきの際のめっき浴からの水分の浸入を効果的に阻止する役割を有する。加熱処理時間は、特に制限はないが、１分〜６０分程度とすることができる。
これによって、第２工程目の無電解ニッケルめっきの際のめっき浴からの水分の浸入を効果的に阻止する役割を有する。加熱処理時間は、特に制限はないが、１分〜６０分程度とすることができる。
また、本願発明の金属被覆ポリイミド樹脂基板の製造方法は、前記触媒付与処理において、予め金属捕捉能を持つ官能基を有するシランカップリング剤と貴金属化合物とを混合又は反応させた溶液に浸漬することも有効である。これらを必要に応じて適用することができ、本願発明はこれらを包含する。
本願発明においては、上記無電解めっきを、主に説明しているが、エージング後のピール強度を向上させる方法は、このような無電解めっきだけではない。すなわち、ポリイミド樹脂基板をアルカリ金属水酸化物からなる溶液に浸漬し親水化する処理、触媒付与処理及び触媒活性化処理を施した後に、無電解ニッケルめっきを行うことも重要であることも知るべきである。
本願発明においては、上記無電解めっきを、主に説明しているが、エージング後のピール強度を向上させる方法は、このような無電解めっきだけではない。すなわち、ポリイミド樹脂基板をアルカリ金属水酸化物からなる溶液に浸漬し親水化する処理、触媒付与処理及び触媒活性化処理を施した後に、無電解ニッケルめっきを行うことも重要であることも知るべきである。
また、本願発明の金属被覆ポリイミド樹脂基板の製造方法は、前記無電解めっき液に０．１〜３ｗｔ％のＢを含有する無電解ニッケルめっき液を使用する。このＢ入り無電解ニッケルめっきは、ポリイミド樹脂からの水分を蒸発させ、かつポリイミド樹脂への水分の再侵入を阻止するめっき層として有効である。
Ｂ含有量が０．１ｗｔ％未満では含有効果が低いので、０．１ｗｔ％以上とすること、またＢ含有量が３ｗｔ％を超えるとエージング後のピール強度がやや低下してくるので、３ｗｔ％以下とすることが望ましい。特に、有効な範囲は０．５〜２ｗｔ％のＢを含有する無電解ニッケルめっき液である。
しかし、この数値条件は、被覆する材料の種類又は製造条件により、必要に応じて、上記数値条件の範囲外のＢを含有する無電解ニッケルめっき液を使用することも可能である。本願発明は、これらを全て包含するものである。
前記の通り、基板となる材料としてポリイミド樹脂を使用した例を示しているが、他の基板材料への適用も可能である。例えば、ポリエーテルイミド、ポリフェニレンサルファイド、ポリブチレンテレフタレート、エポキシ樹脂、液晶ポリマーなどである。
Ｂ含有量が０．１ｗｔ％未満では含有効果が低いので、０．１ｗｔ％以上とすること、またＢ含有量が３ｗｔ％を超えるとエージング後のピール強度がやや低下してくるので、３ｗｔ％以下とすることが望ましい。特に、有効な範囲は０．５〜２ｗｔ％のＢを含有する無電解ニッケルめっき液である。
しかし、この数値条件は、被覆する材料の種類又は製造条件により、必要に応じて、上記数値条件の範囲外のＢを含有する無電解ニッケルめっき液を使用することも可能である。本願発明は、これらを全て包含するものである。
前記の通り、基板となる材料としてポリイミド樹脂を使用した例を示しているが、他の基板材料への適用も可能である。例えば、ポリエーテルイミド、ポリフェニレンサルファイド、ポリブチレンテレフタレート、エポキシ樹脂、液晶ポリマーなどである。
本願発明は、上記の通り、ポリイミド樹脂基板をアルカリ金属水酸化物からなる溶液に浸漬し親水化する処理、触媒付与処理及び触媒活性化処理を施した後、前記無電解ニッケルめっき層を形成するのであるが、アルカリ金属水酸化物としては、水酸化カリウム、水酸化リチウムなどを挙げることができる。また、オルトケイ酸ナトリウムなどのケイ酸化合物も使用可能であり、これらを単独又は複合して使用できる。
めっき膜の密着力をより向上させるために、ポリイミド樹脂基板の表面に、予めクロム酸や過マンガン酸などを用いてエッチング処理し、これによるアンカー効果を持たせる処理を行っても良い。また、めっきを行う前処理段階で、ポリイミド樹脂基板の表面を還元剤で処理することも有効である場合がある。本願発明は、必要に応じてこれを使用することができる。本願発明は、これらの処理を付加的に行うことができ、これらの処理を包含するものである。
次に、実施例および比較例に基づいて説明する。なお、本実施例はあくまで一例であり、この例のみに制限されるものではない。すなわち、本発明に含まれる他の態様または変形を包含するものである。
（実施例１）
ポリイミド樹脂フィルム（デュポン社：カプトン150E）を親水化処理として２５°Ｃの１００ｇ／Ｌの水酸化カリウム水溶液に３分間浸漬した後、純水で洗浄した。触媒付与工程として、予め金属捕捉能を持つ官能基を有するシランカップリング剤と貴金属化合物とを混合又は反応させた溶液（日鉱金属社：PM-A）に５０°Ｃで１０分間浸漬し、純水で洗浄した。さらにこの後、触媒活性化処理として還元剤溶液（日鉱金属社：PM-B）に５０°Ｃに３分間浸漬した後、純水で洗浄した。
第１のめっき工程として無電解ニッケル−ホウ素系めっき液（日鉱メタルプレーティング社：ニコムHB）を用い、表１に示すように、０．１９μｍのニッケル層（１．６ｗｔ％Ｂ含有）を形成し、純水で洗浄した。次に、水切りを行った後、大気中で１５０°Ｃ１０分の熱処理を行った。
第２のめっき工程として、上記と同様のニッケルめっき液にて０．０６μｍのニッケル層を形成し、合計（第１めっき＋第２めっき）０．２５μｍのニッケル層を形成した。全体の厚みに対する第１のニッケル層の厚みの割合は７６％に達する。
ポリイミド樹脂フィルム（デュポン社：カプトン150E）を親水化処理として２５°Ｃの１００ｇ／Ｌの水酸化カリウム水溶液に３分間浸漬した後、純水で洗浄した。触媒付与工程として、予め金属捕捉能を持つ官能基を有するシランカップリング剤と貴金属化合物とを混合又は反応させた溶液（日鉱金属社：PM-A）に５０°Ｃで１０分間浸漬し、純水で洗浄した。さらにこの後、触媒活性化処理として還元剤溶液（日鉱金属社：PM-B）に５０°Ｃに３分間浸漬した後、純水で洗浄した。
第１のめっき工程として無電解ニッケル−ホウ素系めっき液（日鉱メタルプレーティング社：ニコムHB）を用い、表１に示すように、０．１９μｍのニッケル層（１．６ｗｔ％Ｂ含有）を形成し、純水で洗浄した。次に、水切りを行った後、大気中で１５０°Ｃ１０分の熱処理を行った。
第２のめっき工程として、上記と同様のニッケルめっき液にて０．０６μｍのニッケル層を形成し、合計（第１めっき＋第２めっき）０．２５μｍのニッケル層を形成した。全体の厚みに対する第１のニッケル層の厚みの割合は７６％に達する。
上記のニッケルめっき層を形成した後、無電解銅めっき液（ロームアンドハース電子材料社：328）にて、無電解銅シード層を形成したのち、電気銅めっきにて８μｍの導体層を形成し、９０°引き剥がしによるピール強度を測定した。９０°引き剥がしによるピール強度等の測定結果を、表１に示す。
この結果、常態ピール強度は、０．５４ｋＮ／ｍであり、１５０°Ｃ、７日エージング後、０．３５ｋＮ／ｍであり、保持率（エージング後／常態）は６４％に達した。これから明らかなように、本実施例１は、全体の厚みに対する第１のニッケル層の厚みの割合が７５％であるが、保持率（エージング後／常態）は６４％に達し、良好な耐熱エージング特性を備えていることが分かる。
この結果、常態ピール強度は、０．５４ｋＮ／ｍであり、１５０°Ｃ、７日エージング後、０．３５ｋＮ／ｍであり、保持率（エージング後／常態）は６４％に達した。これから明らかなように、本実施例１は、全体の厚みに対する第１のニッケル層の厚みの割合が７５％であるが、保持率（エージング後／常態）は６４％に達し、良好な耐熱エージング特性を備えていることが分かる。
（実施例２）
実施例１でのニッケルめっき工程において、第１のめっき工程として無電解ニッケル−ホウ素系めっき液（日鉱メタルプレーティング社：ニコムHB）を用い０．２４μｍのニッケル層（１．４ｗｔ％Ｂ含有）を形成し、純水で洗浄した。さらに、水切りを行った後に大気中で１５０°Ｃ１０分の熱処理を行った。
次いで、第２のめっき工程として、上記と同様のニッケルめっき液にて０．０１μｍのニッケル層を形成し、合計（第１めっき＋第２めっき）０．２５μｍのニッケル層を形成した。全体の厚みに対する第１のニッケル層の厚みの割合は９６％に達する。
その他は、実施例１と同様の工程である。同様に、９０°引き剥がしによるピール強度等の測定結果を、表１に示す。
この結果、常態ピール強度は、０．５４ｋＮ／ｍであり、１５０°Ｃ、７日エージング後、０．３４ｋＮ／ｍであり、保持率（エージング後／常態）は６３％に達した。これから明らかなように、本実施例２は、全体の厚みに対する第１のニッケル層の厚みの割合が９６％であるが、保持率（エージング後／常態）は６３％に達し、良好な耐熱エージング特性を備えていることが分かる。
実施例１でのニッケルめっき工程において、第１のめっき工程として無電解ニッケル−ホウ素系めっき液（日鉱メタルプレーティング社：ニコムHB）を用い０．２４μｍのニッケル層（１．４ｗｔ％Ｂ含有）を形成し、純水で洗浄した。さらに、水切りを行った後に大気中で１５０°Ｃ１０分の熱処理を行った。
次いで、第２のめっき工程として、上記と同様のニッケルめっき液にて０．０１μｍのニッケル層を形成し、合計（第１めっき＋第２めっき）０．２５μｍのニッケル層を形成した。全体の厚みに対する第１のニッケル層の厚みの割合は９６％に達する。
その他は、実施例１と同様の工程である。同様に、９０°引き剥がしによるピール強度等の測定結果を、表１に示す。
この結果、常態ピール強度は、０．５４ｋＮ／ｍであり、１５０°Ｃ、７日エージング後、０．３４ｋＮ／ｍであり、保持率（エージング後／常態）は６３％に達した。これから明らかなように、本実施例２は、全体の厚みに対する第１のニッケル層の厚みの割合が９６％であるが、保持率（エージング後／常態）は６３％に達し、良好な耐熱エージング特性を備えていることが分かる。
（実施例３）
実施例１でのニッケルめっき工程において、第１のめっき工程として無電解ニッケル−ホウ素系めっき液（日鉱メタルプレーティング社：ニコムHB）を用い０．１４μｍのニッケル層（１．６ｗｔ％Ｂ含有）を形成し、純水で洗浄した。さらに、水切りを行った後に大気中で１５０°Ｃ１０分の熱処理を行った。
次いで、第２のめっき工程として、上記と同様のニッケルめっき液にて０．１１μｍのニッケル層を形成し、合計（第１めっき＋第２めっき）０．２５μｍのニッケル層を形成した。全体の厚みに対する第１のニッケル層の厚みの割合は５６％に達する。
その他は、実施例１と同様の工程である。同様に、９０°引き剥がしによるピール強度等の測定結果を、表１に示す。
実施例１でのニッケルめっき工程において、第１のめっき工程として無電解ニッケル−ホウ素系めっき液（日鉱メタルプレーティング社：ニコムHB）を用い０．１４μｍのニッケル層（１．６ｗｔ％Ｂ含有）を形成し、純水で洗浄した。さらに、水切りを行った後に大気中で１５０°Ｃ１０分の熱処理を行った。
次いで、第２のめっき工程として、上記と同様のニッケルめっき液にて０．１１μｍのニッケル層を形成し、合計（第１めっき＋第２めっき）０．２５μｍのニッケル層を形成した。全体の厚みに対する第１のニッケル層の厚みの割合は５６％に達する。
その他は、実施例１と同様の工程である。同様に、９０°引き剥がしによるピール強度等の測定結果を、表１に示す。
（実施例４）
実施例１でのニッケルめっき工程において、第１のめっき工程として無電解ニッケル−ホウ素系めっき液（日鉱メタルプレーティング社：ニコムHB）を用い０．１５μｍのニッケル層（１．６ｗｔ％Ｂ含有）を形成し、純水で洗浄した。さらに、水切りを行った後に大気中で１５０°Ｃ１０分の熱処理を行った。
次いで、第２のめっき工程として、上記と同様のニッケルめっき液にて０．１０μｍのニッケル層を形成し、合計（第１めっき＋第２めっき）０．２５μｍのニッケル層を形成した。全体の厚みに対する第１のニッケル層の厚みの割合は６０％に達する。
その他は、実施例１と同様の工程である。同様に、９０°引き剥がしによるピール強度等の測定結果を、表１に示す。
実施例１でのニッケルめっき工程において、第１のめっき工程として無電解ニッケル−ホウ素系めっき液（日鉱メタルプレーティング社：ニコムHB）を用い０．１５μｍのニッケル層（１．６ｗｔ％Ｂ含有）を形成し、純水で洗浄した。さらに、水切りを行った後に大気中で１５０°Ｃ１０分の熱処理を行った。
次いで、第２のめっき工程として、上記と同様のニッケルめっき液にて０．１０μｍのニッケル層を形成し、合計（第１めっき＋第２めっき）０．２５μｍのニッケル層を形成した。全体の厚みに対する第１のニッケル層の厚みの割合は６０％に達する。
その他は、実施例１と同様の工程である。同様に、９０°引き剥がしによるピール強度等の測定結果を、表１に示す。
（実施例５）
実施例１でのニッケルめっき工程において、第１のめっき工程として無電解ニッケル−ホウ素系めっき液（日鉱メタルプレーティング社：ニコムHB）を用い０．１６μｍのニッケル層（１．６ｗｔ％Ｂ含有）を形成し、純水で洗浄した。さらに、水切りを行った後に大気中で１５０°Ｃ１０分の熱処理を行った。
次いで、第２のめっき工程として、上記と同様のニッケルめっき液にて０．０９μｍのニッケル層を形成し、合計（第１めっき＋第２めっき）０．２５μｍのニッケル層を形成した。全体の厚みに対する第１のニッケル層の厚みの割合は６４％に達する。
その他は、実施例１と同様の工程である。同様に、９０°引き剥がしによるピール強度等の測定結果を、表１に示す。
実施例１でのニッケルめっき工程において、第１のめっき工程として無電解ニッケル−ホウ素系めっき液（日鉱メタルプレーティング社：ニコムHB）を用い０．１６μｍのニッケル層（１．６ｗｔ％Ｂ含有）を形成し、純水で洗浄した。さらに、水切りを行った後に大気中で１５０°Ｃ１０分の熱処理を行った。
次いで、第２のめっき工程として、上記と同様のニッケルめっき液にて０．０９μｍのニッケル層を形成し、合計（第１めっき＋第２めっき）０．２５μｍのニッケル層を形成した。全体の厚みに対する第１のニッケル層の厚みの割合は６４％に達する。
その他は、実施例１と同様の工程である。同様に、９０°引き剥がしによるピール強度等の測定結果を、表１に示す。
（実施例６）
実施例１でのニッケルめっき工程において、第１のめっき工程として無電解ニッケル−ホウ素系めっき液（日鉱メタルプレーティング社：ニコムHB）を用い０．１８μｍのニッケル層（１．６ｗｔ％Ｂ含有）を形成し、純水で洗浄した。さらに、水切りを行った後に大気中で１５０°Ｃ１０分の熱処理を行った。
次いで、第２のめっき工程として、上記と同様のニッケルめっき液にて０．０７μｍのニッケル層を形成し、合計（第１めっき＋第２めっき）０．２５μｍのニッケル層を形成した。全体の厚みに対する第１のニッケル層の厚みの割合は７２％に達する。
その他は、実施例１と同様の工程である。同様に、９０°引き剥がしによるピール強度等の測定結果を、表１に示す。
実施例１でのニッケルめっき工程において、第１のめっき工程として無電解ニッケル−ホウ素系めっき液（日鉱メタルプレーティング社：ニコムHB）を用い０．１８μｍのニッケル層（１．６ｗｔ％Ｂ含有）を形成し、純水で洗浄した。さらに、水切りを行った後に大気中で１５０°Ｃ１０分の熱処理を行った。
次いで、第２のめっき工程として、上記と同様のニッケルめっき液にて０．０７μｍのニッケル層を形成し、合計（第１めっき＋第２めっき）０．２５μｍのニッケル層を形成した。全体の厚みに対する第１のニッケル層の厚みの割合は７２％に達する。
その他は、実施例１と同様の工程である。同様に、９０°引き剥がしによるピール強度等の測定結果を、表１に示す。
（実施例７）
実施例１でのニッケルめっき工程において、第１のめっき工程として無電解ニッケル−ホウ素系めっき液（日鉱メタルプレーティング社：ニコムHB）を用い０．２０μｍのニッケル層（１．５ｗｔ％Ｂ含有）を形成し、純水で洗浄した。さらに、水切りを行った後に大気中で１５０°Ｃ１０分の熱処理を行った。
次いで、第２のめっき工程として、上記と同様のニッケルめっき液にて０．０５μｍのニッケル層を形成し、合計（第１めっき＋第２めっき）０．２５μｍのニッケル層を形成した。全体の厚みに対する第１のニッケル層の厚みの割合は８０％に達する。
その他は、実施例１と同様の工程である。同様に、９０°引き剥がしによるピール強度等の測定結果を、表１に示す。
実施例１でのニッケルめっき工程において、第１のめっき工程として無電解ニッケル−ホウ素系めっき液（日鉱メタルプレーティング社：ニコムHB）を用い０．２０μｍのニッケル層（１．５ｗｔ％Ｂ含有）を形成し、純水で洗浄した。さらに、水切りを行った後に大気中で１５０°Ｃ１０分の熱処理を行った。
次いで、第２のめっき工程として、上記と同様のニッケルめっき液にて０．０５μｍのニッケル層を形成し、合計（第１めっき＋第２めっき）０．２５μｍのニッケル層を形成した。全体の厚みに対する第１のニッケル層の厚みの割合は８０％に達する。
その他は、実施例１と同様の工程である。同様に、９０°引き剥がしによるピール強度等の測定結果を、表１に示す。
（実施例８）
実施例１でのニッケルめっき工程において、第１のめっき工程として無電解ニッケル−ホウ素系めっき液（日鉱メタルプレーティング社：ニコムHB）を用い０．２１μｍのニッケル層（１．４ｗｔ％Ｂ含有）を形成し、純水で洗浄した。さらに、水切りを行った後に大気中で１５０°Ｃ１０分の熱処理を行った。
次いで、第２のめっき工程として、上記と同様のニッケルめっき液にて０．０４μｍのニッケル層を形成し、合計（第１めっき＋第２めっき）０．２５μｍのニッケル層を形成した。全体の厚みに対する第１のニッケル層の厚みの割合は８４％に達する。
その他は、実施例１と同様の工程である。同様に、９０°引き剥がしによるピール強度等の測定結果を、表１に示す。
実施例１でのニッケルめっき工程において、第１のめっき工程として無電解ニッケル−ホウ素系めっき液（日鉱メタルプレーティング社：ニコムHB）を用い０．２１μｍのニッケル層（１．４ｗｔ％Ｂ含有）を形成し、純水で洗浄した。さらに、水切りを行った後に大気中で１５０°Ｃ１０分の熱処理を行った。
次いで、第２のめっき工程として、上記と同様のニッケルめっき液にて０．０４μｍのニッケル層を形成し、合計（第１めっき＋第２めっき）０．２５μｍのニッケル層を形成した。全体の厚みに対する第１のニッケル層の厚みの割合は８４％に達する。
その他は、実施例１と同様の工程である。同様に、９０°引き剥がしによるピール強度等の測定結果を、表１に示す。
（実施例９）
実施例１でのニッケルめっき工程において、第１のめっき工程として無電解ニッケル−ホウ素系めっき液（日鉱メタルプレーティング社：ニコムHB）を用い０．２２μｍのニッケル層（１．５ｗｔ％Ｂ含有）を形成し、純水で洗浄した。さらに、水切りを行った後に大気中で１５０°Ｃ１０分の熱処理を行った。
次いで、第２のめっき工程として、上記と同様のニッケルめっき液にて０．０３μｍのニッケル層を形成し、合計（第１めっき＋第２めっき）０．２５μｍのニッケル層を形成した。全体の厚みに対する第１のニッケル層の厚みの割合は８８％に達する。
その他は、実施例１と同様の工程である。同様に、９０°引き剥がしによるピール強度等の測定結果を、表１に示す。
実施例１でのニッケルめっき工程において、第１のめっき工程として無電解ニッケル−ホウ素系めっき液（日鉱メタルプレーティング社：ニコムHB）を用い０．２２μｍのニッケル層（１．５ｗｔ％Ｂ含有）を形成し、純水で洗浄した。さらに、水切りを行った後に大気中で１５０°Ｃ１０分の熱処理を行った。
次いで、第２のめっき工程として、上記と同様のニッケルめっき液にて０．０３μｍのニッケル層を形成し、合計（第１めっき＋第２めっき）０．２５μｍのニッケル層を形成した。全体の厚みに対する第１のニッケル層の厚みの割合は８８％に達する。
その他は、実施例１と同様の工程である。同様に、９０°引き剥がしによるピール強度等の測定結果を、表１に示す。
（比較例１）
実施例１でのニッケルめっき工程において、第１のめっき工程として無電解ニッケル−ホウ素系めっき液（日鉱メタルプレーティング社：ニコムHB）を用い０．１２μｍのニッケル層（１．６ｗｔ％Ｂ含有）を形成し、純水で洗浄し、水切りを行った後に大気中で１５０°Ｃ１０分の熱処理を行い、第２のめっき工程として上記と同様のニッケルめっき液にて０．１３μｍのニッケル層を形成し、合計（第１めっき＋第２めっき）０．２５μｍのニッケル層を形成した。全体の厚みに対する第１のニッケル層の厚みの割合は４８％である。
その他は、実施例１と同様の工程である。同様に、９０°引き剥がしによるピール強度等の測定結果を表１に示す。
この結果、常態ピール強度は、０．５６ｋＮ／ｍであり、１５０°Ｃ、７日エージング後、０．２６ｋＮ／ｍであり、保持率（エージング後／常態）は４６％であった。これから明らかなように、本比較例１は、全体の厚みに対する第１のニッケル層の厚みの割合が５０％であるが、保持率（エージング後／常態）は４６％であり、耐熱エージング特性は悪いことが分かる。
実施例１でのニッケルめっき工程において、第１のめっき工程として無電解ニッケル−ホウ素系めっき液（日鉱メタルプレーティング社：ニコムHB）を用い０．１２μｍのニッケル層（１．６ｗｔ％Ｂ含有）を形成し、純水で洗浄し、水切りを行った後に大気中で１５０°Ｃ１０分の熱処理を行い、第２のめっき工程として上記と同様のニッケルめっき液にて０．１３μｍのニッケル層を形成し、合計（第１めっき＋第２めっき）０．２５μｍのニッケル層を形成した。全体の厚みに対する第１のニッケル層の厚みの割合は４８％である。
その他は、実施例１と同様の工程である。同様に、９０°引き剥がしによるピール強度等の測定結果を表１に示す。
この結果、常態ピール強度は、０．５６ｋＮ／ｍであり、１５０°Ｃ、７日エージング後、０．２６ｋＮ／ｍであり、保持率（エージング後／常態）は４６％であった。これから明らかなように、本比較例１は、全体の厚みに対する第１のニッケル層の厚みの割合が５０％であるが、保持率（エージング後／常態）は４６％であり、耐熱エージング特性は悪いことが分かる。
（比較例２）
実施例１でのニッケルめっき工程において、第１のめっき工程として無電解ニッケル−ホウ素系めっき液（日鉱メタルプレーティング社：ニコムHB）を用い０．１９μｍのニッケル層（１．６ｗｔ％Ｂ含有）を形成し、純水で洗浄し、水切りを行った後に大気中で６０°Ｃ１０分の熱処理を行い、第２のめっき工程として上記と同様のニッケルめっき液にて０．０６μｍのニッケル層を形成し、合計（第１めっき＋第２めっき）０．２５μｍのニッケル層を形成した。全体の厚みに対する第１のニッケル層の厚みの割合は７６％である。但し、上記に示す通り、６０°Ｃ１０分の熱処理である。
その他は、実施例１と同様の工程である。同様に、９０°引き剥がしによるピール強度等の測定結果を表１に示す。
この結果、常態ピール強度は、０．５４ｋＮ／ｍであり、１５０°Ｃ、７日エージング後、０．２７ｋＮ／ｍであり、保持率（エージング後／常態）は５０％であった。これから明らかなように、本比較例２は、全体の厚みに対する第１のニッケル層の厚みの割合が７５％であるが、加熱処理温度が低いために、保持率（エージング後／常態）は５０％となり、耐熱エージング特性は悪いことが分かる。
実施例１でのニッケルめっき工程において、第１のめっき工程として無電解ニッケル−ホウ素系めっき液（日鉱メタルプレーティング社：ニコムHB）を用い０．１９μｍのニッケル層（１．６ｗｔ％Ｂ含有）を形成し、純水で洗浄し、水切りを行った後に大気中で６０°Ｃ１０分の熱処理を行い、第２のめっき工程として上記と同様のニッケルめっき液にて０．０６μｍのニッケル層を形成し、合計（第１めっき＋第２めっき）０．２５μｍのニッケル層を形成した。全体の厚みに対する第１のニッケル層の厚みの割合は７６％である。但し、上記に示す通り、６０°Ｃ１０分の熱処理である。
その他は、実施例１と同様の工程である。同様に、９０°引き剥がしによるピール強度等の測定結果を表１に示す。
この結果、常態ピール強度は、０．５４ｋＮ／ｍであり、１５０°Ｃ、７日エージング後、０．２７ｋＮ／ｍであり、保持率（エージング後／常態）は５０％であった。これから明らかなように、本比較例２は、全体の厚みに対する第１のニッケル層の厚みの割合が７５％であるが、加熱処理温度が低いために、保持率（エージング後／常態）は５０％となり、耐熱エージング特性は悪いことが分かる。
（比較例３）
実施例１でのニッケルめっき工程において、第１のめっき工程として無電解ニッケル−ホウ素系めっき液（日鉱メタルプレーティング社：ニコムHB）を用い０．２５μｍのニッケル層（１．２ｗｔ％Ｂ含有）を形成し、熱処理および第２のめっき工程は行わなかった。全体の厚みに対する第１のニッケル層の厚みの割合は１００％である。
その他は、実施例１と同様の工程である。同様に、９０°引き剥がしによるピール強度等の測定結果を表１に示す。
この結果、常態ピール強度は、０．５２ｋＮ／ｍであり、１５０°Ｃ、７日エージング後、０．２６ｋＮ／ｍであり、保持率（エージング後／常態）は５０％であった。これから明らかなように、本比較例３は、全体の厚みに対する第１のニッケル層の厚みの割合が１００％であるが、加熱処理していないために、保持率（エージング後／常態）は５０％となり、耐熱エージング特性は悪いことが分かる。
実施例１でのニッケルめっき工程において、第１のめっき工程として無電解ニッケル−ホウ素系めっき液（日鉱メタルプレーティング社：ニコムHB）を用い０．２５μｍのニッケル層（１．２ｗｔ％Ｂ含有）を形成し、熱処理および第２のめっき工程は行わなかった。全体の厚みに対する第１のニッケル層の厚みの割合は１００％である。
その他は、実施例１と同様の工程である。同様に、９０°引き剥がしによるピール強度等の測定結果を表１に示す。
この結果、常態ピール強度は、０．５２ｋＮ／ｍであり、１５０°Ｃ、７日エージング後、０．２６ｋＮ／ｍであり、保持率（エージング後／常態）は５０％であった。これから明らかなように、本比較例３は、全体の厚みに対する第１のニッケル層の厚みの割合が１００％であるが、加熱処理していないために、保持率（エージング後／常態）は５０％となり、耐熱エージング特性は悪いことが分かる。
（比較例４）
実施例１でのニッケルめっき工程において、第１のめっき工程として無電解ニッケル−リン系めっき液（日鉱メタルプレーティング社：KG530F）を用い０．１９μｍのニッケル層（７．４ｗｔ％Ｐ含有）を形成し、純水で洗浄し、水切りを行った後に大気中で１５０°Ｃ１０分の熱処理を行い、第２のめっき工程として上記と同様のニッケルめっき液にて０．０６μｍのニッケル層を形成し、合計（第１めっき＋第２めっき）０．２５μｍのニッケル層を形成した。全体の厚みに対する第１のニッケル層の厚みの割合は７６％である。
その他は、実施例１と同様の工程である。同様に、９０°引き剥がしによるピール強度等の測定結果を表１に示す。
この結果、常態ピール強度は、０．４５ｋＮ／ｍであり、１５０°Ｃ、７日エージング後、０．２１ｋＮ／ｍであり、保持率（エージング後／常態）は４７％であった。これから明らかなように、本比較例４は、無電解ニッケル液にニッケル−リン系を用いたために、保持率（エージング後／常態）は４７％となり、耐熱エージング特性は悪いことが分かる。同じＮｉ系合金の無電解めっきであっても、無電解ニッケル−リン系では十分な特性が得られものでないことが分かる。
実施例１でのニッケルめっき工程において、第１のめっき工程として無電解ニッケル−リン系めっき液（日鉱メタルプレーティング社：KG530F）を用い０．１９μｍのニッケル層（７．４ｗｔ％Ｐ含有）を形成し、純水で洗浄し、水切りを行った後に大気中で１５０°Ｃ１０分の熱処理を行い、第２のめっき工程として上記と同様のニッケルめっき液にて０．０６μｍのニッケル層を形成し、合計（第１めっき＋第２めっき）０．２５μｍのニッケル層を形成した。全体の厚みに対する第１のニッケル層の厚みの割合は７６％である。
その他は、実施例１と同様の工程である。同様に、９０°引き剥がしによるピール強度等の測定結果を表１に示す。
この結果、常態ピール強度は、０．４５ｋＮ／ｍであり、１５０°Ｃ、７日エージング後、０．２１ｋＮ／ｍであり、保持率（エージング後／常態）は４７％であった。これから明らかなように、本比較例４は、無電解ニッケル液にニッケル−リン系を用いたために、保持率（エージング後／常態）は４７％となり、耐熱エージング特性は悪いことが分かる。同じＮｉ系合金の無電解めっきであっても、無電解ニッケル−リン系では十分な特性が得られものでないことが分かる。
以上の実施例と比較例の対比から明らかなように、Ｂを含有する無電解ニッケルめっき層を形成する場合、第１工程で第２工程よりも厚い無電解ニッケルめっき層を形成した後、加熱処理を行い、さらに第２工程で再度無電解ニッケルめっき層を形成することが、耐熱エージング特性に優れた金属被覆ポリイミド樹脂基板を提供できることが分かる。第１工程での無電解ニッケルめっき層の形成が十分でない場合、また１層だけの無電解ニッケルめっき層では、耐熱エージング特性は十分ではない。また、通常使用されるＰ含有無電解ニッケルめっき層でも、同様に耐熱エージング特性が悪いことが分かる。
上記実施例１〜９では、Ｂの含有量が１．４〜１．６ｗｔ％の範囲で実施しているが、０．１〜３ｗｔ％のＢを含有する無電解ニッケルめっき層であれば、前記実施例１〜９と、殆ど同様の結果であったことを確認している。
上記実施例１〜９では、Ｂの含有量が１．４〜１．６ｗｔ％の範囲で実施しているが、０．１〜３ｗｔ％のＢを含有する無電解ニッケルめっき層であれば、前記実施例１〜９と、殆ど同様の結果であったことを確認している。
本願発明は、導体である銅を被覆する工程の前において、ポリイミド樹脂フィルムに親水化処理、触媒付与および触媒活性化処理を施した後に、無電解ニッケルめっき層を形成し、大気中で熱処理を行った後に再度無電解ニッケルめっきを行い、耐熱エージング特性を向上させた金属被覆ポリイミド基板の製造方法を提供するものであり、特にポリイミドフィルムと金属層間の積層後の初期密着力を向上させ、エージング後の密着力を高めることが可能であるとともに、ファインパターン形成に優れた効果を有するため、フレキシブルプリント基板、ＴＡＢ、ＣＯＦ等の電子部品の実装素材として用いられる無接着剤フレキシブルラミネート材、特に耐熱エージング特性に優れた金属被覆ポリイミド樹脂基板として有用である。
Claims (6)
- ポリイミド樹脂フィルムの両面又は片面にＢを含有する無電解ニッケルめっき層を形成し、その表層に無電解銅めっき又は電気銅めっきにより導電性皮膜を形成する金属被覆ポリイミド樹脂基板の製造方法において、上記無電解ニッケルめっきに先立って、ポリイミド樹脂基板をアルカリ金属水酸化物からなる溶液に浸漬し親水化する処理、触媒付与処理及び触媒活性化処理を施した後、前記無電解ニッケル層の形成を２工程に分け、第１工程で第２工程よりも厚い無電解ニッケルめっき層を形成した後、加熱処理を行い、さらに第２工程で再度無電解ニッケルめっき層を形成することを特徴とする金属被覆ポリイミド樹脂基板の製造方法。
- 第１工程で形成する無電解ニッケルの厚みがニッケル層の全体厚みの５５％以上になるように形成することを特徴とする請求項１記載の金属被覆ポリイミド樹脂基板の製造方法。
- 無電解ニッケルの合計厚みが０．１〜１．０μｍであることを特徴とする請求項１又は２記載の金属被覆ポリイミド樹脂基板の製造方法。
- 加熱処理の温度を９０°〜３００°Ｃとすることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の金属被覆ポリイミド樹脂基板の製造方法。
- 前記触媒付与処理において、予め金属捕捉能を持つ官能基を有するシランカップリング剤と貴金属化合物とを混合又は反応させた溶液に浸漬することを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の金属被覆ポリイミド樹脂基板の製造方法。
- 前記無電解ニッケルめっき層は、０．１〜３ｗｔ％のＢを含有する無電解ニッケルめっき層であることを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の金属被覆ポリイミド樹脂基板の製造方法。
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