JPWO2007148782A1 - 樹脂封止型半導体装置とその製造方法、半導体装置用基材および積層型樹脂封止型半導体装置 - Google Patents
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Abstract
Description
このような状況のもと、薄型化に対応するものとして、特開平11−307675号公報に記載の接続用リードの上面及び下面を露出させた構造の樹脂封止型半導体装置や、特開平11−260989号公報に記載の接続用リードの一部を露出して外部端子としている樹脂封止型半導体装置が提案されている。
一方、システムLSIのワンチップ化の開発が盛んであるが、2次元方向への配線展開となるため、配線の短縮による高速化には限界があり、また、その開発費、開発期間の増加を招いているのが実状である。最近では、これに代わり、半導体素子を3次元方向に積層したパッケージでシステムLSIを実現しようとする試みがなされている。
このようなパッケージをシステムパッケージとも言う。
また、特開平11−260989号公報に記載の樹脂封止型半導体装置はスタック構造をとれるものではない。
さらに、特開平2002−33434号公報には、パッケージ内に半導体素子(チップ)を積層したパッケージが記載されているが、この構造では、自由度が少なく、汎用化しずらい。
同時に、本発明の目的はこのような薄型の樹脂封止型半導体装置の製造方法および半導体装置用基材を提供しようとするものである。
そして、これにより、スタッフ構造のシステムパッケージを構成する積層型樹脂封止型半導体装置の提供を可能としている。
具体的には、本発明は、半導体素子と、半導体素子を囲むとともに、外部回路に接続される外部端子部と、半導体素子に接続される内部端子部と、外部端子部と内部端子部とを連結する連結部とを有する複数の端子部材と半導体素子と端子部材の内部端子部とを接続するボンディングワイヤと、半導体素子、端子部材およびボンディングワイヤを封止する樹脂封止部とを備え、各端子部材は平坦状の裏面と、2段状の表面とを有するとともに、内部端子部を形成する内側の薄肉部と、外部端子部を形成する外側の厚肉部とからなり、内部端子部の裏面、外部端子部の表面、外部端子部の裏面および外部端子部の外側側面は、樹脂封止部から外方へ露出することを特徴とする樹脂封止型半導体装置である。
即ち、このような構造としていることにより、半導体素子自体の厚さの薄型化に対応して、薄型化が達成できる。
また、ワイヤボンディング接続をとっていることにより、接続作業性を良いものとし、且つ、接続信頼性を良いものとしている。
また、後述する、本発明の樹脂封止型半導体装置の製造方法により、面付け状態で作製でき、量産性の良い構造となる。
更に、内部端子部の厚さより、半導体素子の厚さを薄くしていることにより、半導体素子の端子と内部端子の端子面におけるワイヤボンデインング接続を行う場合、第1のビンディングポイントを半導体素子とすることにより、ワイヤの垂れを防止できる構造となる。
勿論、ボンディングワイヤ接続は容易となっている。
また、先端が鋭角となった分だけ封止用樹脂の量を増やすことも可能で、封止用樹脂の量が増える分、構造的、品質面で安定する。
特に、QFN型である場合には、端子数が多くても、品質面で安定でき、有効である。
尚、前記鋭角の角度としては、85度以下が好ましい。
更に、前記各端子部材は、その内部端子部の内側端部が平面からみて先細状となっており、内側端部が先細となった分だけ封止用樹脂の量を増やすことも可能で、封止用樹脂の量が増える分、構造的、品質面で安定する。
また、前記各端子部材の前記封止用樹脂と接する面に粗面化処理が施されている。このため、端子部材と封止用樹脂との密着性の向上が図れる。
特に、前記粗面化処理による、最大高さ粗さRy(JISBO601−1994)が、1μm〜2μmの範囲である場合には、有効である。
また、外部端子部の外側上部に、表面と外側側面にわたる切り欠け部を設けている。このため個片化の際、その切断が容易となる。
特に、樹脂封止工程(モールド工程)においては、特別な形状にキャビティーを設ける必要はなく、平板状のものでその両側を抑えた状態で一括モールドが簡単に行え、量産性、設備の面からも好ましい構造と言える。
端子部材としては、Cu、Cu系合金、42%Ni−Fe系合金からなるものが挙げられる。
また、内部端子部の表面および外部端子部の表面および裏面に、半田めっき層、金めっき層、銀めっき層、パラジウムめっき層、錫めっき層から選ばれた1つの金属めっき層が、接続用のめっき層として形成されている。このためワイヤボンディング接続を信頼性良く行なうことができる。
また、内部端子部の裏面、外側端子部の表面、外部端子部の裏面、および外部端子部の外側側面を封止樹脂の外方へ露出させている。このためダイパッドレスからパッケージ内の半導体素子上のレジン厚を増し、組み立て加工し易いものとしており、より放熱性に優れる。
そして、これにより、システムパッケージをスタック構造にて実現する積層型樹脂封止型半導体装置の提供を可能とした。
また、このような樹脂封止型半導体装置の製造方法の提供を可能とした。
このような樹脂封止型半導体装置や積層型樹脂封止型半導体装置は、システムパッケージの他、カードモジュール内、ICカード内、POP(Point Of Purchase advertising )カード内、基板(紙製基材)内等に、特に薄さが求められる場合に、有効に利用できる。
図1(a)は本発明の樹脂封止型半導体装置の第1の実施の形態を示した概略断面図、図1(b)は図1(a)のA1側から透視してみた図、図2(a)は端子部材の断面図、図2(b)は図1(a)のB1側から見た図、図2(c)は図2(a)のB2側からみた図、図2(d)は図2(a)のB3側からみた図、図3(a)は本発明の樹脂封止型半導体装置の第2の実施の形態を示したの概略断面図、図3(b)は図3(a)のC1側から透視してみた図、図4(a)は本発明の樹脂封止型半導体装置の第3の実施の形態を示したの概略断面図、図4(b)は図4(a)のD1側から透視してみた図、図5は本発明の樹脂封止型半導体装置の製造方法の第1の実施の形態を示す製造工程断面図、図6は本発明の樹脂封止型半導体装置の製造方法の第2の実施の形態を示す製造工程断面図、図7は本発明の積層型樹脂封止型半導体装置の第1の実施の形態を示す断面図、図8は本発明の積層型樹脂封止型半導体装置の第2の実施の形態を示す断面図、図9は本発明の積層型樹脂封止型半導体装置の第3の実施の形態を示す断面図、図10は本発明の積層型樹脂封止型半導体装置の第4の実施の形態を示す断面図、図11(a)は本発明の積層型樹脂封止型半導体装置の第5の実施の形態を示す断面図、図11(b)は図11(a)のE1側からみた図、図12はダイシングソーによる切断状態を示した図である。
尚、図1(a)は図1(b)のA1−A2側から見た図、図3(a)は図3(b)のC1−C2側から見た図、図4(a)は図4(b)のD1−D2側から見た図、図5、図6、図11においては、分かり易くするために、半導体素子の端子部は省略して示している。
また、図5(h)、図6(i)における両方向矢印は、ダイシングソーの昇降方向を示している。
図1〜図12中、101〜104、101a〜104a、101b〜104b、101c〜104cは樹脂封止型半導体装置、110は端子部材、111は外部端子部、111a、111b、111cは端子面、112は内部端子部、112aは表面の端子面(ハーフエッチング面)、113は連結部、114は切り欠け部、116は先端部(内側端部)、116Sは(先端の)側面、117はグルーブ(溝部)、120、120A,120Bは半導体素子(半導体チップあるいは単にチップとも言う)、120Mは半導体素子、121は端子、130はボンディングワイヤ、140は樹脂封止部、160は半田ペースト、170は基材、210は加工用素材、210Aは加工シート、220はレジスト、230は端子部材、231は外部端子部、232は内部端子部、233は連結部、235は支持部、237は凹部、237Aは切り欠け部、240は平板状の多孔板(真空引き板とも言う)、250は半導体素子、260はボンディングワイヤ、270、271はモールド固定用平板、270a、271aはモールド用テープ、275は切断用テープ(ダイシング用テープ)、280は樹脂封止部、301は単位の樹脂封止型半導体装置、310は加工用素材、310Aは加工シート、315は枠部、316は治具孔、317は長孔部、320はレジスト、330は端子部材、335は支持部(連結部とも言う)、337は凹部、337Aは切り欠け部、340、341はモールド用テープ、345は切断用のテープ(ダイシング用テープ)、350は半導体素子、360はボンディングワイヤ、371、372はモールド固定用平板、380は樹脂封止部、385は切断ライン、386は切断目印(貫通孔あるいは窪み)、401〜408は樹脂封止型半導体装置である。
樹脂封止型半導体装置101は、半導体素子120と、半導体素子120を囲むとともに外部回路に接続される外部端子部111と、半導体素子120に接続される内部端子部112と、外部端子部111と内部端子部112とを連結する連結部113とを有する複数の端子部材110と、半導体素子120の端子121と端子部材110の内部端子部112とを接続するボンディングワイヤ130と、半導体素子120、端子部材110およびボンディングワイヤ130を封止する樹脂封止部140とを備えている。
また各端子部材110は、平坦状の裏面111bと、2段上の表面111a、112aとを有するとともに、内部端子112は薄肉に形成され、外部端子部111は厚肉に形成されている。
前記複数個の端子部材110は前記半導体素子120の周辺の4辺に沿って配設され、樹脂を封止型半導体装置101の全体形状は複数個の端子部材110の配置領域内、且つ、端子部材110の外部端子部111の厚さ内に収められている。また樹脂封止型半導体装置101は、QFN型の樹脂封止型半導体装置となっている。
そして、各端子部材110の内部端子部112は、その表面が端子面112aとなっており、各外部端子部111の表面111a、裏面111bおよび内部端子部112の表面112aはそれぞれ、一平面上に、揃っている。また内部端子部112側が半導体素子120側に向くよう、各端子部材110が配設され、外部端子部111の表面111a、裏面111bおよび外側側面111cは樹脂封止部140から外方へ露出している。また、半導体素子120の表面は端子面120aとなっており、端子面120aは内部端子部112の端子面112aと同一方向を向いている。また半導体素子120の裏面120bは封止樹脂部140から外方へ露出している。
各端子部材110は、エッチング加工法を用いて、加工用素材210を加工して形成され、外部端子部111は加工用素材210の厚さの厚肉に形成され、内部端子部112は加工用素材210の一表側からハーフエッチングにて薄肉にして形成されている。内部端子部112の半導体素子120側の先端断面(内部端子部112の長手方向に平行な内側断面)において、内部端子部112の端子面(ハーフエッチング面)112aと先端部(内側端部)116の内側側面116Sとが鋭角をなしている。また、その内部端子部112の半導体素子120側の内側端部116は平面からみて先細状に形成されている。また各端子部材の裏面にはグルーブ117が形成されている。(図2(a)〜図2(d)を参照)。本例では、厚さ0.2mmのCu材を加工用素材として用い、加工用素材をハーフエッチングしてその厚さを1/2程度とし、内部端子部112の厚さを0.1mmとし、厚さ70μmの半導体素子を用いている。しかしながら加工用素材としては、Cu系合金や42合金(42%Ni−Fe合金)等も適用できる。このため半導体素子120自体の厚さの薄化に対応して、薄型化が達成できる。なお、0.2mmの加工用素材をディープエッチングして、その厚さを1/3程度とし、内部端子部112の厚さを半導体素子と同様70μmとしてもよい。
半導体素子120は、その周辺4辺に沿って形成された端子121を有し、該4辺に沿って端子部材110が配置され、対応する半導体素子120の端子121と端子部材110の内側端子部111とがとをボンディングワイヤ130により接続されている。
このように、端子部材110の内部端子部112の内側端部116を先細状とすることにより、内部端子部112の内側端部116において、温度変化による樹脂封止部140の締め付けを良くし、耐湿性を向上させている。
また、半導体素子120の厚さは内部端子部112の厚さより薄くなっているため、ボンディング作業を容易に行うことができる。
また樹脂封止部140の厚さを出来る限り厚くすることができ、樹脂封止部140の量をできるだけ増やすことにより、構造的に品質面での安定が期待できる。
これにより、一層の耐湿性の向上が図れる。
粗面210b、310bの表面粗さとしては、最大高さ粗さRy(JISBO601−1994)で1μm〜2μmの範囲が好ましい。
先にも述べたが、ここでは、最大高さ粗さRyの測定は200μm長さで行ったものである。
特に、樹脂封止工程(モールド工程)においては、特別な形状にキャビティーを設ける必要はなく、一対の平板状を用いてモールド工程を一括で行うことができ、量産性、設備の面からも好ましい構造と言える。
接続用のめっき層210a、310aとして、半田めっき層、金めっき層、銀めっき層、パラジウムめっき層、錫めっき層等の金属めっき層が挙げられる。
ところで端子部材111の内部端子部112は、その長手方向に直交する断面形状が逆台形形状となっている(図2(c)参照)。このように内側嘆美部112の断面形状が逆台形形状となっているため、内側端子部112の断面形状が樹脂封止部140内でくさび効果を発揮し、このため端子部材111が樹脂封止部140から抜け出すことはない。
また、上述のように外部端子部111の外側上部に、切り欠け114が形成され、外部端子部111の表面111a外縁は外部端子部111の外側側面111cより内方へ入り込んでいる。さらに外部端子部111の外側上部の切り欠け部114内には樹脂封止部140が充てんされている。このため外部端子部111の表面111aは内側と外側から樹脂封止部140により囲まれることになる。従って、外部端子部111の表面111aを端子面として用いる場合、表面111aの内側と外側の樹脂部封止140が端子用のハンダボールを弾くので、ハンダボールを外部端子部111の表面111aに確実に乗せることができる。このようにしてハンダボールのアライメント効果を向上させることができる。
次に内部端子部112の断面形状の変形例について説明する。図2(e)に示すように、内部端子部112の長手方向に平行な内側断面において、内部端子部112の内側端部116に形成された内側側面116Sに凹部116aが形成されている。図2(e)において、内部端子部112は加工用素材210をエッチングすることにより形成され、この加工用素材210上にめっき層112bを施すことにより、加工用素材210とめっき層112bとによって内側側面116Sに凹部116aを形成することができる。
樹脂封止型半導体装置101は、複数の端子部材110と、内部端子部112の厚さより薄い半導体素子120Aと、半導体素子120A上の所定の端子121と、端子121と内部端子部112とを接続するボンディングワイヤ130とを備えている。複数の端子部材110は半導体素子120Aの周辺の対向する2辺に沿って配設され、樹脂封止型半導体装置101の全体形状は複数の端子部材110の配置領域内で、かつ、端子部材110の外部端子部111の厚さ内に収まっている。半導体素子120Aとボンディングワイヤ130とが樹脂封止され、プレートモールド型の樹脂封止型半導体装置を構成している。
ここでは、図3(b)に示すように、半導体素子120Aは、その周辺4辺の対向する2辺に沿って設けられた端子121を有し、この2辺に沿って端子部材110が配置され、対応する半導体素子120Aの端子121と端子部材110とがボンディングワイヤ130にて接続されている。
それ以外は、図1および図2に示す実施の形態と同一であり、各部についても同じものを用いた。
樹脂封止型半導体装置101は、複数の端子部材110と、内部端子部112の厚さより薄い半導体素子120Bと、半導体素子120B上の所定の端子121と、端子121と所定の内部端子部112とを接続するボンディングワイヤ130とを備えている。複数の端子部材110は半導体素子120Bの周辺の対向する2辺に沿って配設され、樹脂封止型半導体装置101の全体形状は、複数の端子部材110の配置領域内で、かつ、端子部材110の外部端子部111の厚さ幅内に収まっている。半導体素子120Bとボンディングワイヤ130とが樹脂封止され、樹脂封止型半導体装置を構成している。
ここでは、半導体素子120Bは、対向する2辺の中間位置に直線状に設けられた端子121を有し、この2辺に沿って端子部材110が配置され、対応する半導体素子120Bの端子121と端子部材110とがボンディングワイヤ130にて接続されている。
それ以外は、図1および図2に示す実施の形態と同一であり、各部についても同じものを用いた。
この場合、図1および図2に示す樹脂封止型半導体装置101は、図7のように、積層され、図4に示す樹脂封止型半導体装置101は、例えば、図8のように積層される。
これらの積層型樹脂封止型半導体装置の場合、それぞれ、上側の樹脂封止型半導体装置101の外部端子部111の裏面側端子面111bと、下側の樹脂封止型半導体装置101の外部端子部111の表面側端子面111aとは、重ね合わされ、半田ペースト160を介して電気的に接続している。
また、例えば、図9に示すように、同サイズの、図1および図2に示す樹脂封止型半導体装置、および第4に示す樹脂封止型半導体装置101を用いて、これらを重ね、積層型樹脂封止型半導体装置を構成してもよい。
あるいはまた、例えば、図10に示すように、図1および図2に示す樹脂封止型半導体装置101と、図4に示す樹脂封止型半導体装置101とを各々異サイズのものを準備して互いに重ね合せて、積層型樹脂封止型半導体装置を構成してもよい。
尚、上記において、半田ペースト160による接続に代え、半田ボールによる接続としても良い。
この場合、互いに4層で重ね合わされた樹脂封止型半導体装置の組が、互いに側面で接続された構成ともいえる。
この際、接続される側面同志は、導電性ペーストにより接続される。
図11(b)に示すように、半導体装置401の半導体素子120と半導体装置405の半導体素子120Mの各機能ピン(端子)は、互いに逆向きに、ミラーイメージで配置され、このため半導体素子120Mは半導体素子120のミラーチップとも言う。
なお、図示していないが、2個の樹脂封止型半導体装置を互いに向きを逆にして、横方向に当接させてその側面同志を電気的に接続し、これらを更に4層重ねして積層型樹脂封止型半導体装置を構成してもよい。
この場合、各端子部材110については、側面同志の接続、ワイヤボンディング接続は回路的に問題のないようにする。
図11(a)(b)において丸印1〜丸印16は機能ピン(端子)を示すものであり、同じ数のものは同じ機能を示す。
例えば、図11(b)において、丸印1を電源端子、丸印2をセレクトスイッチ端子、丸印3〜丸印7および丸印9〜丸印16をI/O端子、丸印8をグランド端子とする。
尚、重ねる樹脂封止型半導体装置の層数としては、4層に限定はされない。
また、図1乃至図4に示す樹脂封止型半導体装置101を3つ以上準備し、互いにその側面同志を合せて電気的に接続してもよく、更に、これを2層以上にしたものも挙げられる。
更に、上記のものに、上下の樹脂封止型半導体装置の側面を接続用に用いる形態を併用したものも挙げられる。
先ず、加工用素材210の両面に所定形状にレジスト220を配設する(図5(a))。樹脂封止型半導体装置の端子部材の配置に対応して、ハーフエッチング技術を用いたエッチング加工法にて、加工用素材210に対して両面からエッチングを行い、各々外部端子部231同志が支持部235にて連結された一対の端子部材230からなる多数の連結端子部材230aを含む加工シート210Aが得られる(図5(b))。この場合、樹脂封止型半導体装置の端子部材230の配置に対応して連結端子部材230aが加工シート210A上に配置される。
加工用素材210としては、Cu、Cu系合金、42合金(Ni42%−Fe合金)等が用いられ、エッチング液としては、塩化第二鉄溶液が用いられる。
また、レジスト220としては、耐エッチング性のもので、所望の解像性を有し、処理性の良いものであれば特に限定はされない。
次いで、レジスト220を除去した後、加工シート210Aに対して洗浄処理等が施され、更に加工シート210A全面に接続用の表面めっき210aが施される。このようにして加工シート210Aにより、半導体素子250が搭載される前の半導体装置用基材210Aが得られる。
次に、多数の連結端子部材230aが面付けされた加工シート210Aのうちハーフエッチング面側ではない側が平板状の多孔板240にて真空引きされ、加工シート210Aを多孔板240に密着させる(図5(c))。次に連結端子部材230a間の多孔板240上に、半導体素子250を所定の位置に位置決めして、半導体素子250の裏面を真空引き用の多孔板240にて真空引きして、半導体素子250を多孔板240上に搭載する(図5(d))。
尚、真空ポンプ、真空配管等、真空引き用の多孔板240の真空引き源は別にあるが、ここでは図示していない。
次いで、この状態で、各半導体素子250の端子121と、端子部材230の内部端子部232のハーフエッチング面である端子面とがボンディングワイヤ260により接続される(図5(e))。
次いで、多孔板240を外し、これに代え、モールド用テープ270a、271aを、加工シート210Aの両面に、それぞれ、各面を覆うように当てる。その後、加工シート210Aの両面をモールド固定用平板270、271にて挟み、モールド固定用平板270、271間に封止樹脂を充てんして樹脂封止部280を形成し、表裏のモールド固定用平板270、271を取り外す(図5(f))。
尚、加工シート210Aの端子部材230aの支持部235は、通りぬけ孔等を有し、封止樹脂を充てんする際、モールド用の樹脂が通りぬけできるような形状になっている。
次いで、加工シート210Aからモールド用のテープ270a、271aを剥がし、加工シート210Aに切断用テープ275を貼り(図5(g))、切断用テープ275とは反対側からダイシングソー(図示していない)にて樹脂封止部280を各半導体素子250毎に切断して(図5(h))、樹脂封止型半導体装置を得る(図5(i))。
ダイシングソー(図示していない)による切断は、図5(h)に示すように、凹部237とは反対側にて行う。この部分は加工用素材210の厚さより薄肉で、容易に切断できるる。
ダイシングソー(図示していない)による切断状態をは、例えば、図12(a)や、図12(b)に示す。
尚、図12において、単位の樹脂封止型半導体装置301は、切断ライン385にて互いに分けられた各領域からなり、ここでは、説明を分かり易くするため図示していないが、図5に示す支持部235が凹部237とは反対側で切断される。
なお、加工シート310Aは、フレームとも呼ばれる。
また、この切断面が、作製される樹脂封止型半導体装置の外部端子231の外側側面231cとなる。
尚、切り欠け部237Aの切断された面でない面には、接続用のめっきが配設されておりこの部分は接続用に利用し易い。
このようにして、図1に示す樹脂封止型半導体装置を製造することができる。
なお、図5に示す製造方法において、半導体素子250は多孔板240上で位置決めされてボンディングワイヤ260によりボンディングされるので、半導体素子250を固定するために、別途接着テープを準備する必要はなく、高価な接着テープを用いない分、安値に樹脂封止型半導体装置を得ることができる。
先ず、加工用素材310の両面に所定形状にレジスト320を配設する(図6(a))、樹脂封止型半導体装置の端子部材の配置に対応して、ハーフエッチング技術を用いたエッチング加工法にて、加工用素材310に対して両面からエッチングを行い、各々外部端子部同志が支持部335にて連結された一対の端子部材330からなる多数の連結端子部330aを含む加工シート310Aが得られる(図6(b))。樹脂封止型半導体装置の端子部材330の配置に対応して、連結端子部材330aが加工シート310A上に配置される。
次いで、レジスト320を除去した後、加工シート310Aに対して洗浄処理等が施され、更に加工シート310A全面に接続用の表面めっき310aが施される。このようにして加工シート310Aにより、半導体素子350が搭載される前の半導体装置用素材310Aが得られる。
次に多数の連結端子部材330aが面付けられた加工シート310Aのうちハーフエッチング面側ではない側にモールド用テープ340が貼られる(図6(c))。次に、連結端子部材330a間のモールド用テープ340上に半導体素子350を所定の位置に位置決めして、半導体素子350の裏面を前記テープ340に貼り付け搭載する(図6(d))。
次いで、この状態で、各半導体素子350の端子121と端子部材330の内部端子部の端子面とがボンディングワイヤ360によりワイヤ接続される(図6(e))。
次いで、モールド用テープ341を、加工シート310Aの前記テープ340とは反対側の面に、平面状に貼る。次に加工用シート310Aの両面を、それぞれ、テープ340、341を介して、モールド固定用の平板371、372にて挟み、モールド固定用平板371、372間に封止樹脂を充てんして樹脂封止部380を形成する(図6(f))。
ここでは、半導体素子350を所定の位置に位置決めする際のテープをそのままモールド用のテープとして使用している。
次いで、加工シート310Aからモールド固定用の平板371、372を除去し(図6(g))、更にテープ340、341を除去し、加工シート310Aに切断用テープ345を貼る(図6(h))。次に該切断用のテープ345とは反対側からダイシングソー(図示していない)にて樹脂封止部380を各半導体素子350毎に切断して(図6(i))、樹脂封止型半導体装置を得る(図6(j))。
尚、図6に示す製造方法においても、各工程の処理、各部材等は基本的に図5に示す製造方法に準じるもので、ここでは、説明を省いている。
このようにして、図1に示す第1の例の樹脂封止型半導体装置は製造することができる。
Claims (32)
- 半導体素子と、
半導体素子を囲むとともに、外部回路に接続される外部端子部と、半導体素子に接続される内部端子部と、外部端子部と内部端子部とを連結する連結部とを有する複数の端子部材と、
半導体素子と端子部材の内部端子部とを接続するボンディングワイヤと、
半導体素子、端子部材およびボンディングワイヤを封止する樹脂封止部とを備え、
各端子部材は平坦状の裏面と、2段状の表面とを有するとともに、内部端子部を形成する内側の薄肉部と、外部端子部を形成する外側の厚肉部とからなり、
内部端子部の裏面、外部端子部の表面、外部端子部の裏面および外部端子部の外側側面は、樹脂封止部から外方へ露出することを特徴とする樹脂封止型半導体装置。 - 各端子部材は加工用素材を用いてエッチング加工法により作製され、外部端子部は加工用素材の厚みを保って厚肉に形成され、内部端子部は加工用素材の表面側からハーフエッチングを施して薄肉に形成されていることを特徴とする請求項1記載の樹脂封止型半導体装置。
- 外部端子部の外側上部には、切り欠け部が形成され、外部端子部の表面外縁は、外側側面より内方に入り込むことを特徴とする請求項2記載の樹脂封止型半導体装置。
- 外部端子部の切り欠け部には、樹脂封止部が充てんされていることを特徴とする請求項3記載の樹脂封止型半導体装置。
- 内部端子部の長手方向に平行な内側断面において、表面と内側側面との間に鋭角が形成されていることを特徴とする請求項1記載の樹脂封止型半導体装置。
- 内部端子部の内側断面において、内面側面に凹部が形成されていることを特徴とする請求項1記載の樹脂封止型半導体装置。
- 内部端子部は加工用素材と、加工用素子上に形成されたメッキ層とを有し、内部端子部の内側断面において、内側側面に凹部が形成されていることを特徴とする請求項6記載の樹脂封止型半導体装置。
- 内部端子部の長手方向に直交する断面形状は、逆台形形状を有することを特徴とする請求項1記載の樹脂封止型半導体装置。
- 内部端子部の内側端部は、平面からみて先細状となっていることを特徴とする請求項1記載の樹脂封止型半導体装置。
- 端子部材の内部端子部および外部端子部のうち、樹脂封止部に接する面に粗面化処理が施されていることを特徴とする請求項1記載の樹脂封止型半導体装置。
- 粗面化処理が施された面において、最大高さ粗さRy(JISBO601−1994)は、1μm〜2μmの範囲であることを特徴とする請求項10記載の樹脂封止型半導体装置。
- 端子部材は、Cu、Cu系合金、42%Ni−Fe系合金からなることを特徴とする請求項1記載の樹脂封止型半導体装置。
- 内部端子部の表面、および外部端子部の表面および裏面に、半田めっき層、金めっき層、銀めっき層、パラジウムめっき層、錫めっき層から選ばれた1つの金属めっき層が、接続用のめっき層として設けられていることを特徴とする請求項1記載の樹脂封止型半導体装置。
- 半導体素子の厚みが100μm以下であることを特徴とする請求項1記載の樹脂封止型半導体装置。
- QFN型であることを特徴とする請求項1記載の樹脂封止型半導体装置。
- 上下方向に互いに重ね合わされ、電気的に接続された2以上の樹脂封止型半導体装置を備えた積層型樹脂封止型半導体装置において、
各樹脂封止型半導体装置は、
半導体素子と、
半導体素子を囲むとともに、外部回路に接続される外部端子部と、半導体素子に接続される内部端子部と、外部端子部と内部端子部とを連結する連結部とを有する複数の端子部材と、
半導体素子と端子部材の内部端子部とを接続するボンディングワイヤと、
半導体素子、端子部材およびボンディングワイヤを封止する樹脂封止部とを備え、
各端子部材は平坦状の裏面と、2段状の表面とを有するとともに、内部端子部を形成する内側の薄肉部と、外部端子部を形成する外側の厚肉部とからなり、
内部端子部の裏面、外部端子部の表面、外部端子部の裏面および外部端子部の外側側面は、樹脂封止部から外方へ露出することを特徴とする積層型樹脂封止型半導体装置。 - 上下方向に互いに重ね合わされ電気的に接続された2以上の樹脂封止型半導体装置からなる複数の組を、互いの側面で電気的に接続してなる積層型樹脂封止型半導体装置において、
各樹脂封止型半導体装置は、
半導体素子と、
半導体素子を囲むとともに、外部回路に接続される外部端子部と、半導体素子に接続される内部端子部と、外部端子部と内部端子部とを連結する連結部とを有する複数の端子部材と、
半導体素子と端子部材の内部端子部とを接続するボンディングワイヤと、
半導体素子、端子部材およびボンディングワイヤを封止する樹脂封止部とを備え、
各端子部材は平坦状の裏面と、2段状の表面とを有するとともに、内部端子部を形成する内側の薄肉部と、外部端子部を形成する外側の厚肉部とからなり、
内部端子部の裏面、外部端子部の表面、外部端子部の裏面および外部端子部の外側側面は、樹脂封止部から外方へ露出することを特徴とする積層型樹脂封止型半導体装置。 - 外部端子部と、内部端子部と、外部端子部と内部端子部とを連結する複数の端子部材を備え、
各端子部材は平坦状の裏面と、2段状の表面とを有するとともに、内部端子部を形成する内側の薄肉部と、外部端子部を形成する外側の厚肉部とからなることを特徴とする半導体装置用基材。 - 各端子部材は加工用素材を用いてエッチング加工法により作製され、外部端子部は加工用素材の厚みを保って厚肉に形成され、内部端子部は加工用素材の表面側からハーフエッチングまたはディープエッチングを施して薄肉に形成されていることを特徴とする請求項18記載の半導体装置用基材。
- 外部端子部の外側上部には、切り欠け部が形成され、外部端子部の表面外縁は、外側側面より内方に入り込むことを特徴とする請求項19記載の半導体装置用基材。
- 内部端子部の長手方向に平行な内側断面において、表面と内側側面との間に鋭角が形成されていることを特徴とする請求項18記載の半導体装置用基材。
- 内部端子部の内側断面において、内面側面に凹部が形成されていることを特徴とする請求項18記載の半導体装置用基材。
- 内部端子部は加工用素材と、加工用素子上に形成されたメッキ層とを有し、内部端子部の内側断面において、内側側面に凹部が形成されていることを特徴とする請求項22記載の半導体装置用基材。
- 内部端子部の長手方向に直交する断面形状は、逆台形形状を有することを特徴とする請求項18記載の半導体装置用基材。
- 内部端子部の内側端部は、平面からみて先細状となっていることを特徴とする請求項18記載の半導体装置用基材。
- 端子部材の内部端子部および外部端子部のうち、樹脂封止部に接する面に粗面化処理が施されていることを特徴とする請求項18記載の半導体装置用基材。
- 粗面化処理が施された面において、最大高さ粗さRy(JISBO601−1994)は、1μm〜2μmの範囲であることを特徴とする請求項18記載の半導体装置用基材。
- 端子部材は、Cu、Cu系合金、42%Ni−Fe系合金からなることを特徴とする請求項18記載の半導体装置用基材。
- 内部端子部の表面、および外部端子部の表面および裏面に、半田めっき層、金めっき層、銀めっき層、パラジウムめっき層、錫めっき層から選ばれた1つの金属めっき層が、接続用のめっき層として設けられていることを特徴とする請求項18記載の半導体装置用基材。
- 半導体素子と、半導体素子を囲むとともに、外部回路に接続される外部端子部と、半導体素子に接続される内部端子部と、外部端子部と内部端子部とを連結する連結部とを有する複数の端子部材と、半導体素子と端子部材の内部端子部とを接続するボンディングワイヤと、半導体素子、端子部材およびボンディングワイヤを封止する樹脂封止部とを備え、各端子部材は平坦状の裏面と、2段状の表面とを有するとともに、内部端子部を形成する内側の薄肉部と、外部端子部を形成する外側の厚肉部とからなり、内部端子部の裏面、外部端子部の表面、外部端子部の裏面および外部端子部の外側側面は、樹脂封止部から外方へ露出する樹脂封止型半導体装置の製造方法において、
加工用素材を用いてエッチング加工法により、各々外部端子部同志が連結された一対の端子部材からなる複数の連結端子部材を含む加工シートを得る工程と、
加工シートの裏面を真空引き板により真空吸着保持し、この状態で連結端子部材間の真空引き板上に半導体素子を搭載するとともに、連結端子部材と半導体素子間をボンディングワイヤで接続する工程と、
加工シートを真空引き板から外し、加工シートの表面および裏面にモールド用テープを介してモールド固定用平板を設けて、モールド固定用平板間に封止樹脂を充てんして樹脂封止部を形成する工程と、
樹脂封止部の表面および裏面からモールド用テープおよびモールド固定用平板を取り外し、
樹脂封止部に切断用テープを貼って、各半導体素子毎に樹脂封止部を切断する工程とを備え、
樹脂封止部を切断する際、各連結端子部材の外部端子部間を切断して、連結端子部材を各々の端子部材に分離することを特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造方法。 - 真空引き板は、全面に形成された真空吸着用の孔を含むことを特徴とする請求項30記載の樹脂封止型半導体装置の製造方法。
- 半導体素子と、半導体素子を囲むとともに、外部回路に接続される外部端子部と、半導体素子に接続される内部端子部と、外部端子部と内部端子部とを連結する連結部とを有する複数の端子部材と、半導体素子と端子部材の内部端子部とを接続するボンディングワイヤと、半導体素子、端子部材およびボンディングワイヤを封止する樹脂封止部とを備え、各端子部材は平坦状の裏面と、2段状の表面とを有するとともに、内部端子部を形成する内側の薄肉部と、外部端子部を形成する外側の厚肉部とからなり、内部端子部の裏面、外部端子部の表面、外部端子部の裏面および外部端子部の外側側面は、樹脂封止部から外方へ露出する樹脂封止型半導体装置の製造方法において、
加工用素材を用いてエッチング加工法により、各々外部端子部同志が連結された一対の端子部材からなる複数の連結端子部材を含む加工シートを得る工程と、
加工シートの裏面にモールド用テープを貼り付けて、モールド用テープにより加工シートを保持し、この状態で連結端子部材間のモールド用テープ上に半導体素子を搭載するとともに、連結端子部材と半導体素子間をボンディングワイヤで接続する工程と、
加工シートの表面にモールド用テープを貼る工程と、
加工用シートの表面および裏面に、モールド用テープを介してモールド固定用平板を設けて、モールド固定用平板間に封止樹脂を充てんして樹脂封止部を形成する工程と、
樹脂封止部の表面および裏面からモールド固定用平板を取り外し、樹脂封止部に切断用テープを貼って、各半導体素子毎に樹脂封止部を切断する工程とを備え、
樹脂封止部を切断する際、各連結端子部材の外部端子部間を切断して、連結端子部材を各々の端子部材に分離することを特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造方法。
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Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1990000813A1 (en) * | 1988-07-08 | 1990-01-25 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Semiconductor device |
JPH11260983A (ja) * | 1998-03-13 | 1999-09-24 | Matsushita Electron Corp | リードフレームの製造方法 |
JP2000031366A (ja) * | 1998-07-14 | 2000-01-28 | Dainippon Printing Co Ltd | 樹脂封止型半導体装置とそれに用いられる回路部材およびそれらの製造方法 |
JP2003046054A (ja) * | 2001-07-31 | 2003-02-14 | Sanyo Electric Co Ltd | 板状体、リードフレームおよび半導体装置の製造方法 |
JP2003158234A (ja) * | 2001-11-21 | 2003-05-30 | Hitachi Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2004319577A (ja) * | 2003-04-11 | 2004-11-11 | Dainippon Printing Co Ltd | 樹脂封止型半導体装置とその製造方法、および積層型樹脂封止型半導体装置 |
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Patent Citations (6)
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---|---|---|---|---|
WO1990000813A1 (en) * | 1988-07-08 | 1990-01-25 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Semiconductor device |
JPH11260983A (ja) * | 1998-03-13 | 1999-09-24 | Matsushita Electron Corp | リードフレームの製造方法 |
JP2000031366A (ja) * | 1998-07-14 | 2000-01-28 | Dainippon Printing Co Ltd | 樹脂封止型半導体装置とそれに用いられる回路部材およびそれらの製造方法 |
JP2003046054A (ja) * | 2001-07-31 | 2003-02-14 | Sanyo Electric Co Ltd | 板状体、リードフレームおよび半導体装置の製造方法 |
JP2003158234A (ja) * | 2001-11-21 | 2003-05-30 | Hitachi Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
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