JPWO2007015445A1 - プラズマ発生装置およびこれを用いた成膜方法 - Google Patents
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Abstract
Description
20 筒状電極
22 導電性ワイヤ(成膜対象)
(プラズマ発生装置の一例)
図1にプラズマ発生装置の構成、図2にプラズマ発生装置の外観を示す。プラズマ発生装置10は、円筒形のチャンバ12を備える。チャンバ12は導電性または絶縁性を有する。チャンバ12はガス導入部14とガス排出部16とを備える。チャンバ12は覗き窓18を有する。ガス導入部14にガス導入装置9が接続される。このガス導入装置9はガスボンベ8から成膜法の種類に対応したガスを選択しその圧力や流量を調節してガス導入部14にガスを導入する。ガスボンベ8もガス導入装置に含めることができる。ガス排気部16には排気制御弁(真空バルブ)11を介して圧力制御装置13が接続される。真空チャンバ2内は、圧力制御装置13により排気制御弁11の開度制御の下で10Paから10000Paの範囲の圧力に制御することができる。
本実施の形態のプラズマ発生装置10は、筒状電極20を固体炭素で構成することができる。この場合、筒状電極20はそのすべての電極部分を固体炭素で構成することに限定されない。
図10に本発明のさらに他の実施の形態に係るプラズマ発生装置10を示す。この実施の形態では筒状電極20の両端に高周波電源25から高周波電圧が印加されている。高周波電源25の電力周波数は、例えば、13.56MHz、4MHz、27.12MHz、40.68MHzなどである。筒状電極20には負の直流電圧に高周波電圧が重畳された電圧(重畳電圧)が印加されている。直流電源24の正極は接地されている。筒状電極20を構成するコイルの線径、線間間隔には特に限定されない。
図14にプラズマ発生装置のさらに他の例を示す。このプラズマ発生装置は、成膜装置に組み込まれている。この成膜装置は、チャンバ12の内部にガスボンベ8からプラズマ発生用のガスがガス圧力/流量調節回路9により圧力と流量とを調節されてその導入部14を通じてチャンバ12内に導入することができるようになっている。
図17にさらにバイアス電源40を備えたプラズマ発生装置10のさらに他の例を示す。このバイアス電源40は成膜対象である導電性ワイヤ22に負極が接続され、正極がチャンバ12に接続されて接地されている。
20 筒状電極
22 導電性ワイヤ(成膜対象)
図1にプラズマ発生装置の構成、図2にプラズマ発生装置の外観を示す。プラズマ発生装置10は、円筒形のチャンバ12を備える。チャンバ12は導電性または絶縁性を有する。チャンバ12はガス導入部14とガス排出部16とを備える。チャンバ12は覗き窓18を有する。ガス導入部14にガス導入装置9が接続される。このガス導入装置9はガスボンベ8から成膜法の種類に対応したガスを選択しその圧力や流量を調節してガス導入部14にガスを導入する。ガスボンベ8もガス導入装置に含めることができる。ガス排気部16には排 気制御弁(真空バルブ)11を介して圧力制御装置13が接続される。真空チャンバ2内は、圧力制御装置13により排気制御弁11の開度制御の下で10Paから10000Paの範囲の圧力に制御することができる。
本実施の形態のプラズマ発生装置10は、筒状電極20を固体炭素で構成することができる。この場合、筒状電極20はそのすべての電極部分を固体炭素で構成することに限定されない。
図10に本発明のさらに他の実施の形態に係るプラズマ発生装置10を示す。この実施の形態では筒状電極20の両端に高周波電源25から高周波電圧が印加されている。高周波電源25の電力周波数は、例えば、13.56MHz、4MHz、27.12MHz、40.68MHzなどである。筒状電極20には負の直流電圧に高周波電圧が重畳された電圧(重畳電圧)が印加されている。直流電源24の正極は接地されている。筒状電極20を構成するコイルの線径、線間間隔には特に限定されない。
図14にプラズマ発生装置のさらに他の例を示す。このプラズマ発生装置は、成膜装置に組み込まれている。この成膜装置は、チャンバ12の内部にガスボンベ8からプラズマ発生用のガスがガス圧力/流量調節回路9により圧力と流量とを調節されてその導入部14を通じてチャンバ12内に導入することができるようになっている。
図17にさらにバイアス電源40を備えたプラズマ発生装置10のさらに他の例を示す。このバイアス電源40は成膜対象である導電性ワイヤ22に負極が接続され、正極がチャンバ12に接続されて接地されている。
Claims (16)
- 装置の真空内部に、筒状電極が配置され、該筒状電極の内部にガスを導入し、かつ、該筒状電極に直流負電圧をプラズマ発生電圧として印加する構成を備えた、プラズマ発生装置。
- 上記筒状電極の内部に成膜の種類に対応したガスを選択して導入することができるガス導入装置と、
上記筒状電極の内圧を成膜の種類に対応して制御することができる圧力制御装置と、
を備える、請求項1に記載のプラズマ発生装置。 - 上記筒状電極は、コイル状、網目状、柵状および籠状のうちの少なくともいずれか1つの形状を有する周壁を備える、請求項1または2に記載のプラズマ発生装置。
- 上記筒状電極は、両端が開口し成膜対象に対応して当該両端方向に延びた形状を有する、請求項1に記載のプラズマ発生装置。
- 上記筒状電極が金属で構成されている、請求項1ないし4のいずれかに記載のプラズマ発生装置。
- 上記筒状電極が固体炭素で構成されている、請求項1ないし4のいずれかに記載のプラズマ発生装置。
- 上記筒状電極が断面円形である、請求項4に記載のプラズマ発生装置。
- 上記筒状電極が断面多角形である、請求項4に記載のプラズマ発生装置。
- 上記筒状電極に、直流負電圧と高周波電圧とを重畳した電圧を印加する構成を備える請求項1に記載のプラズマ発生装置。
- 上記筒状電極が複数並設されている、請求項1に記載のプラズマ発生装置。
- 上記筒状電極内部に配置される成膜対象にバイアス電圧を印加する構成を備えた請求項1に記載のプラズマ発生装置。
- 請求項1に記載のプラズマ発生装置を用いて、
上記筒状電極の内部に成膜対象を配置する第1ステップと、
上記筒状電極内部を減圧制御する第2ステップと、
上記筒状電極内部にガスを導入する第3ステップと、
上記筒状電極に直流負電圧を印加する第4ステップと、
を備える、成膜方法。 - 上記成膜対象に成膜速度制御用のバイアス電圧を印加する第5ステップを含む、請求項12に記載の成膜方法。
- 上記成膜対象に膜質制御用のバイアス電圧を印加する第6ステップ含む、請求項12に記載の成膜方法。
- 上記第1ステップでは上記直流負電圧に高周波電圧を重畳する、請求項12に記載の成膜方法。
- 上記筒状電極の内部に成膜対象を配置し、該成膜対象を交流電源で加熱するステップを含む、請求項12に記載の成膜方法。
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