JP3236493B2 - 複合被覆電線の製造方法 - Google Patents
複合被覆電線の製造方法Info
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、エナメル電線の表
面に薄膜を形成して絶縁性を向上させた複合被覆電線の
製造方法に関するものである。
面に薄膜を形成して絶縁性を向上させた複合被覆電線の
製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】エナメル電線は、コイルの芯線等に広く
使用されているが、エナメルの絶縁被覆にピンホールが
多く存在し、水等により絶縁性が低下することから、条
件によっては使用できない場合がある。これを解決する
ため次のような手段が提案されている。
使用されているが、エナメルの絶縁被覆にピンホールが
多く存在し、水等により絶縁性が低下することから、条
件によっては使用できない場合がある。これを解決する
ため次のような手段が提案されている。
【０００３】図４のものは、特開昭５５−８０２０６号
公報に提案されているもので、電線２０を被覆したエナ
メル樹脂層２１上にフッ素樹脂の潤滑用皮膜２２を形成
したものである。
公報に提案されているもので、電線２０を被覆したエナ
メル樹脂層２１上にフッ素樹脂の潤滑用皮膜２２を形成
したものである。
【０００４】図５のものは、実開平３−２２７５０４号
公報に提案されている複合被覆電線であって、電線２０
の表面を無機系絶縁材料からなる薄膜２３で被覆し、こ
の薄膜２３を介して内側皮膜２４と外側皮膜２５の多層
構造の絶縁被覆としたものである。
公報に提案されている複合被覆電線であって、電線２０
の表面を無機系絶縁材料からなる薄膜２３で被覆し、こ
の薄膜２３を介して内側皮膜２４と外側皮膜２５の多層
構造の絶縁被覆としたものである。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】図４の絶縁電線は、絶
縁被覆がエナメル樹脂層２１と潤滑用皮膜２２とで構成
され、図５の絶縁電線は、絶縁被覆が薄膜２３と内側皮
膜２４と外側皮膜２５とで構成され、いずれも膜厚が大
きくなるため、細線化が困難であるという問題がある。
縁被覆がエナメル樹脂層２１と潤滑用皮膜２２とで構成
され、図５の絶縁電線は、絶縁被覆が薄膜２３と内側皮
膜２４と外側皮膜２５とで構成され、いずれも膜厚が大
きくなるため、細線化が困難であるという問題がある。
【０００６】本発明は上述の点に着目してなされたもの
で、プラズマＣＶＤ（化学蒸着）による加工処理により
膜厚を大きくすることなくピンホールのない絶縁特性に
優れた複合被覆電線の製造方法を提供することを目的と
する。
で、プラズマＣＶＤ（化学蒸着）による加工処理により
膜厚を大きくすることなくピンホールのない絶縁特性に
優れた複合被覆電線の製造方法を提供することを目的と
する。
【０００７】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明は、シラン誘導体を原料ガスとするプラズマ
ＣＶＤによりエナメル電線に薄膜を形成する方法であっ
て、前記エナメル電線の電線温度を２００°Ｃ以下とす
ることを特徴とするものである。
め、本発明は、シラン誘導体を原料ガスとするプラズマ
ＣＶＤによりエナメル電線に薄膜を形成する方法であっ
て、前記エナメル電線の電線温度を２００°Ｃ以下とす
ることを特徴とするものである。
【０００８】電線温度が２００°Ｃを越えると絶縁被覆
にピンホールが増え、また膜厚が大きくなる。このた
め、請求項１記載の発明では、電線温度を２００°Ｃ以
下に設定することにより、ピンホールがなく膜厚も薄い
複合被覆電線が得られる。
にピンホールが増え、また膜厚が大きくなる。このた
め、請求項１記載の発明では、電線温度を２００°Ｃ以
下に設定することにより、ピンホールがなく膜厚も薄い
複合被覆電線が得られる。
【０００９】また、請求項２記載の発明は、請求項１記
載の複合被覆電線の製造方法であって、前記シラン誘導
体がヘキサメチルジシラン、あるいはテトラメチルシラ
ンであることを特徴とするものである。
載の複合被覆電線の製造方法であって、前記シラン誘導
体がヘキサメチルジシラン、あるいはテトラメチルシラ
ンであることを特徴とするものである。
【００１０】このため、請求項２記載の発明では、原料
ガスを容易に気化させることができると共に、不平衡プ
ラズマに接触させることにより、プラズマＣＶＤに必要
な高反応性のラジカル分子を容易に反応系中に得ること
ができる。
ガスを容易に気化させることができると共に、不平衡プ
ラズマに接触させることにより、プラズマＣＶＤに必要
な高反応性のラジカル分子を容易に反応系中に得ること
ができる。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下、本発明を図面に示す実施の
形態に基づいて説明する。
形態に基づいて説明する。
【００１２】本発明方法は、プラズマＣＶＤ装置により
エナメル電線の表面に薄膜を形成する方法であり、その
時の電線温度を２００°Ｃ以下に設定するものである。
プラズマＣＶＤ装置に使用されるプラズマ発生装置とし
ては、マイクロ波プラズマ発生装置、ＲＦプラズマ発生
装置、直流放電プラズマ発生装置等、種々のものがあ
り、いずれの装置を使用してもよい。
エナメル電線の表面に薄膜を形成する方法であり、その
時の電線温度を２００°Ｃ以下に設定するものである。
プラズマＣＶＤ装置に使用されるプラズマ発生装置とし
ては、マイクロ波プラズマ発生装置、ＲＦプラズマ発生
装置、直流放電プラズマ発生装置等、種々のものがあ
り、いずれの装置を使用してもよい。
【００１３】プラズマＣＶＤに用いられる原料ガスは、
ヘキサメチルジシラン（ＨＭＤＳ）あるいはテトラメチ
ルシラン（ＴＭＳ）等のシラン誘導体である。
ヘキサメチルジシラン（ＨＭＤＳ）あるいはテトラメチ
ルシラン（ＴＭＳ）等のシラン誘導体である。
【００１４】図１（ａ）に示すプラズマＣＶＤ装置１
は、直流放電プラズマ装置であって、ガス導入口２と吸
入口３とを有するステンレス製の反応容器４と、この反
応容器４内に設置された直流放電プラズマ発生装置５と
を備えている。
は、直流放電プラズマ装置であって、ガス導入口２と吸
入口３とを有するステンレス製の反応容器４と、この反
応容器４内に設置された直流放電プラズマ発生装置５と
を備えている。
【００１５】直流放電プラズマ発生装置５は、タングス
テンフィラメントで円筒状の籠形状に形成されたカソー
ド電極７と、その内側に同心円状に配置されたステンレ
ス製円筒メッシュのアノード電極８とで構成されてい
る。このカソード電極７とアノード電極８とを直流電源
９で接続し、アノード電極８の内側にプラズマを発生さ
せるようになっている。カソード電極７の各フィラメン
ト７ａには加熱用電源１０が接続されている。
テンフィラメントで円筒状の籠形状に形成されたカソー
ド電極７と、その内側に同心円状に配置されたステンレ
ス製円筒メッシュのアノード電極８とで構成されてい
る。このカソード電極７とアノード電極８とを直流電源
９で接続し、アノード電極８の内側にプラズマを発生さ
せるようになっている。カソード電極７の各フィラメン
ト７ａには加熱用電源１０が接続されている。
【００１６】この加熱用電源１０をオンすることによ
り、図１（ｂ）に示すようにフィラメント７ａごとに交
互に逆向きとなる電流が流れて発熱し、熱電子を放出す
るようになっている。
り、図１（ｂ）に示すようにフィラメント７ａごとに交
互に逆向きとなる電流が流れて発熱し、熱電子を放出す
るようになっている。
【００１７】エナメル電線１１は供給リール１２から繰
り出されてアノード電極８の中心を通過し、巻き取りリ
ール１３に巻き取られる。
り出されてアノード電極８の中心を通過し、巻き取りリ
ール１３に巻き取られる。
【００１８】反応容器４のガス導入口２から原料ガスが
導入される。原料ガスとしては、ヘキサメチルジシラン
（ＨＭＤＳ）、あるいはテトラメチルシラン（ＴＭＳ）
等のシラン誘導体と水素（Ｈ2 ）との混合ガスが使用さ
れる。
導入される。原料ガスとしては、ヘキサメチルジシラン
（ＨＭＤＳ）、あるいはテトラメチルシラン（ＴＭＳ）
等のシラン誘導体と水素（Ｈ2 ）との混合ガスが使用さ
れる。
【００１９】以下、実験例により具体的に説明する。
【００２０】実験例 ０．３５Ｓｑのエナメル電線１１を使用し、巻き取りリ
ール１３による巻き取りスピードを１０ｃｍ／ｈｒとし
て以下の条件で実験を行った。
ール１３による巻き取りスピードを１０ｃｍ／ｈｒとし
て以下の条件で実験を行った。
【００２１】プラズマ密度：５×１０10／ｃｍ3 電子温度：４ｅＶ〜６ｅＶ 反応圧力：１０ｍＴｏｒｒ 原料ガス：Ｈ2 １４０ｃｃ／ｍｉｎ． ＨＭＤＳ（またはＴＭＳ） ５ｃｃ／ｍｉｎ． 以上の条件を共通とし、エナメル電線１１の電線温度を
８０°Ｃ、１９５°Ｃ、３００°Ｃ、１６０°Ｃとした
場合、および原料ガスを使用しない場合の各々について
得られた複合被覆電線の薄膜のピンホールを検査した。
８０°Ｃ、１９５°Ｃ、３００°Ｃ、１６０°Ｃとした
場合、および原料ガスを使用しない場合の各々について
得られた複合被覆電線の薄膜のピンホールを検査した。
【００２２】この検査法は複合被覆電線を、２０ｃｍ半
径で１８０度屈曲させた後、屈曲させた２０ｃｍの部分
をスパークテスターでピンホールの試験を行った。サン
プルは１０本とし、欠陥が０の場合を○、欠陥が１の場
合を△、欠陥が２以上の場合を×とした。その結果を表
１に示している。
径で１８０度屈曲させた後、屈曲させた２０ｃｍの部分
をスパークテスターでピンホールの試験を行った。サン
プルは１０本とし、欠陥が０の場合を○、欠陥が１の場
合を△、欠陥が２以上の場合を×とした。その結果を表
１に示している。
【００２３】
【表１】 表１から明らかなように、原料ガスとしてＨＭＤＳまた
はＴＭＳのいずれを使用した場合でも、電線温度が２０
０°Ｃを越えるとピンホールが増えている。したがっ
て、電線温度を２００°Ｃ以下に設定すると絶縁性が良
好で、膜厚が薄く屈曲に対してもひび等が入らない良質
の絶縁薄膜が形成される。
はＴＭＳのいずれを使用した場合でも、電線温度が２０
０°Ｃを越えるとピンホールが増えている。したがっ
て、電線温度を２００°Ｃ以下に設定すると絶縁性が良
好で、膜厚が薄く屈曲に対してもひび等が入らない良質
の絶縁薄膜が形成される。
【００２４】プラズマ発生装置は、上記のような直流放
電プラズマ発生装置以外の装置を利用でき、以下に数例
を述べるがこれらの装置に限定するものではない。
電プラズマ発生装置以外の装置を利用でき、以下に数例
を述べるがこれらの装置に限定するものではない。
【００２５】図２に示すプラズマＣＶＤ装置１は、反応
容器４と、反応容器４内に設けられたプラズマ発生用電
極１４とを備えている。プラズマ発生用電極１４には、
プラズマ発生装置１５が接続されている。プラズマ発生
用電極１４の外側には加熱ヒータ１６が設けられてい
る。反応容器４のガス導入口３から原料ガスであるＨＭ
ＤＳ、あるいはＴＭＳとＨ2 の混合ガスが導入される。
エナメル電線１１は供給リール１２から繰り出されてプ
ラズマ発生用電極１４の間を通過し、巻き取りリール１
３に巻き取られる。エナメル電線１１は加熱ヒータ１６
によって所望の温度に加熱される。
容器４と、反応容器４内に設けられたプラズマ発生用電
極１４とを備えている。プラズマ発生用電極１４には、
プラズマ発生装置１５が接続されている。プラズマ発生
用電極１４の外側には加熱ヒータ１６が設けられてい
る。反応容器４のガス導入口３から原料ガスであるＨＭ
ＤＳ、あるいはＴＭＳとＨ2 の混合ガスが導入される。
エナメル電線１１は供給リール１２から繰り出されてプ
ラズマ発生用電極１４の間を通過し、巻き取りリール１
３に巻き取られる。エナメル電線１１は加熱ヒータ１６
によって所望の温度に加熱される。
【００２６】図３に示すプラズマＣＶＤ装置１は、ＲＦ
放電プラズマ装置であって、反応容器４の中間にガラス
製の放電管１７が設けられ、この放電管１７の外側にＲ
Ｆコイル１８を巻回し、このＲＦコイル１８に電源１９
を接続している。放電管１７内には加熱ヒータ１６が設
けられている。
放電プラズマ装置であって、反応容器４の中間にガラス
製の放電管１７が設けられ、この放電管１７の外側にＲ
Ｆコイル１８を巻回し、このＲＦコイル１８に電源１９
を接続している。放電管１７内には加熱ヒータ１６が設
けられている。
【００２７】放電管１７の両側に反応容器４が設けら
れ、この反応容器４内に供給リール１２および巻き取り
リール１３が設けられ、エナメル電線１１は供給リール
１２から繰り出されて放電管１７の中心を通過し、巻き
取りリール１３に巻き取られる。加熱ヒータ１６により
電線温度が設定される。
れ、この反応容器４内に供給リール１２および巻き取り
リール１３が設けられ、エナメル電線１１は供給リール
１２から繰り出されて放電管１７の中心を通過し、巻き
取りリール１３に巻き取られる。加熱ヒータ１６により
電線温度が設定される。
【００２８】反応容器４のガス導入口２より原料ガスで
あるＨＭＤＳ、あるいはＴＭＳとＨ2 の混合ガスが導入
され、ＲＦコイル１８により発生するプラズマに接触し
てエナメル電線１１のプラズマＣＶＤが行われる。
あるＨＭＤＳ、あるいはＴＭＳとＨ2 の混合ガスが導入
され、ＲＦコイル１８により発生するプラズマに接触し
てエナメル電線１１のプラズマＣＶＤが行われる。
【００２９】以上のように、本実施の形態による複合被
覆電線の製造方法は、プラズマＣＶＤ装置によりエナメ
ル電線の表面に薄膜を形成するときの電線温度を２００
°Ｃ以下に設定したことにより、絶縁被覆にピンホール
がなく絶縁性に優れ、しかも膜厚が大きくならず細線化
が可能で屈曲性に優れた複合被覆電線が得られる。ま
た、電線温度を２００°Ｃ以下に設定するという簡単な
方法であるため、プラズマＣＶＤ装置は従来装置がその
まま利用できる。
覆電線の製造方法は、プラズマＣＶＤ装置によりエナメ
ル電線の表面に薄膜を形成するときの電線温度を２００
°Ｃ以下に設定したことにより、絶縁被覆にピンホール
がなく絶縁性に優れ、しかも膜厚が大きくならず細線化
が可能で屈曲性に優れた複合被覆電線が得られる。ま
た、電線温度を２００°Ｃ以下に設定するという簡単な
方法であるため、プラズマＣＶＤ装置は従来装置がその
まま利用できる。
【００３０】また、原料ガスとしてヘキサメチルジシラ
ン、あるいはテトラメチルシラン等のシラン誘導体を使
用しているので、原料ガスを容易に気化させることがで
きると共に、不平衡プラズマに接触させることにより、
プラズマＣＶＤに必要な高反応性のラジカル分子を容易
に反応系中に得ることができる。
ン、あるいはテトラメチルシラン等のシラン誘導体を使
用しているので、原料ガスを容易に気化させることがで
きると共に、不平衡プラズマに接触させることにより、
プラズマＣＶＤに必要な高反応性のラジカル分子を容易
に反応系中に得ることができる。
【００３１】
【発明の効果】以上、詳述したように、請求項１記載の
発明によれば、プラズマＣＶＤ装置によりエナメル電線
の表面に薄膜を形成するときの電線温度を２００°Ｃ以
下に設定したことにより、絶縁被覆にピンホールがなく
絶縁性に優れしかも膜厚が大きくならず細線化が可能で
屈曲性に優れた複合被覆電線が得られる。また、電線温
度を２００°Ｃ以下に設定するという簡単な方法である
ため、プラズマＣＶＤ装置は従来装置がそのまま利用で
き、製造コストを低減できる。
発明によれば、プラズマＣＶＤ装置によりエナメル電線
の表面に薄膜を形成するときの電線温度を２００°Ｃ以
下に設定したことにより、絶縁被覆にピンホールがなく
絶縁性に優れしかも膜厚が大きくならず細線化が可能で
屈曲性に優れた複合被覆電線が得られる。また、電線温
度を２００°Ｃ以下に設定するという簡単な方法である
ため、プラズマＣＶＤ装置は従来装置がそのまま利用で
き、製造コストを低減できる。
【００３２】また、請求項２記載の発明によれば、シラ
ン誘導体としてヘキサメチルジシラン、あるいはテトラ
メチルシランを使用しているので、原料ガスを容易に気
化させることができると共に、不平衡プラズマに接触さ
せることにより、プラズマＣＶＤに必要な高反応性のラ
ジカル分子を容易に反応系中に得ることができ、その結
果請求項１記載の発明の効果に加えて、製造が一層容易
な複合被覆電線の製造方法が得られる。
ン誘導体としてヘキサメチルジシラン、あるいはテトラ
メチルシランを使用しているので、原料ガスを容易に気
化させることができると共に、不平衡プラズマに接触さ
せることにより、プラズマＣＶＤに必要な高反応性のラ
ジカル分子を容易に反応系中に得ることができ、その結
果請求項１記載の発明の効果に加えて、製造が一層容易
な複合被覆電線の製造方法が得られる。
【図１】（ａ）は、一実施の形態としての複合被覆電線
の製造方法に使用される直流放電プラズマＣＶＤ装置で
あり、（ｂ）はそのカソード電極の説明図である。
の製造方法に使用される直流放電プラズマＣＶＤ装置で
あり、（ｂ）はそのカソード電極の説明図である。
【図２】他の実施の形態としての複合被覆電線の製造方
法に使用されるプラズマＣＶＤ装置である。
法に使用されるプラズマＣＶＤ装置である。
【図３】さらに他の実施の形態としての複合被覆電線の
製造方法に使用されるＲＦ放電プラズマＣＶＤ装置であ
る。
製造方法に使用されるＲＦ放電プラズマＣＶＤ装置であ
る。
【図４】従来方法で得られた複合被覆電線の断面図であ
る。
る。
【図５】別の従来方法で得られた複合被覆電線の断面図
である。
である。
１ プラズマＣＶＤ装置 ２ ガス導入口 ４ 反応容器 １１ エナメル電線 １６ ヒータ
Claims (2)
- 【請求項１】 シラン誘導体を原料ガスとするプラズマ
化学蒸着によりエナメル電線に薄膜を形成する方法であ
って、 前記エナメル電線の電線温度を２００°Ｃ以下とするこ
とを特徴とする複合被覆電線の製造方法。 - 【請求項２】 前記シラン誘導体がヘキサメチルジシラ
ン、あるいはテトラメチルシランであることを特徴とす
る請求項１記載の複合被覆電線の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP01315996A JP3236493B2 (ja) | 1996-01-29 | 1996-01-29 | 複合被覆電線の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP01315996A JP3236493B2 (ja) | 1996-01-29 | 1996-01-29 | 複合被覆電線の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09204832A JPH09204832A (ja) | 1997-08-05 |
| JP3236493B2 true JP3236493B2 (ja) | 2001-12-10 |
Family
ID=11825401
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP01315996A Expired - Fee Related JP3236493B2 (ja) | 1996-01-29 | 1996-01-29 | 複合被覆電線の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3236493B2 (ja) |
Families Citing this family (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000003876A (ja) * | 1998-06-15 | 2000-01-07 | Asahi Optical Co Ltd | 半導体素材製造装置 |
| KR100383170B1 (ko) * | 2001-02-16 | 2003-05-12 | 주식회사 엘지이아이 | 플라즈마를 이용한 고분자 막 연속증착장치 |
| KR100386506B1 (ko) * | 2001-02-16 | 2003-06-02 | 주식회사 엘지이아이 | 플라즈마중합연속처리장치의 가스시스템 |
| JP4163432B2 (ja) * | 2002-03-26 | 2008-10-08 | 矢崎総業株式会社 | プラズマ処理装置 |
| JP4925600B2 (ja) * | 2005-04-13 | 2012-04-25 | 株式会社ライフ技術研究所 | プラズマ発生装置およびこれを用いた成膜方法 |
| US8808856B2 (en) | 2005-01-05 | 2014-08-19 | Pureron Japan Co., Ltd. | Apparatus and method for producing carbon film using plasma CVD and carbon film |
| JP4917758B2 (ja) * | 2005-04-13 | 2012-04-18 | 株式会社ピュアロンジャパン | カーボン金属ナノツリーおよびその製造方法 |
| EP1834925A1 (en) * | 2005-01-05 | 2007-09-19 | Dialight Japan Co., Ltd. | Apparatus for manufacturing carbon film by plasma cvd, method for manufacturing the same, and carbon film |
| EP1912483B1 (en) * | 2005-08-02 | 2012-09-05 | Pureron Japan Co. Ltd. | Plasma generator and film forming method employing same |
| JP5116999B2 (ja) * | 2006-06-27 | 2013-01-09 | 株式会社ピュアロンジャパン | プラズマ発生装置 |
-
1996
- 1996-01-29 JP JP01315996A patent/JP3236493B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH09204832A (ja) | 1997-08-05 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080928 Year of fee payment: 7 |
|
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