-
Technisches Gebiet
-
Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung zum Bearbeiten von Oberflächen eines Substrates durch Plasma, welche bei Atmosphärendruck oder bei atmosphärennahem Unterdruck arbeiten kann.
-
Stand der Technik
-
Plasmagestützte Verfahren finden vielfältige Anwendungen bei der Oberflächenbearbeitung. Besonders hervorzuheben sind hierbei das Reaktive Ionenätzen, die Kathodenzerstäubung (Sputtern) und die reaktive Kathodenzerstäubung. Beim Reaktiven Ionenätzen sollen Strukturen in ein Werkstück geätzt werden, während es Ziel des Sputterns ist, dünne Schichten auf das Werkstück aufzubringen.
-
Bei den derzeit industriell eingesetzten Verfahren wird in einer Unterdruckkammer eine Gasentladung (Plasma) in einem Niederdruckbereich zwischen ca. 0,01 Pa und 10 Pa beispielsweise durch eine Gleichspannung oder eine hochfrequente Wechselspannung erzeugt. Die geometrische Ausdehnung des Plasmas entspricht dabei der der Unterdruckkammer in der das zu bearbeitende Werkstück, üblicherweise Substrat genannt, platziert wird. Da Substrate im Bereich von wenigen Millimetern bis zu einigen Metern industriell mit Plasmaprozessen bearbeitet werden sollen, müssen entsprechend große Plasmen stabil erzeugt werden. Dies erfordert ein Arbeiten in dem genannten Druckbereich, weil das Plasma ansonsten kollabiert oder filamentiert und somit für die Oberflächenbearbeitung ungeeignet wird. Das Arbeiten bei niedrigen Drücken bedingt einerseits hohen Aufwand für die Erzeugung des Unterdrucks, andererseits einen verminderten Durchsatz der Fertigungsanlage aufgrund der dafür benötigten Zeit vor der eigentlichen Bearbeitung des Substrates.
-
So beschreibt
WO 2009/079358 A1 ein Verfahren zum Sputtern einer Beschichtung auf ein Substrat im Niederdruckbereich und
DE 38 34 318 A1 beschreibt eine Vorrichtung zum Aufbringen dielektrischer oder metallischer Werkstoffe auf ein in einer Vakuumkammer angeordnetes Substrat.
US 4,885,068 A ist mit der gleichmäßigen Bildung dünner Deckschichten befasst.
-
DE 1 818 460 U beschreibt einen mittels Hilfslichtbogen zündbaren Lichtbogen zwischen einer abschmelzenden Drahtelektrode und einem Werkstück. Die Bogenentladung wird dabei durch eine zwischen Elektrode und Werkstück angeordneten Düse eingeschnürt.
-
JP 2007 323 812 A beschreibt eine Vorrichtung und ein Verfahren zur Erzeugung eines Plasmas bei atmosphärischem Druck.
-
Es besteht daher ein Bedarf an einer Vorrichtung zur punktgenauen Behandlung von Oberflächen eines Substrates durch ein Plasma, mit der sich ein plasmagestütztes Verfahren bei Atmosphärendruck oder wenigstens bei atmosphärennahen Drücken durchführen lässt.
-
Offenbarung der Erfindung
-
Erfindungsgemäß wird daher eine Vorrichtung zur Behandlung von Oberflächen eines Substrates durch ein Plasma eingeführt, die bei Atmosphärendruck oder atmosphärennahen Drücken arbeiten kann. Als „atmosphärennaher Druck“ wird dabei ein Druck von zwischen einem Zehntel des Atmosphärennormaldrucks und Atmosphärennormaldruck verstanden.
-
Die Vorrichtung umfasst:
- – eine Plasmaquelle, welche ausgebildet ist, ein Plasma zu erzeugen und in einen Plasmaraum mit einer entlang einer Hauptbewegungskomponente des Plasmas verlaufenden longitudinalen Plasmaausdehnung auszustoßen,
- – wobei die Plasmaquelle einen zylinderförmigen Resonator aufweist und das Target drahtförmig und entlang der Zylinderachse des Resonators angeordnet ist, wobei der Resonator zusammen mit dem drahtförmigen Target einen LC-Schwingkreis bildet, in dem das drahtförmige Target als Dipol wirkt,
- – eine erste Aufnahmevorrichtung, welche ausgebildet ist, das Target aufzunehmen,
- – eine zweite Aufnahmevorrichtung für das Substrat, wobei die Vorrichtung ausgebildet ist, Material aus dem Target zu lösen und auf das Substrat zu übertragen,
- – wobei die zweite Aufnahmevorrichtung wenigstens teilweise leitend ausgebildet und mit einer Spannungsquelle verbunden ist, wobei die Spannungsquelle ausgebildet ist, eine Beschleunigungsspannung zu erzeugen und an die zweite Aufnahmevorrichtung anzulegen, und
- – eine Unterdruckkammer, in der die Plasmaquelle und das Target angeordnet sind, wobei die Unterdruckkammer ausgebildet ist, einen Druck in der Unterdruckkammer von zwischen einem Zehntel des Atmosphärennormaldrucks und Atmosphärennormaldruck zu erzeugen.
-
Die Erfindung basiert auf der Verwendung einer Plasmaquelle anstelle der Zündung eines Plasmas in einer Unterdruckkammer. Eine Plasmaquelle erzeugt fortlaufend Plasma und stößt es wegen der Zuführung von zu ionisierendem Gas ähnlich einem Gasbrenner aus. Es kann dabei auch eine gepulst oder moduliert betriebene Plasmaquelle verwendet werden, gleichwohl stößt eine solche Plasmaquelle während der gesamten Betriebsdauer Plasma aus und ist somit für den Einsatz im Rahmen der Erfindung geeignet. Das von der Plasmaquelle derartig erzeugte Plasma rekombiniert nach einer gewissen Zeit, so dass sich ein Plasmaraum einer von verschiedenen Parameter wie dem Druck und dem verwendeten Gas oder Gasgemisch abhängigen Ausdehnung ergibt. „Plasmaraum“ bezeichnet hierbei denjenigen Raum, in dem freie Ladungsträger anzufinden sind.
-
Bei atmosphärennahen Drücken liegt die longitudinale Plasmaausdehnung des Plasmaraumes üblicherweise im Millimeterbereich. Obwohl bei solch vergleichsweise hohen Drücken ein Plasma nicht stabil erzeugt werden kann, stehen aufgrund der fortlaufenden Erzeugung eines Plasmas durch die Plasmaquelle jederzeit Ionen für die Oberflächenbearbeitung zur Verfügung.
-
Die Erfindung schließt die Erkenntnis ein, dass die durch die Plasmaquelle erzeugten freien Ladungsträger als Primärplasma ein zusätzliches Plasma – das Sekundärplasma – erzeugen können. Indem erfindungsgemäß die Spannungsquelle an die als Elektrode fungierende erste Aufnahmevorrichtung eine erste Beschleunigungsspannung anlegt, werden die freien Ladungsträger des Primärplasmas im elektrischen Feld beschleunigt, wobei sie durch Stoßprozesse weitere Gasatome ionisieren. Die hierfür benötigte Zündspannung ist aufgrund des aus der Plasmaquelle strömenden Plasmas bedeutend niedriger als für einen gegebenen Druck zu erwarten wäre.
-
Aufgrund dieses überraschenden Effekts wird es möglich, einen ausreichend großen Teilchenstrom für Oberflächenbearbeitungsprozesse, die zuvor nur im Vakuum möglich waren, zur Verfügung zu stellen.
-
Wichtig ist für das Funktionieren der Vorrichtung, dass das Plasma das Substrat erreichen kann, so dass Ionen aus dem Plasma auf das Substrat auftreffen können.
-
Obgleich die Erfindung Plasmaprozesse bei höheren Drücken ermöglicht, kann die Qualität und Effizienz der Prozesse gesteigert werden, indem sie bei verringertem Druck durchgeführt werden. Allerdings ist es erfindungsgemäß möglich, höhere Drücke zu verwenden als bei vorbekannten Verfahren notwendig.
-
Diese erfindungsgemäße Vorrichtung kann für Sputter-Prozesse verwendet werden, bei denen es darum geht, Material von einem Target durch Ionenbeschuss zu lösen und auf ein Substrat, also auf das eigentliche Werkstück, aufzutragen. Das Target verbraucht sich dabei über viele Prozesszyklen und wird daher in Abständen ersetzt. Ausführungsformen ohne zweite Aufnahmevorrichtung können hingegen für Reaktives Ionenätzen eingesetzt werden, bei denen das Target das eigentliche Werkstück darstellt und durch den Ionenbeschuss in gewünschter Form geätzt wird.
-
Aufgrund des erfindungsgemäß vergleichsweise hohen Drucks, ist die Dichte des zwischen Target und Substrat befindlichen Gases entsprechend hoch, so dass die aus dem Target gelösten Partikel von dem Gas auf ihrem Weg zum Substrat verhältnismäßig stark abgebremst werden. Für bestimmte Materialien kann die verminderte Geschwindigkeit der Targetpartikel das Problem mit sich bringen, dass die Partikel nur mangelhaft an dem Substrat anhaften. Daher kann eine Beschleunigungsspannung nützlich sein, welche über die zweite Aufnahmevorrichtung an das Substrat angelegt wird (sofern das Substrat selbst leitfähig ist, andernfalls wirkt die zweite Aufnahmevorrichtung selbst als Elektrode). Diese Beschleunigungsspannung beschleunigt die Ionen im Plasma in Richtung des Substrates und führt indirekt über weitere Stoßprozesse zwischen den Ionen und den Targetpartikeln zu einer Beschleunigung der Targetpartikel. Die Beschleunigungsspannung beträgt bevorzugt zwischen –10 und –100 V.
-
Die Plasmaquelle weist einen zylinderförmigen Resonator auf, wobei das Target bevorzugt drahtförmig und entlang der Zylinderachse des Resonators angeordnet oder anordenbar ist. Das Target kann dabei die Funktion einer Induktivität übernehmen und Teil eines Schwingkreises sein, der das Target und den Resonator als LC-Glied umfasst. Die durch den Schwingkreis erzeugte hochfrequente Schwingung erzeugt dann das Plasma, das durch ein in der Nähe der Targetspitze vorzugsweise in der Resonatorachse angeordnetes Loch im Resonator ausströmt.
-
Die Vorrichtung besitzt dabei bevorzugt eine mit der ersten Aufnahmevorrichtung verbundene Frequenzbestimmungseinheit, welche ausgebildet ist, die Frequenz eines an dem zylinderförmigen Resonator anliegenden Signals zu bestimmen, die bestimmte Frequenz mit einer vorgegebenen oder vorgebbaren Sollfrequenz zu vergleichen und ein Ergebnissignal auszugeben, welches ein Ergebnis des Vergleichs anzeigt. Die erste Aufnahmevorrichtung ist dabei dazu ausgebildet, das drahtförmige Target entlang der Zylinderachse des Resonators zu verschieben, wobei eine Verschiebungsrichtung der Verschiebung abhängig von dem Ergebnissignal ist.
-
Die Resonanzfrequenz der aus Resonator und drahtförmigem Target gebildeten Anordnung ist von der Länge des drahtförmigen Targets innerhalb des Resonators abhängig und kann daher durch Verschieben des Targets innerhalb des Resonators beeinflusst werden. Im Umkehrschluss bedeutet dies jedoch auch, dass die Frequenz der Schwingung Aufschluss über den Abstand zwischen der Spitze des drahtförmigen Targets und dem Loch im Resonator bietet. Diese Erkenntnis macht sich diese Ausführungsform in einem Regelkreis zunutze, indem sie das drahtförmige Target, das an seiner Spitze durch die Wirkung des Plasmas fortlaufend abgetragen wird, abhängig von der bestimmten Frequenz verschiebt, so dass die Spitze des Targets jederzeit in einem gewünschten Abstand zu dem Loch im Resonator gehalten werden kann.
-
Die zweite Aufnahmevorrichtung kann ausgebildet sein, sich auf ein erstes Steuersignal hin entlang einer ersten Richtung und auf ein zweites Steuersignal hin entlang einer zweiten Richtung, welche die erste Richtung kreuzt, zu bewegen. Als gleichwertig wird hierbei eine zweite Aufnahmevorrichtung angesehen, die ausgebildet ist, ein Substrat entsprechend zu bewegen. Die Vorrichtung weist dabei eine Steuereinheit auf, welche ausgebildet ist, Geometriedaten zu empfangen und die zweite Aufnahmevorrichtung durch Ausgeben von aus den Geometriedaten abgeleiteten ersten und zweiten Steuersignalen relativ zu der ersten Aufnahmevorrichtung so zu bewegen, dass das aus dem Target gelöste Material auf einen durch die Geometriedaten vorgegebenen Bereich der Oberfläche des Substrates übertragen wird.
-
Diese Ausführungsform erlaubt ein Übertragen von Targetmaterial auf jenen Teil des Substrates, das von der zweiten Aufnahmevorrichtung durch den Wirkungsbereich des Plasmas geführt wird. Dadurch wird ein dem Drucken ähnliches Verfahren möglich, das sich beispielsweise vorteilhaft bei der Beschichtung von Leiterplatten einsetzen lässt, indem Leiterbahnen direkt auf die Leiterplatten gedruckt werden. Besonders bevorzugt können dabei auch Kunststoffgehäuse als Substrat eingesetzt werden, so dass die Schaltung eines elektronischen Gerätes direkt auf eine Innenseite des Gehäuses aufgetragen wird, was großes Einsparpotential bei der Herstellung elektronischer Geräte bietet.
-
Die erste Aufnahmevorrichtung und die zweite Aufnahmevorrichtung sind bevorzugt relativ zueinander so angeordnet, dass ein Abstand zwischen einem in der ersten Aufnahmevorrichtung befindlichen Target und einem in der zweiten Aufnahmevorrichtung befindlichen Substrat weniger als 3 µm beträgt. Dieser geringe Abstand ermöglicht die zuverlässige und zielgenaue Übertragung von Targetmaterial auf das Substrat.
-
Die zweite Aufnahmevorrichtung kann ausgebildet sein, sich auf ein drittes Steuersignal hin entlang einer dritten Richtung zu bewegen, wobei die dritte Richtung mit der ersten und der zweiten Richtung einen Raum aufspannt. Dabei weist die Vorrichtung eine Abstandsbestimmungseinheit auf, welche ausgebildet ist, einen Abstand zwischen dem Target und dem Substrat zu bestimmen. Die Steuereinheit ist ausgebildet, den Abstand zwischen dem in der ersten Aufnahmevorrichtung befindlichen Target und dem in der zweiten Aufnahmevorrichtung befindlichen Substrat durch Ausgeben entsprechender dritter Steuersignale einzustellen. Diese Ausführungsform erlaubt es, einen konstanten Abstand zu der Oberfläche des Substrates einzuhalten.
-
Grundsätzlich stellt bei Sputterprozessen ein Target einen austauschbaren Verschleißgegenstand dar, während das Substrat das zu bearbeitende Werkstück ist. Im Rahmen der Erfindung sind daher das Target und das Substrat grundsätzlich nicht als den Schutzbereich mitbestimmend anzusehen.
-
Kurzbeschreibung der Abbildungen
-
Die Erfindung wird im Folgenden anhand von Abbildungen von Ausführungsbeispielen näher beschrieben. Gleiche Bezugszeichen bezeichnen dabei gleiche oder gleichartige Gegenstände. Es zeigen:
-
1 ein Ausführungsbeispiel zur Veranschaulichung eines Plasmaprozesses;
-
2 ein Ausführungsbeispiel zur Veranschaulichung eines Plasmaprozesses mit einem zylindrischen Target;
-
3 ein weiteres Ausführungsbeispiel zur Veranschaulichung eines Plasmaprozesses mit einem zylindrischen Target;
-
4 ein Ausführungsbeispiel zur Veranschaulichung eines Plasmaprozesses mit einem drahtförmigen Target; und
-
5 ein erfindungsgemäßes Ausführungsbeispiel mit einem in einem Resonator angeordneten drahtförmigen Target.
-
Detaillierte Beschreibung der Abbildungen
-
1 zeigt ein Ausführungsbeispiel zur Veranschaulichung eines Plasmaprozesses. Eine Plasmaquelle 1 erzeugt ein Plasma 2 und stößt dieses aus. Im Wirkungsbereich des Plasmas ist ein Werkstück 5 in einer ersten Aufnahmevorrichtung 3-1 angeordnet. Im einfachsten Fall kann diese erste Aufnahmevorrichtung 3-1 der Boden einer Kammer sein, in der die Plasmaquelle 1 angeordnet ist. Die erste Aufnahmevorrichtung 3-1 ist wenigstens teilweise elektrisch leitend ausgebildet und mit einer Spannungsquelle 4 verbunden, welche ein gegenüber der Plasmaquelle 1 negatives Potential oder auch eine Wechselspannung mit einer Frequenz in einem Bereich von einigen Kilohertz bis ungefähr 100 Megahertz erzeugt. Ist das Werkstück 5 selbst elektrisch leitend, genügt es, wenn die von der Spannungsquelle 4 erzeugte Spannung über einen Kontaktpunkt zwischen dem Werkstück 5 und der ersten Aufnahmevorrichtung 3-1 an das Werkstück 5 gelangt, da das Werkstück 5 in diesem Fall selbst als Elektrode für die Beschleunigung der aus dem Plasma 2 zu extrahierenden Ionen wirken kann. Ist das Werkstück 5 jedoch aus einem elektrisch isolierenden Material, ist die erste Aufnahmevorrichtung 3-1 vorzugsweise flächig ausgebildet, so dass entlang der gesamten Ausdehnung des Werkstücks 5 Ionen dem von der als Elektrode fungierenden ersten Aufnahmevorrichtung 3-1 ausgehenden elektrischen Feld folgend auf das Werkstück 5 gelangen können.
-
Das Ausführungsbeispiel von 1 kann für das Reinigen von Oberflächen oder für Ätzprozesse verwendet werden. Dabei kann bei bestimmten Ausführungsformen ein Gasgemisch verwendet werden, das neben dem Plasmagas (allgemein bevorzugt ist Argon) chemische Ätzmittel enthält.
-
Das Werkstück 5 wird in der Literatur teilweise als Target bezeichnet, weil die Ionen aus dem Plasma 2 auf das Werkstück 5 treffen und dort Partikel herausschlagen. Andererseits wird es auch als Substrat bezeichnet, weil es sich bei dem Werkstück 5 um das eigentliche zu bearbeitende Objekt handelt. Im Zusammenhang mit Sputter- Prozessen, bei denen eine Oberfläche beschichtet werden soll, bezeichnet das Target eine Materialquelle für dasjenige Material, das im Rahmen der Beschichtung auf die Oberfläche eines Substrates übertragen werden soll.
-
2 zeigt ein Ausführungsbeispiel zur Veranschaulichung eines Plasmaprozesses, das für Sputter-Prozesse geeignet ist und ein zylindrisches Target 5 aufweist. Die Figur zeigt eine Querschnittszeichnung, so dass das als Hohlzylinder ausgeführte Target 5 in der Darstellung in zwei rechteckige Bereiche zerfällt, welche beiderseits des Plasmas 2 angeordnet sind. Das Plasma 2 kann das Target 5 durchströmen und durch den aufgrund der von der Spannungsquelle 4 erzeugten Beschleunigungsspannung ausgelösten Ionenbeschuss Partikel aus dem Target 5 lösen. Durch den Gasstrom sowie optional durch eine zusätzliche an dem Substrat 6 beziehungsweise der Aufnahmevorrichtung 3-2 für das Substrat 6 anliegende Beschleunigungsspannung gelangen die Partikel aus dem Targetmaterial auf die Oberfläche des Substrates 6. Wird eine zweite Beschleunigungsspannung verwendet, kann bei nichtleitendem Substrat 6 wieder die Aufnahmevorrichtung 3-2 als Elektrode fungieren, bei einem leitenden Substrat 6 kann das Substrat 6 selbst die Funktion der Elektrode übernehmen. Die zweite Aufnahmevorrichtung 3-2 kann im einfachsten Fall wiederum der Boden einer Kammer sein, in der die Plasmaquelle 1 angeordnet ist.
-
3 zeigt ein Ausführungsbeispiel zur Veranschaulichung eines Plasmaprozesses, wie das Ausführungsbeispiel von 2 ebenfalls mit einem zylindrischen Target 5. Das Ausführungsbeispiel entspricht im Wesentlichen dem von 2, so dass das dort Gesagte auch für das Ausführungsbeispiel von 3 gilt. Allerdings besteht hier das Target 5 aus einem nichtleitenden Material. Aus diesem Grund ist die erste Aufnahmevorrichtung 3-1, die beispielsweise als ein das Target 5 umschließender Hohlzylinder ausgeführt sein kann, wenigstens teilweise aus einem elektrisch leitfähigen Material gefertigt, das als Elektrode für die erste Beschleunigungsspannung dienen kann und mit der Spannungsquelle 4 verbunden ist. Die Spannungsquelle 4 ist hierbei jedoch ausgebildet, eine hochfrequente Wechselspannung, vorzugsweise im Bereich von einigen Kilohertz bis ungefähr 100 Megahertz, zu erzeugen. Das nichtleitende Target 5 fungiert in diesem Fall als Dielektrikum, so dass das durch die Spannungsquelle 4 erzeugte elektrische Feld auf das das Target 2 durchströmende Plasma 2 einwirken kann. Die Spannungsquelle 4 kann dabei über einen optionalen Koppelkondensator 7 an die erste Aufnahmevorrichtung 3-1 angekoppelt sein.
-
4 zeigt ein Ausführungsbeispiel zur Veranschaulichung eines Plasmaprozesses mit einem drahtförmigen Target 5. Das Target 5 wird hierbei seitlich in den Plasmastrom eingeführt. Das Abtragen des Targetmaterials geschieht dabei hauptsächlich an der im Plasma 2 befindlichen Spitze des drahtförmigen Targets 5. Daher ist die nicht dargestellte erste Aufnahmevorrichtung 3-1 vorzugsweise ausgebildet, das drahtförmige Target 5 durch Verschieben entlang der Längsachse des drahtförmigen Targets 5 nachzuführen, so dass sich die Spitze des Targets 5 jederzeit im Wirkungsbereich des Plasmas 2 befindet.
-
5 zeigt das Ausführungsbeispiel der Erfindung mit einem in einem Resonator 8 angeordneten drahtförmigen Target 5. Der Resonator 8 stellt hierbei einen zentralen Bestandteil der Plasmaquelle dar. Der Resonator bildet hierbei zusammen mit dem drahtförmigen Target 5 einen LC-Schwingkreis, welcher extern durch ein aktives Element angeregt werden kann. Die hierbei erzeugte hochfrequente Schwingung zündet eine Gasentladung in einem durch den Resonator geleiteten Gas, so dass an einem in einer Stirnseite des Resonators befindlichen Loch das Plasma 2 austritt. Die Gasentladung wird an einer Strecke zwischen der Spitze des drahtförmigen Targets 5 und dem Rand des Lochs gezündet, weil hier das stärkste elektrische Feld besteht.
-
Das drahtförmige Target 5 wirkt in der Anordnung als Dipol und bestimmt die Resonanzfrequenz der Anordnung mit. Durch Verschieben des Targets 5 entlang der Resonatorachse kann daher die Resonanzfrequenz beeinflusst werden. Dies bedeutet aber auch, dass die Resonanzfrequenz des Schwingkreises der Plasmaquelle Aufschluss über die Position der Spitze des drahtförmigen Targets 5 liefert. Dadurch wird es möglich, einen Regelkreis aufzubauen, in dem die hier nicht dargestellte erste Aufnahmevorrichtung das sich an seiner Spitze verbrauchende Target 5 fortlaufend nachschiebt, so dass einerseits die Erzeugung des Plasmas 2 nicht unterbrochen wird, andererseits immer genügend Targetmaterial für den Sputter-Prozess zur Verfügung steht. Um den Transport des drahtförmigen Targets 5 zu gewährleisten, kann an der Rückwand des Resonators 8 eine Durchführung 9 vorgesehen sein, welche den Resonator möglichst gasdicht abdichtet, aber das Verschieben des drahtförmigen Targets 5 nicht unterbindet.
-
Soll ein Target aus einem nichtleitenden Material verwendet werden, kann der Dipol auch durch einen Hohlleiter verwirklicht werden, in dessen Innerem das drahtförmige Target zur Spitze des Hohlleiters geführt wird.
-
Die Ausführungsbeispiele der 2 bis 5 lassen sich ähnlich einem Druckerkopf für ein gezieltes Aufbringen von Beschichtungen auf ausgewählte Bereiche des Substrates verwenden, was vielfältige Anwendungsmöglichkeiten eröffnet. So ist es beispielsweise möglich, bei Verwendung eines elektrisch leitfähigen Targetmaterials Leiterbahnen für elektrische Schaltungen direkt auf eine Platine zu drucken. Das Ausführungsbeispiel von 1 lässt sich entsprechend für das punktgenaue Ätzen oder Reinigen von Oberflächen verwenden. Die Erfindung ermöglicht den Einsatz von Plasmaprozessen bei höheren Drücken als normalerweise üblich bis hin zu Atmosphärendruck, wodurch die Produktionsgeschwindigkeit gesteigert und die Kosten für die Einrichtung reduziert werden.
