JPWO2006112458A1 - 電子装置の製造方法 - Google Patents

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Abstract

安価で生産性に優れかつ良好な通信特性を得ることができる電子装置の製造方法を提供する。外部電極が向かい合った1組の各々の面に形成されたICチップ100と、スリットが形成されたアンテナ回路201と、ICチップ100とアンテナ回路201とを電気的に接続する短絡板300とを備えた電子装置の製造方法において、ICチップ100を1個保持可能なハンド704を外周に複数有する円盤状搬送器703のハンド704にICチップ100を個々に保持し、ICチップ100の搬送を円盤状搬送器703の回転により行うことで、ハンド704の数を最大とする複数個のICチップ100を同時に搬送することを可能にする。

Description

本発明は、ICチップを搭載した非接触式個体識別装置に関して、安価で生産性に優れかつ良好な通信特性を得るのに好適な電子装置の製造方法に関する。
近年、RFID(Radio Frequency Identification)タグを用いる非接触式個体識別システムは、物のライフサイクル全体を管理するシステムとして製造、物流、販売の全ての業態で注目されている。特に、2.45GHzのマイクロ波を用いる電波方式のRFIDタグは、ICチップに外部アンテナを取り付けた構造で数メートルの通信距離が可能であるという特徴によって注目されており、現在、大量の商品の物流及び物品管理や製造物履歴管理等を目的にシステムの構築が進められている。
前記マイクロ波を用いる電波方式のRFIDタグとしては、例えば、株式会社日立製作所と株式会社ルネサステクノロジ社によって開発されたTCP(Tape Carrier Package)型インレットを用いたものが知られており、TCP型インレットの製造は、ポリイミド基材と銅アンテナ回路を連続して形成したテープキャリヤに、同一面上に全ての外部電極が形成されたICチップを1個ずつ実装するTAB(Tape Automated Bonding)工法が採用されている(香山 晋、成瀬 邦彦「VLSIパッケージング技術(上)、(下)」、日経BP社、1993年を参照)。以下、一般的なTAB工法を用いたRFIDタグの製造工程について図1を用いて説明する。
図1において、まず、(a)に示すように、金バンプ104が回路面に形成された同一面上に全ての外部電極が形成されたICチップ110をダイシング加工によって個片化した後に、ダイシングフィルム10から真空吸着器20によって吸着する。次に、(b)に示すように、同一面上に全ての外部電極が形成されたICチップ110の金バンプ104が表面になるように真空吸着ステーション30に移す。次に、(c)に示すように、金バンプ104が下面になるように真空吸着ステーション30を上下反転させる。前記同一面上に全ての外部電極が形成されたICチップ110を、銅箔付きポリイミド基材の銅箔をアンテナ回路加工して作製したアンテナ基板500の所定の位置に位置合せをした後、ヒータ40を用いて加熱圧着し、固定する。アンテナ回路501上の金バンプと接続する部分には錫めっき又ははんだめっきを施しておくことで金−錫合金による接続を得ることができる。次に、(d)に示すように、同一面上に全ての外部電極が形成されたICチップ110とアンテナ基板500の空隙を熱硬化性樹脂600によって封止する。前記熱硬化性樹脂の硬化が終了した状態はインレットと呼ばれるRFIDタグの中間形態である。このインレットをラベルや薄型ケースに格納することでRFIDタグとしての使用が可能になる。
その他のインレット構造としては、例えば、株式会社日立製作所の宇佐美により、ICチップの外部電極が向かい合った1組の各々の面に1個ずつ形成されたICチップにおいて、各々の面に形成された各外部電極にダイポールアンテナを接続するガラスダイオード・パッケージ構造が開発されている(特開2002−269520号公報を参照)。さらに、宇佐美らにより、上記2個の外部電極がICチップの向かい合った1組の各々の面に1個ずつ形成されたICチップを励振スリット型ダイポールアンテナに実装する際に、アンテナによって前記ICチップの向かい合った1組の各々の面に1個ずつ形成された各外部電極を挟む、サンドイッチ・アンテナ構造が開発されている(ISSCC Digest of Technical Papers,pp.398−399,2003年を参照)。励振スリットを有するダイポールアンテナ構造は、このスリットの幅及び長さを変えることで、アンテナのインピーダンスと上記ICチップの入力インピーダンスを整合することが可能で、通信距離を向上することができる。
RFIDタグを用いた非接触式個体識別システムで大量の商品の物流及び物品管理を実現するためには、商品の1つ1つにRFIDタグを取り付ける必要があり、そのためにはRFIDタグの大量かつ安価な生産が不可欠となる。
しかしながら、良好な通信特性が得られる励振型ダイポールアンテナ構造ではICチップの2つの外部電極が励振スリットを跨いでアンテナに接続されることで共振回路を形成するため、同一面上に全ての外部電極が形成されたICチップでは、信号入力用の2個の外部電極とスリットを精度良く位置合せする必要がある。そのため、図1に示した従来のTAB工法では、ダイシングフィルムからの真空吸着器による同一面上に全ての外部電極が形成されたICチップの吸着及び搬送や同一面上に全ての外部電極が形成されたICチップとアンテナ基板の位置合せ及び配置、さらに加熱圧着、樹脂封止等の各工程を同一面上に全ての外部電極が形成されたICチップについて1個ずつ行うため、各工程のタクト時間を1秒程度又は1秒以下に短縮することは非常に困難であり、大量生産性における大きな課題となっていた。
また、タクト時間が長いとその分人件費等がかかり低コスト化の妨げになることに加え、同一面上に全ての外部電極が形成されたICチップとアンテナ基板との接続は金−錫又は金−はんだ接合によって行うために、基板材料として耐熱性に優れ、高価であるポリイミドフィルムに銅箔を貼り合わせたテープ基材を用いる必要があることから、安価なインレットの生産が困難となっている。
上記アンテナによって2個の外部電極が向かい合った1組の各々の面に1個ずつ形成されたICチップの各々の面に1個ずつ形成された各外部電極を挟むサンドイッチ・アンテナ構造を用いれば、励振スリットと前記ICチップの各々の面に1個ずつ形成された各外部電極との高精度な位置合せが不要となるものの、TAB工法を用いた従来通りの生産方法では、タクト時間を短縮するために複数の前記チップを複数の真空吸着器で同時に吸着及び搬送する方式をとるため、生産設備が複雑になり設備投資金額も増大し、インレットの大量生産及び低コスト化が困難となる。
そこで、前記ICチップの搬送が前記ICチップを1個挿入可能な切欠きを外周に複数有する円盤状搬送器の前記切欠きに前記ICチップを個々に収め、前記円盤状搬送器の回転により行うことで、前記切欠きの数を最大とする複数個の前記ICチップを同時に搬送する方式を考案した(特願2004−008313を参照)。
しかしながら円盤状搬送器による方式では、前記ICチップを前記切欠きに挿入する際に前記ICチップが前記切欠きに引っかかったり、前記円盤状搬送器と前記円盤状搬送器を保持するベースの間に前記ICチップが挟まる等、設備の安定稼動に課題があった。
本発明は、前記に鑑みてなされたものであり、安価で生産性に優れかつ良好な通信特性を得ることができる電子装置の製造方法を提供することを目的とする。
即ち、本発明は以下の通りである。
(1)外部電極が向かい合った1組の各々の面に形成されたICチップと、スリットが形成された送受信アンテナと、前記ICチップと前記アンテナとを電気的に接続する短絡板とを備えた電子装置の製造方法において、前記ICチップを1個保持可能なハンドを外周に複数有する円盤状搬送器の前記ハンドに前記ICチップを個々に保持し、前記ICチップの搬送を前記円盤状搬送器の回転により行うことで、前記ハンドの数を最大とする複数個の前記ICチップを同時に搬送することを特徴とする電子装置の製造方法。
(2)外部電極が向かい合った1組の各々の面に形成されたICチップと、スリットが形成された送受信アンテナと、前記ICチップと前記アンテナとを電気的に接続する短絡板とを備えた電子装置の製造方法において、第1の金属箔を用いて複数のアンテナ回路を形成し、ベース基材上に前記アンテナ回路を設けることでアンテナ基板を形成する工程またはベース基材上に設けた第1の金属箔から複数のアンテナ回路を設けることでアンテナ基板を形成する工程、前記ICチップを整列する工程、整列したICチップを円盤状搬送器の外周に配置した前記ICチップを1個保持可能な複数のハンドに個々に保持し前記円盤状搬送器の回転により搬送する工程、搬送したICチップを電気的に接続するように第2の金属箔を形成した短絡板に第1の異方導電性接着剤層を介して個々に配置し、ICチップ付き短絡板を作製する工程、前記アンテナ回路上の所定の位置に、前記ICチップが電気的に接続するように、前記ICチップ付き短絡板を位置合せする工程、アンテナ基板上の所定の位置に、前記ICチップ付き短絡板を第2の異方導電性接着剤層を介して一括して加熱圧着する工程、を少なくとも有することを特徴とする電子装置の製造方法。
(3)外部電極が向かい合った1組の各々の面に形成されたICチップと、スリットが形成された送受信アンテナと、前記ICチップと前記アンテナとを電気的に接続する短絡板とを備えた電子装置の製造方法において、第1の金属箔を用いて複数のアンテナ回路を形成し、ベース基材上に前記アンテナ回路を設けることでアンテナ基板を形成する工程またはベース基材上に設けた第1の金属箔から複数のアンテナ回路を設けることでアンテナ基板を形成する工程、前記ICチップを整列する工程、整列したICチップを円盤状搬送器の外周に配置した前記ICチップを1個保持可能な複数のハンドに個々に保持し前記円盤状搬送器の回転により搬送する工程、前記アンテナ回路上の所定の位置に前記ICチップが電気的に接続するように、搬送した前記ICチップを個々に位置合せした後、第1の異方導電性接着剤層を介して配置する工程、配置した前記ICチップ及びアンテナ回路上の所定の位置に電気的に接続するように第2の金属箔を形成した短絡板を位置合せする工程、前記短絡板を、前記ICチップ及びアンテナ基板上に第2の異方導電性接着剤層を介して一括して加熱圧着する工程、を少なくとも有することを特徴とする電子装置の製造方法。
(4)外部電極が向かい合った1組の各々の面に形成されたICチップと、スリットが形成された送受信アンテナと、前記ICチップと前記アンテナとを電気的に接続する短絡板とを備えた電子装置の製造方法において、第1の金属箔を用いて複数のアンテナ回路を形成し、ベース基材上に前記アンテナ回路を設けることでアンテナ基板を形成する工程またはベース基材上に設けた第1の金属箔から複数のアンテナ回路を設けることでアンテナ基板を形成する工程、前記アンテナ回路上の所定の位置に第1の異方導電性接着剤層を形成する工程、前記ICチップを整列する工程、整列したICチップを円盤状搬送器の外周に配置した前記ICチップを1個保持可能な複数のハンドに個々に保持し前記円盤状搬送器の回転により搬送する工程、前記アンテナ回路上の所定の位置に前記ICチップが電気的に接続するように、搬送した前記ICチップを個々に位置合せした後、第1の異方導電性接着剤層を介して配置する工程、配置した複数の前記ICチップ及びアンテナ回路上の所定の位置に第2の異方導電性接着剤層を形成する工程、配置した複数の前記ICチップ及びアンテナ回路上の所定の位置に電気的に接続するように第2の金属箔を形成した短絡板を位置合せする工程、前記短絡板を、複数の前記ICチップ及びアンテナ基板上に一括して加熱圧着する工程、を少なくとも有することを特徴とする電子装置の製造方法。
(5)前記電子装置の製造方法のいずれかにおいて、第1及び第2の金属箔の少なくとも一方がアルミニウムであることを特徴とする電子装置の製造方法。
(6)前記電子装置の製造方法のいずれかにおいて、第1及び第2の金属箔の少なくとも一方が有機樹脂からなるベース基材に支持されており、前記有機樹脂は、塩化ビニル樹脂(PVC)、アクリロニトリルブタジエンスチレン(ABS)、ポリエチレンテレフタレート(PET)、グリコール変性ポリエチレンテレフタレート(PETG)、ポリエチレンナフタレート(PEN)、ポリカーボネート樹脂(PC)、2軸延伸ポリエステル(O−PET)、ポリイミド樹脂から選択されることを特徴とする電子装置の製造方法。
(7)前記電子装置の製造方法のいずれかにおいて、第1及び第2の金属箔の少なくとも一方が紙からなるベース基材に支持されていることを特徴とする電子装置の製造方法。
(8)前記電子装置の製造方法のいずれかにおいて、第1及び第2の異方導電性接着剤層の加熱圧着によって、アンテナ基板と短絡板との空隙を封止することを特徴とする電子装置の製造方法。
(9)前記電子装置の製造方法のいずれかにおいて、複数の前記ICチップをアンテナ基板及び短絡板と一括して加熱圧着する工程の後に、連続しているアンテナ回路を1個ずつの個片に切断する工程を有することを特徴とする電子装置の製造方法。
(10)前記電子装置の製造方法のいずれかにおいて、短絡板と前記ICチップ及びアンテナ基板を一括して加熱圧着することを特徴とする電子装置の製造方法。
本発明の電子装置の製造方法により次のような効果を得ることができる。外部電極が向かい合った1組の各々の面に形成されたICチップを円盤状搬送器の外周に配置した前記ICチップを1個保持可能な複数のハンドに個々に保持し前記円盤状搬送器の回転により前記ハンドの数を最大とする複数個の前記ICチップを同時に搬送することで、アンテナ基板及び短絡板に個々に配置しても、優れた生産性を実現することができ、また、良好な通信特性を得ることができる。インレット1個当りの生産タクト時間を1秒程度又は1秒以下に短縮することができること並びに異方導電性接着剤層を介して前記ICチップとアンテナ基板及び短絡板を接続するためにベース基材及びアンテナ回路の材料に安価な材料を使用することができることから、低価格のインレットを実現することができる。
図1は、従来の製造方法を説明するための図である。 図2は、本発明の製造方法によって得られるインレットの構造を示す図である。 図3は、本発明の第1の実施の形態を説明するための製造工程図である。 図4は、本発明の第2の実施の形態を説明するための製造工程図である。 図5は、本発明の第4の実施の形態を説明するための製造工程図である。
以下、本発明の実施形態について図面を用いて詳細に説明する。
本発明における電子装置は、外部電極が向かい合った1組の各々の面に形成されたICチップと、スリットが形成された送受信アンテナと、前記ICチップと前記アンテナとを電気的に接続する短絡板と、を備えるものである。
前記電子装置は、本発明の製造方法を用いたRFIDタグ用インレットである。図2(a)はRFIDタグ用インレットを上面から見た概略図である。また、図2(b)は図1(a)のA−A’部の断面概略図である。図2を用いて、前記インレットの構造を簡単に説明する。
図2において、(b)に示すように、前記ICチップ100の向かい合った1組の各々の面には、第1の外部電極102及び第2の外部電極103が各々形成されている。前記ICチップ100は第1の外部電極102によって、ベース基材202及びアンテナ回路201で構成されるアンテナ基板200に第1の接続部2において、異方導電性接着剤層400に含有される導電粒子401を介して接続されている。同様に、ベース基材302及び金属箔301で構成される短絡板300と前記ICチップ100の第2の外部電極103が第2の接続部3において、また、短絡板300とアンテナ基板200が第3の接続部4において、異方導電性接着剤層400に含有される導電粒子401を介して各々接続されている。前記ICチップの第2の外部電極103の第2の接続部3とアンテナ基板上の第3の接続部4は、アンテナ基板に形成されたスリット1を跨いで接続される構造となる。すなわち、前記ICチップの第1の外部電極102と第2の外部電極103は、第1の接続部2、アンテナ回路201、第3の接続部4、短絡板の金属箔301及び第2の接続部3を介して電気的に接続される。また、アンテナ基板200と短絡板300の空隙は、異方導電性接着剤層のマトリクス樹脂402によって封止されている。
次に、前記電子装置の製造方法について例を挙げて、図面を用いて説明する。
本発明における前記電子装置の製造方法の第1の例は、外部電極が向かい合った1組の各々の面に形成されたICチップと、スリットが形成された送受信アンテナと、前記ICチップと前記アンテナとを電気的に接続する短絡板とを備えた電子装置の製造方法において、第1の金属箔を用いて複数のアンテナ回路を形成する工程及びベース基材上に前記アンテナ回路を設けることでアンテナ基板を形成する工程もしくはベース基材上に設けた第1の金属箔から複数のアンテナ回路を設けることでアンテナ基板を形成する工程、前記ICチップを整列する工程、整列したICチップを円盤状搬送器の外周に配置した前記ICチップを1個保持可能な複数のハンドに個々に保持し前記円盤状搬送器の回転により搬送する工程、搬送したICチップを電気的に接続するように第2の金属箔を形成した短絡板に第1の異方導電性接着剤層を介して個々に配置し、ICチップ付き短絡板を作製する工程、前記アンテナ回路上の所定の位置に、前記ICチップが電気的に接続するように、前記ICチップ付き短絡板を位置合せする工程、アンテナ基板上の所定の位置に、前記ICチップ付き短絡板を第2の異方導電性接着剤層を介して一括して加熱圧着する工程、を少なくとも有するものである。
また、本発明における前記電子装置の製造方法の第2の例は、外部電極が向かい合った1組の各々の面に形成されたICチップと、スリットが形成された送受信アンテナと、前記ICチップと前記アンテナとを電気的に接続する短絡板とを備えた電子装置の製造方法において、第1の金属箔を用いて複数のアンテナ回路を形成する工程及びベース基材上に前記アンテナ回路を設けることでアンテナ基板を形成する工程もしくはベース基材上に設けた第1の金属箔から複数のアンテナ回路を設けることでアンテナ基板を形成する工程、前記ICチップを整列する工程、整列したICチップを円盤状搬送器の外周に配置した前記ICチップを1個保持可能な複数のハンドに個々に保持し前記円盤状搬送器の回転により搬送する工程、前記アンテナ回路上の所定の位置に前記ICチップが電気的に接続するように、搬送した前記ICチップを個々に位置合せした後、第1の異方導電性接着剤層を介して配置する工程、配置した前記ICチップ及びアンテナ回路上の所定の位置に電気的に接続するように第2の金属箔を形成した短絡板を位置合せする工程、前記短絡板を、前記ICチップ及びアンテナ基板上に第2の異方導電性接着剤層を介して一括して加熱圧着する工程、を少なくとも有するものである。
また、本発明における前記電子装置の製造方法の第3の例は、外部電極が向かい合った1組の各々の面に形成されたICチップと、スリットが形成された送受信アンテナと、前記ICチップと前記アンテナとを電気的に接続する短絡板とを備えた電子装置の製造方法において、第1の金属箔を用いて複数のアンテナ回路を形成する工程及びベース基材上に前記アンテナ回路を設けることでアンテナ基板を形成する工程もしくはベース基材上に設けた第1の金属箔から複数のアンテナ回路を設けることでアンテナ基板を形成する工程、前記アンテナ回路上の所定の位置に第1の異方導電性接着剤層を形成する工程、前記ICチップを整列する工程、整列したICチップを円盤状搬送器の外周に配置した前記ICチップを1個保持可能な複数のハンドに個々に保持し前記円盤状搬送器の回転により搬送する工程、前記アンテナ回路上の所定の位置に前記ICチップが電気的に接続するように、搬送した前記ICチップを個々に位置合せした後、第1の異方導電性接着剤層を介して配置する工程、配置した複数の前記ICチップ及びアンテナ回路上の所定の位置に第2の異方導電性接着剤層を形成する工程、配置した複数の前記ICチップ及びアンテナ回路上の所定の位置に電気的に接続するように第2の金属箔を形成した短絡板を位置合せする工程、前記短絡板を、複数の前記ICチップ及びアンテナ基板上に一括して加熱圧着する工程、を少なくとも有するものである。
前記第1〜第3の例において、第1及び第2の金属箔の少なくとも一方はアルミニウムである。
前記第1〜第3の例において、第1及び第2の金属箔の少なくとも一方は有機樹脂又は紙からなるベース基材に支持されている。前記有機樹脂は、塩化ビニル樹脂(PVC)、アクリロニトリルブタジエンスチレン(ABS)、ポリエチレンテレフタレート(PET)、グリコール変性ポリエチレンテレフタレート(PETG)、ポリエチレンナフタレート(PEN)、ポリカーボネート樹脂(PC)、2軸延伸ポリエステル(O−PET)、ポリイミド樹脂から選択される。
前記第1〜第3の例において、アンテナ基板を形成する方法としては、例えば、第1の金属箔を用いて複数のアンテナ回路を形成してからベース基材上に設けることでアンテナ基板を形成する方法、ベース基材上に第1の金属箔を設けてからエッチング等により複数のアンテナ回路を形成することでアンテナ基板を形成する方法がある。
前記ICチップの整列方法としては、例えば、チップコンデンサやチップ抵抗等のチップ部品を1列に整列する高速バルクフィーダーや高周波パーツフィーダーやリニアフィーダーがある。
前記第1〜第3の例において、アンテナ基板の幅方向に前記ICチップを並べたときの列を1列ずつ、一括して加熱圧着することができる個数分を1個片として短絡板を分割する工程、前記短絡板をアンテナ回路上の所定の位置に位置合せする工程、短絡板を前記ICチップ及びアンテナ基板上に異方導電性接着剤層を介して一括して加熱圧着する工程、を有する場合、タクト時間を短縮することができる点で好ましい。
前記第1〜第3の例において、前記ICチップの外部電極が付いている各々の面に異方導電性接着剤層を形成して、前記ICチップを前記異方導電性接着剤層で予め挟み込んだ状態の半導体素子を用いてもよく、この場合より効率的にインレットを製造することができる。
前記第1〜第3の例において、前記第1及び第2の異方導電性接着剤層の加熱圧着によって、複数の前記ICチップをアンテナ基板及び短絡板と一括して加熱圧着するとともに、アンテナ基板と短絡板との空隙を封止することができる。
この場合、前記第1及び第2の異方導電性接着剤層の厚みの合計を少なくとも前記ICチップの厚みの2分の1以上にすることが、アンテナ基板と短絡板との封止性を得ることができ、高信頼性を実現することができる点で好ましい。
前記加熱圧着前に短絡板を複数個に分割しておくと、熱歪みによる位置ずれを防止することができる点で好ましい。
前記第1〜第3の例において、前記ICチップの外部電極が付いている各々の面に異方導電性接着剤層を形成して、前記ICチップを前記異方導電性接着剤層で予め挟み込んだ状態の半導体素子の前記異方導電性接着剤層のうちの1方の面上に、短絡板をさらに予め設けているものを用いてもよく、この場合さらに効率的にインレットを製造することができる。
前記第1〜第3の例において、短絡板を形成するために第2の金属箔をベース基材上に設ける方法としては、例えば、第2の金属箔を単に前記ベース基材上に貼り付けるだけの方法があり、前記第2の金属箔についてエッチング等の処理をする必要がないことから工程が少なくて済み、タクト時間を短縮することができ、低コスト化することができる点で好ましい。
前記第1〜第3の例において、短絡板を前記ICチップ及びアンテナ基板上に異方導電性接着剤層を介して一括して加熱圧着する工程の後、連続しているアンテナ回路を1個ずつの個片に切断する工程を有する。
前記第1〜第3の例において、前記切断する工程において、図2におけるAーA’方向を幅方向としたとき、短絡板はスリットを跨いで前記ICチップにかかる程度の長さを有することが必要であり、アンテナ回路の幅とほぼ同等の長さを有していることがインレット全体の外観上好ましい。
前記第1〜第3の例において、前記各工程を経て、本発明の電子装置であるインレット構造を得ることができる。
前記インレットについて、RFIDタグの形態で使用する際には、インレットの上下にカバーシートを設けることが、回路を保護してショート等を防ぐ点で好ましい。
前記第1〜第3の例において、整列した複数の前記ICチップを円盤状搬送器の外周に配置した前記ICチップを1個保持可能な複数のハンドに個々に保持し前記円盤状搬送器の回転により前記ハンドの数を最大とする複数個の前記ICチップを同時に搬送することで、搬送したチップを短絡板及びアンテナ回路上の所定の位置に個々に配置しても、前記ICチップを真空吸着器等で1個ずつ吸着、搬送及び配置する場合に比べて優れた生産性を実現することができる。生産性を向上することでインレット1個当たりのタクト時間を短縮することができる。
前記第1〜第3の例において、前記ICチップと短絡板を用い、スリットを跨ぐ接続構造とすることで、前記ICチップのアンテナ回路に接する側の面の外部電極とアンテナ回路上の励振スリットの高精度な位置合せが不要であるため生産設備の低価格化と搬送の高速化を実現することができる。
前記第1〜第3の例において、前記ICチップとアンテナ基板及び短絡板、短絡板及びアンテナ基板の各電気的接続は、異方導電性接着剤層を介して行う。異方導電性接着剤層による接続は、被接続体である前記ICチップの各々の面に形成された各外部電極を前記異方導電性接着剤層に含有される導電粒子との接触によって得られるものであり、アンテナ回路上の表面めっきが不要であること、かつ、金属接合を形成するために200℃以上の高温でのボンディングに耐えうる高耐熱性ベース基材が不要であることから、安価なベース基材及びアンテナ回路の使用が可能となり、低コスト化を実現することができる。
前記電気的接続を異方導電性接着剤層を介して行うため、例えば、従来の金−錫接合等で接続する場合にはアンテナ基板のベース基材として耐熱性の高いポリイミドを使用する必要があったのに対し、例えば、安価なポリエチレンテレフタレート等を使用することができる。また、前記接続部のアンテナ回路上の表面に錫めっき等を施す必要がないことから、錫やはんだのめっき性が悪いものの安価なアルミニウムをアンテナ回路の材料に使用することができる。従って、例えば、ポリエチレンテレフタレートのベース基材にアルミニウムのアンテナ回路を形成して得られるアンテナ基板は、安価なRFIDタグ用インレットを製造するために好適な部材である。
前記第1の例において、第1の異方導電性接着剤層は予め短絡板に形成してもよいし、前記ICチップの第2の外部電極側に形成してもよい。また、第2の異方導電性接着剤層は予めアンテナ基板上に形成してもよいし、前記ICチップの第1の外部電極102側に形成してもよい。
前記第2の例において、第1の異方導電性接着剤層は予めアンテナ基板上に形成してもよいし、前記ICチップの第1の外部電極102側に形成してもよい。また、第2の異方導電性接着剤層は予め短絡板に形成してもよいし、ICチップ及びアンテナ回路上に形成してもよい。
即ち、本発明の電子装置の製造方法は、外部電極が向かい合った1組の各々の面に形成されたICチップと、スリットが形成された送受信アンテナと、前記ICチップと前記アンテナとを電気的に接続する短絡板とを備えた電子装置の製造方法において、前記ICチップの搬送が前記ICチップを1個保持可能なハンドを外周に複数有する円盤状搬送器の前記ハンドに前記ICチップを個々に保持し、前記円盤状搬送器の回転により行うことで、前記ハンドの数を最大とする複数個の前記ICチップを同時に搬送することができることを特徴とする電子装置の製造方法である。
前記第1〜第3の例で説明したように、前記ICチップを円盤状搬送器の外周に配置した前記ICチップを1個保持可能な複数のハンドに個々に保持し前記円盤状搬送器の回転により前記ハンドの数を最大とする複数個の前記ICチップを同時に搬送することで、短絡板及びアンテナ基板に電気的に接続するよう個々に配置しても、インレットの生産性を飛躍的に向上することができる。
実施例
以下、本発明の好適な実施例について図面を用いてさらに詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
図2(a)は本発明の実施形態であり、本発明の製造方法を用いたRFIDタグ用インレットを上面から見た概略図である。また、図2(b)は図2(a)のA−A’部の断面概略図である。図2を用いて、インレットの構造を簡単に説明する。
図2において、(b)に示すように、ICチップ100の向かい合った1組の各々の面には、第1の外部電極102及び第2の外部電極103が形成されている。ICチップ100は第1の外部電極102によって、ベース基材202及びアンテナ回路201で構成されるアンテナ基板200に第1の接続部2において、異方導電性接着剤層400に含有される導電粒子401を介して接続されている。同様に、ベース基材302及び金属箔301で構成される短絡板300とICチップ100の第2の外部電極103が第2の接続部3において、また、短絡板300とアンテナ基板200が第3の接続部4において、前記導電粒子401を介して各々接続されている。すなわち、前記ICチップの第2の外部電極103の第2の接続部3とアンテナ基板上の第3の接続部4は、アンテナ基板に形成されたスリット1を跨いで接続される構造となる。すなわち、前記ICチップの第1の外部電極102と第2の外部電極103は、第1の接続部2、アンテナ回路201、第3の接続部4、短絡板の金属箔301及び第2の接続部3を介して電気的に接続される。また、アンテナ基板200と短絡板300の空隙は、異方導電性接着剤層のマトリクス樹脂402によって封止されている。
<第1の実施の形態>
以下、図3を用いて、第1の実施の形態を説明する。
まず、(a)に示すように、厚み50μmのポリエチレンテレフタレート基材202に、厚み9μmのアルミニウム箔を接着剤にて貼り合せたテープ状基材のアルミニウム箔面に、スクリーン印刷でエッチングレジストを形成した後、エッチング液に塩化第二鉄水溶液を用いて、アンテナ回路201を連続して形成する。ここで、アンテナ回路1個当りのアンテナの幅を2.5mm、スリット幅を0.5mm、アンテナ回路の形成ピッチを3mmとした。
次に、(b)に示すように、約10000個準備した外部電極が向かい合った1組の各々の面に形成された縦横各0.4mmで厚さ0.15mmのICチップ100を高周波パーツフィーダー700に供給した後、前記高周波パーツフィーダー及び前記パーツフィーダーにつながるリニアフィーダー701を周波数280Hzで連続して振動させることで前記ICチップを前記リニアフィーダー上に1列に整列した。
次に、(c)にしめすように、幅2mm長さ50m厚み50μmのポリエチレンテレフタレート基材に、厚み9μmのアルミニウム箔を接着剤にて貼り合せた短絡板300のアルミニウム箔面上に、幅2mm長さ50mの異方導電性接着フィルム400(AC−2052P−45(日立化成工業(株)製))を80℃でラミネートし、セパレータフィルムを剥がして形成した異方導電性接着剤層を準備し、前記リニアフィーダー701、前記ICチップが1個保持可能な複数のハンド704を外周に有する円盤状搬送器703、前記異方導電性接着剤層を上向きに配置した。なお、前記リニアフィーダーの先端には振動による前記ICチップの脱落防止及び前記円盤状搬送器のハンドに保持する前記ICチップを1個だけ分離するためのピン702が付いている。
次に、(d)にしめすように、前記リニアフィーダー701先端のピン702を下降し前記リニアフィーダーの先頭に整列したICチップBを1個だけ分離した後、前記リニアフィーダーにつながる位置に停止した前記円盤状搬送器703のハンド704が下降し1個だけ分離したICチップBをハンド704先端に保持しハンド704を上昇し前記円盤状搬送器を回転した。このとき、前記リニアフィーダー先端のピンはこの後保持する前記ICチップの脱落防止のために上昇し、前記円盤状搬送器はこの後前記ICチップを保持するハンドが前記リニアフィーダーにつながる位置で回転を停止する。また、前記円盤状搬送器703のハンド704先端へのICチップ保持は、真空吸着で行っており、そのための穴がハンド704には明いている。
次に、(e)にしめすように、前記円盤状搬送器703のハンド704に保持した前記ICチップBが前記異方導電性接着剤層400の上方に位置すると、前記円盤状搬送器703のハンド704が下降し前記ICチップBを吸着している真空を破壊し前記ICチップBを前記異方導電性接着剤層に固定し、前記異方導電性接着剤層400を有する短絡板を3mm移動した。上記動作を繰り返し前記短絡板に形成した異方導電性接着剤層に40個の前記ICチップを3mm間隔で配置した。このとき、前記円盤状搬送器の外周に有するハンドは20個、前記円盤状搬送器の回転速度は0.3回転/秒、前記異方導電性接着剤層を有する短絡板の移動速度は18mm/秒とした。
次に、(f)に示すように、配置した前記ICチップの短絡板側の外部電極とは反対側の外部電極面上に、前記幅の前記異方導電性接着フィルム400を80℃でラミネートした後、セパレータフィルムを剥がして異方導電性接着剤層を形成し、3mmピッチで40個のICチップが1列に並んだ前記ICチップ付き短絡板とした。このとき、前記ICチップの外部電極の付いている各々の面は前記異方導電性接着剤層で挟み込まれた状態になっている。
次に、(g)に示すように、CCDカメラと画像処理装置を用いて、前記ICチップ付き短絡板の異方導電性接着剤層上から透かして見た前記ICチップと、アンテナ回路上の所定の位置とを位置合せすることで、前記ICチップ付き短絡板のICチップがアンテナ基板に接続する向きに仮固定した。また、CCDカメラと画像処理装置を用いる替わりに異方導電性接着剤層上から目視で透かして見た前記ICチップの位置精度でも問題はない。続いて、短絡板側から圧着ヘッドを降下し、圧力3MPa、温度180℃、加熱時間15秒の条件で、前記ICチップ付き短絡板をアンテナ基板の幅方向に並んだアンテナ回路の1列分に対して所定の位置に一括して加熱圧着するとともに、アンテナ基板と短絡板との空隙を封止した。圧着ヘッドには、前記ICチップとアンテナ基板及び短絡板の接続と、短絡板及びアンテナ基板の接続が同時にできるように、前記ICチップの厚み分の突起を所定の位置に形成してある。
次に、(h)に示すように、プレス切断機を用いて1個の個片ずつに切断し、図2に示す形状のインレット構造を得た。
本工程を用いれば、前記ICチップの搬送及び配置に要した時間がインレット1個あたり0.167秒、前記ICチップ付き短絡板をアンテナ基板に接続するのに要した時間がインレット1個あたり0.375秒であった。圧着ヘッドを複数個用いれば、さらにインレット1個当りのタクト時間を短縮することができる。
また、前記ICチップの実装位置精度は所定の位置から±0.3mm以内に収まっており、位置ずれによる組み立て不良及び通信不良はなかった。
<第2の実施の形態>
以下、図4を用いて、第2の実施の形態を説明する。
まず、(a)に示すように、厚み50μmのポリエチレンテレフタレート基材202に、厚み9μmのアルミニウム箔を接着剤にて貼り合せたテープ状基材のアルミニウム箔面に、スクリーン印刷でエッチングレジストを形成した後、エッチング液に塩化第二鉄水溶液を用いて、アンテナ回路201を連続して形成する。ここで、アンテナ回路1個当りのアンテナの幅を2.5mm、スリット幅を0.5mm、アンテナ回路の形成ピッチを3mmとした。
次に、(b)に示すように、アンテナ回路上の所定の位置に、幅2mmの異方導電性接着フィルム400(AC−2052P−45(日立化成工業(株)製))を80℃でラミネートし、セパレータフィルムを剥がして異方導電性接着剤層を形成した。
次に、(c)に示すように、約10000個準備した外部電極が向かい合った1組の各々の面に形成された縦横各0.4mmで厚さ0.15mmのICチップ100を高周波パーツフィーダー700に供給した後、前記高周波パーツフィーダー及び前記パーツフィーダーにつながるリニアフィーダー701を周波数280Hzで連続して振動させることで前記ICチップを前記リニアフィーダー上に1列に整列した。
次に、(d)にしめすように、前記リニアフィーダー701、前記ICチップが1個保持可能な複数のハンド704を外周に有する円盤状搬送器703、前記アンテナ回路上の所定の位置に形成した異方導電性接着剤層400を上向きに配置した。なお、前記リニアフィーダーの先端には振動による前記ICチップの脱落防止及び前記円盤状搬送器のハンドに保持する前記ICチップを1個だけ分離するためのピン702が付いている。
次に、(e)にしめすように、前記リニアフィーダー701先端のピン702を下降し前記リニアフィーダーの先頭に整列したICチップCを1個だけ分離した後、前記リニアフィーダーにつながる位置に停止した前記円盤状搬送器703のハンド704が下降し1個だけ分離したICチップCをハンド704先端に保持しハンド704を上昇し前記円盤状搬送器を回転した。このとき、前記リニアフィーダー先端のピンはこの後保持する前記ICチップの脱落防止のために上昇し、前記円盤状搬送器はこの後前記ICチップを保持するハンドが前記リニアフィーダーにつながる位置で回転を停止する。また、前記円盤状搬送器703のハンド704先端へのICチップ保持は、真空吸着で行っており、そのための穴がハンド704には明いている。
次に、(f)にしめすように、前記円盤状搬送器703のハンド704に保持した前記ICチップCが前記異方導電性接着剤層400の上方に位置すると、前記円盤状搬送器703のハンド704が下降し前記ICチップCを吸着している真空を破壊し前記ICチップCを前記異方導電性接着剤層に固定し、前記異方導電性接着剤層を有するアンテナ回路201を3mm移動した。上記動作を繰り返し前記アンテナ回路に形成した異方導電性接着剤層に40個の前記ICチップを3mm間隔で配置した。このとき、前記円盤状搬送器の外周に有する切欠きは20個、前記円盤状搬送器の回転速度は0.3回転/秒、前記異方導電性接着剤層を有する短絡板の移動速度は18mm/秒とした。
次に、(g)に示すように、厚み50μmのポリエチレンテレフタレート基材に、厚み9μmのアルミニウム箔を接着剤にて貼り合せた、幅2mmのテープ状基材のアルミニウム箔面上に、前記テープ状基材と同幅の前記異方導電性接着フィルム400を80℃でラミネートし、セパレータフィルムを剥がし、異方導電性接着剤層付き短絡板とした。
次に、(h)に示すように、異方導電性接着剤層付き短絡板とアンテナ基板とを外形寸法を基準にして所定の位置に合せ、仮固定した。続いて異方導電性接着剤層付き短絡板側から圧着ヘッドを降下し、圧力3MPa、温度180℃、加熱時間15秒の条件で、前記異方導電性接着剤層付き短絡板をアンテナ基板の幅方向に並んだ前記ICチップ及びアンテナ回路の1列分に対して所定の位置に一括して加熱圧着するとともに、アンテナ基板と短絡板との空隙を封止した。圧着ヘッドには、前記ICチップとアンテナ基板及び短絡板の接続と、短絡板及びアンテナ基板の接続が同時にできるように、前記ICチップの厚み分の突起を所定の位置に形成してある。
次に、(i)に示すように、プレス切断機を用いて1個の個片ずつに切断し、図2に示す形状のインレットを得た。
本工程を用いれば第1の実施の形態と同様に、前記ICチップの搬送及び配置に要した時間がインレット1個あたり0.167秒、前記短絡板をアンテナ基板に接続するのに要した時間がインレット1個あたり0.375秒であった。圧着ヘッドを複数個用いれば、さらにインレット1個当りのタクト時間を短縮することができる。
また、第1の実施の形態と同様に、前記ICチップの実装位置精度は所定の位置から±0.3mm以内に収まっており、位置ずれによる組み立て不良及び通信不良はなかった。
<第3の実施の形態>
以下、第3の実施形態を説明する。
図4における(f)までは第2の実施の形態と同様の工程を用いて、前記アンテナ基板の加工を行い、前記異方導電性接着フィルムをアンテナ回路上にラミネートして異方導電性接着剤層を形成し、前記外部電極が向かい合った1組の各々の面に形成されたICチップを整列及び搬送して、アンテナ回路上の所定の位置に前記ICチップを個々に配置した。
次に、配置した前記ICチップ上に、上記ラミネートした異方導電性接着フィルムと同幅の異方導電性接着フィルムを80℃でラミネートし、セパレータフィルムを剥がして異方導電性接着剤層を形成した。
次に、厚み50μmのポリエチレンテレフタレート基材に、厚み9μmのアルミニウム箔を接着剤にて貼り合せた幅2mmのテープ状基材を準備し、これを短絡板とした。前記短絡板のアルミニウム箔面側を前記ICチップに向け、外形寸法を基準にして前記異方導電性接着フィルムと重なるように位置合せをし、仮固定した。続いて短絡板側から圧着ヘッドを降下し、圧力3MPa、温度180℃、加熱時間15秒の条件で、短絡板を前記ICチップ及びアンテナ回路に対して所定の位置に一括して加熱圧着するとともに、アンテナ基板と短絡板との空隙を封止した。圧着ヘッドには、ICチップとアンテナ基板及び短絡板の接続と、短絡板及びアンテナ基板の接続が同時にできるように、前記ICチップの厚み分の突起を所定の位置に形成してある。
次に、プレス切断機を用いて1個の個片ずつに切断し、図2に示す形状のインレット構造を得た。
本工程を用いれば第1及び第2の実施の形態と同様に、前記ICチップの搬送及び配置に要した時間がインレット1個あたり0.167秒、前記短絡板をアンテナ基板に接続するのに要した時間がインレット1個あたり0.375秒であった。圧着ヘッドを複数個用いれば、さらにインレット1個当りのタクト時間を短縮することができる。
また、第1及び第2の実施の形態と同様に、前記ICチップの実装位置精度は所定の位置から±0.3mm以内に収まっており、位置ずれによる組み立て不良及び通信不良はなかった。
<第4の実施の形態>
以下、図5を用いて、第4の実施の形態を説明する。
図5における(b)までは第1の実施の形態と同様の工程を用いて、前記アンテナ基板の加工を行い、前記ICチップを前記リニアフィーダー上に1列に整列した。
次に、(c)にしめすように、幅2mm長さ50m厚み50μmのポリエチレンテレフタレート基材に、厚み9μmのアルミニウム箔を接着剤にて貼り合せた短絡板300のアルミニウム箔面上に、幅2mm長さ50mの異方導電性接着フィルム400(AC−2052P−45(日立化成工業(株)製))を80℃でラミネートし、セパレータフィルムを剥がして形成した異方導電性接着剤層を準備し、前記リニアフィーダー701、前記ICチップが1個挿入可能な複数の切欠き804を外周に有する円盤状搬送器803、前記異方導電性接着剤層を上向きに配置した。なお、前記リニアフィーダーの先端には振動による前記ICチップの脱落防止及び前記円盤状搬送器の切欠きに挿入する前記ICチップを1個だけ分離するためのピン702が付いている。
次に、(d)にしめすように、前記リニアフィーダー701先端のピン702を下降し前記リニアフィーダーの先頭に整列したICチップDを1個だけ前記円盤状搬送器803の切欠き804に挿入し前記円盤状搬送器を回転した。このとき、前記リニアフィーダー先端のピンはこの後挿入する前記ICチップの脱落防止のために上昇し、前記円盤状搬送器はこの後前記ICチップを挿入する切欠きが前記リニアフィーダーにつながる位置で回転を停止する。
次に、(e)にしめすように、前記円盤状搬送器803の切欠き804に挿入した前記ICチップDが前記異方導電性接着剤層400の上方に位置すると、仮付用ピン805で前記ICチップDを前記切欠きから外し前記異方導電性接着剤層に固定し、前記異方導電性接着剤層400を有する短絡板を3mm移動した。上記動作を繰り返し前記短絡板に形成した異方導電性接着剤層に40個の前記ICチップを3mm間隔で配置した。このとき、前記円盤状搬送器の外周に有する切欠きは24個、前記円盤状搬送器の回転速度は0.25回転/秒、前記異方導電性接着剤層を有する短絡板の移動速度は18mm/秒とした。
図5における(f)以降は第1の実施の形態と同様の工程を用いて、図2に示す形状のインレット構造を得た。
本工程を用いれば、前記ICチップの搬送及び配置に要した時間がインレット1個あたり0.167秒であった。但し、前記0.167秒は前記ICチップを前記切欠きに挿入する際に前記ICチップ2000個当り1回程度発生する前記ICチップが前記切欠きに引っかかったことが原因で設備が停止した時間を除いたものである。前記ICチップ付き短絡板をアンテナ基板に接続するのに要した時間がインレット1個あたり0.375秒であったが、圧着ヘッドを複数個用いれば、さらにインレット1個当りのタクト時間を短縮することができる。
また、前記ICチップの実装位置精度は所定の位置から±0.3mm以内に収まっており、位置ずれによる組み立て不良及び通信不良はなかった。
<第5の実施の形態>
まず、厚み50μmのポリエチレンテレフタレート基材に、厚み9μmのアルミニウム箔を接着剤にて貼り合せたテープ状基材のアルミニウム箔面に、スクリーン印刷でエッチングレジストを形成した後、エッチング液に塩化第二鉄水溶液を用いて、アンテナ回路を連続して形成する。ここで、アンテナ回路1個当りのアンテナの幅を2.5mm、スリット幅を0.5mm、アンテナ回路の形成ピッチを3mmとした。
次に、アンテナ基板上の所定の位置に、幅2mmの異方導電性接着フィルム400(AC−2052P−45(日立化成工業(株)製))を80℃でラミネートし、セパレータフィルムを剥がして異方導電性接着剤層を形成した。
次に、外部電極が向かい合った1組の各々の面に形成された縦横各0.4mmで厚さ0.15mmのICチップを約3000個準備し、高速チップマウンタに装着された高速バルクフィーダに投入した。高速バルクフィーダによって1列に整列して排出された前記ICチップを、高速チップマウンタを用いて順次アンテナ基板上の所定の位置に搬送し、配置した。
次に、厚み50μmのポリエチレンテレフタレート基材に、厚み9μmのアルミニウム箔を接着剤にて貼り合せた幅2mmのテープ状基材のアルミニウム箔面上に、前記アルミニウム箔と同幅の前記異方導電性接着フィルムを80℃でラミネートし、セパレータフィルムを剥がし、異方導電性接着剤層付き短絡板とした。
次に、異方導電性接着剤層付き短絡板とアンテナ基板を外形寸法を基準にして所定の位置に合せ、仮固定した。続いて異方導電性接着剤層付き短絡板側から圧着ヘッドを降下し、圧力3MPa、温度180℃、加熱時間15秒の条件で、異方導電性接着剤層付き短絡板を前記ICチップ及びアンテナ回路対して所定の位置に一括して加熱圧着するとともに、アンテナ基板と短絡板との空隙を封止した。圧着ヘッドには、ICチップとアンテナ基板及び短絡板の接続と、短絡板及びアンテナ基板の接続が同時にできるように、前記ICチップの厚み分の突起を所定の位置に形成してある。
次に、プレス切断機を用いて1個の個片ずつに切断し、図2に示す形状のインレットを得た。
本工程を用いれば、前記ICチップの搬送及び配置に要した時間がインレット1個あたり0.2秒、前記短絡板をアンテナ基板に接続するのに要した時間がインレット1個あたり0.375秒であった。
また、第1の実施の形態及び第2の実施の形態と同様に、前記ICチップの実装位置精度は所定の位置から±0.3mm以内に収まっており、位置ずれによる組み立て不良及び通信不良はなかった。
以上の実施例の結果をまとめて表1に示す。
Figure 2006112458

Claims (10)

  1. 外部電極が向かい合った1組の各々の面に形成されたICチップと、スリットが形成された送受信アンテナと、前記ICチップと前記アンテナとを電気的に接続する短絡板とを備えた電子装置の製造方法において、
    前記ICチップを1個保持可能なハンドを外周に複数有する円盤状搬送器の前記ハンドに前記ICチップを個々に保持し、前記ICチップの搬送を前記円盤状搬送器の回転により行うことで、前記ハンドの数を最大とする複数個の前記ICチップを同時に搬送すること
    を特徴とする電子装置の製造方法。
  2. 外部電極が向かい合った1組の各々の面に形成されたICチップと、スリットが形成された送受信アンテナと、前記ICチップと前記アンテナとを電気的に接続する短絡板とを備えた電子装置の製造方法において、
    第1の金属箔を用いて複数のアンテナ回路を形成し、ベース基材上に前記アンテナ回路を設けることでアンテナ基板を形成する工程またはベース基材上に設けた第1の金属箔から複数のアンテナ回路を設けることでアンテナ基板を形成する工程、
    前記ICチップを整列する工程、
    整列したICチップを円盤状搬送器の外周に配置した前記ICチップを1個保持可能な複数のハンドに個々に保持し前記円盤状搬送器の回転により搬送する工程、
    搬送したICチップを電気的に接続するように第2の金属箔を形成した短絡板に第1の異方導電性接着剤層を介して個々に配置し、ICチップ付き短絡板を作製する工程、
    前記アンテナ回路上の所定の位置に、前記ICチップが電気的に接続するように、前記ICチップ付き短絡板を位置合せする工程、
    アンテナ基板上の所定の位置に、前記ICチップ付き短絡板を第2の異方導電性接着剤層を介して一括して加熱圧着する工程、
    を少なくとも有することを特徴とする電子装置の製造方法。
  3. 外部電極が向かい合った1組の各々の面に形成されたICチップと、スリットが形成された送受信アンテナと、前記ICチップと前記アンテナとを電気的に接続する短絡板とを備えた電子装置の製造方法において、
    第1の金属箔を用いて複数のアンテナ回路を形成し、ベース基材上に前記アンテナ回路を設けることでアンテナ基板を形成する工程またはベース基材上に設けた第1の金属箔から複数のアンテナ回路を設けることでアンテナ基板を形成する工程、
    前記ICチップを整列する工程、
    整列したICチップを円盤状搬送器の外周に配置した前記ICチップを1個保持可能な複数のハンドに個々に保持し前記円盤状搬送器の回転により搬送する工程、
    前記アンテナ回路上の所定の位置に前記ICチップが電気的に接続するように、搬送した前記ICチップを個々に位置合せした後、第1の異方導電性接着剤層を介して配置する工程、
    配置した前記ICチップ及びアンテナ回路上の所定の位置に電気的に接続するように第2の金属箔を形成した短絡板を位置合せする工程、
    前記短絡板を、前記ICチップ及びアンテナ基板上に第2の異方導電性接着剤層を介して一括して加熱圧着する工程、
    を少なくとも有することを特徴とする電子装置の製造方法。
  4. 外部電極が向かい合った1組の各々の面に形成されたICチップと、スリットが形成された送受信アンテナと、前記ICチップと前記アンテナとを電気的に接続する短絡板とを備えた電子装置の製造方法において、
    第1の金属箔を用いて複数のアンテナ回路を形成し、ベース基材上に前記アンテナ回路を設けることでアンテナ基板を形成する工程またはベース基材上に設けた第1の金属箔から複数のアンテナ回路を設けることでアンテナ基板を形成する工程、
    前記アンテナ回路上の所定の位置に第1の異方導電性接着剤層を形成する工程、
    前記ICチップを整列する工程、
    整列したICチップを円盤状搬送器の外周に配置した前記ICチップを1個保持可能な複数のハンドに個々に保持し前記円盤状搬送器の回転により搬送する工程、
    前記アンテナ回路上の所定の位置に前記ICチップが電気的に接続するように、搬送した前記ICチップを個々に位置合せした後、第1の異方導電性接着剤層を介して配置する工程、
    配置した複数の前記ICチップ及びアンテナ回路上の所定の位置に第2の異方導電性接着剤層を形成する工程、
    配置した複数の前記ICチップ及びアンテナ回路上の所定の位置に電気的に接続するように第2の金属箔を形成した短絡板を位置合せする工程、
    前記短絡板を、複数の前記ICチップ及びアンテナ基板上に一括して加熱圧着する工程、
    を少なくとも有することを特徴とする電子装置の製造方法。
  5. 請求項1〜4のいずれかに記載の電子装置の製造方法において、第1及び第2の金属箔の少なくとも一方がアルミニウムであることを特徴とする電子装置の製造方法。
  6. 請求項1〜5のいずれかに記載の電子装置の製造方法において、第1及び第2の金属箔の少なくとも一方が有機樹脂からなるベース基材に支持されており、前記有機樹脂は、塩化ビニル樹脂(PVC)、アクリロニトリルブタジエンスチレン(ABS)、ポリエチレンテレフタレート(PET)、グリコール変性ポリエチレンテレフタレート(PETG)、ポリエチレンナフタレート(PEN)、ポリカーボネート樹脂(PC)、2軸延伸ポリエステル(O−PET)、ポリイミド樹脂から選択されることを特徴とする電子装置の製造方法。
  7. 請求項1〜5のいずれかに記載の電子装置の製造方法において、第1及び第2の金属箔の少なくとも一方が紙からなるベース基材に支持されていることを特徴とする電子装置の製造方法。
  8. 請求項1〜7のいずれかに記載の電子装置の製造方法において、第1及び第2の異方導電性接着剤層の加熱圧着によって、アンテナ基板と短絡板との空隙を封止することを特徴とする電子装置の製造方法。
  9. 請求項1〜8のいずれかに記載の電子装置の製造方法において、複数の前記ICチップをアンテナ基板及び短絡板と一括して加熱圧着する工程の後に、連続しているアンテナ回路を1個ずつの個片に切断する工程を有することを特徴とする電子装置の製造方法。
  10. 請求項1〜9のいずれかに記載の電子装置の製造方法において、短絡板と前記ICチップ及びアンテナ基板を一括して加熱圧着することを特徴とする電子装置の製造方法。
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Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101160596B (zh) * 2005-04-18 2010-05-26 日立化成工业株式会社 电子装置的制造方法
KR101122137B1 (ko) * 2009-09-04 2012-03-16 주식회사 프로텍 엘이디 본더의 접착제 스탬핑 장치
JP5403353B2 (ja) * 2009-11-11 2014-01-29 日立化成株式会社 Rfidタグの製造方法
EP2669936B1 (en) 2012-06-01 2018-02-14 Nexperia B.V. Discrete semiconductor device package and manufacturing method
EP2873031B1 (en) * 2012-07-12 2018-08-22 Assa Abloy Ab Method of manufacturing a functional inlay
US9437587B2 (en) * 2014-01-19 2016-09-06 Alpha & Omega Semiconductor, Inc. Flip chip semiconductor device
CN108701670A (zh) * 2015-12-11 2018-10-23 薄膜电子有限公司 具有电镀的天线和/或迹线的电子装置及其制造和使用方法
CN107336956B (zh) * 2017-08-22 2022-09-30 杭州象限科技有限公司 一种永磁体自动堆叠镭雕装置及使用方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04215910A (ja) * 1990-12-05 1992-08-06 Nitto Kogyo Co Ltd 固形物搬送装置のガイドプレート
JPH11145175A (ja) * 1997-11-11 1999-05-28 Matsushita Electric Ind Co Ltd バンプボンディング装置及び方法
JP2004115273A (ja) * 2002-09-30 2004-04-15 Far East Engineering Co Ltd チップ自動分離搬送装置
JP2004127230A (ja) * 2002-08-08 2004-04-22 Renesas Technology Corp 半導体装置、半導体装置の製造方法、電子商取引方法及びトランスポンダ読み取り装置
JP2004177974A (ja) * 1997-10-01 2004-06-24 Hitachi Chem Co Ltd 光情報処理装置

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5528222A (en) * 1994-09-09 1996-06-18 International Business Machines Corporation Radio frequency circuit and memory in thin flexible package
FR2756955B1 (fr) * 1996-12-11 1999-01-08 Schlumberger Ind Sa Procede de realisation d'un circuit electronique pour une carte a memoire sans contact
JP3339390B2 (ja) * 1997-11-12 2002-10-28 株式会社村田製作所 電子部品の搬送装置
JP2001217380A (ja) * 2000-02-04 2001-08-10 Hitachi Ltd 半導体装置およびその製造方法
US6951596B2 (en) * 2002-01-18 2005-10-04 Avery Dennison Corporation RFID label technique
JP4433629B2 (ja) 2001-03-13 2010-03-17 株式会社日立製作所 半導体装置及びその製造方法
US6732498B2 (en) * 2001-06-29 2004-05-11 Mars, Incorporated Vacuum assisted cut-and-seal apparatus with transfer wheel
US20030036249A1 (en) * 2001-08-06 2003-02-20 Bauer Donald G. Chip alignment and placement apparatus for integrated circuit, MEMS, photonic or other devices
JP2003069294A (ja) 2001-08-24 2003-03-07 Oji Paper Co Ltd Icチップの実装装置
US6773543B2 (en) * 2002-05-07 2004-08-10 Delaware Capital Formation, Inc. Method and apparatus for the multiplexed acquisition of a bare die from a wafer
JP3941931B2 (ja) 2002-06-04 2007-07-11 株式会社藤商事 遊技機
JP2004102353A (ja) 2002-09-04 2004-04-02 Hitachi Ltd 紙の製造方法及び無線タグの製造方法
JP3739752B2 (ja) * 2003-02-07 2006-01-25 株式会社 ハリーズ ランダム周期変速可能な小片移載装置
US7242996B2 (en) * 2003-03-25 2007-07-10 Id Solutions, Inc. Attachment of RFID modules to antennas
CN100476869C (zh) 2004-01-15 2009-04-08 日立化成工业株式会社 电子装置的制造方法
CN101160596B (zh) * 2005-04-18 2010-05-26 日立化成工业株式会社 电子装置的制造方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04215910A (ja) * 1990-12-05 1992-08-06 Nitto Kogyo Co Ltd 固形物搬送装置のガイドプレート
JP2004177974A (ja) * 1997-10-01 2004-06-24 Hitachi Chem Co Ltd 光情報処理装置
JPH11145175A (ja) * 1997-11-11 1999-05-28 Matsushita Electric Ind Co Ltd バンプボンディング装置及び方法
JP2004127230A (ja) * 2002-08-08 2004-04-22 Renesas Technology Corp 半導体装置、半導体装置の製造方法、電子商取引方法及びトランスポンダ読み取り装置
JP2004115273A (ja) * 2002-09-30 2004-04-15 Far East Engineering Co Ltd チップ自動分離搬送装置

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