JPWO2006090827A1 - 電子装置及びその製造方法 - Google Patents

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Abstract

一主面から側面を介して他主面の凹部３をつなぐ通路６を有する基板１と、一主面に搭載された第一電子部品２と、他主面の凹部３に搭載された第二電子部品４とを備える電子装置。前記通路６を介して、前記第一電子部品２の少なくとも一部及び第二電子部品４の少なくとも一部を樹脂材５によって、一体的に被覆している。

Description

本発明は、電子部品を搭載してなる電子装置及びその製造方法に関するものである。
近年、基板上に複数の電子部品を搭載してなる小型の電子装置が急速に普及してきた。
特に、基板の一主面に第一電子部品が搭載され、他主面に形成されている凹部に第二電子部品が収容され、かつ、第一電子部品及び第二電子部品を絶縁性樹脂にて別個にモールドしてなるものが知られている。
特開平７−１１１２９９号公報
しかしながら、このような電子装置では、第一電子部品及び第二電子部品を別個の絶縁性樹脂にてモールドするため、基板や電子部品と絶縁性樹脂との接合強度が不十分となるおそれがある。
また、モールド工程を基板の表面側と裏面側で別々に行う必要があるため、工程数が増え生産性が低下してしまうという欠点があった。
本発明の目的は、信頼性が高く生産性に優れた電子装置及びその製造方法を提供するものである。
本発明の電子装置は、一主面及び他主面をつなぐ通路を有する基板と、前記一主面に搭載された第一電子部品と、前記他主面に搭載された第二電子部品と、前記第一電子部品の少なくとも一部及び前記第二電子部品の少なくとも一部を、一体的に被覆する樹脂材とを有して成るものである。
この構造によれば、基板を介して、第一電子部品及び第二電子部品の間の電気的な干渉を効果的に抑制するとともに、基板と樹脂材との接合強度を大きくすることが可能となる。
前記樹脂材は、前記通路内に充填されているものであってもよい。通路内の全部に充填されていてもよく、通路内の一部に充填されていてもよい。前記樹脂材を前記通路内に充填することにより、基板と樹脂材との接合強度をより大きくすることができる。
前記通路は、前記基板の側面又は角に形成されているものであれば、通路の形成位置を適宜決定することで、小型の基板に広い面積の電子部品を搭載することができ、電子装置の小型化が可能となる。
前記通路の形状は、例えば凹状の溝である。
また、前記通路は、前記基板の内部に形成されているものであってもよい。この場合、基板と樹脂材との接合強度をさらに大きくすることができる。
前記通路の具体的形状は、前記基板の上下面を貫通して形成されている孔であってもよい。
また、本発明の電子装置において、前記基板の他主面に、前記通路につながった状態で凹部を形成し、該凹部内に前記第二電子部品を搭載した構造を採用してもよい。この構造により、第二電子部品への外部ノイズなどの影響を抑制することが可能となるとともに、基板のコンパクト化を図ることができる。
前記基板は、基板表面及び／又は基板内部に配線パターンの形成された配線基板であってもよい。
本発明の電子装置の製造方法によれば、複数個の基板領域をマトリクス状に配し、該基板領域の一主面側と他主面側とを連通する通路を有して成るマスター基板を準備し、前記基板領域の一主面に第一電子部品を、他主面に第二電子部品を、搭載する。前記基板領域の一主面側で前記第一電子部品の少なくとも一部を被覆するように樹脂材を塗布し、該樹脂材の一部を前記通路を通じて前記他主面側に流入させることによって、該樹脂材で前記第二電子部品の少なくとも一部を被覆させ、前記基板領域の外周に沿って切断することで複数個の電子装置を得る。
これらの工程を行うことにより、単一の樹脂材の塗布工程によって、両主面への塗布を一括的に行うことができる。したがって、製造工程を簡略化できるとともに、製造された電子部品の基板と樹脂材との接合強度を大きくすることができる。
前記通路は、前記基板領域を一部除去して形成されているものであれば、通路の形成位置を適宜決定することで電子装置の小型化が可能となる。
前記基板領域の他主面には凹部が形成され、該凹部内に前記第二電子部品が搭載されているものであれば、第二電子部品への外部ノイズなどの影響を抑制することが可能となる。
本発明における上述の、又はさらに他の利点、特徴及び効果は、添付図面を参照して次に述べる実施形態の説明により明らかにされる。
本発明の一実施形態に係る電子装置を上斜め方向から見た外観斜視図である。 本発明の一実施形態に係る電子装置を下斜め方向から見た外観斜視図である。 図１の電子装置を、通路６を含まない断面で切った断面図である。 図１の電子装置を、通路６を含む断面で切った断面図である。 配線基板１の一主面から貫通孔を介して他主面の凹部３に連通するように通路６を形成した例を示す断面図である。 本発明の一実施形態に係る電子装置の製造方法で用いられるマスター基板を上斜め方向から見た外観斜視図である。 本発明の一実施形態に係る電子装置の製造方法で用いられるマスター基板を下斜め方向から見た外観斜視図である。 電子部品を搭載したマスター基板を上斜め方向から見た外観斜視図である。 電子部品を搭載したマスター基板を下斜め方向から見た外観斜視図である。 樹脂材を塗布したマスター基板を上斜め方向から見た外観斜視図である。 樹脂材を塗布したマスター基板を下斜め方向から見た外観斜視図である。 マスター基板を切断して形成された複数個の電子装置を上斜め方向から見た外観斜視図である。 マスター基板を切断して形成された複数個の電子装置を下斜め方向から見た外観斜視図である。
符号の説明
１・・・基板（配線基板）
２・・・第一電子部品
３・・・凹部
４・・・第二電子部品
５・・・樹脂材
６・・・通路
７・・・配線パターン７
８・・・基板領域
９・・・捨代領域
１０・・マスター基板
１１・・外部端子
図１、本発明の一実施形態に係る電子装置を斜め上方向から見た外観斜視図である。図２は、電子装置を下斜め方向から見た外観斜視図である。
図３は、図１の電子装置を、通路６を含まない断面で切った断面図である。図４は、図１の電子装置を、通路６を含む断面で切った断面図である。
電子装置は、配線基板１と、該配線基板１の一主面に実装された１又は複数の第一電子部品２と、配線基板１の他主面に形成された凹部３に収容されている第二電子部品４と、第一電子部品２及び第二電子部品４を被覆するように一体的に形成された樹脂材５とから構成されている。
配線基板１は、表面及び内部に配線パターン７が形成されるとともに、内部にビアホール導体７ｂが形成されている。
特に、配線基板１の一主面及び凹部３内には、第一電子部品２及び第二電子部品４を搭載するための搭載電極を兼ねる配線パターン７ａが設けられている。
配線基板１に形成された配線パターン７ａと、第一電子部品２及び第二電子部品４の端子とは、導電性接合材で接続される。
また、配線基板１の他主面における凹部３の周囲には、入出力端子やグランド用電極等の外部端子１１が設けられている。
ここで、第一電子部品２や第二電子部品４の例として、ＩＣ素子、コンデンサ及び抵抗等が挙げられる。
また、配線基板１には、その一主面及び他主面をつなぐ通路６が形成されており、樹脂材５は通路６を介してつながっている。通路６の形状は凹状の溝となっている。通路６の断面は、半円状である。
このような配線基板１を構成する複数の絶縁層には、例えばガラスセラミックスやアルミナセラミックス等のセラミック材料が用いられる。各絶縁層の厚みは例えば５０μm〜３００μmに設定される。絶縁層の積層数は任意であるが、例えば、５〜１５層に設定される。
また、配線パターン７、ビアホール導体７ｂの材料としては、例えば、銀を主成分とする導電材料が好適に用いられる。配線パターン７の厚みは、例えば５μm〜２０μmに設定される。
配線パターン７、ビアホール導体７ｂは、例えばＡｇ、Ａｇ−Ｐｄ、Ａｇ−Ｐｔ等のＡｇ系粉末、ホウ珪酸系低融点ガラスフリット、エチルセルロース等の有機バインダー及び有機溶剤を含有してなる導体ペーストを、従来周知のスクリーン印刷等によって配線基板１の各絶縁層（配線パターン７ａの場合は最上層）に対応するセラミックグリーンシート上に塗布し、焼成することによって形成される。
また、配線基板１の絶縁層には、セラミックグリーンシートの状態で従来周知のパンチング等の手法を用いて所定形状の孔が形成される。この後、各絶縁層を重ねて、その後焼成することによって前記凹部３及び通路６が、配線基板１に形成される。
図１、図２及び図４に示すように、通路６は、配線基板１の一主面から側面を介して他主面の凹部３に連通するようにして形成されている。これによって、第一電子部品２、第二電子部品４及び通路６を、樹脂材５によって一体的に被覆している。
樹脂材５によって、第一電子部品２及び第二電子部品４を一体的に被覆し、さらに通路６をも覆うように形成したことによって、接触面積が大きくなり、配線基板１と樹脂材５との接合強度を大きくすることが可能となる。
特に、通路６を複数設けることによって、配線基板１と樹脂材５との接合強度をより大きくすることができる。
さらに、図１、図２に示すように、通路６を配線基板の角部（四隅部）に設け、そこに樹脂材５を形成することで、外圧に対する電子装置の強度を向上させることも可能となる。
また、樹脂材５は、第一電子部品２と及び第二電子部品４と搭載電極との間にアンダーフィルとして入り込むことによって、第一電子部品２及び第二電子部品４の配線基板１への接合強度を向上させることができる。
また、この構造では、配線基板１の異なる主面に第一電子部品２及び第二電子部品４を別個に搭載しているため、両者間の電気的な干渉を抑制することができる。より好ましくは第一電子部品２と第二電子部品４との間に電磁遮蔽用のグランドパターンを設けておくことである。これにより、両者間の電気的な干渉をよりいっそう抑制することができる。
なお、図１、図２，図４では、通路６は、配線基板１の一主面から側面を介して他主面の凹部３に連通するように形成されていたが、本発明の構造はこれに限られるものではない。
図５に断面図を示すように、通路６を、配線基板１の一主面から貫通孔を介して他主面の凹部３に連通するように形成してもよい。このように、配線基板１の内部に通路６を形成したことにより、配線基板１と樹脂材５との接合強度向上の効果は、特に顕著となる。
次に上述した電子装置の製造方法について、図６から図１３を用いて以下に説明する。電子装置として、移動無線通信装置を例にあげる。
（工程Ａ）
まず、図６、図７に示す如く、マトリクス状に配列された複数個の基板領域８を有し、基板領域８の他主面に凹部３が形成され、側面に一主面側及び他主面側を連通する通路６が形成されたマスター基板１０を準備する。
マスター基板１０は、例えば、ガラス−セラミック等のセラミック材料からなる矩形状の平板状基板を積層して構成されている。
その一主面側には配線パターン７が形成されている。他主面側の中央部分には凹部３が形成され、該凹部３が形成されていない領域に入出力端子やグランド端子等の外部端子１１が被着・形成されている。
また、マスター基板１０の各基板領域８の側面を縦に連続的に切り欠いて、一主面側及び他主面側を連通する通路６が形成されており、該通路が凹部３へと連絡されている。
このようなマスター基板１０は、例えば、ガラス−セラミック等から成るセラミック材料粉末に適当な有機溶剤等を添加・混合して得たセラミックグリーンシートの表面等に配線パターン７ａや外部端子１１、配線パターン７等となる導体ペーストを所定パターンに印刷・塗布するとともに、これを複数枚積層してプレス成形した後、高温で焼成することによって製作される。
また、凹部３及び通路６は、セラミックグリーンシートの状態で従来周知のパンチング等の手法を用いて所定形状の孔を設け、その後焼成して形成される。
なお、焼成前に、マスター基板１０の両主面に設けられた配線パターンに接続されるように、通路６に導体ペーストを印刷・塗布しておいてもよい。この場合、通路６は、マスター基板１０の両主面に設けられた配線パターン同士を電気的に接続する役割を果たす。
また、本実施形態においては、図６に示すように、マトリクス状に配された基板領域の間に所定の捨代領域９が設けられており、当該領域にのみ、或いは当該領域から基板領域８にわたって通路６を形成してもよい。
なお、マスター基板１０の内部には、高周波用受動部品が形成されていても構わない。高周波用受動部品は、たとえば、インダクタ、コンデンサ、分布定数線路、共振器、フィルタおよび平衡−不平衡回路素子などを含む。
（工程Ｂ）
次に、図８、図９に示す如く、基板領域８の一主面に第一電子部品２を搭載する。
基板領域の他主面の凹部３には、第二電子部品４として高周波発振や受信を行うＲＦ（高周波用）ＩＣ素子が収容されると共に、凹部３の配線パターンに半田付けなどすることにより実装される。
また、基板領域の一主面には、第一電子部品２として、ＢＢ（ベースバンド用）ＩＣ素子、及び表面実装部品が実装される。ＢＢＩＣは、高周波モジュール全体の信号制御を行うためのものである。表面実装部品は、例えばインダクタ、コンデンサ、抵抗、トランジスタ及びダイオード等を含むものである。
（工程Ｃ）
次に、図１０、図１１に示す如く、基板領域８に樹脂材５を塗布するとともに、通路６を通して他主面に形成されている凹部３に充填する。
すなわち、基板領域８の一主面に樹脂材５を塗布し、第一電子部品２を被覆すると、樹脂材５は、通路６を通じて、基板領域８の他主面側に流入する。このことによって通路６及び凹部３に、樹脂材５の一部を充填させるとともに、第二電子部品４も同時に被覆することができる。
樹脂材５は、エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂に硬化剤、硬化促進剤、その他必要に応じて無機質充填剤などを添加・混合したものを、従来周知のスクリーン印刷法等により印刷し、しかる後、加熱硬化することにより形成される。
樹脂財５の印刷は真空印刷により行われる。この時、通路６及び凹部３を含めて減圧状態を保つための治具を配置する。上記治具として、マスター基板全体を収容できるものを用いることが好ましい。マスター基板全体を収容する治具を用いて真空印刷する場合、マスター基板１１が水平状態で嵌入することが可能な枠部材にマスター基板を装着して基台に載置し、所定の真空度になるまで減圧する。次いで、マスター基板１１の一主面側から樹脂材５の前駆体を印刷塗布して供給する。このとき、マスター基板全体が所定の真空度に保たれた治具に収容されていることから、一主面側から供給された樹脂材５の前駆体が、通路６を介して凹部３にも流れ込む。これを硬化させることにより、基板の一主面に搭載された第一電子部品と他主面に搭載された第二電子部品とが樹脂材５により一体的に被覆されることとなる。
一般的な電子部品封止用の樹脂材５、例えば、粘度が３０〜８０Ｐａ・ｓ程度の樹脂材５を用いる場合、通路６の幅は０．２〜０．５ｍｍ、印刷時の真空度は８０〜１３０Ｐａに設定することが好ましい。この範囲に設定することにより、ボイド等の発生を抑えて、通路６及び凹部３に良好な状態で樹脂材５を充填することができる。
なお、真空印刷を行うための治具としては、基板領域８の他主面側にのみ配置するようなものを用いても良い。
（工程D）
そして、図１２、図１３に示す如く、工程Ｃにおいて一体化したマスター基板１０と樹脂材５を各基板領域８の外周に沿って分割・切断する。
マスター基板１０及び樹脂材５の切断は、例えば、ダイサーやレーザ等を用いてマスター基板１０と樹脂材５とをマスター基板１０側から一括的に切断することによって行われ、これによって複数個の電子装置が同時に得られる。
なお、切断方向は、切断手段及びマスター基板１０、樹脂材５に用いられる材料などとの関係で適当に選択すれば良く、上述のようにマスター基板１０側から行わずに、樹脂材５側から行っても良い。
これにより、電子装置の組み立て工程が大幅に簡素化されるようになり、電子装置の生産性向上に供することが可能となる。
なお、本発明は上述の実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更、改良等が可能である。
例えば、上記電子装置において、配線基板１の他主面に凹部３を形成したのに代えて、例えば配線基板１の他主面の四隅部にセラミック材料などからなる柱状体を接合し、該柱状体で囲まれる領域内に第二電子部品４を搭載するようにしても良い。この場合、隣接する柱状体間が通路６の一部として機能することになる。
また上述の電子装置の製造方法における枠部材に代えて、マスク部材を用いても良い。マスター基板１０上でマスク部材の底面を形成対象となる樹脂材５の厚みに合わせて固定し、スキージによって樹脂材５を開口部の全面を移動して開口部内に流し込む。上記のマスク部材を用いることによって、遮蔽壁の高さを変更するだけで、塗布する樹脂材５の厚み（高さ）を容易に変更することが可能となる。
また、電子装置として、移動無線通信装置に用いられる高周波信号処理用の電子装置を例あげて説明したが、本発明は、これに限られるものではなく、チューナモジュール、クロックモジュールなど種々の用途の電子装置に適用可能である。

Claims (13)

  1. 一主面及び他主面をつなぐ通路を有する基板と、
    前記一主面に搭載された第一電子部品と、
    前記他主面に搭載された第二電子部品と、
    前記第一電子部品の少なくとも一部及び前記第二電子部品の少なくとも一部を、一体的に被覆してなる樹脂材と、を有する電子装置。
  2. 前記樹脂材は、前記通路内に充填されている請求項１に記載の電子装置。
  3. 前記通路は、前記基板の側面に形成されている請求項１に記載の電子装置。
  4. 前記通路は、凹状の溝である請求項３に記載の電子装置。
  5. 前記通路は、前記基板の角に形成されている請求項１に記載の電子装置。
  6. 前記通路は、凹状の溝である請求項５に記載の電子装置。
  7. 前記通路は、前記基板の内部に形成されている請求項１に記載の電子装置。
  8. 前記通路は、前記基板の上下面を貫通して形成されている請求項７に記載の電子装置。
  9. 前記基板の他主面には、前記通路につながった状態で凹部が形成され、該凹部内に前記第二電子部品が搭載されている請求項１に記載の電子装置。
  10. 前記基板は、基板表面及び／又は基板内部に配線パターンの形成された配線基板である請求項１に記載の電子装置。
  11. 複数個の基板領域をマトリクス状に配し、該基板領域の一主面側と他主面側とを連通する通路を有して成るマスター基板を準備する工程と、
    前記基板領域の一主面に第一電子部品を、他主面に第二電子部品を、搭載する工程と、
    前記基板領域の一主面側で前記第一電子部品の少なくとも一部を被覆するように樹脂材を塗布し、該樹脂材の一部を前記通路を通じて前記他主面側に流入させることによって、該樹脂材で前記第二電子部品の少なくとも一部を被覆させる工程と、
    前記基板領域の外周に沿って切断することで複数個の電子装置を得る工程と、を含む電子装置の製造方法。
  12. 前記通路は、前記基板領域を一部除去して形成されている請求項１１に記載の電子装置の製造方法。
  13. 前記基板領域の他主面には凹部が形成され、該凹部内に前記第二電子部品が搭載されている請求項１１に記載の電子装置の製造方法。
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