JPWO2003060776A1 - 半導体集積回路の遅延時間計算方法及び遅延時間計算システム - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、半導体集積回路の遅延時間計算方法及び遅延時間計算システムに関する。
近年の半導体集積回路(LSI)は、高速化、高周波化がますます進み、それに伴い信号のタイミングマージンが著しく縮小されている。このため、LSIの設計時には、信号伝搬遅延時間を考慮してタイミング検証を的確に行う必要がある。
背景技術
半導体集積回路(LSI)の設計では、LSI内部の信号伝搬遅延を考慮して論理シミュレーションやタイミング検証が行われる。一般に、このような信号伝搬遅延は、主としてプロセス特性、電源電圧、周囲温度の変化に伴うジャンクション温度、の3つの要素に依存することが知られている。
そこで、通常、論理シミュレーションは、上記のような各要素を考慮して遅延時間が最大になる条件(以下、MAX条件)、標準的になる条件(以下、TYP条件)、最小になる条件(以下、MIN条件)の3種類の条件下で行われる。
尚、MAX条件は、例えばトランジスタの動作スピードが最も遅く、電源電圧が最も低く、ジャンクション温度が最も高い条件である。TYP条件は、例えばトランジスタの動作スピード及び電源電圧が標準値で、ジャンクション温度が所定温度(例えば25℃)の条件である。MIN条件は、例えばトランジスタの動作スピードが最も速く、電源電圧が最も高く、ジャンクション温度が最も低い条件である。
図7は、各条件下における伝搬遅延時間を示す図である。
尚、図において、データパスは内部に取り込む入力信号(データ信号)の信号パスであり、クロックパスはそのデータ信号を内部に取り込むタイミングを知らせるためのタイミング信号(クロック信号)の信号パスである。
ここで、例えばTYP条件下におけるクロックパス及びデータパスの遅延時間を共に1.0として正規化した場合、MAX条件下ではクロックパス及びデータパスの遅延時間は共に1.5、MIN条件下ではクロックパス及びデータパスの遅延時間は共に0.5となる。即ち、MAX条件、TYP条件、MIN条件では、クロックパス及びデータパスの伝搬遅延時間がそれぞれ異なり、各条件に基づく遅延時間の変動は理想的には直線で示される。
ところで、このようなクロックパス及びデータパスの伝搬遅延時間の変動に影響を与える要因は、LSIチップ内においても存在する。
例えば、
(1)トランジスタ特性のばらつき、配線抵抗のばらつき、コンタクト抵抗のばらつき等に起因するプロセス特性ばらつき、
(2)チップ内の電源電圧降下に起因する電源電圧ばらつき、
(3)素子配置や動作周波数がチップ内で均等でないことによるチップ内温度ばらつき、
などである(以下では、上記(1)〜(3)のばらつきをチップ内ばらつきという)。
図8は、チップ内ばらつきを考慮した素子伝搬遅延時間を示す図である。
矢印(a)は、MAX条件下におけるデータパスの遅延時間が1.5である場合に、クロックパスの遅延時間が1.2〜1.5まで変動する可能性があることを示す。即ち、矢印(a)は、MAX条件下でクロックパスの遅延が最小になる条件を示している。ちなみに、LSI設計では、矢印(a)にて示す条件でタイミング検証を実施することで、MAX条件下におけるセットアップタイムのチェックを行うことができる。
矢印(b)は、MAX条件下におけるクロックパスの遅延時間が1.5である場合に、データパスの遅延時間が1.2〜1.5まで変動する可能性があることを示す。即ち、矢印(b)は、MAX条件下でデータパスの遅延が最小になる条件を示している。ちなみに、LSI設計では、矢印(b)にて示す条件でタイミング検証を実施することで、MAX条件下におけるホールドタイムのチェックを行うことができる。
矢印(c)は、MIN条件下におけるクロックパスの遅延時間が0.5である場合に、データパスの遅延時間が0.5〜0.7まで変動する可能性があることを示す。即ち、矢印(c)は、MIN条件下でデータパスの遅延が最大になる条件を示している。ちなみに、LSI設計では、矢印(c)にて示す条件でタイミング検証を実施することで、MIN条件下におけるセットアップタイムのチェックを行うことができる。
矢印(d)は、MIN条件下におけるデータパスの遅延時間が0.5である場合に、クロックパスの遅延時間が0.5〜0.7まで変動する可能性があることを示す。即ち、矢印(d)は、MIN条件下でクロックパスの遅延が最大になる条件を示している。ちなみに、LSI設計では、矢印(d)にて示す条件でタイミング検証を実施することで、MIN条件下におけるホールドタイムのチェックを行うことができる。
従って、上記のようにチップ内ばらつきを考慮した場合、素子伝搬遅延時間は、MAX条件−(a)−(c)−MIN条件−(d)−(b)で囲まれた範囲内で変動する可能性があることを示している。
尚、図9は、チップ内ばらつきを考慮した配線伝搬遅延時間を示す図であり、配線伝搬遅延時間は、上述した素子伝搬遅延時間(図8参照)と同様にしてMAX条件−(a)−(c)−MIN条件−(d)−(b)で囲まれた範囲内で変動する可能性があることを示している。
次に、例として、フリップフロップにおけるMIN条件下でのホールドタイムチェックを行う場合について具体的に説明する。
図10は、タイミング検証を行うための具体的な一回路図である。回路30は、バッファ(以下、BUF)31,32a〜32jと、Dフリップフロップ(以下、DFF)33a,33bとを備える。
BUF31には入力端子CKからクロック信号が入力され、該BUF31の出力信号はBUF32a及びBUF32fに入力される。BUF32a〜32eは直列接続され、BUF32eの出力信号はDFF33bのクロック入力端子Cに入力される。また、BUF32f〜32jは直列接続され、BUF32jの出力信号はDFF33aのクロック入力端子Cに入力される。DFF33aの出力端子Qから出力される信号はDFF33bのデータ入力端子Dに入力される。
尚、回路30において、入力端子CKからDFF33bのクロック入力端子Cまでの信号パスがクロックパス、入力端子CKからDFF33bのデータ入力端子Dまでの信号パスがデータパスである。
このように構成された回路30では、DFF33bは、データパスを介してデータ入力端子Dに入力される信号(データ信号)を、クロックパスを介してクロック入力端子Cに入力されるクロック信号に基づいて内部回路へ出力する。
今、回路30を用いてDFF33bにおけるMIN条件下でのホールドタイムチェックを行う場合は、上記したように図8に矢印(d)で示す条件及び図9に矢印(d)で示す条件にて、データパスとクロックパスにおける伝搬遅延時間を計算する。
以下では、例えば、MIN条件下での各BUF31,32a〜32jにおけるA→Z(入力→出力)間の遅延時間を1.0ns、全ての配線における遅延時間を0.5ns、DFF33aにおけるC→Q(クロック入力端子→出力端子)間の遅延時間を2.0nsとする。又、DFF33bにスペック値として規定されるホールドタイムを0.5nsとする。尚、上記遅延時間は、配線長や配線種類、各素子の負荷及び素子に入力される信号の波形なまり等が考慮されて算出される。
図11は、データパスにおける遅延時間計算例を説明する図である。
データパスは、入力端子CK→BUF31→BUF32f→BUF32g→BUF32h→BUF32i→BUF32j→DFF33a→DFF33bの経路である。従って、データパスにおける伝搬遅延時間(MIN条件)は、素子伝搬遅延時間及び配線伝搬遅延時間の合計値(=12.0ns)になる。
図12は、チップ内ばらつきを考慮しない場合のクロックパスにおける遅延時間計算例を説明する図である。
クロックパスは、入力端子CK→BUF31→BUF32a→BUF32b→BUF32c→BUF32d→BUF32e→DFF33bの経路である。従って、チップ内ばらつきを考慮しない場合のクロックパスにおける伝搬遅延時間(MIN条件)は、素子伝搬遅延時間及び配線伝搬遅延時間の合計値(=9.5ns)になる。
図13は、チップ内ばらつきを考慮した場合(図8及び図9にて矢印(d)で示す条件)のクロックパスにおける遅延時間計算例を説明する図である。
従来、チップ内ばらつきを考慮した場合の遅延時間は、各条件下でのばらつき係数を算出し、該チップ内ばらつきを考慮する必要のある素子伝搬遅延時間及び配線伝搬遅延時間にばらつき係数を乗算することで求められる。
ここで、上記ばらつき係数は、
で定義される。
即ち、MIN条件下における素子伝搬遅延時間のばらつき係数は、図8より、{0.7/0.5=1.4}となる。
また、MIN条件下における配線伝搬遅延時間のばらつき係数は、図9より、{0.7/0.5=1.4}となる。
従って、チップ内ばらつきを考慮した場合のクロックパスにおける伝搬遅延時間(MIN条件)は、素子伝搬遅延時間及び配線伝搬遅延時間の合計値(=12.7ns)になる。
図14は、上記各遅延時間計算の結果を示すタイミングチャートである。
同図に示すように、チップ内ばらつきを考慮しない場合には、DFF33bにおけるホールドタイムは12.0(ns)−9.5(ns)=2.5(ns)となり、該DFF33bに規定されるスペック値0.5nsに対して2.0nsのマージンを有していることがチェックされる。
一方、チップ内ばらつきを考慮した場合、DFF33bにおけるホールドタイムは12.0(ns)−12.7(ns)=−0.7(ns)となり、該DFF33bに規定されるスペック値0.5nsに対して1.2ns不足していることがチェックされる。
即ち、チップ内ばらつきを考慮したタイミング検証では、ばらつきを考慮しない場合よりも適不適が厳しくチェックされる。従来では、このように各条件下におけるセットアップタイムチェックやホールドタイムチェックがチップ内ばらつき(ばらつき係数)を考慮して算出された遅延時間に基づいて行われる。これにより、その検証結果を基にして配線レイアウトや論理回路を変更することで、LSI製造時に安定した歩留まりを得るようにしている。
ところで、上記のようにして求めた計算結果から、チップ内ばらつきを考慮した場合とばらつきを考慮しない場合のクロックパスにおける伝搬遅延時間の差は、12.7(ns)−9.5(ns)=3.2(ns)となる。遅延時間の差は、BUF32a〜32e(つまりバッファ5段分)のチップ内ばらつきに起因する伝搬遅延時間(素子伝搬遅延時間+配線伝搬遅延時間)分に相当する。
図15は、MIN条件下におけるバッファ1段分の伝搬遅延時間の確率分布(累積相対度数で表す)を示す図である。
同図に示すように、チップ内ばらつきに起因するバッファ1段分の伝搬遅延時間は略0.6nsとなる確率が最も高い。伝搬遅延時間は、略0.5ns〜略0.7nsの範囲内で変動し、略0.6nsを中間値としてそれより遅延時間が長くなる場合又は短くなる場合の発生確率が徐々に低くなる。
図16は、MIN条件下におけるバッファ1段分の伝搬遅延時間の確率密度分布を示す図である。尚、確率密度分布は正規分布で表される。このとき、確率密度関数f(x)は以下のように表される。
ただし、式6において、
μ=0.6(ns)
σ=0.0333(ns)
である。
ここで、例えば配線伝搬遅延時間のばらつき係数(=1.4)より、バッファ1段分の配線伝搬遅延時間が0.5(ns)×1.4=0.7(ns)以上になる確率を求めると、以下のようになる。
これにより、バッファ1段分の配線伝搬遅延時間が0.7ns以上となる発生確率(略0.27%;式7参照)は、図16に示す確率密度分布においてほぼμ+3σに相当する遅延時間(略0.7ns)の発生確率(計算略)と実質的にほぼ等しくなる。これは、バッファ1段分の遅延時間が、ほぼ区間[μ−3σ,μ+3σ](所謂3σ(シグマ)範囲)における適切な発生確率で計算されていることを意味する。即ち、バッファ1段分では、チップ内ばらつきを考慮したタイミング検証が効率良く実施されている。
ここで、上記BUF32a〜32eの伝搬遅延時間がそれぞれ独立した確率分布で示される場合、それらの確率密度分布は、上記同様にして正規分布(図16参照)で表される。つまり、各BUF32a〜32eにおける伝搬遅延時間の確率密度関数は式6のように表される。
従って、BUF32a〜32eの配線伝搬遅延時間が全て0.7以上となる確率P2は、式7の計算結果に基づいて
P2=(0.0027)5≒1.43E−11(%)
となる。
これは、BUF32a〜32e(バッファ5段)の遅延時間が全て0.7ns以上となる確率は極めて低いことを意味する。言い換えれば、チップ内ばらつきに起因する遅延が5段のバッファについて全て最大となる可能性は極めて低いことを示している。
従って、例えばクロックパスのバッファが仮に10段である場合には、それら10段のバッファの配線伝搬遅延時間が全て0.7以上となる確率P3は、
P3=(0.0027)10≒2.06E−24(%)
となり、さらに低くなる。
このように、従来では、チップ内ばらつきを考慮してタイミング検証を行う場合には、算出する遅延時間の発生確率が極めて低い場合についても全てチェックが行われ、そのタイミング検証結果に基づきレイアウト及び回路修正を行っていた。そのため、過剰なタイミングマージンを持った設計となり、コストアップやレイアウト期間の長期化などが発生していた。特に、近年のLSIの微細化は著しく、微細化に伴い1チップ内に搭載されるフリップフロップ等の数やクロックネット数、さらにはクロックツリー内のバッファ等の段数も増加してきている。従って、実際には起こり得ないような遅延時間の場合についてもチェックが行われると、設計段階でタイミングクローズさせることができない(セットアップタイム、ホールドタイムを保証できない)場合も生じていた。
本発明の目的は、タイミング検証を効率良く実施し得る半導体集積回路の遅延時間計算方法及び遅延時間計算システムを提供することにある。
発明の開示
本発明の第1の態様において、半導体集積回路の遅延時間計算方法が提供される。チップ内ばらつきを考慮した信号パスの遅延時間を計算する半導体集積回路の遅延時間計算方法において、前記チップ内ばらつきに起因する信号パスの遅延時間を、該信号パスのセル段数又はゲート段数に応じて補正するようにした。
本発明の第2の態様において、半導体集積回路の遅延時間計算方法が提供される。チップ内ばらつきを考慮した信号パスの遅延時間を計算する半導体集積回路の遅延時間計算方法において、前記チップ内ばらつきに起因する信号パスの配線伝搬遅延時間を、該信号パスの配線長に応じて補正するようにした。
本発明の第3の態様において、半導体集積回路の遅延時間計算システムが提供される。チップ内ばらつきを考慮した信号パスの遅延時間計算処理を実行する半導体集積回路の遅延時間計算システムにおいて、前記チップ内ばらつきに起因する信号パスの遅延時間を、該信号パスのセル段数又はゲート段数に応じて補正する手段を備えた。
本発明の第4の態様において、半導体集積回路の遅延時間計算システムが提供される。チップ内ばらつきを考慮した信号パスの遅延時間計算処理を実行する半導体集積回路の遅延時間計算システムにおいて、前記チップ内ばらつきに起因する信号パスの配線伝搬遅延時間を、該信号パスの配線長に応じて補正する手段を備えた。
発明を実施するための最良の形態
以下、本発明を、半導体集積回路の遅延時間計算方法及び遅延時間計算システムに具体化した第一実施形態を図1〜図4に従って説明する。尚、本実施形態は、例として半導体集積回路(LSI)におけるセットアップタイム及びホールドタイムのタイミング検証を行う場合について説明し、そのタイミング検証のための具体的な回路として図10に示す回路30を用いる。
タイミング検証は、例えばスタティックタイミング解析ツール等を使用して行われ、検証を行う信号パスの伝搬遅延時間が最大になる条件(MAX条件)、標準的になる条件(TYP条件)、最小になる条件(MIN条件)のいずれかの条件下で行われる。ちなみに、MAX条件、TYP条件、MIN条件の各条件は、プロセス特性、電源電圧、周囲温度の変化に伴うジャンクション温度等に応じて決定される(図7参照)。
上記各条件下における信号パスの伝搬遅延時間は、LSIのチップ内ばらつきによっても変動する(図8及び図9参照)。例えば、チップ内ばらつきには、配線抵抗やコンタクト抵抗のばらつき、トランジスタ特性のばらつき等に起因するプロセス特性ばらつき、チップ内の電源電圧降下に起因する電源電圧ばらつき、素子配置や動作周波数がチップ内で均等でないことによるチップ内温度ばらつき、などがある。
このとき、チップ内ばらつきに起因する信号パスの伝搬遅延時間は、所定の遅延時間の範囲内でほぼ変動するような確率分布で示され(図15参照)、その確率密度分布は正規分布で表される(図16参照)。
従って、本実施形態では、上述したMAX条件、TYP条件、MIN条件のいずれかの条件下におけるチップ内ばらつき及び当該ばらつきに起因する伝搬遅延時間の確率分布を考慮して、信号パスの伝搬遅延時間を計算する。
ここで、信号パスの伝搬遅延時間Tsは、以下の式に基づいて算出される。
ただし、
Ts:チップ内ばらつき及び確率分布を考慮した伝搬遅延時間
T :各条件下における伝搬遅延時間
α :ばらつき係数
β :ばらつき係数の補正値
である。
ばらつき係数αは、信号パスにおける素子伝搬遅延時間及び配線伝搬遅延時間のばらつき度を示す値であって、MAX条件、TYP条件、MIN条件の各条件にそれぞれ対応して算出される。尚、ばらつき係数αは、前述した関係式(式5参照)に従って算出される。
補正値βは、信号パスのゲート段数又はセル段数に応じて、チップ内ばらつきに起因する伝搬遅延時間を実際のチップ内ばらつきの影響による伝搬遅延時間として近似し得る関数(ばらつき係数αの補正関数)に基づいて算出される。つまり、補正値βによりばらつき係数αを補正することで、伝搬遅延時間Tsが適切な発生確率(正規分布で示される伝搬遅延時間の確率密度分布において、所謂3σ(シグマ)範囲内の値)となるように算出される。言い換えれば、発生確率の極めて低い伝搬遅延時間は算出されない。
ここで、ばらつき係数αの補正関数として、補正値βの近似関数は、例えば以下のように表される。
ただし、式2において、
a:補正関数の底
n:信号パスのセル段数(又はゲート段数)
である。
補正関数の底aは、信号パスのセル段数nに応じて設定される値である。尚、本実施形態において、補正関数の底aは、補正値βで補正したばらつき係数αに基づき算出される伝搬遅延時間Tsの発生確率が確率密度分布においてほぼμ+3σ(シグマ)に相当する遅延時間の発生確率になるように設定される。
図3は、例えばa=0.8827とした場合の補正関数(式2)を示す図である。
同図に示すように、ばらつき係数αの補正値βは、信号パスのセル段数nが増加するに従って小さくなる。詳しくは、セル段数nの値が「1」(1段)のときに補正値βの値は「1」となり、このときばらつき係数αは補正されない。セル段数n>1のときに補正値β<1となり、このとき補正値βによってばらつき係数αが小さくなるように補正される。
図1は、タイミング検証(ホールドタイムチェック/セットアップタイムチェック)を行う場合の遅延時間計算処理を説明するフローチャートである。
先ず、セルの端子情報やタイミング情報を格納したセル情報D11及び回路情報を格納した論理情報D12に基づいて、チェック対象となる回路及び遅延時間計算を行う信号パス(データパス/クロックパス)が決定される(ステップS11)。このとき、当該遅延時間計算を行うデータパス/クロックパスのセル段数情報が論理情報D12から抽出され、データパス情報/クロックパス情報(以下、パス情報)D13が生成される。
次に、そのパス情報D13及び上記補正値近似関数(式2)に従い、チップ内ばらつきを考慮する信号パスにおいて、そのばらつき係数αの補正値β(D14)が算出される。(ステップS12)。
ステップS12にて算出されたばらつき係数αの補正値β(D14)、ばらつき係数α(D15)、及び遅延情報D16に基づいて、データパス及びクロックパスの遅延時間が計算される(ステップS13)。
尚、ばらつき係数α(D15)は、SPICEシミュレーションや特性評価用素子(Test Element Group:TEG)を用いた実測により、上述したチップ内ばらつきの要因となるプロセス特性、電源電圧、温度等に応じて決定される。また、遅延情報D16には、レイアウト情報から抽出した当該信号パスにおける抵抗値や容量値、さらにはプロセス特性、電源電圧、温度等に基づいて算出されたセル遅延時間及び配線遅延時間が格納される。
ステップS13にて算出されたデータパス及びクロックパスの遅延時間に基づいて、タイミング検証(ホールドタイムチェック/セットアップタイムチェック)が行われる(ステップS14)。尚、タイミング検証を行うにあたっては、チェック対象となる回路のホールドタイムあるいはセットアップタイムのスペック値が上記セル情報D11から抽出され、スペック値に基づいてタイミング検証が行われる。
図2は、上述した遅延時間算出処理を実行する遅延時間算出装置21(以下、算出装置)の概略構成図である。算出装置21は、処理装置22に、入力装置23、表示装置24、記憶装置25,26が接続されて構成されている。
入力装置23は、キーボードおよびマウス装置(図示せず)を含み、プログラムの起動、ユーザからの要求や指示,パラメータの入力等に用いられる。表示装置24は、CRT,LCD,PDP等のモニタ及びプリンタ(図示略)等の出力装置を含み、遅延計算の処理結果の表示、パラメータ入力画面等の表示に用いられる。
記憶装置25,26は、通常、磁気ディスク装置、光ディスク装置、光磁気ディスク装置を含み、これらは各記憶装置25,26に格納されるデータの種類、状態等に応じて適宜用いられる。尚、図2は記憶装置25,26を機能的に分割して示しており、分割しない状態、又はさらに複数の記憶装置にデータを分割して格納する構成としてもよい。
第1記憶装置25には、遅延時間算出処理を実行するためのプログラムデータ25aが格納されている。プログラムデータ25aは、記録媒体27により提供される。処理装置22は、入力装置23による指示に応答して図示しないドライブ装置を駆動し、記録媒体27に記録されたプログラムデータ25aを第1記憶装置25にロードし、それを逐次実行する。これにより、処理装置22は、上述のような遅延時間算出処理を実現する。尚、処理装置22が記録媒体27に記録されたプログラムデータ25aを直接実行する構成としてもよい。
記録媒体27としては、メモリカード,フレキシブルディスク,光ディスク(CD−ROM,DVD−ROM,…),光磁気ディスク(MO,MD,…)等(図示略)、任意のコンピュータ読み取り可能な記録媒体を使用することができる。尚、記録媒体27には、通信媒体を介してアップロード又はダウンロードされたプログラムデータ25aを記録した媒体,ディスク装置や、処理装置22によって直接実行可能なプログラムデータ25aを記録した記録媒体も含む。
第2記憶装置26は、遅延時間算出処理を実行するための各種データを格納するデータベースとして使用され、上述したセル情報D11や論理情報D12、及び実行される処理に於いて抽出あるいは算出されるパス情報D13、ばらつき係数α(D15)、補正値β(D14)、遅延情報D16が格納される。
以下、図10に示す回路30を用いて、例えばMIN条件下におけるDFF33bのホールドタイムチェックを行う場合について説明する。尚、MIN条件下での各BUF31,32a〜32jにおけるA→Z(入力→出力)間の遅延時間を1.0ns、全ての配線における遅延時間を0.5ns、DFF33aにおけるC→Q(クロック入力端子→出力端子)間の遅延時間を2.0nsとする。また、DFF33bにスペック値として規定されるホールドタイムを0.5nsとする。
今、MIN条件下でのホールドタイムチェックを行う場合、データパスとクロックパスの伝搬遅延時間は、図8に矢印(d)で示す条件及び図9に矢印(d)で示す条件で計算される。
即ち、データパスの伝搬遅延時間は、MIN条件下でチップ内ばらつきの影響を受けない場合について計算され、素子伝搬遅延時間及び配線伝搬遅延時間の合計値(=12.0ns)になる(図11参照)。
一方、クロックパスの伝搬遅延時間は、MIN条件下でチップ内ばらつきの影響を受ける場合について計算される。従って、素子伝搬遅延時間及び配線伝搬遅延時間の各ばらつき係数αは、図8及び図9,式5より、1.4となる。
ここで、上記式2に示すばらつき係数αの補正関数において、その補正関数の底aの値は、クロックパスのBUF32a〜32e(バッファ5段(n=5))に応じて例えば0.8827に設定され、これにより補正値βの値は、0.6071(≒0.8827(5−1))となる。
従って、ばらつき係数αの補正値βを用いたクロックパスの伝搬遅延時間Ts(式1)は、
となる。
図4は、上記式1aに基づくクロックパスの伝搬遅延時間計算例を説明する図である。尚、データパスとクロックパスが共有する経路における遅延時間、即ち入力端子CK−BUF31間の配線伝搬遅延時間の計算及びBUF31の素子伝搬遅延時間の計算はチップ内ばらつきの影響が考慮されない。従って、クロックパスの伝搬遅延時間は、素子伝搬遅延時間及び配線伝搬遅延時間の合計値(=11.4424ns)になる。
これにより、MIN条件下におけるDFF33bのホールドタイムは、12.0(ns)−11.4424(ns)=0.5576(ns)となり、該DFF33bに規定されるスペック値0.5nsに対して0.0576nsのマージンを有していることがチェックされる。
ここで、確率密度関数(式6)に基づいて、MIN条件下でのチップ内ばらつきに起因するバッファ1段分の配線伝搬遅延時間が0.5(ns)×1.2428=0.6214(ns)以上になる確率を求めると、約30.5%となる。
従って、クロックパスにおけるバッファ5段(BUF32a〜32e)が全て0.6214ns以上になる確率P1は、
P1=(0.305)5≒0.00264=0.264(%)
となる。
即ち、バッファ5段分の配線伝搬遅延時間が全て0.6214ns以上となる発生確率は、確率密度分布(図16参照)において、ほぼμ+3σに相当する遅延時間(略0.7ns)の発生確率(計算略)と実質的にほぼ等しくなる。これは、バッファ5段分の遅延時間が、ほぼ区間[μ−3σ,μ+3σ](3σ範囲)における適切な発生確率で計算されていることを意味する。
次に、本発明における第一実施形態の半導体集積回路の遅延時間計算方法及び遅延時間計算システムの特徴を以下に記載する。
(1)チップ内ばらつきを考慮した信号パスの伝搬遅延時間Tsは、補正値βにて補正したばらつき係数αに基づいて計算される。補正値βは、信号パスのセル段数nに応じて、チップ内ばらつきに起因する伝搬遅延時間を実際のチップ内ばらつきの影響による伝搬遅延時間として近似し得る関数により算出される。これにより、伝搬遅延時間Tsは、正規分布で示される確率密度分布において3σ(シグマ)範囲内の適切な発生確率となるように計算される。即ち、発生確率の極めて低い伝搬遅延時間は算出されない。従って、タイミング検証を効率良く実施することが可能になり、これにより適切な製造コスト(ゲート数及び開発工数)にてLSI設計を行うことができる。
(2)また、本実施形態では、算出される伝搬遅延時間Tsの発生確率がほぼμ+3σ(シグマ)に相当する伝搬遅延時間の発生確率となるように補正値βが設定される。このように補正値βが設定されることで、最適な製造マージンを持つLSI設計を可能とするべく高品質(信頼性の高い)なタイミング検証が可能となる。
次に、本発明を、半導体集積回路の遅延時間計算方法及び遅延時間計算システムに具体化した第二実施形態を図5に従って説明する。
尚、本実施形態は、第一実施形態で説明したばらつき係数αの補正関数(式2参照)として、補正値βのその他の近似関数の例を説明するものである。
本実施形態の補正値βの近似関数は、以下のように表される。
ただし、式3において、
e:自然定数
k:k>0
n:信号パスのセル段数
である。尚、係数kの値は、第一実施形態と同様にして信号パスのセル段数nに応じて設定される。
図5は、例えばk=0.02とした場合の補正関数(式3)を示す図であり、ばらつき係数αの補正値βは、同様にして信号パスのセル段数nが増加するに従って小さくなる。従って、本実施形態では、上記第一実施形態と同様な効果を奏する。
次に、本発明を、半導体集積回路の遅延時間計算方法及び遅延時間計算システムに具体化した第三実施形態を図6に従って説明する。
尚、本実施形態は、第一実施形態で説明したばらつき係数αの補正関数(式2参照)として、補正値βのその他の近似関数の例を説明するものである。
本実施形態の補正値βの近似関数は、以下のように表される。
ただし、式4において、
e:自然定数
k:k>0
l:信号パスの配線長
である。尚、配線長lは、信号パスにおける全配線を合計した長さであり、係数kの値は、配線長lに応じて設定される。
即ち、本実施形態では、タイミング検証を行う信号パスの配線伝搬遅延時間を算出する場合に、そのばらつき係数αの補正値βが式4に示す補正関数に基づいて算出される。具体的には、素子伝搬遅延時間を算出する場合は、その補正値βがセル段数nに応じて近似される補正関数(式2又は式3)によって算出される。配線伝搬遅延時間を算出する場合は、その補正値βが配線長lに応じて近似される補正関数(式4)によって算出される。
図6は、例えばk=0.000002とした場合の補正関数(式4)を示す図であり、ばらつき係数αの補正値βは、信号パスの配線長lが大きくなるに従って小さくなる。
次に、本発明における第三実施形態の半導体集積回路の遅延時間計算方法及び遅延時間計算システムの特徴を以下に記載する。
(1)本実施形態では、信号パスの配線伝搬遅延時間が該信号パスの配線長lに応じて算出される補正値βに基づいて補正される。これにより、素子伝搬遅延時間と配線伝搬遅延時間とがそれぞれ別々の補正値βにて補正されるため、タイミング検証の品質をさらに向上させることができる。
尚、上記各実施形態は、以下の態様で実施してもよい。
・ばらつき係数αの補正関数として与えられる補正値βの近似関数は、上記各実施形態に限らず、その他の近似関数としてもよい。
・式2に示す補正関数の底aの値は、第一実施形態で説明した値(0.8827)に限らず、信号パスの遅延時間を実際のチップ内ばらつきの影響による遅延時間として近似することができればその他の値でもよい。
・同様にして、式3及び式4に示す係数kの値は、それぞれ第二及び第三実施形態で説明した値に限らず、その他の値でもよい。
【図面の簡単な説明】
図1は、第一実施形態の遅延時間計算処理を示すフローチャートである。
図2は、遅延時間算出装置の概略構成図である。
図3は、第一実施形態の補正関数を示す図である。
図4は、クロックパスにおける遅延時間計算例を説明する図である。
図5は、第二実施形態の補正関数を示す図である。
図6は、第三実施形態の補正関数を示す図である。
図7は、各条件下における伝搬遅延時間を示す図である。
図8は、チップ内ばらつきを考慮した素子伝搬遅延時間を示す図である。
図9は、チップ内ばらつきを考慮した配線伝搬遅延時間を示す図である。
図10は、遅延時間計算を行うための具体的な回路図である。
図11は、データパスにおける遅延時間計算例を説明する図である。
図12は、クロックパスにおける遅延時間計算例を説明する図である。
図13は、従来のばらつき係数を考慮したクロックパスにおける遅延時間計算例を説明する図である。
図14は、各遅延時間計算の結果を示すタイミングチャートである。
図15は、MIN条件下での伝搬遅延時間の確率分布を示す図である。
図16は、MIN条件下での伝搬遅延時間の確率密度を示す図である。
Claims (11)
- チップ内ばらつきを考慮した信号パスの遅延時間を計算する半導体集積回路の遅延時間計算方法において、
前記チップ内ばらつきに起因する信号パスの遅延時間を、該信号パスのセル段数又はゲート段数に応じて補正することを特徴とする半導体集積回路の遅延時間計算方法。 - 前記補正を、前記信号パスの素子伝搬遅延時間に対して行うことを特徴とする請求項1記載の半導体集積回路の遅延時間計算方法。
- 前記補正を、前記信号パスの配線伝搬遅延時間に対して行うことを特徴とする請求項1又は2記載の半導体集積回路の遅延時間計算方法。
- チップ内ばらつきを考慮した信号パスの遅延時間を計算する半導体集積回路の遅延時間計算方法において、
前記チップ内ばらつきに起因する信号パスの配線伝搬遅延時間を、該信号パスの配線長に応じて補正することを特徴とする半導体集積回路の遅延時間計算方法。 - 前記信号パスの素子伝搬遅延時間を、該信号パスのセル段数又はゲート段数に応じて補正することを特徴とする請求項4記載の半導体集積回路の遅延時間計算方法。
- チップ内ばらつきに起因して変動する遅延時間のばらつき係数を算出し、該ばらつき係数の補正値を前記信号パスのセル段数又はゲート段数に応じて近似される補正関数に基づいて算出するようにしたことを特徴とする請求項1〜3及び5のいずれか一項記載の半導体集積回路の遅延時間計算方法。
- チップ内ばらつきに起因して変動する遅延時間のばらつき係数を算出し、該ばらつき係数の補正値を前記信号パスの配線長に応じて近似される補正関数に基づいて算出するようにしたことを特徴とする請求項4記載の半導体集積回路の遅延時間計算方法。
- チップ内ばらつきに起因する遅延時間の確率密度分布は正規分布で表され、
前記確率密度分布において、ほぼ3σ範囲内に対応する遅延時間の発生確率とするように前記遅延時間を補正することを特徴とする請求項1乃至7のいずれか一項記載の半導体集積回路の遅延時間計算方法。 - 前記確率密度分布において、ほぼ(μ+3σ)に相当する遅延時間の発生確率とするように前記遅延時間を補正することを特徴とする請求項8記載の半導体集積回路の遅延時間計算方法。
- チップ内ばらつきを考慮した信号パスの遅延時間計算処理を実行する半導体集積回路の遅延時間計算システムにおいて、
前記チップ内ばらつきに起因する信号パスの遅延時間を、該信号パスのセル段数又はゲート段数に応じて補正する手段を備えたことを特徴とする半導体集積回路の遅延時間計算システム。 - チップ内ばらつきを考慮した信号パスの遅延時間計算処理を実行する半導体集積回路の遅延時間計算システムにおいて、
前記チップ内ばらつきに起因する信号パスの配線伝搬遅延時間を、該信号パスの配線長に応じて補正する手段を備えたことを特徴とする半導体集積回路の遅延時間計算システム。
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