JPS6394632A - 表面弾性波素子の製造方法 - Google Patents
表面弾性波素子の製造方法Info
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- JPS6394632A JPS6394632A JP24056286A JP24056286A JPS6394632A JP S6394632 A JPS6394632 A JP S6394632A JP 24056286 A JP24056286 A JP 24056286A JP 24056286 A JP24056286 A JP 24056286A JP S6394632 A JPS6394632 A JP S6394632A
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- resist layer
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- surface acoustic
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Landscapes
- Weting (AREA)
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は表面弾性波素子の製造方法に係り、特にポジレ
ジストにより製造する形式のものに関する。
ジストにより製造する形式のものに関する。
一般に、表面弾性波素子の製造法としては所謂ウェット
エツチング法とドライエツチング法とが知られている。
エツチング法とドライエツチング法とが知られている。
まず、ウェットエツチング法は第５図（Ａ）に示すよう
に、ウェハ１０上に形成されたアルミニウム層１１をレ
ジスト層１２で覆い、９０ ℃、３０分のプリベーク工
程を経た後、第５図（Ｂ）に示すように、露光及び現像
を施してパターンを形成する。
に、ウェハ１０上に形成されたアルミニウム層１１をレ
ジスト層１２で覆い、９０ ℃、３０分のプリベーク工
程を経た後、第５図（Ｂ）に示すように、露光及び現像
を施してパターンを形成する。
さらに、パターニングされたレジスト層１２の密着性を
強化するために、１４０’ｃ、２０分のボストベークを
施し、その後、第５図（Ｃ）に示すように、酸性系エツ
チング液でアルミニウム層１１をエツチングする。つづ
いて、第５図（Ｄ）に示すように、アルミニウム層１１
上のレジスト層１２を剥離する。
強化するために、１４０’ｃ、２０分のボストベークを
施し、その後、第５図（Ｃ）に示すように、酸性系エツ
チング液でアルミニウム層１１をエツチングする。つづ
いて、第５図（Ｄ）に示すように、アルミニウム層１１
上のレジスト層１２を剥離する。
一方、ドライエツチング法は、前記した工程中ボストベ
ーク工程の後、ドライエツチングで所定部分のアルミニ
ウム層１１を剥離する。
ーク工程の後、ドライエツチングで所定部分のアルミニ
ウム層１１を剥離する。
ところが、前記した従来のらのにおいては、夫々の方法
特有の問題かある。
特有の問題かある。
即ち、ウェットエツチング法では酸性のエツチング液を
用いるものであるためエツチング液の取り扱いに注意を
要し、作業効率が低下するという問題がある。
用いるものであるためエツチング液の取り扱いに注意を
要し、作業効率が低下するという問題がある。
一方、ドライエツチング法は、ウェハ上の位置によって
エツチング速度が異なってしまうことがあり、この場合
、アルミニウム層１１が早めにエツチングされるところ
では第５図（Ｅ）に示すように、アルミニウム層１１の
側面１３が過剰に蝕刻され表面弾性波素子としての特性
（中心周波数）にバラツキが生ずる原因となっている。
エツチング速度が異なってしまうことがあり、この場合
、アルミニウム層１１が早めにエツチングされるところ
では第５図（Ｅ）に示すように、アルミニウム層１１の
側面１３が過剰に蝕刻され表面弾性波素子としての特性
（中心周波数）にバラツキが生ずる原因となっている。
本発明は前記事項に鑑みてなされたもので、エツチング
液の取り扱いが容易であるとともにアルミニウム層の側
面が過剰に蝕刻されることがないようにした表面弾性波
素子の製造方法とすることを技術的課題とする。
液の取り扱いが容易であるとともにアルミニウム層の側
面が過剰に蝕刻されることがないようにした表面弾性波
素子の製造方法とすることを技術的課題とする。
本発明は前記技術的課題を解決するために、以下のよう
な製造方法とした。
な製造方法とした。
即ち、基板１上に形成された導体２をレジスト層３で覆
い、露光及び現像を施してパターンを形成した後、有機
アルカリ系現像液で所定部分の導体２をエツチングし、
続いて、レジスト層３を剥離して表面弾性波素子を製造
する。
い、露光及び現像を施してパターンを形成した後、有機
アルカリ系現像液で所定部分の導体２をエツチングし、
続いて、レジスト層３を剥離して表面弾性波素子を製造
する。
このとき、パターン形成時の現像液とエツチング時の現
像液とは同一成分である。
像液とは同一成分である。
有機アルカリ系現像液を使用するため、酸エツチングに
比較してエツチング液の取り扱いが容易で安全である。
比較してエツチング液の取り扱いが容易で安全である。
しかも製造工程を簡略化できてコストダウンを図ること
ができる 〔実施例〕 本発明の実施例を第１図ないし第４図に基づいて説明す
る。
ができる 〔実施例〕 本発明の実施例を第１図ないし第４図に基づいて説明す
る。
まず、第１図に示すように、水晶基板ｌ上に形成された
導体たるアルミニウム層２をレジスト層３で覆い、第２
図に示すように、露光Ｆ及び現像を施してパターン４を
形成する。前記レジスト層３はｅｓｏｏ入〜９０００人
の厚さで形成する。
導体たるアルミニウム層２をレジスト層３で覆い、第２
図に示すように、露光Ｆ及び現像を施してパターン４を
形成する。前記レジスト層３はｅｓｏｏ入〜９０００人
の厚さで形成する。
この後、第３図に示すように、有機アルカリ系現像液Ａ
で所定部分のアルミニウム層２をエツチングする。この
有機アルカリ系現像液としてはテトラメチルアンモニウ
ムハイドロオキサイドの水溶液を使用することができる
。このとき、パターン４を形成するときの現像液とエツ
チング時の現像液とは同一成分である。
で所定部分のアルミニウム層２をエツチングする。この
有機アルカリ系現像液としてはテトラメチルアンモニウ
ムハイドロオキサイドの水溶液を使用することができる
。このとき、パターン４を形成するときの現像液とエツ
チング時の現像液とは同一成分である。
続いて、第４図に示すように、レジスト層３を剥離して
表面弾性波素子を製造する。
表面弾性波素子を製造する。
以上の如き工程で実験したところアルミニウム層２の側
面が過剰に蝕刻されることはなく、中心周波数にバラツ
キが生ずることはなかった。
面が過剰に蝕刻されることはなく、中心周波数にバラツ
キが生ずることはなかった。
さらに現像工程後、直ちにアルミニウムＭ２のエツチン
グを開始してもレジスト層３の剥離は見られなかったた
め、レジスト層３の密着性を強化するポストベーク工程
を省略しても問題はないことが確認された。
グを開始してもレジスト層３の剥離は見られなかったた
め、レジスト層３の密着性を強化するポストベーク工程
を省略しても問題はないことが確認された。
なお、導体２のエツチング状態を検出するには、フォト
インタラプタで水晶基板ｌを挟み、光透過率がエツチン
グの進行にしたがって高くなることを利用し、周知の回
路によりこれを検出する方法がある。また、パターン表
面の反射率の変化により検出する方法も考えられる。
インタラプタで水晶基板ｌを挟み、光透過率がエツチン
グの進行にしたがって高くなることを利用し、周知の回
路によりこれを検出する方法がある。また、パターン表
面の反射率の変化により検出する方法も考えられる。
本発明によれば、有機アルカリ系現像液を用いるもので
あるため、従来の酸エツチングに比較して現像液の取り
扱いが容易で安全である。また１、導体が必要以上にエ
ツチングされることはなく安定した特性を得ることがで
きる。
あるため、従来の酸エツチングに比較して現像液の取り
扱いが容易で安全である。また１、導体が必要以上にエ
ツチングされることはなく安定した特性を得ることがで
きる。
しかも製造工程を簡略化できてコストダウンを図ること
ができる等の優れた特徴がある。
ができる等の優れた特徴がある。
第１図ないし第４図は本発明の実施例を示す断面図、第
５図は従来の表面弾性波素子の製造方法を示す断面図で
ある。 １・・・基板、 ２・・・導体たるアルミニウム層 ３・・・レジスト層。 特許出願人 パイオニア株式会社 パイオニアビデオ株式会社
５図は従来の表面弾性波素子の製造方法を示す断面図で
ある。 １・・・基板、 ２・・・導体たるアルミニウム層 ３・・・レジスト層。 特許出願人 パイオニア株式会社 パイオニアビデオ株式会社
Claims (2)
- （１）基板上に形成された導体をレジスト層で覆い、露
光及び現像を施してパターンを形成した後、有機アルカ
リ系現像液で所定部分の導体をエッチングし、続いて、
レジスト層を剥離したことを特徴とする表面弾性波素子
の製造方法。 - （２）前記導体がアルミニウム層であることを特徴とす
る特許請求の範囲第１項記載の表面弾性波素子の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24056286A JPS6394632A (ja) | 1986-10-09 | 1986-10-09 | 表面弾性波素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24056286A JPS6394632A (ja) | 1986-10-09 | 1986-10-09 | 表面弾性波素子の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6394632A true JPS6394632A (ja) | 1988-04-25 |
Family
ID=17061372
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24056286A Pending JPS6394632A (ja) | 1986-10-09 | 1986-10-09 | 表面弾性波素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6394632A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20000007554A (ko) * | 1998-07-04 | 2000-02-07 | 윤종용 | 반도체장치의 제조를 위한 알루미늄막의 에칭방법 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55134931A (en) * | 1979-04-10 | 1980-10-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Method of forming fine electrode of electronic part |
-
1986
- 1986-10-09 JP JP24056286A patent/JPS6394632A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55134931A (en) * | 1979-04-10 | 1980-10-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Method of forming fine electrode of electronic part |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20000007554A (ko) * | 1998-07-04 | 2000-02-07 | 윤종용 | 반도체장치의 제조를 위한 알루미늄막의 에칭방법 |
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