JP7124959B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Description
図1から図6は、実施の形態1に係る半導体装置の製造方法を示す断面図である。まず、図1に示すように、化合物半導体からなる半導体基板1の上に下層レジスト2を塗布する。下層レジスト2はTMAH(Tetramethyl Ammonium Hydroxide)に溶解するアンダーカット形成用レジストである。下層レジスト2として例えば日本化薬製LORシリーズ(商品名)を用いる。半導体基板1及び下層レジスト2を140℃~180℃でプリベークして下層レジスト2に含まれる溶媒を揮発させる。
図9から図14は、実施の形態2に係る半導体装置の製造方法を示す断面図である。まず、図9に示すように、化合物半導体からなる半導体基板1の上に上層レジスト3を塗布する。上層レジスト3はポジ型フォトレジストである。90℃~100℃でプリベークし、上層レジスト3に含まれる溶媒を揮発させる。
図15から図21は、実施の形態3に係る半導体装置の製造方法を示す断面図である。まず、図15に示すように、化合物半導体からなる半導体基板1の上に絶縁膜13をCVD(化学気相成長)により形成する。絶縁膜13はSiN又はSiO等である。
図22から図30は、実施の形態4に係る半導体装置の製造方法を示す断面図である。まず、図22に示すように、半導体基板1の上に下層レジスト2を塗布する。下層レジスト2はTMAHに溶解するアンダーカット形成用レジストである。半導体基板1及び下層レジスト2を140℃~180℃でプリベークして下層レジスト2に含まれる溶媒を揮発させる。
図31から図34は、実施の形態5に係る半導体装置の製造方法を示す断面図である。まず、実施の形態4の図22から図28の工程を実施して、図31に示すように、上層レジスト14がテーパ化し、アンダーカットを有する庇状のレジストパターン6を形成する。
Claims (6)
- 半導体基板の上に下層レジストを塗布する工程と、
前記下層レジストの上に上層レジストを塗布する工程と、
露光及び現像により前記上層レジストに第1の開口を形成し、前記現像の際に現像液で前記下層レジストも溶解して前記第1の開口の下方に前記第1の開口よりも幅が広い第2の開口を形成して、アンダーカットを有する庇状のレジストパターンを形成する工程と、
ベークを実施して前記上層レジストを熱収縮させて前記上層レジストの庇部を上側へテーパ角度が30~90°となるように反らす工程と、
前記ベークの後に前記レジストパターンの上と前記第2の開口で露出した前記半導体基板の上に金属膜を成膜する工程と、
前記レジストパターンと前記レジストパターンの上の前記金属膜を除去し、前記半導体基板の上の前記金属膜を電極として残す工程とを備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記半導体基板の上に絶縁膜を形成する工程を更に備え、
前記レジストパターン及び前記電極を前記絶縁膜の上に形成することを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。 - 半導体基板の上にレジストを塗布する工程と、
露光及び現像により前記レジストに開口を形成する工程と、
前記開口を形成した前記レジストをマスクにして前記半導体基板を等方性エッチングして前記開口よりも広い幅を持つ凹部を形成する工程と、
ベークを実施して前記レジストを熱収縮させて前記レジストの庇部を上側へテーパ角度が30~90°となるように反らす工程と、
前記ベークの後に前記レジストの上と前記凹部の底面に金属膜を成膜する工程と、
前記レジストと前記レジストの上の前記金属膜を除去し、前記凹部の底面の前記金属膜を電極として残す工程とを備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 半導体基板の上に絶縁膜を塗布する工程と、
前記絶縁膜の上にレジストを塗布する工程と、
露光及び現像により前記レジストに第1の開口を形成する工程と、
前記第1の開口を形成した前記レジストをマスクにして前記絶縁膜を等方性エッチングして前記第1の開口の下方に前記第1の開口よりも幅が広い第2の開口を形成する工程と、
ベークを実施して前記レジストを熱収縮させて前記レジストの庇部を上側へテーパ角度が30~90°となるように反らす工程と、
前記ベークの後に前記レジストの上と前記第2の開口で露出した前記半導体基板の上に金属膜を成膜する工程と、
前記レジスト、前記レジストの上の前記金属膜、及び前記絶縁膜を除去し、前記半導体基板の上の前記金属膜を電極として残す工程とを備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 半導体基板の上に下層レジストを塗布する工程と、
前記下層レジストの上にイメージリバーサルレジストである上層レジストを塗布する工程と、
前記上層レジストの第1の領域をマスクで覆って露光せずに前記上層レジストの第2の領域を露光する工程と、
前記第2の領域を露光した後に前記上層レジストの上にシュリンク剤を形成する工程と、
ベークを行って前記第2の領域のレジスト上部の中の遊離酸と前記シュリンク剤を架橋反応させ、前記第2の領域のレジスト下部の中の遊離酸を熱架橋反応させる工程と、
前記ベークの後に全面露光により前記第1の領域を露光する工程と、
前記全面露光の後に、現像により前記シュリンク剤と前記上層レジストの前記第2の領域の前記レジスト上部と前記第1の領域を除去して前記上層レジストに第1の開口を形成し、前記現像の際に現像液で前記下層レジストも溶解して前記第1の開口の下方に前記第1の開口よりも幅が広い第2の開口を形成して、アンダーカットを有する庇状のレジストパターンを形成する工程と、
前記レジストパターンの上と前記第2の開口で露出した前記半導体基板の上に金属膜を成膜する工程と、
前記レジストパターンと前記レジストパターンの上の前記金属膜を除去し、前記半導体基板の上の前記金属膜を電極として残す工程とを備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記レジストパターンを形成した後、前記金属膜を成膜する前に、ベークを実施して前記上層レジストを熱収縮させて前記上層レジストの庇部を上側へ反らす工程を更に備えることを特徴とする請求項5に記載の半導体装置の製造方法。
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Families Citing this family (3)
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CN113140451A (zh) * | 2021-03-23 | 2021-07-20 | 深圳市时代速信科技有限公司 | 一种半导体器件的制造方法及中间体 |
CN116403889B (zh) * | 2023-06-08 | 2023-10-31 | 润芯感知科技(南昌)有限公司 | 图案化方法和半导体结构的制造方法 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000340521A (ja) | 1999-05-28 | 2000-12-08 | Toshiba Corp | パターン形成方法およびこれを用いた半導体装置 |
JP2005260020A (ja) | 2004-03-12 | 2005-09-22 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体素子およびその製造方法 |
Family Cites Families (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5730376A (en) | 1980-07-30 | 1982-02-18 | Fujitsu Ltd | Manufacture of schottky barrier fet |
JPS58113647A (ja) | 1981-12-10 | 1983-07-06 | Sukai Ace:Kk | 撚糸、棒等の端末止め金具、及びその製造方法 |
JPH0653251A (ja) | 1992-07-29 | 1994-02-25 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置の製造方法 |
US5360698A (en) * | 1992-09-21 | 1994-11-01 | Eastman Kodak Company | Deep UV lift-off resist process |
JPH07176501A (ja) | 1993-12-17 | 1995-07-14 | Nippondenso Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JPH08139006A (ja) * | 1994-11-02 | 1996-05-31 | Fuji Elelctrochem Co Ltd | リフトオフパターンの形成方法 |
JPH09260270A (ja) | 1996-03-21 | 1997-10-03 | Japan Energy Corp | 半導体素子の製造方法 |
TW329539B (en) * | 1996-07-05 | 1998-04-11 | Mitsubishi Electric Corp | The semiconductor device and its manufacturing method |
JP3339331B2 (ja) * | 1996-09-27 | 2002-10-28 | 日立電線株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
JPH10256229A (ja) * | 1997-03-06 | 1998-09-25 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
JP3070532B2 (ja) * | 1997-07-04 | 2000-07-31 | 日本電気株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
JP2004200209A (ja) | 2002-12-16 | 2004-07-15 | Fuji Xerox Co Ltd | 電極等の導電パターンの形成方法およびこれを用いた面発光型半導体レーザ並びにその製造方法 |
JP2005302751A (ja) * | 2004-04-06 | 2005-10-27 | Mitsubishi Electric Corp | レジストパターン形成方法、レジストパターン形成装置、表示装置の製造方法、及び表示装置の製造装置 |
CN1713352A (zh) * | 2004-06-23 | 2005-12-28 | 日立电线株式会社 | 半导体装置的制造方法 |
US7923200B2 (en) | 2007-04-09 | 2011-04-12 | Az Electronic Materials Usa Corp. | Composition for coating over a photoresist pattern comprising a lactam |
JP2010067728A (ja) * | 2008-09-10 | 2010-03-25 | Sakamoto Electric Mfg Co Ltd | 薄膜パターンの形成方法。 |
US20100104768A1 (en) * | 2008-10-29 | 2010-04-29 | Seagate Technology Llc | Method of making optical transducers |
JP5780026B2 (ja) | 2011-07-12 | 2015-09-16 | 三菱電機株式会社 | Mimキャパシタ、半導体装置 |
TWI614916B (zh) | 2013-11-11 | 2018-02-11 | 晶元光電股份有限公司 | 光電元件及其製造方法 |
JP6888493B2 (ja) * | 2017-09-14 | 2021-06-16 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
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