KR19990055460A - 반도체소자의 패드 형성방법 - Google Patents
반도체소자의 패드 형성방법 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 패드용 알루미늄층의 표면이 변색되고, 식각가스와의 반응물질이 생기는 것을 방지하여 패드용 알루미늄층과 리드선과의 와이어 본딩시 불량이 일어나지 않도록하여 소자의 신뢰성을 향상시키기 위한 반도체소자의 패드 형성방법을 제공하기 하기 위한 것으로서, 제 1알루미늄층상에 베리어 메탈층을 형성하고, 상기 베리어 메탈층상에 층간절연막을 형성하는 공정과, 상기 층간절연막을 선택적으로 제거하여 베리어 메탈층의 표면을 노출시키는 공정과, 상기 노출된 베리어 메탈층을 포함한 층간절연막상에 제 2알루미늄층을 형성하는 공정과, 상기 제 2알루미늄층을 선택적으로 제거하여 상기 제 1알루미늄층, 베리어 메탈층, 그리고 제 2알루미늄층으로 구현되는 패드를 형성하는 공정을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.
Description
본 발명은 반도체소자에 관한 것으로써 특히, 패드 오픈시 오버에치/언더에치등으로 인한 알루미늄 표면이 변색되어 와이어 본딩시 본딩불량이 발생하지 않도록하여 소자의 신뢰성을 향상시키는데 적당한 반도체소자의 패드 형성방법에 관한 것이다.
이하, 종래기술에 따른 반도체소자의 패드 형성방법을 첨부된 도면을 참조하여 설명하기로 한다.
도 1a 내지 1c는 종래기술에 따른 반도체소자의 패드 형성방법을 설명하기 위한 공정단면도이다.
먼저, 도 1a에 도시한 바와 같이, 패드로 사용되는 알루미늄층(11)상에 베리어 메탈층(12)을 형성한다.
그리고, 상기 베리어 메탈층(12)상에 PSG층(Phosphoro Silicate Glass)(13)을 차례로 형성한다.
도 1b에 도시한 바와 같이, 상기 PSG층(13)상에 포토레지스트(14)를 도포한다.
노광 및 현상공정으로 상기 포토레지스트(14)를 패터닝하고, 패터닝된 포토레지스트(14)를 마스크로 이용한 식각공정으로 도 1c에 도시한 바와같이, 상기 PSG층(13), 베리어 메탈층(12)을 선택적으로 제거하여 알루미늄층(11)의 표면을 노출시킨다.
이때, 상기 PSG층(13) 및 베리어 메탈층(12)은 CF4가스를 메인 에쳔트로 이용한 식각공정으로 패드로 사용되는 알루미늄층(11)을 노출시키는데 알루미늄층(11)의 표면에서 F기와 반응이 일어나고, 또한 식각에 따른 폴리머를 제거하기 위해 습식 클리닝을 실시함에 따라 알루미늄층(11)의 표면이 변색된다.
이후, 도면에는 도시되지 않았지만, 패키징(Packaging)공정을 수행하게 되는데 이때, 상기 노출된 알루미늄층(11)에 와이어 본딩(Wire bonding)을 실시한다.
그러나 상기와 같은 종래 반도체소자의 패드 형성방법은 다음과 같은 문제점이 있었다.
첫째, 패드용 알루미늄층을 노출시키기 위한 PSG층 및 베리어 메탈 식각시, 알루미늄층의 표면이 변색되고, 식각가스와의 반응에 의해 반응물질이 생성되어 불량을 유발한다.
둘째, 패드용 알루미늄층의 변색 및 반응물질로 인하여 후에 와이어 본딩시 확실한 본딩이 이루어지지 않아 본딩불량을 초래한다.
본 발명은 상기의 문제점을 해결하기 위해 안출한 것으로써, 패드로 사용되는 알루미늄층의 변색 및 반응물질이 생기지 않고, 이에따라 본딩불량또한 방지하는데 적당한 반도체소자의 패드 형성방법을 제공하는데 그 목적이 있다.
도 1a 내지 1c는 종래기술에 따른 반도체소자의 패드 형성방법을 설명하기 위한 공정단면도.
도 2a 내지 2e는 본 발명에 따른 반도체소자의 패드 형성방법을 설명하기 위한 공정단면도.
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>
21,21a : 제 1, 제 2알루미늄층 12,22 : 베리어 메탈층
13,23 : PSG층 24,24a : 제 1, 제 2포토레지스트
상기의 목적을 달성하기 위한 본 발명의 반도체소자의 패드 형성방법은 제 1알루미늄층상에 베리어 메탈층을 형성하고, 상기 베리어 메탈층상에 층간절연막을 형성하는 공정과, 상기 층간절연막을 선택적으로 제거하여 베리어 메탈층의 표면을 노출시키는 공정과, 상기 노출된 베리어 메탈층을 포함한 층간절연막상에 제 2알루미늄층을 형성하는 공정과, 상기 제 2알루미늄층을 선택적으로 제거하여 상기 제 1알루미늄층, 베리어 메탈층, 그리고 제 2알루미늄층으로 구현되는 패드를 형성하는 공정을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 반도체소자의 패드 형성방법을 설명하기로 한다.
도 2a 내지 2e는 본 발명에 따른 반도체소자의 패드 형성방법을 설명하기 위한 공정단면도이다.
먼저, 도 2a에 도시한 바와 같이, 제 1알루미늄층(21)상에 베리어 메탈층(22)을 차례로 형성한다.
그리고, 상기 베리어 메탈층(22)상에 층간절연막으로써 PSG층(23)을 적층형성한다.
이어, 도 2b에 도시한 바와같이, 상기 PSG층(23)상에 제 1포토레지스트(24)를 도포한다.
노광 및 현상공정으로 상기 제 1포토레지스트(24)를 패터닝하고, 상기 패터닝된 제 1포토레지스트(24)를 마스크로 이용한 식각공정으로 PSG층(23)을 선택적으로 제거하여 상기 베리어 메탈층(22)의 표면을 노출시킨다.
이어, 도 2c에 도시한 바와같이, 상기 제 1포토레지스트(24)를 제거한 후, 노출된 베리어 메탈층(22)을 포함한 PSG층(23)상에 스퍼터링(sputtering)공정을 이용하여 제 2알루미늄층(21a)을 형성한다.
그리고, 도 2d에 도시한 바와같이, 상기 제 2알루미늄층(21a)상에 제 2포토레지스트(24a)를 도포한다.
노광 및 현상공정으로 제 2포토레지스트(24a)를 패터닝한다.
이어서, 도 2e에 도시한 바와같이, 상기 패터닝된 제 2포토레지스트(24a)를 마스크로 이용한 식각공정으로 상기 제 2알루미늄층(21a)을 선택적으로 제거하면, 제 1알루미늄층(21)과 베리어 메탈층(22), 그리고 상기 제 2알루미늄층(21a)이 연결되어 결과적으로 제 2알루미늄층(21a)이 패드역할을 하게 된다.
이후, 도면에는 도시되지 않았지만, 상기 패드로 사용되는 제 2알루미늄층(21a)과 리드선을 연결시키는 와이어 본딩을 실시한다.
이상 상술한 바와 같이, 본 발명에 따른 반도체소자의 패드 형성방법은 다음과 같은 효과가 있다.
첫째, 베리어 메탈층을 제거하기 위한 식각공정이 필요치 않으므로 하부의 알루미늄층의 식각가스에 노출되지 않아 반응물질이 생기지 않고, 변색이 되지 않는다.
둘째, 종래에 비해 패드로 사용되는 알루미늄층의 면적이 확대되어 후에 와이어 본딩시, 마진을 확보할 수 있다.
Claims (3)
- 제 1알루미늄층상에 베리어 메탈층을 형성하고, 상기 베리어 메탈층상에 층간절연막을 형성하는 공정과,상기 층간절연막을 선택적으로 제거하여 베리어 메탈층의 표면을 노출시키는 공정과,상기 노출된 베리어 메탈층을 포함한 층간절연막상에 제 2알루미늄층을 형성하는 공정과,상기 제 2알루미늄층을 선택적으로 제거하여 상기 제 1알루미늄층, 베리어 메탈층, 그리고 제 2알루미늄층으로 구현되는 패드를 형성하는 공정을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 패드 형성방법.
- 제 1항에 있어서,상기 층간절연막은 PSG(Phosphro Silicate Glass)로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 패드 형성방법.
- 제 1항에 있어서,상기 제 2알루미늄층은 스퍼터링 공정으로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 패드 형성방법.
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1997
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