JPH0992655A - アルミニウム系パターンの形成方法 - Google Patents
アルミニウム系パターンの形成方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 Ａｌ系パターンとフォトレジストとの密着性
を十分に確保することのできる、アルミニウム系パター
ンの形成方法の提供が望まれている。 【解決手段】 段差を有する下地上に形成されたＡｌ系
膜をパターニングしてＡｌ系パターンを形成する方法で
ある。まず、Ａｌ系膜をフォトレジスト法、エッチング
でパターンニングしてＡｌ系パターン３を形成し、その
後レジストパターンを除去する。次に、Ａｌ系パターン
をテトラ−メチル−アンモニウム−ハイドロオキサイド
を含む水溶液で接触処理する。次いで、処理後のＡｌ系
パターン３上にポジ型フォトレジストを塗布パターニン
グし、Ａｌ系パターン３より幅の広いレジストパターン
９をＡｌ系パターンを覆った状態で形成する。その後、
レジストパターンをマスクとしてウエットエッチングを
行う。
を十分に確保することのできる、アルミニウム系パター
ンの形成方法の提供が望まれている。 【解決手段】 段差を有する下地上に形成されたＡｌ系
膜をパターニングしてＡｌ系パターンを形成する方法で
ある。まず、Ａｌ系膜をフォトレジスト法、エッチング
でパターンニングしてＡｌ系パターン３を形成し、その
後レジストパターンを除去する。次に、Ａｌ系パターン
をテトラ−メチル−アンモニウム−ハイドロオキサイド
を含む水溶液で接触処理する。次いで、処理後のＡｌ系
パターン３上にポジ型フォトレジストを塗布パターニン
グし、Ａｌ系パターン３より幅の広いレジストパターン
９をＡｌ系パターンを覆った状態で形成する。その後、
レジストパターンをマスクとしてウエットエッチングを
行う。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体素子や液晶
表示素子の製造プロセスにおいて、アルミニウム膜ある
いはアルミニウム化合物膜をパターニングしてアルミニ
ウム系パターンを形成する方法に関する。
表示素子の製造プロセスにおいて、アルミニウム膜ある
いはアルミニウム化合物膜をパターニングしてアルミニ
ウム系パターンを形成する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体素子や液晶表示素子の製造プロセ
スにおいて、主に配線パターンとなるアルミニウム系パ
ターン（以下、Ａｌ系パターンと称する）、すなわちア
ルミニウムパターン（Ａｌパターン）やアルミニウム化
合物パターン（Ａｌ化合物パターン）を形成するには、
アルミニウム膜（Ａｌ膜）やアルミニウム化合物膜（Ａ
ｌ化合物膜）の上にフォトレジストを塗布し、公知のリ
ソグラフィ技術によりこれを露光・現像してパターンニ
ングし、その後得られたレジストパターンをマスクにし
てエッチングを行い、ＡｌパターンやＡｌ化合物パター
ンを得ている。
スにおいて、主に配線パターンとなるアルミニウム系パ
ターン（以下、Ａｌ系パターンと称する）、すなわちア
ルミニウムパターン（Ａｌパターン）やアルミニウム化
合物パターン（Ａｌ化合物パターン）を形成するには、
アルミニウム膜（Ａｌ膜）やアルミニウム化合物膜（Ａ
ｌ化合物膜）の上にフォトレジストを塗布し、公知のリ
ソグラフィ技術によりこれを露光・現像してパターンニ
ングし、その後得られたレジストパターンをマスクにし
てエッチングを行い、ＡｌパターンやＡｌ化合物パター
ンを得ている。
【０００３】ところで、このようなパターン形成におい
ては、エッチング時にレジストパターンをマスクとして
十分に機能させるため、Ａｌ膜やＡｌ化合物膜（以下、
Ａｌ系膜と略称する）とこれの上に形成するフォトレジ
ストとの間に十分な密着性を確保する必要がある。そし
て、このような密着性を確保するためには、従来、例え
ばフォトレジストを塗布する前に脱水ベーク（Dehydrat
e Bake）を行うなどといった手法が採られている。
ては、エッチング時にレジストパターンをマスクとして
十分に機能させるため、Ａｌ膜やＡｌ化合物膜（以下、
Ａｌ系膜と略称する）とこれの上に形成するフォトレジ
ストとの間に十分な密着性を確保する必要がある。そし
て、このような密着性を確保するためには、従来、例え
ばフォトレジストを塗布する前に脱水ベーク（Dehydrat
e Bake）を行うなどといった手法が採られている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところが、露光時に合
わせズレが生じたり、現像残りがある場合には、形成し
たレジストパターンを一旦剥離した後、再度レジストパ
ターンを形成する必要が生じることがある。しかしなが
ら、このようなレジストパターンの再形成を行う場合に
は、通常レジストパターンをＯ2 プラズマによるドライ
アッシングによって剥離した後、発煙硝酸等によって洗
浄を行うものの、先のレジストパターン形成時における
密着性確保のための処理が単に脱水ベークのみである
と、発煙硝酸等による処理時にＡｌ系膜５の表面が変質
（酸化）してしまい、その後に形成するレジストパター
ンとの密着性が著しく低下し、これによりパターニング
不良が起きやすくなってしまう。
わせズレが生じたり、現像残りがある場合には、形成し
たレジストパターンを一旦剥離した後、再度レジストパ
ターンを形成する必要が生じることがある。しかしなが
ら、このようなレジストパターンの再形成を行う場合に
は、通常レジストパターンをＯ2 プラズマによるドライ
アッシングによって剥離した後、発煙硝酸等によって洗
浄を行うものの、先のレジストパターン形成時における
密着性確保のための処理が単に脱水ベークのみである
と、発煙硝酸等による処理時にＡｌ系膜５の表面が変質
（酸化）してしまい、その後に形成するレジストパター
ンとの密着性が著しく低下し、これによりパターニング
不良が起きやすくなってしまう。
【０００５】また、例えば、図３に示すように段差部１
を有する下地２上に１層目のＡｌ系パターン３を形成
し、その上に層間絶縁膜（図示略）を介して２層目のＡ
ｌ系パターン４を形成する場合、まず、図４（ａ）に示
すように下地２上にＡｌ系膜５を形成し、続いてその上
に公知のレジスト法によってレジストパターン６を形成
する。次いで、このレジストパターン６をマスクにして
反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）を行い、図４（ｂ）
に示すように１層目のＡｌ系パターン３を形成し、その
後レジストパターン６をドライアッシングで除去する。
なお、図４（ａ）、（ｂ）は、図３におけるＡ−Ａ線矢
視断面図である。
を有する下地２上に１層目のＡｌ系パターン３を形成
し、その上に層間絶縁膜（図示略）を介して２層目のＡ
ｌ系パターン４を形成する場合、まず、図４（ａ）に示
すように下地２上にＡｌ系膜５を形成し、続いてその上
に公知のレジスト法によってレジストパターン６を形成
する。次いで、このレジストパターン６をマスクにして
反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）を行い、図４（ｂ）
に示すように１層目のＡｌ系パターン３を形成し、その
後レジストパターン６をドライアッシングで除去する。
なお、図４（ａ）、（ｂ）は、図３におけるＡ−Ａ線矢
視断面図である。
【０００６】ここで、このようなパターン形成に際し
て、図３におけるＢ−Ｂ線矢視断面部分、すなわち段差
部１上では、図４（ａ）に示したＡｌ系膜５の形成時に
おいて、該Ａｌ系膜５が図４（ｃ）に示すように段差部
１を覆った状態で形成されている。なお、段差部１は実
際には複雑な凹凸を有するものであるが、この説明で
は、便宜上図４に示すような単純な段差のものとする。
そして、図４（ｂ）に示したＡｌ系膜５のエッチング後
では、特に下地２の膜減りを極力抑えるべくエッチング
をジャストエッチングでストップさせた場合、図４
（ｄ）に示すように段差部１の側部にＡｌ系膜５からな
る段差部残り７が残ってしまう。
て、図３におけるＢ−Ｂ線矢視断面部分、すなわち段差
部１上では、図４（ａ）に示したＡｌ系膜５の形成時に
おいて、該Ａｌ系膜５が図４（ｃ）に示すように段差部
１を覆った状態で形成されている。なお、段差部１は実
際には複雑な凹凸を有するものであるが、この説明で
は、便宜上図４に示すような単純な段差のものとする。
そして、図４（ｂ）に示したＡｌ系膜５のエッチング後
では、特に下地２の膜減りを極力抑えるべくエッチング
をジャストエッチングでストップさせた場合、図４
（ｄ）に示すように段差部１の側部にＡｌ系膜５からな
る段差部残り７が残ってしまう。
【０００７】しかして、このように段差部残り７が残っ
た場合、この段差部残り７を除去してＡｌ系パターン
３、３間等のショートを防ぐため、通常は先の例と同様
にレジストパターン６を除去した後、図５（ａ）に示す
ようにＡｌ系パターン３を発煙硝酸等で洗浄処理する。
すると、Ａｌ系パターン３は、前述したようにフォトレ
ジストパターン形成時における密着性確保のための処理
が単に脱水ベークのみであると、発煙硝酸等による処理
によってその表面が酸化し、変質層（酸化層）８を形成
してしまう。
た場合、この段差部残り７を除去してＡｌ系パターン
３、３間等のショートを防ぐため、通常は先の例と同様
にレジストパターン６を除去した後、図５（ａ）に示す
ようにＡｌ系パターン３を発煙硝酸等で洗浄処理する。
すると、Ａｌ系パターン３は、前述したようにフォトレ
ジストパターン形成時における密着性確保のための処理
が単に脱水ベークのみであると、発煙硝酸等による処理
によってその表面が酸化し、変質層（酸化層）８を形成
してしまう。
【０００８】次いで、洗浄処理後のＡｌ系パターン３の
上に、図５（ｂ）に示すように該パターン３より幅の広
いレジストパターン９を公知のリソグラフィ技術、エッ
チング技術によって該Ａｌ系パターン３を覆った状態で
形成する。その後、形成したレジストパターン９をマス
クにし、ウエットエッチングを行うことによって先の段
差部残り７を除去する。ところが、このようなウエット
エッチングを行うと、前述したように変質層８によって
Ａｌ系パターン３とレジストパターン９との密着性が不
十分であることから、該レジストパターン９と下地２と
の僅かな隙間よりエッチャントが入り込み、さらにこの
エッチャントがレジストパターン９とＡｌ系パターン３
との間に入り込んで図５（ｃ）に示すようにＡｌ系パタ
ーン３の側面をエッチングしてしまう。
上に、図５（ｂ）に示すように該パターン３より幅の広
いレジストパターン９を公知のリソグラフィ技術、エッ
チング技術によって該Ａｌ系パターン３を覆った状態で
形成する。その後、形成したレジストパターン９をマス
クにし、ウエットエッチングを行うことによって先の段
差部残り７を除去する。ところが、このようなウエット
エッチングを行うと、前述したように変質層８によって
Ａｌ系パターン３とレジストパターン９との密着性が不
十分であることから、該レジストパターン９と下地２と
の僅かな隙間よりエッチャントが入り込み、さらにこの
エッチャントがレジストパターン９とＡｌ系パターン３
との間に入り込んで図５（ｃ）に示すようにＡｌ系パタ
ーン３の側面をエッチングしてしまう。
【０００９】そして、このようにＡｌ系パターン３の側
面がエッチングされた状態でその後のプロセスを進める
と、すなわち図５（ｄ）に示すようにレジストパターン
９を除去し、続いて図５（ｅ）に示すようにＡｌ系パタ
ーン３を覆って層間絶縁膜１０を形成すると、得られる
層間絶縁膜１０は、図５（ｅ）に示したようにＡｌ系パ
ターン３の形状異常によりステップカバレッジが悪くな
ってしまう。そしてさらに、この状態からＡｌ系膜形
成、フォトレジスト塗布、露光・現像、エッチングとい
った公知の処理によって図５（ｆ）に示すように二層目
のＡｌ系パターン４を形成すると、図５（ｆ）に示した
ようにＡｌ系パターン４に断線が生じ、あるいは生じ易
くなってしまう。
面がエッチングされた状態でその後のプロセスを進める
と、すなわち図５（ｄ）に示すようにレジストパターン
９を除去し、続いて図５（ｅ）に示すようにＡｌ系パタ
ーン３を覆って層間絶縁膜１０を形成すると、得られる
層間絶縁膜１０は、図５（ｅ）に示したようにＡｌ系パ
ターン３の形状異常によりステップカバレッジが悪くな
ってしまう。そしてさらに、この状態からＡｌ系膜形
成、フォトレジスト塗布、露光・現像、エッチングとい
った公知の処理によって図５（ｆ）に示すように二層目
のＡｌ系パターン４を形成すると、図５（ｆ）に示した
ようにＡｌ系パターン４に断線が生じ、あるいは生じ易
くなってしまう。
【００１０】すなわち、Ａｌ系パターン３とレジストパ
ターン９との密着性が不十分であることに起因して、層
間絶縁膜１０のステップカバレッジが悪くなり、これに
より２層目のＡｌ系パターン４の信頼性が損なわれてし
まうのである。このように、Ａｌ系膜あるいはＡｌ系パ
ターンとフォトレジストとの密着性の確保については、
ウエットエッチング、ドライエッチング＋ウエットエッ
チングといったプロセスでは特に重要な問題となってい
るのである。
ターン９との密着性が不十分であることに起因して、層
間絶縁膜１０のステップカバレッジが悪くなり、これに
より２層目のＡｌ系パターン４の信頼性が損なわれてし
まうのである。このように、Ａｌ系膜あるいはＡｌ系パ
ターンとフォトレジストとの密着性の確保については、
ウエットエッチング、ドライエッチング＋ウエットエッ
チングといったプロセスでは特に重要な問題となってい
るのである。
【００１１】本発明は前記事情に鑑みてなされたもの
で、その目的とするところは、Ａｌ系パターンとフォト
レジストとの密着性を十分に確保することのできる、ア
ルミニウム系パターンの形成方法を提供することにあ
る。
で、その目的とするところは、Ａｌ系パターンとフォト
レジストとの密着性を十分に確保することのできる、ア
ルミニウム系パターンの形成方法を提供することにあ
る。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明における請求項１
記載のアルミニウム系パターンの形成方法では、アルミ
ニウム膜あるいはアルミニウム化合物膜をテトラ−メチ
ル−アンモニウム−ハイドロオキサイドを含む水溶液
（以下、テトラ−メチル−アンモニウム−ハイドロオキ
サイド水溶液と称する）で接触処理する工程と、処理後
のアルミニウム膜あるいはアルミニウム化合物膜上にポ
ジ型フォトレジストを塗布する工程と、前記ポジ型フォ
トレジストをパターニングしてレジストパターンを形成
する工程と、前記レジストパターンをマスクとしてエッ
チングを行う工程と、を備えてなることを前記課題の解
決手段とした。
記載のアルミニウム系パターンの形成方法では、アルミ
ニウム膜あるいはアルミニウム化合物膜をテトラ−メチ
ル−アンモニウム−ハイドロオキサイドを含む水溶液
（以下、テトラ−メチル−アンモニウム−ハイドロオキ
サイド水溶液と称する）で接触処理する工程と、処理後
のアルミニウム膜あるいはアルミニウム化合物膜上にポ
ジ型フォトレジストを塗布する工程と、前記ポジ型フォ
トレジストをパターニングしてレジストパターンを形成
する工程と、前記レジストパターンをマスクとしてエッ
チングを行う工程と、を備えてなることを前記課題の解
決手段とした。
【００１３】このアルミニウム系パターンの形成方法に
よれば、アルミニウム膜あるいはアルミニウム化合物膜
をテトラ−メチル−アンモニウム−ハイドロオキサイド
水溶液で接触処理するので、例えば前記アルミニウム膜
あるいはアルミニウム化合物膜が発煙硝酸による洗浄処
理等によってその表面が酸化していても、テトラ−メチ
ル−アンモニウム−ハイドロオキサイド水溶液によって
その酸化層が軽くエッチングされ、したがってその後に
形成されるレジストパターンと該アルミニウム膜あるい
はアルミニウム化合物膜との密着性が良好になる。
よれば、アルミニウム膜あるいはアルミニウム化合物膜
をテトラ−メチル−アンモニウム−ハイドロオキサイド
水溶液で接触処理するので、例えば前記アルミニウム膜
あるいはアルミニウム化合物膜が発煙硝酸による洗浄処
理等によってその表面が酸化していても、テトラ−メチ
ル−アンモニウム−ハイドロオキサイド水溶液によって
その酸化層が軽くエッチングされ、したがってその後に
形成されるレジストパターンと該アルミニウム膜あるい
はアルミニウム化合物膜との密着性が良好になる。
【００１４】請求項２記載のアルミニウム系パターンの
形成方法では、アルミニウム膜あるいはアルミニウム化
合物膜をフォトレジスト法およびエッチングでパターン
ニングしてアルミニウム系パターンを形成し、その後レ
ジストパターンを除去する工程と、前記アルミニウム系
パターンをテトラ−メチル−アンモニウム−ハイドロオ
キサイド水溶液（テトラ−メチル−アンモニウム−ハイ
ドロオキサイドを含む水溶液）で接触処理する工程と、
前記処理後のアルミニウム系パターン上にポジ型フォト
レジストを塗布する工程と、前記ポジ型フォトレジスト
をパターニングし、前記アルミニウム系パターンより幅
の広いレジストパターンを該アルミニウム系パターンを
覆った状態で形成する工程と、前記レジストパターンを
マスクとしてウエットエッチングを行う工程と、を備え
てなることを前記課題の解決手段とした。
形成方法では、アルミニウム膜あるいはアルミニウム化
合物膜をフォトレジスト法およびエッチングでパターン
ニングしてアルミニウム系パターンを形成し、その後レ
ジストパターンを除去する工程と、前記アルミニウム系
パターンをテトラ−メチル−アンモニウム−ハイドロオ
キサイド水溶液（テトラ−メチル−アンモニウム−ハイ
ドロオキサイドを含む水溶液）で接触処理する工程と、
前記処理後のアルミニウム系パターン上にポジ型フォト
レジストを塗布する工程と、前記ポジ型フォトレジスト
をパターニングし、前記アルミニウム系パターンより幅
の広いレジストパターンを該アルミニウム系パターンを
覆った状態で形成する工程と、前記レジストパターンを
マスクとしてウエットエッチングを行う工程と、を備え
てなることを前記課題の解決手段とした。
【００１５】このアルミニウム系パターンの形成方法に
よれば、アルミニウム系パターンをテトラ−メチル−ア
ンモニウム−ハイドロオキサイド水溶液で接触処理する
ので、例えば前記アルミニウム系パターン形成後レジス
トパターンを除去した際、該アルミニウム系パターンが
発煙硝酸による洗浄処理等によってその表面が酸化して
いても、テトラ−メチル−アンモニウム−ハイドロオキ
サイド水溶液によってその酸化層が軽くエッチングさ
れ、したがってその後に形成されるレジストパターンと
該アルミニウム系パターンとの密着性が良好になる。
よれば、アルミニウム系パターンをテトラ−メチル−ア
ンモニウム−ハイドロオキサイド水溶液で接触処理する
ので、例えば前記アルミニウム系パターン形成後レジス
トパターンを除去した際、該アルミニウム系パターンが
発煙硝酸による洗浄処理等によってその表面が酸化して
いても、テトラ−メチル−アンモニウム−ハイドロオキ
サイド水溶液によってその酸化層が軽くエッチングさ
れ、したがってその後に形成されるレジストパターンと
該アルミニウム系パターンとの密着性が良好になる。
【００１６】
【発明の実施の形態】以下、本発明のアルミニウム系パ
ターンの形成方法をその実施の形態例により詳しく説明
する。本発明で言うアルミニウム系（Ａｌ系）との意味
は、アルミニウム（Ａｌ）およびアルミニウム化合物
（Ａｌ化合物）の両者を指し、またアルミニウム化合物
として具体的には、Ａｌ−Ｓｉ系化合物、Ａｌ−Ｃｕ系
化合物、Ａｌ−Ｓｃ系化合物等が挙げられる。
ターンの形成方法をその実施の形態例により詳しく説明
する。本発明で言うアルミニウム系（Ａｌ系）との意味
は、アルミニウム（Ａｌ）およびアルミニウム化合物
（Ａｌ化合物）の両者を指し、またアルミニウム化合物
として具体的には、Ａｌ−Ｓｉ系化合物、Ａｌ−Ｃｕ系
化合物、Ａｌ−Ｓｃ系化合物等が挙げられる。
【００１７】図１（ａ）〜（ｉ）は本発明における請求
項２記載のアルミニウム系パターンの形成方法の一実施
形態例を示す図であり、図１（ａ）、（ｃ）、（ｅ）、
（ｇ）〜（ｉ）は図３に示したＡ−Ａ線矢視断面図、図
１（ｂ）、（ｄ）、（ｆ）は図３に示したＢ−Ｂ線矢視
断面図である。すなわち、この実施形態例は、図３に示
したごとく、段差部１を有する下地２上に１層目のＡｌ
系パターン３を形成し、その上に層間絶縁膜（図示略）
を介して２層目のＡｌ系パターン４を形成する場合に本
発明の方法を適用した例であり、かつ図５において述べ
たごとく、Ａｌ系パターン３をジャストエッチングで形
成したことにより、段差部残り７が残ってしまった後の
処理に適用した例である。
項２記載のアルミニウム系パターンの形成方法の一実施
形態例を示す図であり、図１（ａ）、（ｃ）、（ｅ）、
（ｇ）〜（ｉ）は図３に示したＡ−Ａ線矢視断面図、図
１（ｂ）、（ｄ）、（ｆ）は図３に示したＢ−Ｂ線矢視
断面図である。すなわち、この実施形態例は、図３に示
したごとく、段差部１を有する下地２上に１層目のＡｌ
系パターン３を形成し、その上に層間絶縁膜（図示略）
を介して２層目のＡｌ系パターン４を形成する場合に本
発明の方法を適用した例であり、かつ図５において述べ
たごとく、Ａｌ系パターン３をジャストエッチングで形
成したことにより、段差部残り７が残ってしまった後の
処理に適用した例である。
【００１８】この実施形態例では、図４に示した従来例
と同様に、下地２上にＡｌ系膜５を形成し、続いてその
上に公知のレジスト法で、すなわちフォトレジスト塗
布、露光・現像によってレジストパターン６を形成す
る。次いで、このレジストパターン６をマスクにして反
応性イオンエッチング（ＲＩＥ）を行い、１層目のＡｌ
系パターン３を形成し、その後レジストパターン６をド
ライアッシングで除去する。このとき、前述したように
ジャストエッチングでストップさせ、Ａｌ系パターン３
を形成することから、段差部１の側部には図１（ｂ）に
示すようにＡｌ系膜５からなる段差部残り７が残ってい
る。
と同様に、下地２上にＡｌ系膜５を形成し、続いてその
上に公知のレジスト法で、すなわちフォトレジスト塗
布、露光・現像によってレジストパターン６を形成す
る。次いで、このレジストパターン６をマスクにして反
応性イオンエッチング（ＲＩＥ）を行い、１層目のＡｌ
系パターン３を形成し、その後レジストパターン６をド
ライアッシングで除去する。このとき、前述したように
ジャストエッチングでストップさせ、Ａｌ系パターン３
を形成することから、段差部１の側部には図１（ｂ）に
示すようにＡｌ系膜５からなる段差部残り７が残ってい
る。
【００１９】そして、このようなエッチングの後、段差
部残り７を除去するべく再度エッチングを行うが、これ
に先立ち、レジストパターン６を除去した後のＡｌ系パ
ターン３を発煙硝酸等で洗浄処理する。すると、Ａｌ系
パターン３の表面は、図５（ａ）に示したように酸化し
て変質層（酸化層）８が形成されてしまう。しかして、
本実施形態例では、このような洗浄処理の後、Ａｌ系パ
ターン３の表面をテトラ−メチル−アンモニウム−ハイ
ドロオキサイド（ＴＭＡＨ）水溶液で接触処理する。こ
のような処理を行うと、Ａｌ系パターン３は、その表面
の変質層（酸化層）が軽くエッチングされ、これにより
図１（ａ）に示すように変質層のないもとのＡｌ系パタ
ーン３が得られる。
部残り７を除去するべく再度エッチングを行うが、これ
に先立ち、レジストパターン６を除去した後のＡｌ系パ
ターン３を発煙硝酸等で洗浄処理する。すると、Ａｌ系
パターン３の表面は、図５（ａ）に示したように酸化し
て変質層（酸化層）８が形成されてしまう。しかして、
本実施形態例では、このような洗浄処理の後、Ａｌ系パ
ターン３の表面をテトラ−メチル−アンモニウム−ハイ
ドロオキサイド（ＴＭＡＨ）水溶液で接触処理する。こ
のような処理を行うと、Ａｌ系パターン３は、その表面
の変質層（酸化層）が軽くエッチングされ、これにより
図１（ａ）に示すように変質層のないもとのＡｌ系パタ
ーン３が得られる。
【００２０】ここで、使用するＴＭＡＨ水溶液として
は、その濃度が０．１〜３．０％程度のものを用いるの
が好ましく、また処理時間については、Ａｌ系パターン
３の表面状態（酸化度）によるものの、Ａｌのエッチレ
ート換算で５ｎｍ程度以上エッチングできる時間処理す
ればよい。また、接触処理として具体的には、処理面に
ＴＭＡＨ水溶液を塗布したり、あるいは処理面をＴＭＡ
Ｈ水溶液中に浸漬するといった従来公知の手法が採られ
る。なお、ＴＭＡＨは、半導体プロセス等において、ポ
ジ型フォトレジストの現像液として一般的に使用されて
いるものであり、界面活性剤が微量添加されたものでも
使用可能である。
は、その濃度が０．１〜３．０％程度のものを用いるの
が好ましく、また処理時間については、Ａｌ系パターン
３の表面状態（酸化度）によるものの、Ａｌのエッチレ
ート換算で５ｎｍ程度以上エッチングできる時間処理す
ればよい。また、接触処理として具体的には、処理面に
ＴＭＡＨ水溶液を塗布したり、あるいは処理面をＴＭＡ
Ｈ水溶液中に浸漬するといった従来公知の手法が採られ
る。なお、ＴＭＡＨは、半導体プロセス等において、ポ
ジ型フォトレジストの現像液として一般的に使用されて
いるものであり、界面活性剤が微量添加されたものでも
使用可能である。
【００２１】次に、ＴＭＡＨ水溶液処理後のＡｌ系パタ
ーン３の上に、従来と同様にして図１（ｃ）に示すよう
に該パターン３より幅の広いレジストパターン９を公知
のリソグラフィ技術、エッチング技術によってＡｌ系パ
ターン３を覆った状態で形成する。このとき、Ａｌ系パ
ターン３は先のＴＭＡＨ水溶液処理によって変質層が除
かれており、これによってフォトレジストとの密着性が
十分に確保されていることから、得られたレジストパタ
ーン９はＡｌ系パターン３と強固に密着したものとな
る。なお、段差部１においては、図１（ｄ）に示すよう
にこのときには依然段差部残り７が除去されずに残って
いる。
ーン３の上に、従来と同様にして図１（ｃ）に示すよう
に該パターン３より幅の広いレジストパターン９を公知
のリソグラフィ技術、エッチング技術によってＡｌ系パ
ターン３を覆った状態で形成する。このとき、Ａｌ系パ
ターン３は先のＴＭＡＨ水溶液処理によって変質層が除
かれており、これによってフォトレジストとの密着性が
十分に確保されていることから、得られたレジストパタ
ーン９はＡｌ系パターン３と強固に密着したものとな
る。なお、段差部１においては、図１（ｄ）に示すよう
にこのときには依然段差部残り７が除去されずに残って
いる。
【００２２】次いで、形成したレジストパターン９をマ
スクにし、ウエットエッチングを行い、これによって図
１（ｆ）に示すように段差部１における段差部残り７を
除去する。このとき、レジストパターン９はＡｌ系パタ
ーン３と強固に密着したものとなっていることから、図
５（ｃ）に示した従来の場合と異なり、エッチャントが
レジストパターン９とＡｌ系パターン３との間に入り込
むことにより該Ａｌ系パターン３がエッチングされるこ
とがなく、したがってＡｌ系パターン３は正常な状態の
ままに維持される。
スクにし、ウエットエッチングを行い、これによって図
１（ｆ）に示すように段差部１における段差部残り７を
除去する。このとき、レジストパターン９はＡｌ系パタ
ーン３と強固に密着したものとなっていることから、図
５（ｃ）に示した従来の場合と異なり、エッチャントが
レジストパターン９とＡｌ系パターン３との間に入り込
むことにより該Ａｌ系パターン３がエッチングされるこ
とがなく、したがってＡｌ系パターン３は正常な状態の
ままに維持される。
【００２３】次いで、図１（ｇ）に示すようにレジスト
パターン９を除去し、続いて図１（ｈ）に示すようにＡ
ｌ系パターン３を覆って層間絶縁膜１０を形成する。す
ると、得られる層間絶縁膜１０は、図５（ｅ）に示した
従来の場合と異なり、異常のないＡｌ系パターン３上を
覆うことから、ステップカバレッジの良好なものとな
る。その後、従来と同様にこの状態からスパッタ法等に
よるＡｌ系膜形成、フォトレジスト塗布、露光・現像、
エッチングといった公知の処理を行うことにより、図１
（ｉ）に示すように二層目のＡｌ系パターン４を形成す
る。すると、層間絶縁膜１０が良好に形成されているこ
とから、Ａｌ系パターン４も図１（ｉ）に示したように
良好な状態に形成される。
パターン９を除去し、続いて図１（ｈ）に示すようにＡ
ｌ系パターン３を覆って層間絶縁膜１０を形成する。す
ると、得られる層間絶縁膜１０は、図５（ｅ）に示した
従来の場合と異なり、異常のないＡｌ系パターン３上を
覆うことから、ステップカバレッジの良好なものとな
る。その後、従来と同様にこの状態からスパッタ法等に
よるＡｌ系膜形成、フォトレジスト塗布、露光・現像、
エッチングといった公知の処理を行うことにより、図１
（ｉ）に示すように二層目のＡｌ系パターン４を形成す
る。すると、層間絶縁膜１０が良好に形成されているこ
とから、Ａｌ系パターン４も図１（ｉ）に示したように
良好な状態に形成される。
【００２４】このように本実施形態例のＡｌ系パターン
の形成方法にあっては、Ａｌ系パターン３をＴＭＡＨ水
溶液で接触処理することにより、該Ａｌ系パターン３形
成後レジストパターンを除去した際に形成される酸化層
をエッチング除去するようにしたので、その後に形成さ
れるレジストパターン９とＡｌ系パターン３との密着性
を良好にすることができ、したがってその後この上に形
成する２層目Ａｌ系パターン４の信頼性を高めることが
できる。
の形成方法にあっては、Ａｌ系パターン３をＴＭＡＨ水
溶液で接触処理することにより、該Ａｌ系パターン３形
成後レジストパターンを除去した際に形成される酸化層
をエッチング除去するようにしたので、その後に形成さ
れるレジストパターン９とＡｌ系パターン３との密着性
を良好にすることができ、したがってその後この上に形
成する２層目Ａｌ系パターン４の信頼性を高めることが
できる。
【００２５】なお、前記形態例では、Ａｌ系パターン３
をＴＭＡＨ水溶液で接触処理するようにしたが、例えば
図２に示すように、下地１１上にＡｌ系膜１２を形成
し、さらにその上にＡｌ系膜１２の一部を露出させた状
態で層間絶縁膜１３を形成した場合の、露出したＡｌ系
膜１２表面の前処理としてＴＭＡＨ水溶液による接触処
理を行ってもよい。すなわち、Ａｌ系膜１２の露出部分
に対してパターニングを行いたい場合、ＴＭＡＨ水溶液
による前処理を行った後、フォトレジスト塗布、露光・
現像、エッチングといった処理を行えば、Ａｌ系膜１２
とフォトレジスト（レジストパターン）との密着性を十
分確保することができることから、エッチングを良好に
行うことができ、これにより高精度のパターン形成を行
うことができる。また、本発明においては、ＴＭＡＨ水
溶液による接触処理後、必要に応じて脱水ベーク処理、
ＨＭＤＥ処理を行ってもよい。
をＴＭＡＨ水溶液で接触処理するようにしたが、例えば
図２に示すように、下地１１上にＡｌ系膜１２を形成
し、さらにその上にＡｌ系膜１２の一部を露出させた状
態で層間絶縁膜１３を形成した場合の、露出したＡｌ系
膜１２表面の前処理としてＴＭＡＨ水溶液による接触処
理を行ってもよい。すなわち、Ａｌ系膜１２の露出部分
に対してパターニングを行いたい場合、ＴＭＡＨ水溶液
による前処理を行った後、フォトレジスト塗布、露光・
現像、エッチングといった処理を行えば、Ａｌ系膜１２
とフォトレジスト（レジストパターン）との密着性を十
分確保することができることから、エッチングを良好に
行うことができ、これにより高精度のパターン形成を行
うことができる。また、本発明においては、ＴＭＡＨ水
溶液による接触処理後、必要に応じて脱水ベーク処理、
ＨＭＤＥ処理を行ってもよい。
【００２６】
【発明の効果】以上説明したように本発明のアルミニウ
ム系パターンの形成方法は、アルミニウム膜あるいはア
ルミニウム化合物膜、もしくはアルミニウム系パターン
をテトラ−メチル−アンモニウム−ハイドロオキサイド
水溶液で接触処理することにより、例えば該膜もしくは
パターン形成後レジストパターンを除去した際、該アル
ミニウム系パターンが発煙硝酸による洗浄処理等によっ
てその表面が酸化していても、テトラ−メチル−アンモ
ニウム−ハイドロオキサイド水溶液によってその酸化層
を軽くエッチングしこれを除去するようにした方法であ
るから、その後に形成されるレジストパターンと前記膜
もしくはパターンとの密着性を良好にすることができ、
これにより高精度のパターン形成を可能にしてデバイス
の歩留り向上を図ることができる。
ム系パターンの形成方法は、アルミニウム膜あるいはア
ルミニウム化合物膜、もしくはアルミニウム系パターン
をテトラ−メチル−アンモニウム−ハイドロオキサイド
水溶液で接触処理することにより、例えば該膜もしくは
パターン形成後レジストパターンを除去した際、該アル
ミニウム系パターンが発煙硝酸による洗浄処理等によっ
てその表面が酸化していても、テトラ−メチル−アンモ
ニウム−ハイドロオキサイド水溶液によってその酸化層
を軽くエッチングしこれを除去するようにした方法であ
るから、その後に形成されるレジストパターンと前記膜
もしくはパターンとの密着性を良好にすることができ、
これにより高精度のパターン形成を可能にしてデバイス
の歩留り向上を図ることができる。
【図１】（ａ）〜（ｉ）は本発明の一実施形態例を工程
順に説明するための要部側断面図である。
順に説明するための要部側断面図である。
【図２】本発明の他の適用例を説明するための要部側断
面図である。
面図である。
【図３】本発明の形成方法が適用されるパターン構造を
説明するための要部平面図である。
説明するための要部平面図である。
【図４】（ａ）〜（ｄ）は従来の課題を説明するための
図であり、（ａ）、（ｂ）は図３のＡ−Ａ線矢視断面
図、（ｃ）、（ｄ）は図３のＢ−Ｂ線矢視断面図であ
る。
図であり、（ａ）、（ｂ）は図３のＡ−Ａ線矢視断面
図、（ｃ）、（ｄ）は図３のＢ−Ｂ線矢視断面図であ
る。
【図５】（ａ）〜（ｆ）は従来の課題を説明するための
図４に続く工程説明図であり、図３のＡ−Ａ線矢視断面
図である。
図４に続く工程説明図であり、図３のＡ−Ａ線矢視断面
図である。
１ 段差部 ２、１１ 下地 ３ Ａｌ系パターン ４ Ａｌ系パターン ５、１２ Ａｌ系膜 ６ レジストパターン ７ 段差部残り ８ 変質層 ９ レジストパターン １０、１３ 層間絶縁膜
Claims (2)
- 【請求項１】 アルミニウム膜あるいはアルミニウム化
合物膜をパターニングしてアルミニウム系パターンを形
成する方法において、 前記アルミニウム膜あるいはアルミニウム化合物膜をテ
トラ−メチル−アンモニウム−ハイドロオキサイドを含
む水溶液で接触処理する工程と、 前記処理後のアルミニウム膜あるいはアルミニウム化合
物膜上にポジ型フォトレジストを塗布する工程と、 前記ポジ型フォトレジストをパターニングしてレジスト
パターンを形成する工程と、 前記レジストパターンをマスクとしてエッチングを行う
工程と、 を備えてなることを特徴とするアルミニウム系パターン
の形成方法。 - 【請求項２】 段差を有する下地上に形成されたアルミ
ニウム膜あるいはアルミニウム化合物膜をパターニング
してアルミニウム系パターンを形成する方法において、 前記アルミニウム膜あるいはアルミニウム化合物膜をフ
ォトレジスト法およびエッチングでパターンニングして
アルミニウム系パターンを形成し、その後レジストパタ
ーンを除去する工程と、 前記アルミニウム系パターンをテトラ−メチル−アンモ
ニウム−ハイドロオキサイドを含む水溶液で接触処理す
る工程と、 前記処理後のアルミニウム系パターン上にポジ型フォト
レジストを塗布する工程と、 前記ポジ型フォトレジストをパターニングし、前記アル
ミニウム系パターンより幅の広いレジストパターンを該
アルミニウム系パターンを覆った状態で形成する工程
と、 前記レジストパターンをマスクとしてウエットエッチン
グを行う工程と、 を備えてなることを特徴とするアルミニウム系パターン
の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7248997A JPH0992655A (ja) | 1995-09-27 | 1995-09-27 | アルミニウム系パターンの形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7248997A JPH0992655A (ja) | 1995-09-27 | 1995-09-27 | アルミニウム系パターンの形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0992655A true JPH0992655A (ja) | 1997-04-04 |
Family
ID=17186481
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7248997A Pending JPH0992655A (ja) | 1995-09-27 | 1995-09-27 | アルミニウム系パターンの形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0992655A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20000007554A (ko) * | 1998-07-04 | 2000-02-07 | 윤종용 | 반도체장치의 제조를 위한 알루미늄막의 에칭방법 |
| JP2009069852A (ja) * | 2001-11-02 | 2009-04-02 | Samsung Electronics Co Ltd | 反射−透過型液晶表示装置の製造方法 |
-
1995
- 1995-09-27 JP JP7248997A patent/JPH0992655A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20000007554A (ko) * | 1998-07-04 | 2000-02-07 | 윤종용 | 반도체장치의 제조를 위한 알루미늄막의 에칭방법 |
| JP2009069852A (ja) * | 2001-11-02 | 2009-04-02 | Samsung Electronics Co Ltd | 反射−透過型液晶表示装置の製造方法 |
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Legal Events
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