JPH0992655A - アルミニウム系パターンの形成方法 - Google Patents
アルミニウム系パターンの形成方法Info
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- JPH0992655A JPH0992655A JP7248997A JP24899795A JPH0992655A JP H0992655 A JPH0992655 A JP H0992655A JP 7248997 A JP7248997 A JP 7248997A JP 24899795 A JP24899795 A JP 24899795A JP H0992655 A JPH0992655 A JP H0992655A
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Abstract
を十分に確保することのできる、アルミニウム系パター
ンの形成方法の提供が望まれている。 【解決手段】 段差を有する下地上に形成されたAl系
膜をパターニングしてAl系パターンを形成する方法で
ある。まず、Al系膜をフォトレジスト法、エッチング
でパターンニングしてAl系パターン3を形成し、その
後レジストパターンを除去する。次に、Al系パターン
をテトラ−メチル−アンモニウム−ハイドロオキサイド
を含む水溶液で接触処理する。次いで、処理後のAl系
パターン3上にポジ型フォトレジストを塗布パターニン
グし、Al系パターン3より幅の広いレジストパターン
9をAl系パターンを覆った状態で形成する。その後、
レジストパターンをマスクとしてウエットエッチングを
行う。
Description
表示素子の製造プロセスにおいて、アルミニウム膜ある
いはアルミニウム化合物膜をパターニングしてアルミニ
ウム系パターンを形成する方法に関する。
スにおいて、主に配線パターンとなるアルミニウム系パ
ターン(以下、Al系パターンと称する)、すなわちア
ルミニウムパターン(Alパターン)やアルミニウム化
合物パターン(Al化合物パターン)を形成するには、
アルミニウム膜(Al膜)やアルミニウム化合物膜(A
l化合物膜)の上にフォトレジストを塗布し、公知のリ
ソグラフィ技術によりこれを露光・現像してパターンニ
ングし、その後得られたレジストパターンをマスクにし
てエッチングを行い、AlパターンやAl化合物パター
ンを得ている。
ては、エッチング時にレジストパターンをマスクとして
十分に機能させるため、Al膜やAl化合物膜(以下、
Al系膜と略称する)とこれの上に形成するフォトレジ
ストとの間に十分な密着性を確保する必要がある。そし
て、このような密着性を確保するためには、従来、例え
ばフォトレジストを塗布する前に脱水ベーク(Dehydrat
e Bake)を行うなどといった手法が採られている。
わせズレが生じたり、現像残りがある場合には、形成し
たレジストパターンを一旦剥離した後、再度レジストパ
ターンを形成する必要が生じることがある。しかしなが
ら、このようなレジストパターンの再形成を行う場合に
は、通常レジストパターンをO2 プラズマによるドライ
アッシングによって剥離した後、発煙硝酸等によって洗
浄を行うものの、先のレジストパターン形成時における
密着性確保のための処理が単に脱水ベークのみである
と、発煙硝酸等による処理時にAl系膜5の表面が変質
(酸化)してしまい、その後に形成するレジストパター
ンとの密着性が著しく低下し、これによりパターニング
不良が起きやすくなってしまう。
を有する下地2上に1層目のAl系パターン3を形成
し、その上に層間絶縁膜(図示略)を介して2層目のA
l系パターン4を形成する場合、まず、図4(a)に示
すように下地2上にAl系膜5を形成し、続いてその上
に公知のレジスト法によってレジストパターン6を形成
する。次いで、このレジストパターン6をマスクにして
反応性イオンエッチング(RIE)を行い、図4(b)
に示すように1層目のAl系パターン3を形成し、その
後レジストパターン6をドライアッシングで除去する。
なお、図4(a)、(b)は、図3におけるA−A線矢
視断面図である。
て、図3におけるB−B線矢視断面部分、すなわち段差
部1上では、図4(a)に示したAl系膜5の形成時に
おいて、該Al系膜5が図4(c)に示すように段差部
1を覆った状態で形成されている。なお、段差部1は実
際には複雑な凹凸を有するものであるが、この説明で
は、便宜上図4に示すような単純な段差のものとする。
そして、図4(b)に示したAl系膜5のエッチング後
では、特に下地2の膜減りを極力抑えるべくエッチング
をジャストエッチングでストップさせた場合、図4
(d)に示すように段差部1の側部にAl系膜5からな
る段差部残り7が残ってしまう。
た場合、この段差部残り7を除去してAl系パターン
3、3間等のショートを防ぐため、通常は先の例と同様
にレジストパターン6を除去した後、図5(a)に示す
ようにAl系パターン3を発煙硝酸等で洗浄処理する。
すると、Al系パターン3は、前述したようにフォトレ
ジストパターン形成時における密着性確保のための処理
が単に脱水ベークのみであると、発煙硝酸等による処理
によってその表面が酸化し、変質層(酸化層)8を形成
してしまう。
上に、図5(b)に示すように該パターン3より幅の広
いレジストパターン9を公知のリソグラフィ技術、エッ
チング技術によって該Al系パターン3を覆った状態で
形成する。その後、形成したレジストパターン9をマス
クにし、ウエットエッチングを行うことによって先の段
差部残り7を除去する。ところが、このようなウエット
エッチングを行うと、前述したように変質層8によって
Al系パターン3とレジストパターン9との密着性が不
十分であることから、該レジストパターン9と下地2と
の僅かな隙間よりエッチャントが入り込み、さらにこの
エッチャントがレジストパターン9とAl系パターン3
との間に入り込んで図5(c)に示すようにAl系パタ
ーン3の側面をエッチングしてしまう。
面がエッチングされた状態でその後のプロセスを進める
と、すなわち図5(d)に示すようにレジストパターン
9を除去し、続いて図5(e)に示すようにAl系パタ
ーン3を覆って層間絶縁膜10を形成すると、得られる
層間絶縁膜10は、図5(e)に示したようにAl系パ
ターン3の形状異常によりステップカバレッジが悪くな
ってしまう。そしてさらに、この状態からAl系膜形
成、フォトレジスト塗布、露光・現像、エッチングとい
った公知の処理によって図5(f)に示すように二層目
のAl系パターン4を形成すると、図5(f)に示した
ようにAl系パターン4に断線が生じ、あるいは生じ易
くなってしまう。
ターン9との密着性が不十分であることに起因して、層
間絶縁膜10のステップカバレッジが悪くなり、これに
より2層目のAl系パターン4の信頼性が損なわれてし
まうのである。このように、Al系膜あるいはAl系パ
ターンとフォトレジストとの密着性の確保については、
ウエットエッチング、ドライエッチング+ウエットエッ
チングといったプロセスでは特に重要な問題となってい
るのである。
で、その目的とするところは、Al系パターンとフォト
レジストとの密着性を十分に確保することのできる、ア
ルミニウム系パターンの形成方法を提供することにあ
る。
記載のアルミニウム系パターンの形成方法では、アルミ
ニウム膜あるいはアルミニウム化合物膜をテトラ−メチ
ル−アンモニウム−ハイドロオキサイドを含む水溶液
(以下、テトラ−メチル−アンモニウム−ハイドロオキ
サイド水溶液と称する)で接触処理する工程と、処理後
のアルミニウム膜あるいはアルミニウム化合物膜上にポ
ジ型フォトレジストを塗布する工程と、前記ポジ型フォ
トレジストをパターニングしてレジストパターンを形成
する工程と、前記レジストパターンをマスクとしてエッ
チングを行う工程と、を備えてなることを前記課題の解
決手段とした。
よれば、アルミニウム膜あるいはアルミニウム化合物膜
をテトラ−メチル−アンモニウム−ハイドロオキサイド
水溶液で接触処理するので、例えば前記アルミニウム膜
あるいはアルミニウム化合物膜が発煙硝酸による洗浄処
理等によってその表面が酸化していても、テトラ−メチ
ル−アンモニウム−ハイドロオキサイド水溶液によって
その酸化層が軽くエッチングされ、したがってその後に
形成されるレジストパターンと該アルミニウム膜あるい
はアルミニウム化合物膜との密着性が良好になる。
形成方法では、アルミニウム膜あるいはアルミニウム化
合物膜をフォトレジスト法およびエッチングでパターン
ニングしてアルミニウム系パターンを形成し、その後レ
ジストパターンを除去する工程と、前記アルミニウム系
パターンをテトラ−メチル−アンモニウム−ハイドロオ
キサイド水溶液(テトラ−メチル−アンモニウム−ハイ
ドロオキサイドを含む水溶液)で接触処理する工程と、
前記処理後のアルミニウム系パターン上にポジ型フォト
レジストを塗布する工程と、前記ポジ型フォトレジスト
をパターニングし、前記アルミニウム系パターンより幅
の広いレジストパターンを該アルミニウム系パターンを
覆った状態で形成する工程と、前記レジストパターンを
マスクとしてウエットエッチングを行う工程と、を備え
てなることを前記課題の解決手段とした。
よれば、アルミニウム系パターンをテトラ−メチル−ア
ンモニウム−ハイドロオキサイド水溶液で接触処理する
ので、例えば前記アルミニウム系パターン形成後レジス
トパターンを除去した際、該アルミニウム系パターンが
発煙硝酸による洗浄処理等によってその表面が酸化して
いても、テトラ−メチル−アンモニウム−ハイドロオキ
サイド水溶液によってその酸化層が軽くエッチングさ
れ、したがってその後に形成されるレジストパターンと
該アルミニウム系パターンとの密着性が良好になる。
ターンの形成方法をその実施の形態例により詳しく説明
する。本発明で言うアルミニウム系(Al系)との意味
は、アルミニウム(Al)およびアルミニウム化合物
(Al化合物)の両者を指し、またアルミニウム化合物
として具体的には、Al−Si系化合物、Al−Cu系
化合物、Al−Sc系化合物等が挙げられる。
項2記載のアルミニウム系パターンの形成方法の一実施
形態例を示す図であり、図1(a)、(c)、(e)、
(g)〜(i)は図3に示したA−A線矢視断面図、図
1(b)、(d)、(f)は図3に示したB−B線矢視
断面図である。すなわち、この実施形態例は、図3に示
したごとく、段差部1を有する下地2上に1層目のAl
系パターン3を形成し、その上に層間絶縁膜(図示略)
を介して2層目のAl系パターン4を形成する場合に本
発明の方法を適用した例であり、かつ図5において述べ
たごとく、Al系パターン3をジャストエッチングで形
成したことにより、段差部残り7が残ってしまった後の
処理に適用した例である。
と同様に、下地2上にAl系膜5を形成し、続いてその
上に公知のレジスト法で、すなわちフォトレジスト塗
布、露光・現像によってレジストパターン6を形成す
る。次いで、このレジストパターン6をマスクにして反
応性イオンエッチング(RIE)を行い、1層目のAl
系パターン3を形成し、その後レジストパターン6をド
ライアッシングで除去する。このとき、前述したように
ジャストエッチングでストップさせ、Al系パターン3
を形成することから、段差部1の側部には図1(b)に
示すようにAl系膜5からなる段差部残り7が残ってい
る。
部残り7を除去するべく再度エッチングを行うが、これ
に先立ち、レジストパターン6を除去した後のAl系パ
ターン3を発煙硝酸等で洗浄処理する。すると、Al系
パターン3の表面は、図5(a)に示したように酸化し
て変質層(酸化層)8が形成されてしまう。しかして、
本実施形態例では、このような洗浄処理の後、Al系パ
ターン3の表面をテトラ−メチル−アンモニウム−ハイ
ドロオキサイド(TMAH)水溶液で接触処理する。こ
のような処理を行うと、Al系パターン3は、その表面
の変質層(酸化層)が軽くエッチングされ、これにより
図1(a)に示すように変質層のないもとのAl系パタ
ーン3が得られる。
は、その濃度が0.1〜3.0%程度のものを用いるの
が好ましく、また処理時間については、Al系パターン
3の表面状態(酸化度)によるものの、Alのエッチレ
ート換算で5nm程度以上エッチングできる時間処理す
ればよい。また、接触処理として具体的には、処理面に
TMAH水溶液を塗布したり、あるいは処理面をTMA
H水溶液中に浸漬するといった従来公知の手法が採られ
る。なお、TMAHは、半導体プロセス等において、ポ
ジ型フォトレジストの現像液として一般的に使用されて
いるものであり、界面活性剤が微量添加されたものでも
使用可能である。
ーン3の上に、従来と同様にして図1(c)に示すよう
に該パターン3より幅の広いレジストパターン9を公知
のリソグラフィ技術、エッチング技術によってAl系パ
ターン3を覆った状態で形成する。このとき、Al系パ
ターン3は先のTMAH水溶液処理によって変質層が除
かれており、これによってフォトレジストとの密着性が
十分に確保されていることから、得られたレジストパタ
ーン9はAl系パターン3と強固に密着したものとな
る。なお、段差部1においては、図1(d)に示すよう
にこのときには依然段差部残り7が除去されずに残って
いる。
スクにし、ウエットエッチングを行い、これによって図
1(f)に示すように段差部1における段差部残り7を
除去する。このとき、レジストパターン9はAl系パタ
ーン3と強固に密着したものとなっていることから、図
5(c)に示した従来の場合と異なり、エッチャントが
レジストパターン9とAl系パターン3との間に入り込
むことにより該Al系パターン3がエッチングされるこ
とがなく、したがってAl系パターン3は正常な状態の
ままに維持される。
パターン9を除去し、続いて図1(h)に示すようにA
l系パターン3を覆って層間絶縁膜10を形成する。す
ると、得られる層間絶縁膜10は、図5(e)に示した
従来の場合と異なり、異常のないAl系パターン3上を
覆うことから、ステップカバレッジの良好なものとな
る。その後、従来と同様にこの状態からスパッタ法等に
よるAl系膜形成、フォトレジスト塗布、露光・現像、
エッチングといった公知の処理を行うことにより、図1
(i)に示すように二層目のAl系パターン4を形成す
る。すると、層間絶縁膜10が良好に形成されているこ
とから、Al系パターン4も図1(i)に示したように
良好な状態に形成される。
の形成方法にあっては、Al系パターン3をTMAH水
溶液で接触処理することにより、該Al系パターン3形
成後レジストパターンを除去した際に形成される酸化層
をエッチング除去するようにしたので、その後に形成さ
れるレジストパターン9とAl系パターン3との密着性
を良好にすることができ、したがってその後この上に形
成する2層目Al系パターン4の信頼性を高めることが
できる。
をTMAH水溶液で接触処理するようにしたが、例えば
図2に示すように、下地11上にAl系膜12を形成
し、さらにその上にAl系膜12の一部を露出させた状
態で層間絶縁膜13を形成した場合の、露出したAl系
膜12表面の前処理としてTMAH水溶液による接触処
理を行ってもよい。すなわち、Al系膜12の露出部分
に対してパターニングを行いたい場合、TMAH水溶液
による前処理を行った後、フォトレジスト塗布、露光・
現像、エッチングといった処理を行えば、Al系膜12
とフォトレジスト(レジストパターン)との密着性を十
分確保することができることから、エッチングを良好に
行うことができ、これにより高精度のパターン形成を行
うことができる。また、本発明においては、TMAH水
溶液による接触処理後、必要に応じて脱水ベーク処理、
HMDE処理を行ってもよい。
ム系パターンの形成方法は、アルミニウム膜あるいはア
ルミニウム化合物膜、もしくはアルミニウム系パターン
をテトラ−メチル−アンモニウム−ハイドロオキサイド
水溶液で接触処理することにより、例えば該膜もしくは
パターン形成後レジストパターンを除去した際、該アル
ミニウム系パターンが発煙硝酸による洗浄処理等によっ
てその表面が酸化していても、テトラ−メチル−アンモ
ニウム−ハイドロオキサイド水溶液によってその酸化層
を軽くエッチングしこれを除去するようにした方法であ
るから、その後に形成されるレジストパターンと前記膜
もしくはパターンとの密着性を良好にすることができ、
これにより高精度のパターン形成を可能にしてデバイス
の歩留り向上を図ることができる。
順に説明するための要部側断面図である。
面図である。
説明するための要部平面図である。
図であり、(a)、(b)は図3のA−A線矢視断面
図、(c)、(d)は図3のB−B線矢視断面図であ
る。
図4に続く工程説明図であり、図3のA−A線矢視断面
図である。
Claims (2)
- 【請求項1】 アルミニウム膜あるいはアルミニウム化
合物膜をパターニングしてアルミニウム系パターンを形
成する方法において、 前記アルミニウム膜あるいはアルミニウム化合物膜をテ
トラ−メチル−アンモニウム−ハイドロオキサイドを含
む水溶液で接触処理する工程と、 前記処理後のアルミニウム膜あるいはアルミニウム化合
物膜上にポジ型フォトレジストを塗布する工程と、 前記ポジ型フォトレジストをパターニングしてレジスト
パターンを形成する工程と、 前記レジストパターンをマスクとしてエッチングを行う
工程と、 を備えてなることを特徴とするアルミニウム系パターン
の形成方法。 - 【請求項2】 段差を有する下地上に形成されたアルミ
ニウム膜あるいはアルミニウム化合物膜をパターニング
してアルミニウム系パターンを形成する方法において、 前記アルミニウム膜あるいはアルミニウム化合物膜をフ
ォトレジスト法およびエッチングでパターンニングして
アルミニウム系パターンを形成し、その後レジストパタ
ーンを除去する工程と、 前記アルミニウム系パターンをテトラ−メチル−アンモ
ニウム−ハイドロオキサイドを含む水溶液で接触処理す
る工程と、 前記処理後のアルミニウム系パターン上にポジ型フォト
レジストを塗布する工程と、 前記ポジ型フォトレジストをパターニングし、前記アル
ミニウム系パターンより幅の広いレジストパターンを該
アルミニウム系パターンを覆った状態で形成する工程
と、 前記レジストパターンをマスクとしてウエットエッチン
グを行う工程と、 を備えてなることを特徴とするアルミニウム系パターン
の形成方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7248997A JPH0992655A (ja) | 1995-09-27 | 1995-09-27 | アルミニウム系パターンの形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7248997A JPH0992655A (ja) | 1995-09-27 | 1995-09-27 | アルミニウム系パターンの形成方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0992655A true JPH0992655A (ja) | 1997-04-04 |
Family
ID=17186481
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP7248997A Pending JPH0992655A (ja) | 1995-09-27 | 1995-09-27 | アルミニウム系パターンの形成方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0992655A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20000007554A (ko) * | 1998-07-04 | 2000-02-07 | 윤종용 | 반도체장치의 제조를 위한 알루미늄막의 에칭방법 |
JP2009069852A (ja) * | 2001-11-02 | 2009-04-02 | Samsung Electronics Co Ltd | 反射−透過型液晶表示装置の製造方法 |
-
1995
- 1995-09-27 JP JP7248997A patent/JPH0992655A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20000007554A (ko) * | 1998-07-04 | 2000-02-07 | 윤종용 | 반도체장치의 제조를 위한 알루미늄막의 에칭방법 |
JP2009069852A (ja) * | 2001-11-02 | 2009-04-02 | Samsung Electronics Co Ltd | 反射−透過型液晶表示装置の製造方法 |
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