JPH1197411A - 半導体装置および、その製造方法 - Google Patents
半導体装置および、その製造方法Info
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- JPH1197411A JPH1197411A JP25107297A JP25107297A JPH1197411A JP H1197411 A JPH1197411 A JP H1197411A JP 25107297 A JP25107297 A JP 25107297A JP 25107297 A JP25107297 A JP 25107297A JP H1197411 A JPH1197411 A JP H1197411A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】半導体装置のウエーハ外周部の構造およびその
製造方法に関し、ウエーハ外周部に高融点シリサイド
膜、金属膜を残すことなく配線を形成し、ウエーハ外周
部からのパーティクルの発生を防止する。 【解決手段】電極や配線形成の際に、ドライエッチング
装置のウエーハクランプ跡に残った高融点シリサイド膜
や金属膜を除去する為に、まずレジストをウエーハ全面
に塗布し、ドライエッチング装置のクランプ跡を含むウ
エーハ外周部のみ露光現像を行いレジストを除去する。
次にウエットエッチングを行い、外周部に残った高融点
シリサイド膜、金属膜２０４を除去する。エッチング液
としては、フッ化アンモニウムとフッ酸の混合液を使用
し、レジストを除去することなく高融点シリサイド膜、
金属膜を下層のシリコン酸化膜とともに除去する。金属
膜がＡｌまたは、Ａｌ合金の場合には、リン酸、硝酸、
酢酸の混合液を使用する。
製造方法に関し、ウエーハ外周部に高融点シリサイド
膜、金属膜を残すことなく配線を形成し、ウエーハ外周
部からのパーティクルの発生を防止する。 【解決手段】電極や配線形成の際に、ドライエッチング
装置のウエーハクランプ跡に残った高融点シリサイド膜
や金属膜を除去する為に、まずレジストをウエーハ全面
に塗布し、ドライエッチング装置のクランプ跡を含むウ
エーハ外周部のみ露光現像を行いレジストを除去する。
次にウエットエッチングを行い、外周部に残った高融点
シリサイド膜、金属膜２０４を除去する。エッチング液
としては、フッ化アンモニウムとフッ酸の混合液を使用
し、レジストを除去することなく高融点シリサイド膜、
金属膜を下層のシリコン酸化膜とともに除去する。金属
膜がＡｌまたは、Ａｌ合金の場合には、リン酸、硝酸、
酢酸の混合液を使用する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置のウエ
ーハ外周部の構造およびその製造方法に関する。
ーハ外周部の構造およびその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の半導体装置のウエーハ外周部の構
造は、基本的には図３のような構造であった。半導体装
置のゲート電極、金属配線を形成する場合、ウエーハ全
面に高融点シリサイド膜、金属膜を成膜し、ウエーハ全
面にレジストを塗布し、配線パターンを露光転写し現像
する。この時同時にドライエッチング装置のウエーハク
ランプとレジストの接触によるウエーハクランプの汚染
を防ぐためウエーハ外周部全周も露光現像を行う。次に
ドライエッチングによりゲート電極、金属配線を形成す
る。その時にドライエッチング装置のウエーハクランプ
下の高融点シリサイド膜、金属膜はエッチングされずに
ウエーハ外周部に残っていた。
造は、基本的には図３のような構造であった。半導体装
置のゲート電極、金属配線を形成する場合、ウエーハ全
面に高融点シリサイド膜、金属膜を成膜し、ウエーハ全
面にレジストを塗布し、配線パターンを露光転写し現像
する。この時同時にドライエッチング装置のウエーハク
ランプとレジストの接触によるウエーハクランプの汚染
を防ぐためウエーハ外周部全周も露光現像を行う。次に
ドライエッチングによりゲート電極、金属配線を形成す
る。その時にドライエッチング装置のウエーハクランプ
下の高融点シリサイド膜、金属膜はエッチングされずに
ウエーハ外周部に残っていた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、前述の従来技
術では、ゲート電極、金属配線を形成する場合にドライ
エッチング装置のウエーハクランプ跡に残った高融点シ
リサイド膜、金属膜３０４が原因となり、配線形成工程
以降の酸化熱処理によって異常酸化が起こり、膜はがれ
が発生する。この膜はがれによってパーティクルがウエ
ーハ外周部より発生し製品領域に飛散することにより、
半導体装置の配線の断線、短絡の原因となる。そのため
半導体装置の信頼性、良品率が低下する、という課題を
有する。そこで本発明はこのような課題を解決するもの
で、その目的とするところは、ウエーハ外周部に高融点
シリサイド膜、金属膜を残すことなく配線を形成し、ウ
エーハ外周部からのパーティクルの発生を防止し、信頼
性が高く、良品率の良好な半導体装置を提供するところ
にある。
術では、ゲート電極、金属配線を形成する場合にドライ
エッチング装置のウエーハクランプ跡に残った高融点シ
リサイド膜、金属膜３０４が原因となり、配線形成工程
以降の酸化熱処理によって異常酸化が起こり、膜はがれ
が発生する。この膜はがれによってパーティクルがウエ
ーハ外周部より発生し製品領域に飛散することにより、
半導体装置の配線の断線、短絡の原因となる。そのため
半導体装置の信頼性、良品率が低下する、という課題を
有する。そこで本発明はこのような課題を解決するもの
で、その目的とするところは、ウエーハ外周部に高融点
シリサイド膜、金属膜を残すことなく配線を形成し、ウ
エーハ外周部からのパーティクルの発生を防止し、信頼
性が高く、良品率の良好な半導体装置を提供するところ
にある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体装置は、
高融点シリサイド膜、金属膜のドライエッチング装置の
ウエーハクランプ跡を含むウエーハ外周部のみをウエッ
トエッチングし配線形成時にドライエッチング装置のウ
エーハクランプ跡に残った高融点シリサイド膜、金属膜
を除去しウエーハ外周部に高融点シリサイド膜、金属膜
がないことを特徴とする。
高融点シリサイド膜、金属膜のドライエッチング装置の
ウエーハクランプ跡を含むウエーハ外周部のみをウエッ
トエッチングし配線形成時にドライエッチング装置のウ
エーハクランプ跡に残った高融点シリサイド膜、金属膜
を除去しウエーハ外周部に高融点シリサイド膜、金属膜
がないことを特徴とする。
【０００５】本発明の半導体装置の製造方法は、高融点
シリサイド膜、金属膜のドライエッチング装置のウエー
ハクランプ跡を含むウエーハ外周部のみをウエットエッ
チングし配線形成時にドライエッチング装置のウエーハ
クランプ跡に残った高融点シリサイド膜、金属膜を除去
しウエーハ外周部に高融点シリサイド膜、金属膜を残さ
ないことを特徴とする。
シリサイド膜、金属膜のドライエッチング装置のウエー
ハクランプ跡を含むウエーハ外周部のみをウエットエッ
チングし配線形成時にドライエッチング装置のウエーハ
クランプ跡に残った高融点シリサイド膜、金属膜を除去
しウエーハ外周部に高融点シリサイド膜、金属膜を残さ
ないことを特徴とする。
【０００６】
【発明の実施の形態】本発明の半導体装置は、図１に示
される構造をしている。
される構造をしている。
【０００７】以下、詳細ついて工程を追いながら説明し
ていく（図２）。
ていく（図２）。
【０００８】はじめに、ゲート電極または、金属配線を
形成するために、ウエーハ全面にスパッタリング法、ま
たはＣＶＤ法を用いて高融点シリサイド膜、金属膜を成
膜する。
形成するために、ウエーハ全面にスパッタリング法、ま
たはＣＶＤ法を用いて高融点シリサイド膜、金属膜を成
膜する。
【０００９】次にレジストをウエーハ全面に塗布し配線
パターン２０３を露光転写し現像する。この時配線パタ
ーンと同時にウエーハ外周部全周を露光、現像しウエー
ハ外周部全周にレジストが残らないようにする。理由
は、ドライエッチング装置のウエーハクランプとレジス
トが接触しウエーハクランプが汚染されるのを防止する
ためである（ａ工程）。
パターン２０３を露光転写し現像する。この時配線パタ
ーンと同時にウエーハ外周部全周を露光、現像しウエー
ハ外周部全周にレジストが残らないようにする。理由
は、ドライエッチング装置のウエーハクランプとレジス
トが接触しウエーハクランプが汚染されるのを防止する
ためである（ａ工程）。
【００１０】次に、ドライエッチングにより配線パター
ン２０５を形成し、その後レジストを除去する。この時
ドライエッチング装置のウエーハクランプ下の高融点シ
リサイド膜、金属膜２０４がドライエッチングされずに
残る（ｂ工程）。
ン２０５を形成し、その後レジストを除去する。この時
ドライエッチング装置のウエーハクランプ下の高融点シ
リサイド膜、金属膜２０４がドライエッチングされずに
残る（ｂ工程）。
【００１１】次に、再びレジストをウエーハ全面に塗布
しドライエッチング装置のクランプ跡を含むウエーハ外
周部全周のみ露光現像を行いレジストを除去する（ｃ工
程）。
しドライエッチング装置のクランプ跡を含むウエーハ外
周部全周のみ露光現像を行いレジストを除去する（ｃ工
程）。
【００１２】次に、ウエットエッチングを行い、外周部
に残った高融点シリサイド膜、金属膜２０４を除去する
（ｄ工程）。エッチング液としては、フッ化アンモニウ
ムとフッ酸の混合液を使用しレジストを除去することな
く高融点シリサイド膜、金属膜を下層のシリコン酸化膜
とともに除去する。金属膜がＡｌまたは、Ａｌ合金の場
合には、リン酸、硝酸、酢酸の混合液を使用して除去す
ることも可能である。
に残った高融点シリサイド膜、金属膜２０４を除去する
（ｄ工程）。エッチング液としては、フッ化アンモニウ
ムとフッ酸の混合液を使用しレジストを除去することな
く高融点シリサイド膜、金属膜を下層のシリコン酸化膜
とともに除去する。金属膜がＡｌまたは、Ａｌ合金の場
合には、リン酸、硝酸、酢酸の混合液を使用して除去す
ることも可能である。
【００１３】次に、レジストを除去する（ｅ工程）。
【００１４】以上で本発明の半導体装置が形成される。
【００１５】
【発明の効果】以上述べたように本発明によれば配線形
成時にドライエッチング装置のウエーハクランプ部に残
った高融点シリサイド膜、金属膜を除去することによ
り、ウエーハ外周部からの膜はがれを防止できる。その
ため、ウエーハ外周部からのパーティクルの発生を抑制
し、パーティクルが原因となる配線の断線、短絡を低減
することができ、信頼性が高く、良品率が良好な半導体
装置が提供できるという効果を有する。
成時にドライエッチング装置のウエーハクランプ部に残
った高融点シリサイド膜、金属膜を除去することによ
り、ウエーハ外周部からの膜はがれを防止できる。その
ため、ウエーハ外周部からのパーティクルの発生を抑制
し、パーティクルが原因となる配線の断線、短絡を低減
することができ、信頼性が高く、良品率が良好な半導体
装置が提供できるという効果を有する。
【図１】本発明の半導体装置のウエーハ外周部の構造を
示す図。
示す図。
【図２】本発明の半導体装置の製造工程毎の平面および
断面図。
断面図。
【図３】従来の半導体装置のウエーハ外周部の構造を示
す図。
す図。
１０１・・・シリコン基板 １０２・・・ウエーハ外周部露光跡 １０３・・・配線パターン ２０１・・・シリコン基板 ２０２・・・ウエーハ外周部露光跡 ２０３・・・露光現像された配線パターン ２０４・・・ウエーハ外周部に残った高融点シリサイド
膜、金属膜 ２０５・・・ドライエッチングにより形成された配線パ
ターン ２０６・・・レジスト ３０１・・・シリコン基板 ３０２・・・ウエーハ外周部露光跡 ３０３・・・配線パターン ３０４・・・ウエーハ外周部に残った高融点シリサイド
膜、金属膜
膜、金属膜 ２０５・・・ドライエッチングにより形成された配線パ
ターン ２０６・・・レジスト ３０１・・・シリコン基板 ３０２・・・ウエーハ外周部露光跡 ３０３・・・配線パターン ３０４・・・ウエーハ外周部に残った高融点シリサイド
膜、金属膜
Claims (2)
- 【請求項１】高融点シリサイド膜、金属膜のドライエッ
チング装置のウエーハクランプ跡を含むウエーハ外周部
のみをウエットエッチングし、配線形成時にドライエッ
チング装置のウエーハクランプ跡に残った高融点シリサ
イド膜、金属膜を除去しウエーハ外周部に高融点シリサ
イド膜、金属膜がないことを特徴とする半導体装置。 - 【請求項２】高融点シリサイド膜、金属膜のドライエッ
チング装置のウエーハクランプ跡を含むウエーハ外周部
のみをウエットエッチングし、配線形成時にドライエッ
チング装置のウエーハクランプ跡に残った高融点シリサ
イド膜、金属膜を除去しウエーハ外周部に高融点シリサ
イド膜、金属膜を残さないことを特徴とする半導体装置
の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25107297A JPH1197411A (ja) | 1997-09-16 | 1997-09-16 | 半導体装置および、その製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25107297A JPH1197411A (ja) | 1997-09-16 | 1997-09-16 | 半導体装置および、その製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1197411A true JPH1197411A (ja) | 1999-04-09 |
Family
ID=17217220
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25107297A Withdrawn JPH1197411A (ja) | 1997-09-16 | 1997-09-16 | 半導体装置および、その製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1197411A (ja) |
-
1997
- 1997-09-16 JP JP25107297A patent/JPH1197411A/ja not_active Withdrawn
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20041207 |