JPH01270332A - 半導体装置における電極配線の形成方法 - Google Patents
半導体装置における電極配線の形成方法Info
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- JPH01270332A JPH01270332A JP10063488A JP10063488A JPH01270332A JP H01270332 A JPH01270332 A JP H01270332A JP 10063488 A JP10063488 A JP 10063488A JP 10063488 A JP10063488 A JP 10063488A JP H01270332 A JPH01270332 A JP H01270332A
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- Weting (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔！Ｑ 要〕
半導体装置における配線電極の形成方法に関し、エッチ
ングによる配線電極の細りを少なくすることを目的とし
、 半導体装置用ウニハトに形成した配線電極形成用の１電
性金属膜に電極用のマスクを形成する電極用マスク形成
手段と、該電極用マスク形成手段を施した上記金属膜を
エツチング液に浸漬して途中までエツチングするウェッ
トエッチング手段と、該ウェットエツチング手段を経た
上記ウェハ上の上記金属膜をさらにドライエツチング法
により腐食するドライエツチング手段とを含み構成する
。
ングによる配線電極の細りを少なくすることを目的とし
、 半導体装置用ウニハトに形成した配線電極形成用の１電
性金属膜に電極用のマスクを形成する電極用マスク形成
手段と、該電極用マスク形成手段を施した上記金属膜を
エツチング液に浸漬して途中までエツチングするウェッ
トエッチング手段と、該ウェットエツチング手段を経た
上記ウェハ上の上記金属膜をさらにドライエツチング法
により腐食するドライエツチング手段とを含み構成する
。
本発明は、半導体装置における配線電極の形成方法に関
する。
する。
オーディオアンプやモータ駆動に使用する半導体集積回
路に設ける配線電極は、パターンの幅やＶ厚を大きくし
て断面禎を増やし、大きな？ｉｉ流を流せるようにして
いる。
路に設ける配線電極は、パターンの幅やＶ厚を大きくし
て断面禎を増やし、大きな？ｉｉ流を流せるようにして
いる。
そして、この種の配線電極を形成する場合には、レジス
トを塗布してパターン化したマスクを配線電極用金属膜
の上に形成し、エツチングにより金［１ｆｆをパターン
化するようにしている。
トを塗布してパターン化したマスクを配線電極用金属膜
の上に形成し、エツチングにより金［１ｆｆをパターン
化するようにしている。
しかし、エツチング手段としてドライエツチングを使用
する場合には、例えば第３図（ａ）に見られるように、
配線電極形成用の金属Ｗ１．１ Ｆに設けたマスク３が
庚化して消失してしまうため、金属膜ｌの上部が削り取
られて薄くなるといった問題がある。
する場合には、例えば第３図（ａ）に見られるように、
配線電極形成用の金属Ｗ１．１ Ｆに設けたマスク３が
庚化して消失してしまうため、金属膜ｌの上部が削り取
られて薄くなるといった問題がある。
もとより、マスク３を厚くシて灰化を防止することもで
きるが、第３図（ｂ）に示したように、マスク３形成用
のレジスト剤３０を厚く塗布する必要があり、その厚さ
のために露光用の光がレジスト剤３０内部に透過し難く
なってマスク３のパターンに欠陥が生じるといった不都
合が生じる６他方、エツチング手段としてウェットエツ
チングを使用する場合には、第４図に示すように金属！
！９１にアンダーカット３２が生じるため、電極パター
ン幅を広くして断面積を大きくする必要があり、パター
ンニ２言１−にの制を勺二二なるといった問題となる。
きるが、第３図（ｂ）に示したように、マスク３形成用
のレジスト剤３０を厚く塗布する必要があり、その厚さ
のために露光用の光がレジスト剤３０内部に透過し難く
なってマスク３のパターンに欠陥が生じるといった不都
合が生じる６他方、エツチング手段としてウェットエツ
チングを使用する場合には、第４図に示すように金属！
！９１にアンダーカット３２が生じるため、電極パター
ン幅を広くして断面積を大きくする必要があり、パター
ンニ２言１−にの制を勺二二なるといった問題となる。
本発明は、このような問題に鑑みてなされたものであっ
て、配線電）１の工・ノチングに３ＬるｊＦＡりを少な
くできる半導体装置における電極配線の形成方法を提供
することを目的とする。
て、配線電）１の工・ノチングに３ＬるｊＦＡりを少な
くできる半導体装置における電極配線の形成方法を提供
することを目的とする。
上記した課題は、半導体装置用ウェハ２ヒに形成した配
置！ｉｌ電極電極用成用電性金属膜Ｉに電極用のマスク
３を形成する７Ｓ極用マスク形成手段と、１な電極用マ
スク形成手段を施した上記金１ｉ１１’３１を工７チン
ダ液に浸）口して途中までエツチングするウェットエツ
チング手段と、該つ！ノトエソチング手段を経た上記ウ
ェハ２上の上記金属膜１をさらにドライエツチング法に
より腐食するドライエツチング手段どを有することを特
徴どする半導体装置における電極配線の形成方法により
解決する。
置！ｉｌ電極電極用成用電性金属膜Ｉに電極用のマスク
３を形成する７Ｓ極用マスク形成手段と、１な電極用マ
スク形成手段を施した上記金１ｉ１１’３１を工７チン
ダ液に浸）口して途中までエツチングするウェットエツ
チング手段と、該つ！ノトエソチング手段を経た上記ウ
ェハ２上の上記金属膜１をさらにドライエツチング法に
より腐食するドライエツチング手段どを有することを特
徴どする半導体装置における電極配線の形成方法により
解決する。
ウェハ２上の金属Ｓｔをエツチング液中に浸漬してウェ
ットエツチングを行い、金［１１’Ｊ１をウェハ２上面
に達しない濶さまで腐食させる（第１図（ｂ）、（ｃ）
）。
ットエツチングを行い、金［１１’Ｊ１をウェハ２上面
に達しない濶さまで腐食させる（第１図（ｂ）、（ｃ）
）。
このエツチングによって、マスク３！！部の下方にある
金１７ＸＩＩ’ｌｌにわずかなアンダーカント４が発生
する。
金１７ＸＩＩ’ｌｌにわずかなアンダーカント４が発生
する。
次に、ウェットエツチングの工程においてウェハ２に付
着したエツチング液を純水を用いて除去した後に、金［
Ｆ！Ｉのエッチングをドライエ、アンダ手段によりさら
に進めてエツチング液稈を終了する（同図（ｄ））。
着したエツチング液を純水を用いて除去した後に、金［
Ｆ！Ｉのエッチングをドライエ、アンダ手段によりさら
に進めてエツチング液稈を終了する（同図（ｄ））。
なお、ドライエッチングが終了した時点で、金５１１’
：！１上にマスク３が残存している場合には、酸素プラ
ズマ中にウェハ２を置いてマスクを除去する（同図（［
））。
：！１上にマスク３が残存している場合には、酸素プラ
ズマ中にウェハ２を置いてマスクを除去する（同図（［
））。
したがって、上記したウエノトウンチング手段によりマ
スク３の灰化を低減することができ、また、ドライエツ
チング手段によりエツチングされた金属膜１はマスク３
の電極配線用パターンと同じ幅に形成されるため、アン
ダーカットを抑制することができる。
スク３の灰化を低減することができ、また、ドライエツ
チング手段によりエツチングされた金属膜１はマスク３
の電極配線用パターンと同じ幅に形成されるため、アン
ダーカットを抑制することができる。
（実施例）
（ａ）本発明の一実施例の説明
第１図は、本発明の一実施例を示すものであって、図中
符号１は、シリコンウェハ２上に形成されたアルミニウ
ム等の導電材よりなる配線電極用の金属膜で、その−ト
には、レジストを塗布してパターン化した電極形成用の
マスク３が取付けら飢でいる（第１図（ａ））。
符号１は、シリコンウェハ２上に形成されたアルミニウ
ム等の導電材よりなる配線電極用の金属膜で、その−ト
には、レジストを塗布してパターン化した電極形成用の
マスク３が取付けら飢でいる（第１図（ａ））。
このウェハ２上の金属膜１をリン酸系溶液等のようなニ
ブ・チングン夜４中にン畳潰してウェットエツチングを
行い（同図（ｂ））、金属膜ｌをウェハ２上面に達しな
い深さまで腐食さセる（同図（Ｃ））。
ブ・チングン夜４中にン畳潰してウェットエツチングを
行い（同図（ｂ））、金属膜ｌをウェハ２上面に達しな
い深さまで腐食さセる（同図（Ｃ））。
このエッチングによって、マスク３の縁部下方の金属膜
１にわずかなアンダーカット５がｔ／トする。
１にわずかなアンダーカット５がｔ／トする。
次に、ウェットエツチングの工程においてウェハ２に付
着したエツチング液を純水を用いて除去した後に、スパ
ックエツチング装置やプラズマエツチング装置のような
ドライエツチング装置にウェハ２を入れ、さらにエアン
グを行う。
着したエツチング液を純水を用いて除去した後に、スパ
ックエツチング装置やプラズマエツチング装置のような
ドライエツチング装置にウェハ２を入れ、さらにエアン
グを行う。
６は、ドライエツチング装置の一例をなすプラズマエツ
チング装置で、そのチャンバ７内を減圧して反応ガスを
供給するとともに、外周の１ｆＦＩｉ８に高周波電力Ｒ
Ｆを印加し、上記したウェットエッチングエ稈によって
途中まで行った金属膜ｌのエツチングをさらに進めてエ
ツチング工程を終了する（同図（ａ）、（ｅ））、。
チング装置で、そのチャンバ７内を減圧して反応ガスを
供給するとともに、外周の１ｆＦＩｉ８に高周波電力Ｒ
Ｆを印加し、上記したウェットエッチングエ稈によって
途中まで行った金属膜ｌのエツチングをさらに進めてエ
ツチング工程を終了する（同図（ａ）、（ｅ））、。
ドライエツチングされた部分はマスク３のパターンと同
じ幅に形成されるため、アンダーカットを抑制すること
ができる。
じ幅に形成されるため、アンダーカットを抑制すること
ができる。
ところで、ドライエツチングを行うとマスク３が徐々に
灰化されるが（同図（ｅ））、ドライエツチングによる
全１ｉＸ＃１上面の腐食を防止する場合には、灰化によ
りマスク３が消失する前に金属膜１のドライエツチング
を終える深さまでウェットエツチングを進める必要があ
る。
灰化されるが（同図（ｅ））、ドライエツチングによる
全１ｉＸ＃１上面の腐食を防止する場合には、灰化によ
りマスク３が消失する前に金属膜１のドライエツチング
を終える深さまでウェットエツチングを進める必要があ
る。
ドライエツチングを終了した時点で、金属膜１上にマス
ク３が残存している場合には、酸素プラズマ中にウェハ
２を置いてマスクを除去する（同図（ｒ））。
ク３が残存している場合には、酸素プラズマ中にウェハ
２を置いてマスクを除去する（同図（ｒ））。
なお、アルミニウム（ＡＩ）により配線電極を形成する
場合には、プラズマエツチング装置６のチャンバ５内に
供給する反応ガスとして三塩化ホウ素（ＢＣｈ）、塩素
（Ｃｈ）等を用いる。
場合には、プラズマエツチング装置６のチャンバ５内に
供給する反応ガスとして三塩化ホウ素（ＢＣｈ）、塩素
（Ｃｈ）等を用いる。
（ｂ）本発明の他の実施例の説明
上述した実施例では、金ＢＷＪ１をアルミニウム、銅の
ような一つの導電材料で構成したが、第２図（ａ）に示
すように、上１１ｆｆ１１と下層１２を同一の導電材に
より形成するとともに、これらの層間にウェットエツチ
ングが不可能な材料（例えばＴｉＮＪ ）よりなる終点
検出メタルＪｉ＋３を挟んだ三層構造により金属膜１０
を構成することもできる。
ような一つの導電材料で構成したが、第２図（ａ）に示
すように、上１１ｆｆ１１と下層１２を同一の導電材に
より形成するとともに、これらの層間にウェットエツチ
ングが不可能な材料（例えばＴｉＮＪ ）よりなる終点
検出メタルＪｉ＋３を挟んだ三層構造により金属膜１０
を構成することもできる。
この三層構造の金属膜１０は、スパッタ法によりターゲ
ットを換えることにより簡単に作製することができる。
ットを換えることにより簡単に作製することができる。
この金属膜ｌＯの終点検出メタル層１３は、数百人程度
に薄く形成され、また、その下層１２の厚さは、この下
層１２及び終点検出メタル１１１１３をドライエツチン
グにより腐食させる際に、マスク３が灰化により無くな
らない大きさとなるように構成されている。
に薄く形成され、また、その下層１２の厚さは、この下
層１２及び終点検出メタル１１１１３をドライエツチン
グにより腐食させる際に、マスク３が灰化により無くな
らない大きさとなるように構成されている。
この三Ｎ構造の金属ＷＩＪ１０をパターン化する場合に
は、先ず、金１ｉ’ＪＥＩＩＩＪＩＯ上に電極配線パタ
ーン用のマスク３を形成する（第２図（ｂ））。
は、先ず、金１ｉ’ＪＥＩＩＩＪＩＯ上に電極配線パタ
ーン用のマスク３を形成する（第２図（ｂ））。
次に、このウェハ２をエツチング液中に浸漬すと、金Ｕ
ＱＩＯの上層１１はマスク３の形状に沿って終点検出メ
タル層１３が露出するまでエツチングされる（同図（ｃ
））。
ＱＩＯの上層１１はマスク３の形状に沿って終点検出メ
タル層１３が露出するまでエツチングされる（同図（ｃ
））。
この状態において、マスク３の縁部下方の金属ａ１０に
はアンダーカットが僅かに生じる。
はアンダーカットが僅かに生じる。
次に、ウェハ２に付着したエツチング液を純水によって
除去した後、このウェハ２をドライエツチング装置に入
れてドライエツチングすると、終点検出メタルＩ！Ｊ１
３と下１’ｉ１２がマスク３のパターンと同−巾にエツ
チングされる（同図（ｄ））。
除去した後、このウェハ２をドライエツチング装置に入
れてドライエツチングすると、終点検出メタルＩ！Ｊ１
３と下１’ｉ１２がマスク３のパターンと同−巾にエツ
チングされる（同図（ｄ））。
ドライエツチングを行なうとマスク３が徐々に灰化され
るが、下１１ｉ１２と終点検出メタルＦ！１３の腐食が
マスク３の灰化よりも早く終了するように下層１２の厚
さを定めているため、金ｊ［Ｉ。
るが、下１１ｉ１２と終点検出メタルＦ！１３の腐食が
マスク３の灰化よりも早く終了するように下層１２の厚
さを定めているため、金ｊ［Ｉ。
の上層１１は前取られることはない。
なお、三層状の金属膜１０上に残存したマスク３は、酸
素プラズマにより除去する（同図（ｅ））。
素プラズマにより除去する（同図（ｅ））。
Ｃ発明の効果）
以上述べたように本発明によれば、ウェットエツチング
手段を行った後に、ドライエツチング手段を施して配線
電極をパターン化するようにしたので、アンダーカット
を抑制して配線電極の薄膜化を未然に防止するとともに
、エツチングの際に生じる厚みの減少をなくすることが
でき、エツチング液による配線ｔｉの細りを少なくして
許容電流を大きくすることができる。
手段を行った後に、ドライエツチング手段を施して配線
電極をパターン化するようにしたので、アンダーカット
を抑制して配線電極の薄膜化を未然に防止するとともに
、エツチングの際に生じる厚みの減少をなくすることが
でき、エツチング液による配線ｔｉの細りを少なくして
許容電流を大きくすることができる。
第１図は、本発明の一実施例を示す工程図、第２図は、
本発明の他の実施例を示す工程図、第３図は、第１の従
来方法によって形成したウェハの断面図、 第４図は、第２の従来方法によって形成したウェハの断
面図である。 （符号の説明） １．１０・・・金属膜、 ２・・・ウェハ、 ３・・・マスク、 ４・・・エノチンダ液、 ６・・・プラズマエッチング装置。 ／１に１ 第２ 図 （υ （ｂ）〉 （Ｃ）（ｔ） ／￥−２鴨？実施錠）を千１が呈２ 纂１ 図 １Ａ１ げＹよ？厨じＮう扛）てトてべしたウニノ・ζ
始りｈ愛（２第３図 Ｊ！ｉＩ２ グ彦が５七万ミと１てＸ、マ行２くし玩ざ
ｌニハぐ嘘ζｈ町丁と纂４ 図
本発明の他の実施例を示す工程図、第３図は、第１の従
来方法によって形成したウェハの断面図、 第４図は、第２の従来方法によって形成したウェハの断
面図である。 （符号の説明） １．１０・・・金属膜、 ２・・・ウェハ、 ３・・・マスク、 ４・・・エノチンダ液、 ６・・・プラズマエッチング装置。 ／１に１ 第２ 図 （υ （ｂ）〉 （Ｃ）（ｔ） ／￥−２鴨？実施錠）を千１が呈２ 纂１ 図 １Ａ１ げＹよ？厨じＮう扛）てトてべしたウニノ・ζ
始りｈ愛（２第３図 Ｊ！ｉＩ２ グ彦が５七万ミと１てＸ、マ行２くし玩ざ
ｌニハぐ嘘ζｈ町丁と纂４ 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 半導体装置用ウェハ（２）上に形成した配線電極形成
用の導電性金属膜（Ｉ）に電極用のマスク（３）を形成
する電極用マスク形成手段と、該電極用マスク形成手段
を施した上記金属膜（１）をエッチング液に浸漬して途
中までエッチングするウェットエッチング手段と、 該ウェットエッチング手段を経た上記ウェハ（２）上の
上記金属膜（１）をさらにドライエッチング法により腐
食するドライエッチング手段とを有することを特徴とす
る半導体装置における電極配線の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10063488A JPH01270332A (ja) | 1988-04-22 | 1988-04-22 | 半導体装置における電極配線の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10063488A JPH01270332A (ja) | 1988-04-22 | 1988-04-22 | 半導体装置における電極配線の形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01270332A true JPH01270332A (ja) | 1989-10-27 |
Family
ID=14279265
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10063488A Pending JPH01270332A (ja) | 1988-04-22 | 1988-04-22 | 半導体装置における電極配線の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01270332A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009260322A (ja) * | 2008-03-28 | 2009-11-05 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置の作製方法 |
-
1988
- 1988-04-22 JP JP10063488A patent/JPH01270332A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009260322A (ja) * | 2008-03-28 | 2009-11-05 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置の作製方法 |
| US8399356B2 (en) | 2008-03-28 | 2013-03-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Manufacturing method of semiconductor device |
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