JPS636867A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPS636867A JPS636867A JP61150802A JP15080286A JPS636867A JP S636867 A JPS636867 A JP S636867A JP 61150802 A JP61150802 A JP 61150802A JP 15080286 A JP15080286 A JP 15080286A JP S636867 A JPS636867 A JP S636867A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置に関し、特に静電破壊の防止に有効
な構造を備えたＩＣカード用半導体装置に関する。
な構造を備えたＩＣカード用半導体装置に関する。
従来、ＴＡＢ（テープ・オートメイテッド・ボンディン
グ）法による実装技術は半導体チ・ツブの高密度実装お
よびその大量生産化にきわめて有効であるのでコンピュ
ータまたは小型電卓用のＬＳＩの実装に多用されている
。しかし最近は半導体装置の薄型化にも適する利点が注
目されＩＣカード用半導体装置にも用いられ始めている
。
グ）法による実装技術は半導体チ・ツブの高密度実装お
よびその大量生産化にきわめて有効であるのでコンピュ
ータまたは小型電卓用のＬＳＩの実装に多用されている
。しかし最近は半導体装置の薄型化にも適する利点が注
目されＩＣカード用半導体装置にも用いられ始めている
。
第２図（ａ）および（ｂ）はそれぞれＴＡＢ実装技術に
よる従来半導体装置の半導体チップにおける引出し電極
付近を示す断面図および平面図である。ここで、１は半
導体チ・ツブの例えばシリコンの如き半導体基板を示し
、２は半導体基板１の表面に形成された例えばアルミニ
ウムから成る引出し電極、３および４はそれぞれ半導体
基板１の表面に引出し電極、２の一部を除いて形成され
たパ・ソシベーション膜（例えばシリコン酸化膜または
窒１ヒ膜）および保誰膜（例えばポリミイード樹脂膜）
、また、５．６および７はそれぞれバリア金属、突起状
バンプ電極および金属リードである。
よる従来半導体装置の半導体チップにおける引出し電極
付近を示す断面図および平面図である。ここで、１は半
導体チ・ツブの例えばシリコンの如き半導体基板を示し
、２は半導体基板１の表面に形成された例えばアルミニ
ウムから成る引出し電極、３および４はそれぞれ半導体
基板１の表面に引出し電極、２の一部を除いて形成され
たパ・ソシベーション膜（例えばシリコン酸化膜または
窒１ヒ膜）および保誰膜（例えばポリミイード樹脂膜）
、また、５．６および７はそれぞれバリア金属、突起状
バンプ電極および金属リードである。
このようにＴＡＢ法によるときは半導体装置の厚さを通
常のワイヤ・ボンディング法によるものよりも薄くでき
る利点があるので、ＩＣカードなとの薄型半導体装置の
実装に最適な技術である。
常のワイヤ・ボンディング法によるものよりも薄くでき
る利点があるので、ＩＣカードなとの薄型半導体装置の
実装に最適な技術である。
しかしながら、ＩＣカードは従来の半導体装置と比較す
ればカードとしての性格上場所が特定できない言わば非
常に広い環境染件の下で使用されるので従来とは性質の
異なる新たな問題点が生じている。例えば静電気の問題
はその中でも最大のものの一つである。すなわちＩＣカ
ードは所持者が常に身につけ携帯する場合が多いので衣
服等との＠擦により静電気が発生される。この静電気は
電荷そのものは小さいが非常に高電圧であるのでＩＣカ
ードに内蔵されている半導体チップに破壊等をもたらす
危険がきわめて大きい。このようなＩＣカードに生じる
静電破壊は、従来の半導体装置に用いられていた静電気
に対する保護装置では充分対応し得ないものであるので
、この保護装置のみに頼る第２図の半導体装置では実用
上問題が多く、新たな手段を開発すべき必要に迫られて
いる。
ればカードとしての性格上場所が特定できない言わば非
常に広い環境染件の下で使用されるので従来とは性質の
異なる新たな問題点が生じている。例えば静電気の問題
はその中でも最大のものの一つである。すなわちＩＣカ
ードは所持者が常に身につけ携帯する場合が多いので衣
服等との＠擦により静電気が発生される。この静電気は
電荷そのものは小さいが非常に高電圧であるのでＩＣカ
ードに内蔵されている半導体チップに破壊等をもたらす
危険がきわめて大きい。このようなＩＣカードに生じる
静電破壊は、従来の半導体装置に用いられていた静電気
に対する保護装置では充分対応し得ないものであるので
、この保護装置のみに頼る第２図の半導体装置では実用
上問題が多く、新たな手段を開発すべき必要に迫られて
いる。
本発明の目的は、上記の状況に鑑み、上記摩擦により発
生する静電破壊に対する保護手段を備えた半導体装置を
提供することである。
生する静電破壊に対する保護手段を備えた半導体装置を
提供することである。
し問題点を解決するための手段〕
本発明の半導体装置は、半導体基板と、前記半導体基板
上に形成される引出し電極と、前記引出し電極上に形成
される突起状バンプ電極と、前記突起状バンプ電極上に
形成される外部端子導出用の金属リードと、前記半導体
基板上に前記引出し電極に隣接して形成される放電電極
と、前記放電電極と対向して設けられる前記金属リード
の突起部とを備えることを片む。
上に形成される引出し電極と、前記引出し電極上に形成
される突起状バンプ電極と、前記突起状バンプ電極上に
形成される外部端子導出用の金属リードと、前記半導体
基板上に前記引出し電極に隣接して形成される放電電極
と、前記放電電極と対向して設けられる前記金属リード
の突起部とを備えることを片む。
すなわち、半導体装置の外被面に生じた静電荷は金属リ
ードに設けた突起部と半導体基板上に形成した放電電極
との間で放電され半導体チップの内部回路に導入される
ことなく半導体基板を介し地気に逃げ去るよう構成され
る。
ードに設けた突起部と半導体基板上に形成した放電電極
との間で放電され半導体チップの内部回路に導入される
ことなく半導体基板を介し地気に逃げ去るよう構成され
る。
［実施例〕
第１図（ａ＞および（ｂ）はそれぞれ本発明の一実施例
を示す断面図および正面図である。本実施例によれば本
発明の半導体装置は、半導体チップの半導体基板１とこ
の半導体基板の表面に形成された例えばアルミニウムか
ら成る引出し電極２と半導体基板１の表面に引出し電極
２の一部を除いて覆うように形成されたパ・ソシベーシ
ョン膜３および保護膜４と、バリア金属５と、突起状バ
ンプ電極６およびこれに接続される外部端子への導出用
金属リード７と、引出し電極２と隣接し所定の間隔をへ
たて半導体基板１上に形成された放電電極８と、この放
電電極８に対向して設けられた金属リード７の突起部つ
と、金属リード７と放電電極との間に充満されるアルゴ
ンまたは水銀などの微量不純物を混入する空気層１０と
を含む。ここで１１は放電電極８につながる配線導体、
１２は必要に応じ形成されるバリア金属である。本実施
例におけるバリア金属５および１２．パッシベーション
膜３および保護膜４などの材質は全て従来公知のものを
そのまま用いて良く、また金属リード７およびその突起
部９．放電電極８．配線導体１１には引出し電極と同質
のアルミニウム材を用いることができる。
を示す断面図および正面図である。本実施例によれば本
発明の半導体装置は、半導体チップの半導体基板１とこ
の半導体基板の表面に形成された例えばアルミニウムか
ら成る引出し電極２と半導体基板１の表面に引出し電極
２の一部を除いて覆うように形成されたパ・ソシベーシ
ョン膜３および保護膜４と、バリア金属５と、突起状バ
ンプ電極６およびこれに接続される外部端子への導出用
金属リード７と、引出し電極２と隣接し所定の間隔をへ
たて半導体基板１上に形成された放電電極８と、この放
電電極８に対向して設けられた金属リード７の突起部つ
と、金属リード７と放電電極との間に充満されるアルゴ
ンまたは水銀などの微量不純物を混入する空気層１０と
を含む。ここで１１は放電電極８につながる配線導体、
１２は必要に応じ形成されるバリア金属である。本実施
例におけるバリア金属５および１２．パッシベーション
膜３および保護膜４などの材質は全て従来公知のものを
そのまま用いて良く、また金属リード７およびその突起
部９．放電電極８．配線導体１１には引出し電極と同質
のアルミニウム材を用いることができる。
本実施例によれば外部端子（図示しない）に接続される
金属リード７の突起部９が基板電位と短絡された放電電
極３と所定の間隔分へだてて互いに対向配置されている
ので、金属リード７に流入した摩擦による静電荷は引出
し電極２を通って内部回路に入ることなく突起部つと放
電電極８間で・放電され半導体基板１および配線導体１
１を介し地気へと流し去ることができる。
金属リード７の突起部９が基板電位と短絡された放電電
極３と所定の間隔分へだてて互いに対向配置されている
ので、金属リード７に流入した摩擦による静電荷は引出
し電極２を通って内部回路に入ることなく突起部つと放
電電極８間で・放電され半導体基板１および配線導体１
１を介し地気へと流し去ることができる。
以上の説明から明らかなように、本発明によれば半導体
装置に生じた摩擦による静電気は金属リード７の突起部
と基板上の放電電極８との間の放電電流として地気に導
くことができる。この場合、放電領域を適当な不純物濃
度を６つ空気を介在させることによりその放電電界強度
を１０．０１）ＯＶ／ｃｍに設定することができ、放電
間隔を１０μｍとすれば約１０Ｖで放電を開始せしめる
ことができる。
装置に生じた摩擦による静電気は金属リード７の突起部
と基板上の放電電極８との間の放電電流として地気に導
くことができる。この場合、放電領域を適当な不純物濃
度を６つ空気を介在させることによりその放電電界強度
を１０．０１）ＯＶ／ｃｍに設定することができ、放電
間隔を１０μｍとすれば約１０Ｖで放電を開始せしめる
ことができる。
この値は、通常、引出し電極側に形成される従来の静電
保護回路がダイオードの逆方向耐圧或いはトランジスタ
のブレークダウン電圧を利用し、その保護効果が１５〜
２０Ｖ以上で生じるのに比べれば非常に低いものであり
、きわめて保護効果の高いことを示している。
保護回路がダイオードの逆方向耐圧或いはトランジスタ
のブレークダウン電圧を利用し、その保護効果が１５〜
２０Ｖ以上で生じるのに比べれば非常に低いものであり
、きわめて保護効果の高いことを示している。
本発明における金属リード７と放電電極８との間隔は、
突起状バンプ電極６の高さにより正確に決定される。通
常、突起状バンプ電極６の高さは±１０％程度で制御出
来るので、放電間隔を１０μｍに設定する場合を考える
と、ＩＯＶ〜１２■の範囲に放電電圧を制御することが
可能である。
突起状バンプ電極６の高さにより正確に決定される。通
常、突起状バンプ電極６の高さは±１０％程度で制御出
来るので、放電間隔を１０μｍに設定する場合を考える
と、ＩＯＶ〜１２■の範囲に放電電圧を制御することが
可能である。
言うまでもなくこの放電電圧の値は突起状バンプ電極６
の高さの選定により任意に設定し得るものである。
の高さの選定により任意に設定し得るものである。
以上詳細に説明したように、本発明によれば装置全体の
厚みには何等の変更を加わることな〈従来と同様に薄形
で且つ摩擦静電に対して充分対応できる保護手段を備え
た半導体装置を得ることができるので、ＩＣカード用半
導体装置として実施すればカードの信頼性を著しく向上
せしめることができる。
厚みには何等の変更を加わることな〈従来と同様に薄形
で且つ摩擦静電に対して充分対応できる保護手段を備え
た半導体装置を得ることができるので、ＩＣカード用半
導体装置として実施すればカードの信頼性を著しく向上
せしめることができる。
第１図（ａ）および（ｂ）はそれぞれ本発明の一実施例
を示す断面図および平面図、第２図（ａ＞および（ｂ）
はそれぞれＴＡＢ実装技術による従来半導体装置の半導
体チップにおける引出電極付近を示す断面図および平面
図である。 １・・・・・・半導体基板、２・・・・・・引出し電極
、３・・・・・・パッシベーション膜、４・−・・・・
保誰膜、５．１２・・・・・・バリア金属、６・・・・
・・突起状バンプ電極、７・・・・・金属リード、８・
・・・・・放電電極、９・・・・・・金属リードの突起
部、１０・・・・・・不純物を混入した空気層、１１・
・・・・・配線導体。
を示す断面図および平面図、第２図（ａ＞および（ｂ）
はそれぞれＴＡＢ実装技術による従来半導体装置の半導
体チップにおける引出電極付近を示す断面図および平面
図である。 １・・・・・・半導体基板、２・・・・・・引出し電極
、３・・・・・・パッシベーション膜、４・−・・・・
保誰膜、５．１２・・・・・・バリア金属、６・・・・
・・突起状バンプ電極、７・・・・・金属リード、８・
・・・・・放電電極、９・・・・・・金属リードの突起
部、１０・・・・・・不純物を混入した空気層、１１・
・・・・・配線導体。
Claims (1)
- 半導体基板と、前記半導体基板上に形成される引出し電
極と、前記引出し電極上に形成される突起状バンプ電極
と、前記突起状バンプ電極上に形成される外部端子導出
用の金属リードと、前記半導体基板上に前記引出し電極
に隣接して形成される放電電極と、前記放電電極と対向
して設けられる前記金属リードの突起部とを備えること
を特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61150802A JPS636867A (ja) | 1986-06-26 | 1986-06-26 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61150802A JPS636867A (ja) | 1986-06-26 | 1986-06-26 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS636867A true JPS636867A (ja) | 1988-01-12 |
| JPH0545070B2 JPH0545070B2 (ja) | 1993-07-08 |
Family
ID=15504746
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61150802A Granted JPS636867A (ja) | 1986-06-26 | 1986-06-26 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS636867A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5403445A (en) * | 1992-03-09 | 1995-04-04 | Canon Kabushiki Kaisha | Recycled paper for electrophotography and image forming method making use of the same |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101492587B1 (ko) * | 2014-01-23 | 2015-02-11 | 한국기계연구원 | 슬라이딩 팔걸이로 구동되는 전동 휠체어 |
-
1986
- 1986-06-26 JP JP61150802A patent/JPS636867A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5403445A (en) * | 1992-03-09 | 1995-04-04 | Canon Kabushiki Kaisha | Recycled paper for electrophotography and image forming method making use of the same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0545070B2 (ja) | 1993-07-08 |
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