JPS62205651A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 18
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 18
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- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 4
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- 238000007599 discharging Methods 0.000 abstract 1
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- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
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- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
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- H01L2924/1532—Connection portion the connection portion being formed on the die mounting surface of the substrate
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
この発明は半導体装置に関し、特に半導体素子の静電破
壊耐量を向上させることができる半導体装置に関するも
のである。
壊耐量を向上させることができる半導体装置に関するも
のである。
[従来の技術]
第2図は、従来の樹脂パッケージ型半導体装置の@ 造
を示す断面図である。図において、ダイパッド7の一方
の面7a上に半導体素子1が設けられており、半導体素
子1の各電極はポンディングワイヤ2により外部リード
3に電気的に接続されている。また、ダイパッド7、半
導体素子1.ボンディングワイヤ2および外部リード3
の一部が樹脂パッケージ4に封入されている。5は樹脂
パッケージ4の表側表面であり、6は樹脂パッケージ4
の裏側表面である。そして、このように構成された半導
体装置においては、一般に表側表面5に、半導体装置の
型名ヤOットナンパを示すインクで捺印されたマークの
表示が行なわれている(1ス下マークの表示を行なうこ
とをマーキングと呼ぶ)。
を示す断面図である。図において、ダイパッド7の一方
の面7a上に半導体素子1が設けられており、半導体素
子1の各電極はポンディングワイヤ2により外部リード
3に電気的に接続されている。また、ダイパッド7、半
導体素子1.ボンディングワイヤ2および外部リード3
の一部が樹脂パッケージ4に封入されている。5は樹脂
パッケージ4の表側表面であり、6は樹脂パッケージ4
の裏側表面である。そして、このように構成された半導
体装置においては、一般に表側表面5に、半導体装置の
型名ヤOットナンパを示すインクで捺印されたマークの
表示が行なわれている(1ス下マークの表示を行なうこ
とをマーキングと呼ぶ)。
〔発明が解決しようとする問題点]
半導体装置のフラットパッケージ化、チップ面積の増大
化およびパターン微細化に伴ないマーキング時の摩擦帯
電による半導体素子の静電破壊が問題となってきている
。
化およびパターン微細化に伴ないマーキング時の摩擦帯
電による半導体素子の静電破壊が問題となってきている
。
第3図は、第2図の樹脂パッケージ型半導体装置におい
てパッケージ表側表面が帯電した様子を示す図である。
てパッケージ表側表面が帯電した様子を示す図である。
図において、樹脂パッケージ4の表側表面5にマーキン
グするとき摩擦によって表側表面5に帯電電荷8が発生
し、外部リード3が人体やt!i電物体などを介して接
地されるときこの帯電電荷8は放電するが、従来の半導
体装置においては一般に半導体素子1が樹脂パッケージ
4の表側表面5に近いため、この放電による過渡電圧が
半導体デツプ1に印加され、半導体素子1が破壊すると
いう問題点があった。
グするとき摩擦によって表側表面5に帯電電荷8が発生
し、外部リード3が人体やt!i電物体などを介して接
地されるときこの帯電電荷8は放電するが、従来の半導
体装置においては一般に半導体素子1が樹脂パッケージ
4の表側表面5に近いため、この放電による過渡電圧が
半導体デツプ1に印加され、半導体素子1が破壊すると
いう問題点があった。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、半導体素子の静電破@耐量を向上した信頼度
の高い半導体装置を得ることを目的とする。
たもので、半導体素子の静電破@耐量を向上した信頼度
の高い半導体装置を得ることを目的とする。
[問題点を解決するための手段]
この発明に係る半導体装置は、ダイパッドと、このダイ
パッドの一方の面上に設けられる半導体素子と、この半
導体素子およびダイパッドを封入するパッケージとを備
え、ダイパッドの一方の面側のパッケージの外表面をこ
のパッケージのマーク表示面どする半導体装置において
、半導体素子をダイパッドの他方の面上に設けたしので
ある。
パッドの一方の面上に設けられる半導体素子と、この半
導体素子およびダイパッドを封入するパッケージとを備
え、ダイパッドの一方の面側のパッケージの外表面をこ
のパッケージのマーク表示面どする半導体装置において
、半導体素子をダイパッドの他方の面上に設けたしので
ある。
[作用]
この発明においては、半導体素子をダイパッドの他方の
面上に設けるので、半導体素子と、マーキング時に帯電
するパッケージのマーク表示面との距離が大きくなる。
面上に設けるので、半導体素子と、マーキング時に帯電
するパッケージのマーク表示面との距離が大きくなる。
[実施例]
以下、この発明の実施例を図について説明する。
なお、この実施例の説明において、従来の技術の説明と
重複する部分については適宜その説明を省略する。
重複する部分については適宜その説明を省略する。
第1図は、この発明の実施例である樹脂パッケージ型半
導体装置の構造を示す断面図である。この実施例の構成
が第2図の樹脂パッケージ型半導体装置の構成と異なる
点は1ス下の点でおる。すなわち、半導体素子1がダイ
パッド7の他方の面7bに設けられており、半導体素子
1の位置がダイパッド7を塁準にして第2図の場合と上
下逆になっている。そして、ダイパッド7の他方の面7
b側の街脂内で半導体素子1と外部リード3とがボンデ
ィングワイヤ2により接続されている。
導体装置の構造を示す断面図である。この実施例の構成
が第2図の樹脂パッケージ型半導体装置の構成と異なる
点は1ス下の点でおる。すなわち、半導体素子1がダイ
パッド7の他方の面7bに設けられており、半導体素子
1の位置がダイパッド7を塁準にして第2図の場合と上
下逆になっている。そして、ダイパッド7の他方の面7
b側の街脂内で半導体素子1と外部リード3とがボンデ
ィングワイヤ2により接続されている。
このように構成された半導体装置では、半導体素子1と
開詣パッケージ4のマーク表示面となる表側表面5との
距唾は、従来の半導体装置における半導体素子1と表側
表面5との距離の2倍以上と大きくなる。このため、樹
脂パッケージ4の表側表面5にマーキングするとき摩擦
によってこの表側表面5に帯電電荷8が発生し、半導体
装置の取汲いなどにより外部リード3が人体やtiIi
電物体などを介して接地されW1電電荷8が放電されて
も、この放電により半導体素子1に印加される過渡電圧
は、従来の半導体装置の場合に半導体素子1に印加され
る過渡電圧に比べて十分小さくなる。このため、半導体
素子1は帯?1f@荷8による影響を受けにくくなり、
半導体素子1の静電破壊間mが向上する。
開詣パッケージ4のマーク表示面となる表側表面5との
距唾は、従来の半導体装置における半導体素子1と表側
表面5との距離の2倍以上と大きくなる。このため、樹
脂パッケージ4の表側表面5にマーキングするとき摩擦
によってこの表側表面5に帯電電荷8が発生し、半導体
装置の取汲いなどにより外部リード3が人体やtiIi
電物体などを介して接地されW1電電荷8が放電されて
も、この放電により半導体素子1に印加される過渡電圧
は、従来の半導体装置の場合に半導体素子1に印加され
る過渡電圧に比べて十分小さくなる。このため、半導体
素子1は帯?1f@荷8による影響を受けにくくなり、
半導体素子1の静電破壊間mが向上する。
また、このような半導体装置は、追加部品を必要とする
ことな〈従来とほとんど同一製造フローで製造でさ、半
導体装置の製造コストがアップすることはない。
ことな〈従来とほとんど同一製造フローで製造でさ、半
導体装置の製造コストがアップすることはない。
なお、上記実施例では、半導体素子などがフラットな樹
脂パッケージに封入された半導体装置の場合について示
したが、この発明は半導体素子などがフラットなセラミ
ックパッケージに封入された半導体装置にも適用するこ
とができ、この場合にし上記実施例と同様の効果を奏す
る。
脂パッケージに封入された半導体装置の場合について示
したが、この発明は半導体素子などがフラットなセラミ
ックパッケージに封入された半導体装置にも適用するこ
とができ、この場合にし上記実施例と同様の効果を奏す
る。
[発明の効果]
以上のようにこの発明によれば、ダイパッドと、このダ
イパッドの一方の面上に設けられる半導体素子と、この
半導体素子およびダイパッドを封入するバック゛−ジと
を備え、ダイパッドの一方の面側のパッケージの外表面
を該パッケージのマーク表示面とする半導体装置におい
て、半導体素子をダイパッドの他方の面上に設けたので
、半導体素子と、マーキング時に帯電するパッケージの
マーク表示面との距離が大きくなり、半導体素子は帯電
電荷による影響を受けにくくなり半導体素子の静電破f
I!耐量が向上する。また、この半導体装置は、追加部
品を必要とすることな〈従来とほとんど同一の製造フロ
ーにより低コストで製造できる。
イパッドの一方の面上に設けられる半導体素子と、この
半導体素子およびダイパッドを封入するバック゛−ジと
を備え、ダイパッドの一方の面側のパッケージの外表面
を該パッケージのマーク表示面とする半導体装置におい
て、半導体素子をダイパッドの他方の面上に設けたので
、半導体素子と、マーキング時に帯電するパッケージの
マーク表示面との距離が大きくなり、半導体素子は帯電
電荷による影響を受けにくくなり半導体素子の静電破f
I!耐量が向上する。また、この半導体装置は、追加部
品を必要とすることな〈従来とほとんど同一の製造フロ
ーにより低コストで製造できる。
第1図は、この発明の実施例である樹脂パッケージ型半
導体装置の構造を示す断面図である。 第2図は、従来の樹脂パッケージ型半導体装置の構造を
示す断面図である。 第3図は、従来の樹脂パッケージ型半導体装置において
パッケージ表側表面が帯電した様子を示す図である。 図において、1は半導体素子、2はボンディングワイヤ
、3は外部リード、4は樹脂パッケージ。 7はダイパッド、8は帯電電荷である。 なお、各図中同一符号は同一または相当部分を示す。
導体装置の構造を示す断面図である。 第2図は、従来の樹脂パッケージ型半導体装置の構造を
示す断面図である。 第3図は、従来の樹脂パッケージ型半導体装置において
パッケージ表側表面が帯電した様子を示す図である。 図において、1は半導体素子、2はボンディングワイヤ
、3は外部リード、4は樹脂パッケージ。 7はダイパッド、8は帯電電荷である。 なお、各図中同一符号は同一または相当部分を示す。
Claims (2)
- (1)ダイパッドと、該ダイパッドの一方の面上に設け
られる半導体素子と、該半導体素子および前記ダイパッ
ドを封入するパッケージとを備え、前記ダイパッドの一
方の面側の前記パッケージの外表面を該パッケージのマ
ーク表示面とする半導体装置において、 前記半導体素子を前記ダイパッドの他方の面上に設けた
ことを特徴とする半導体装置。 - (2)前記パッケージは樹脂パッケージである特許請求
の範囲第1項記載の半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61049960A JPS62205651A (ja) | 1986-03-05 | 1986-03-05 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61049960A JPS62205651A (ja) | 1986-03-05 | 1986-03-05 | 半導体装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62205651A true JPS62205651A (ja) | 1987-09-10 |
Family
ID=12845598
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61049960A Pending JPS62205651A (ja) | 1986-03-05 | 1986-03-05 | 半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS62205651A (ja) |
-
1986
- 1986-03-05 JP JP61049960A patent/JPS62205651A/ja active Pending
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