JPH0545070B2 - - Google Patents
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- JPH0545070B2 JPH0545070B2 JP61150802A JP15080286A JPH0545070B2 JP H0545070 B2 JPH0545070 B2 JP H0545070B2 JP 61150802 A JP61150802 A JP 61150802A JP 15080286 A JP15080286 A JP 15080286A JP H0545070 B2 JPH0545070 B2 JP H0545070B2
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- semiconductor
- semiconductor device
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- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 18
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/11—Manufacturing methods
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Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置に関し、特に静電破壊の防
止に有効な構造を備えたICカード用半導体装置
に関する。
止に有効な構造を備えたICカード用半導体装置
に関する。
従来、TAB（テープ・オートメイテツド・ボン
デイング）法による実装技術は半導体チツプの高
密度実装およびその大量生産化にきわめて有効で
あるのでコンピユータまたは小型電卓用のLSIの
実装に多用されている。しかし最近は半導体装置
の薄型化にも適する利点が注目されICカード用
半導体装置にも用いられ始めている。
デイング）法による実装技術は半導体チツプの高
密度実装およびその大量生産化にきわめて有効で
あるのでコンピユータまたは小型電卓用のLSIの
実装に多用されている。しかし最近は半導体装置
の薄型化にも適する利点が注目されICカード用
半導体装置にも用いられ始めている。
第２図ａおよびｂはそれぞれTAB実装技術に
よる従来半導体装置の半導体チツプにおける引出
し電極付近を示す断面図および平面図である。こ
こで、１は半導体チツプの例えばシリコンの如き
半導体基板を示し、２は半導体基板１の表面に成
形された例えばアルミニウムから成る引出し電
極、３および４はそれぞれ半導体基板１の表面に
引出し電極２の一部を除いで形成されたパツシベ
ーシヨン膜（例えばシリコン酸化膜または窒化
膜）および保護膜（例えばポリミイド樹脂膜）、
また、５，６および７はそれぞれバリア金属、突
起状バンプ電極および金属リードである。
よる従来半導体装置の半導体チツプにおける引出
し電極付近を示す断面図および平面図である。こ
こで、１は半導体チツプの例えばシリコンの如き
半導体基板を示し、２は半導体基板１の表面に成
形された例えばアルミニウムから成る引出し電
極、３および４はそれぞれ半導体基板１の表面に
引出し電極２の一部を除いで形成されたパツシベ
ーシヨン膜（例えばシリコン酸化膜または窒化
膜）および保護膜（例えばポリミイド樹脂膜）、
また、５，６および７はそれぞれバリア金属、突
起状バンプ電極および金属リードである。
このようにTAB法によるときは半導体装置の
厚さを通常のワイヤ・ボンデイング法によるもの
より薄くできる利点があるので、ICカードなど
の薄型半導体装置の実装に最適な技術である。し
かしながら、ICカードは従来の半導体装置と比
較すればカードとしての性格上場所が特定できな
い言わば非常に広い環境条件の下で使用されるの
で従来とは性質の異なる新たな問題点が生じてい
る。例えば静電気の問題はその中でも最大のもの
の一つである。すなわちICカードは所持者が常
に身につけ連帯する場合が多いので衣服等との摩
際により静電気が発生される。この静電気は電荷
そのものは小さいが非常に高電圧であるのでIC
カードに内蔵されている半導体チツプに破壊等を
もたらす危険がきわめて大きい。このようなIC
カードに生じる静電破壊は、従来の半導体装置に
用いられている静電気に対する保護装置では充分
対応し得ないものであるので、この保護装置のみ
に頼る第２の半導体装置では実用上問題が多く、
新たな手段を開発すべき必要に迫られている。
厚さを通常のワイヤ・ボンデイング法によるもの
より薄くできる利点があるので、ICカードなど
の薄型半導体装置の実装に最適な技術である。し
かしながら、ICカードは従来の半導体装置と比
較すればカードとしての性格上場所が特定できな
い言わば非常に広い環境条件の下で使用されるの
で従来とは性質の異なる新たな問題点が生じてい
る。例えば静電気の問題はその中でも最大のもの
の一つである。すなわちICカードは所持者が常
に身につけ連帯する場合が多いので衣服等との摩
際により静電気が発生される。この静電気は電荷
そのものは小さいが非常に高電圧であるのでIC
カードに内蔵されている半導体チツプに破壊等を
もたらす危険がきわめて大きい。このようなIC
カードに生じる静電破壊は、従来の半導体装置に
用いられている静電気に対する保護装置では充分
対応し得ないものであるので、この保護装置のみ
に頼る第２の半導体装置では実用上問題が多く、
新たな手段を開発すべき必要に迫られている。
本発明の目的は、上記の状況に鑑み、上記摩擦
により発生する静電破壊に対する保護手段を備え
た半導体装置を提供することである。
により発生する静電破壊に対する保護手段を備え
た半導体装置を提供することである。
本発明の半導体装置は、半導体基板と、前記半
導体基板上に形成される引出し電極と、前記引出
し電極上に形成される突起状バンプ電極と、前記
突起状バンプ電極上に形成される外部端子導出用
の金属リードと、前記半導体基板上に前記引出し
電極に隣接して形成される放電電極と、前記放電
電極と対向して設けられる前記金属リードの突起
部とを備えることを含む。
導体基板上に形成される引出し電極と、前記引出
し電極上に形成される突起状バンプ電極と、前記
突起状バンプ電極上に形成される外部端子導出用
の金属リードと、前記半導体基板上に前記引出し
電極に隣接して形成される放電電極と、前記放電
電極と対向して設けられる前記金属リードの突起
部とを備えることを含む。
すなわち、半導体装置の外被面に生じた静電荷
は金属リードに設けた突起部と半導体基板上に形
成した放電電極との間で放電され半導体チツプの
内部回路に導入されることなく半導体基板を介し
地気に逃げ去るよう構成される。
は金属リードに設けた突起部と半導体基板上に形
成した放電電極との間で放電され半導体チツプの
内部回路に導入されることなく半導体基板を介し
地気に逃げ去るよう構成される。
第１図ａおよびｂはそれぞれ本発明の一実施例
を示す断面図および正面図である。本実施例によ
れば本発明の半導体装置は、半導体チツプの半導
体基板１とこの半導体基板の表面に形成された例
えばアルミニウムから成る引出し電極２と半導体
基板１の表面に引出し電極２の一部を除いて覆う
ように形成されたパツシベーシヨン膜３および保
護膜４と、バリア金属５と、突起状バンプ電極６
およびこれに接続される外部端子への導出用金属
リード７と、引出し電極２と隣接し所定の間隔を
へだて半導体基板１上に形成された放電電極８
と、この放電電極８に対向して設けられた金属リ
ード７の突起部９、金属リード７と放電電極との
間に充満されるアルゴンまたは水銀などの微量不
純物を混入する空気層１０とを含む。ここで１１
は放電電極８につながる配線導体、１２は必要に
応じ形成されるバリア金属である。本実施例にお
けるバリア金属５および１２、パツシベーシヨン
膜３および保護膜４などの材質は全て従来公知の
ものをそのまま用いて良く、また金属リード７お
よびその突起部９、放電電極８、配線導体１１に
は引出し電極と同質のアルミニウム材を用いるこ
とができる。
を示す断面図および正面図である。本実施例によ
れば本発明の半導体装置は、半導体チツプの半導
体基板１とこの半導体基板の表面に形成された例
えばアルミニウムから成る引出し電極２と半導体
基板１の表面に引出し電極２の一部を除いて覆う
ように形成されたパツシベーシヨン膜３および保
護膜４と、バリア金属５と、突起状バンプ電極６
およびこれに接続される外部端子への導出用金属
リード７と、引出し電極２と隣接し所定の間隔を
へだて半導体基板１上に形成された放電電極８
と、この放電電極８に対向して設けられた金属リ
ード７の突起部９、金属リード７と放電電極との
間に充満されるアルゴンまたは水銀などの微量不
純物を混入する空気層１０とを含む。ここで１１
は放電電極８につながる配線導体、１２は必要に
応じ形成されるバリア金属である。本実施例にお
けるバリア金属５および１２、パツシベーシヨン
膜３および保護膜４などの材質は全て従来公知の
ものをそのまま用いて良く、また金属リード７お
よびその突起部９、放電電極８、配線導体１１に
は引出し電極と同質のアルミニウム材を用いるこ
とができる。
本実施例によれば外部端子（図示しない）に接
続される金属リード７の突起部９が基板電位と短
絡された放電電極８と所定の間隔をへだてて互い
に対向配置されているので、金属リード７に流入
した摩擦による静電荷は引出し電極２を通つて内
部回路に入ることなく突起部９と放電電極８間で
放電され半導体基板１および配線導体１１を介し
地気へと流し去ることができる。
続される金属リード７の突起部９が基板電位と短
絡された放電電極８と所定の間隔をへだてて互い
に対向配置されているので、金属リード７に流入
した摩擦による静電荷は引出し電極２を通つて内
部回路に入ることなく突起部９と放電電極８間で
放電され半導体基板１および配線導体１１を介し
地気へと流し去ることができる。
以上の説明から明らかなように、本発明によれ
ば半導体装置に生じた摩擦による静電気は金属リ
ード７の突起部と基板上の放電電極８との間の放
電電流として地気に導くことができる。この場
合、放電領域を適当な不純物濃度をもつ空気を介
在させることによりその放電電界強度を
10000V／cmに設定することができ、放電間隔を
10μｍとすれば約10Vで放電を開始せしめること
ができる。この値は、通常、引出し電極側に形成
される従来の静電保護回路がダイオードの逆方向
耐圧或いはトランジスタのブレークダウン電圧を
利用し、その保護効果が15〜20V以上で生じるの
に比べれば非常に低いものであり、きわめて保護
効果の高いことを示している。
ば半導体装置に生じた摩擦による静電気は金属リ
ード７の突起部と基板上の放電電極８との間の放
電電流として地気に導くことができる。この場
合、放電領域を適当な不純物濃度をもつ空気を介
在させることによりその放電電界強度を
10000V／cmに設定することができ、放電間隔を
10μｍとすれば約10Vで放電を開始せしめること
ができる。この値は、通常、引出し電極側に形成
される従来の静電保護回路がダイオードの逆方向
耐圧或いはトランジスタのブレークダウン電圧を
利用し、その保護効果が15〜20V以上で生じるの
に比べれば非常に低いものであり、きわめて保護
効果の高いことを示している。
本発明における金属リード７と放電電極８との
間隔は、突起状バンプ電極６の高さにより正確に
決定される。通常、突起状バンプ電極６の高さは
±10％程度で制御出来るので、放電間隔を10μｍ
に設定する場合を考えると、10V〜12Vの範囲に
放電電圧を制御することが可能である。言うまで
もなくこの放電電圧の値は突起状バンプ電極６の
高さの選定により任意に設定し得るものである。
間隔は、突起状バンプ電極６の高さにより正確に
決定される。通常、突起状バンプ電極６の高さは
±10％程度で制御出来るので、放電間隔を10μｍ
に設定する場合を考えると、10V〜12Vの範囲に
放電電圧を制御することが可能である。言うまで
もなくこの放電電圧の値は突起状バンプ電極６の
高さの選定により任意に設定し得るものである。
以上詳細に説明したように、本発明によれば装
置全体の厚みには何等の変更を加わることなく従
来と同様に薄形で且つ摩擦静電に対して充分対応
できる保護手段を備えた半導体装置を得ることが
できるので、ICカード用半導体装置として実施
すればカードの信頼性を著しく向上せしめること
ができる。
置全体の厚みには何等の変更を加わることなく従
来と同様に薄形で且つ摩擦静電に対して充分対応
できる保護手段を備えた半導体装置を得ることが
できるので、ICカード用半導体装置として実施
すればカードの信頼性を著しく向上せしめること
ができる。
第１図ａおよびｂはそれぞれ本発明の一実施例
を示す断面図および平面図、第２図ａおよびｂは
それぞれTAB実装技術による従来半導体装置の
半導体チツプにおける引出電極付近を示す断面図
および平面図である。 １……半導体基板、２……引出し電極、３……
パツシベーシヨン膜、４……保護膜、５，１２…
…バリア金属、６……突起状バンブ電極、７……
金属リード、８……放電電極、９……金属リード
の突起部、１０……不純物を混入した空気層、１
１……配線導体。
を示す断面図および平面図、第２図ａおよびｂは
それぞれTAB実装技術による従来半導体装置の
半導体チツプにおける引出電極付近を示す断面図
および平面図である。 １……半導体基板、２……引出し電極、３……
パツシベーシヨン膜、４……保護膜、５，１２…
…バリア金属、６……突起状バンブ電極、７……
金属リード、８……放電電極、９……金属リード
の突起部、１０……不純物を混入した空気層、１
１……配線導体。
Claims (1)
- １ 半導体基板と、前記半導体基板上に形成され
る引出し電極と、前記引出し電極上に形成される
突起状バンプ電極と、前記突起状バンプ電極上に
形成される外部端子導出用の金属リードと、前記
半導体基板上に前記引出し電極に隣接して形成さ
れる放電電極と、前記放電電極と対向して設けら
れる前記金属リードの突起部とを備えることを特
徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61150802A JPS636867A (ja) | 1986-06-26 | 1986-06-26 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61150802A JPS636867A (ja) | 1986-06-26 | 1986-06-26 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS636867A JPS636867A (ja) | 1988-01-12 |
| JPH0545070B2 true JPH0545070B2 (ja) | 1993-07-08 |
Family
ID=15504746
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61150802A Granted JPS636867A (ja) | 1986-06-26 | 1986-06-26 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS636867A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101492587B1 (ko) * | 2014-01-23 | 2015-02-11 | 한국기계연구원 | 슬라이딩 팔걸이로 구동되는 전동 휠체어 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE69316410T2 (de) * | 1992-03-09 | 1998-06-10 | Canon Kk | Kreislaufpapier für Elektrophotographie, und Bilderzeugungsverfahren unter Verwendung dieses Papiers |
-
1986
- 1986-06-26 JP JP61150802A patent/JPS636867A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101492587B1 (ko) * | 2014-01-23 | 2015-02-11 | 한국기계연구원 | 슬라이딩 팔걸이로 구동되는 전동 휠체어 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS636867A (ja) | 1988-01-12 |
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