JPS6360550A - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
半導体装置およびその製造方法Info
- Publication number
- JPS6360550A JPS6360550A JP20365786A JP20365786A JPS6360550A JP S6360550 A JPS6360550 A JP S6360550A JP 20365786 A JP20365786 A JP 20365786A JP 20365786 A JP20365786 A JP 20365786A JP S6360550 A JPS6360550 A JP S6360550A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- electrode
- polycrystalline
- thickness
- cvd
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 12
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 49
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 34
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 16
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 claims abstract description 7
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 9
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims description 3
- 239000002356 single layer Substances 0.000 claims description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims 4
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 abstract description 27
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 24
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 abstract description 23
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 abstract description 23
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 abstract description 23
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 abstract description 23
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 abstract description 23
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 abstract description 23
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 12
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 abstract description 12
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 abstract description 12
- 238000004518 low pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 abstract description 10
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 6
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 5
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 abstract description 5
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 abstract description 5
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 abstract description 5
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 abstract description 4
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 abstract description 4
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 abstract description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 109
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 31
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 10
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 8
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 7
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 6
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 6
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 6
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 6
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 6
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 6
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 5
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 5
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 4
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 3
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GQPLMRYTRLFLPF-UHFFFAOYSA-N Nitrous Oxide Chemical compound [O-][N+]#N GQPLMRYTRLFLPF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 2
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N ammonia Natural products N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- YXTPWUNVHCYOSP-UHFFFAOYSA-N bis($l^{2}-silanylidene)molybdenum Chemical compound [Si]=[Mo]=[Si] YXTPWUNVHCYOSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- MROCJMGDEKINLD-UHFFFAOYSA-N dichlorosilane Chemical compound Cl[SiH2]Cl MROCJMGDEKINLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 229910000040 hydrogen fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 229910052909 inorganic silicate Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 229910021344 molybdenum silicide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 1
- 229960001730 nitrous oxide Drugs 0.000 description 1
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 1
- 239000000376 reactant Substances 0.000 description 1
- 230000035484 reaction time Effects 0.000 description 1
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 description 1
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004575 stone Substances 0.000 description 1
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- WQJQOUPTWCFRMM-UHFFFAOYSA-N tungsten disilicide Chemical compound [Si]#[W]#[Si] WQJQOUPTWCFRMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021342 tungsten silicide Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は電荷ｖＩｌｔ＆素子（キャパシタ）を持つ半導
体装置およびその製造方法に係り、特に高集積化に好適
な半導体装置およびその製造方法に関する。
体装置およびその製造方法に係り、特に高集積化に好適
な半導体装置およびその製造方法に関する。
通常、ダイナミック型ＲＡＭ−ＬＳＩでは、１個のトラ
ンジスターと１個のキャパシタから成る組み合わせを最
小単位としてメモリーセルが構成されている。従来のＬ
ＳＩでは、Ｓｉ基板の表面を熱酸化することによってＳ
ｉＯ２膜を形成し、それをキャパシタ絶縁膜として用い
る、いわゆるプレーナセル構造が一般的に用いられてき
た。しかし、周知の如くキャパシタの電荷蓄積容量はキ
ャパシタの面積に比例するため、プレーナセルでは所定
の容量を確保しつつ面積を縮少することが困難となって
きた。これに対処するための平面上の面積は同一でも実
質的面積を拡大するため、予め基板表面に形成されてい
るトランジスタ等の素子の上にパターニングされた多結
晶Ｓｊを積み上げて配置し、それを下側の電極としてキ
ャパシタを形成する、いわゆるＳ Ｔ Ｃ（Ｓｔａｃｋ
ｅｄ Ｃａｐａｃｉｔｏｒ）セル構造が検討されている
。キャパシタ絶縁膜は多結晶Ｓｉを熱酸化することによ
り形成される。
ンジスターと１個のキャパシタから成る組み合わせを最
小単位としてメモリーセルが構成されている。従来のＬ
ＳＩでは、Ｓｉ基板の表面を熱酸化することによってＳ
ｉＯ２膜を形成し、それをキャパシタ絶縁膜として用い
る、いわゆるプレーナセル構造が一般的に用いられてき
た。しかし、周知の如くキャパシタの電荷蓄積容量はキ
ャパシタの面積に比例するため、プレーナセルでは所定
の容量を確保しつつ面積を縮少することが困難となって
きた。これに対処するための平面上の面積は同一でも実
質的面積を拡大するため、予め基板表面に形成されてい
るトランジスタ等の素子の上にパターニングされた多結
晶Ｓｊを積み上げて配置し、それを下側の電極としてキ
ャパシタを形成する、いわゆるＳ Ｔ Ｃ（Ｓｔａｃｋ
ｅｄ Ｃａｐａｃｉｔｏｒ）セル構造が検討されている
。キャパシタ絶縁膜は多結晶Ｓｉを熱酸化することによ
り形成される。
多結晶Ｓｉを熱酸化してＳｉＯ２膜を形成した構造は、
不揮発性メモリセル等においても実用段階で用いられて
おり、ＳｉＯ２膜の絶縁性が素子の信頼性に大きな影響
を持っている。
不揮発性メモリセル等においても実用段階で用いられて
おり、ＳｉＯ２膜の絶縁性が素子の信頼性に大きな影響
を持っている。
多結晶Ｓｉを熱酸化して得られるＳｉＯ２膜の絶縁耐圧
特性については、特開昭５９−１０３３４７号や特告昭
５８−４９０３２号などに述べられている。
特性については、特開昭５９−１０３３４７号や特告昭
５８−４９０３２号などに述べられている。
上記従来技術では、キャパシタ絶縁膜として用いる、多
結晶Ｓｉの熱酸化膜の絶縁耐圧が低いという問題があっ
た。その原因は以下のように考えられる。例えば周知の
熱拡散法により多結晶Ｓｉにリンをドーピングした場合
、■そのドーピング中に多結晶Ｓｉの結晶化が進み、結
晶粒径が増大する、■また、多結晶Ｓｉ表面の凹凸も増
大する、■さらに多結晶Ｓｉの膜厚が薄い場合にはリン
が表面に析出し突起を形成するなどの現象を生じる。
結晶Ｓｉの熱酸化膜の絶縁耐圧が低いという問題があっ
た。その原因は以下のように考えられる。例えば周知の
熱拡散法により多結晶Ｓｉにリンをドーピングした場合
、■そのドーピング中に多結晶Ｓｉの結晶化が進み、結
晶粒径が増大する、■また、多結晶Ｓｉ表面の凹凸も増
大する、■さらに多結晶Ｓｉの膜厚が薄い場合にはリン
が表面に析出し突起を形成するなどの現象を生じる。
この状況で熱酸化を行なうと凹凸の極になる部分では酸
化膜厚が薄くなり、さらに凸の部分では電界集中が起き
やすくなり絶縁耐圧の低下につながる。 本発明の目的
は、絶縁層を形成する下地となる電極の材質や形成によ
って絶縁特性が変動することのない絶縁膜を形成し、キ
ャパシタの絶縁耐圧を向上させることによりＴ、ＳＩの
信頼性を確保することにある。
化膜厚が薄くなり、さらに凸の部分では電界集中が起き
やすくなり絶縁耐圧の低下につながる。 本発明の目的
は、絶縁層を形成する下地となる電極の材質や形成によ
って絶縁特性が変動することのない絶縁膜を形成し、キ
ャパシタの絶縁耐圧を向上させることによりＴ、ＳＩの
信頼性を確保することにある。
上記目的は、ＣＶＥ）法により形成するＳｉＯ２膜をキ
ャパシタ絶縁膜として用いることにより達成される。
ャパシタ絶縁膜として用いることにより達成される。
発明者らは前記熱酸化膜の絶縁耐圧が低いことを考慮し
て種々形成法の異なる膜について多結晶Ｓｉ上にキャパ
シタを形成しその絶縁特性を評価した。その結果、温度
８００℃圧力１０６Ｐｉ（０、８Ｔｏｒｒ）、モノシラ
ン（Ｓｉ、）ｒ＋）と−酸化二窒素（Ｎ ２０ ）を反
応ガスとする低圧ＣＶＤ法により形成したＳｉＯ２膜が
最も絶縁耐圧の高いことが明らかとなった。参考までに
説明すれば、同じＬＰＣＶＤ法で形成したＳｉ窒化膜は
耐圧が低く、また、４３０℃程度の低温でＣＶＤ法によ
り形成したリンガラス膜は電流−電圧特性が不安定で且
つ下地段差に対する被覆性が悪いため段差の上下で膜厚
差を生じ実用的ではなかった。さらにプラズマ゛ＣＶＤ
法により形成したＳｉＯ２もリンガラスと同様の結果し
か得られなかった。
て種々形成法の異なる膜について多結晶Ｓｉ上にキャパ
シタを形成しその絶縁特性を評価した。その結果、温度
８００℃圧力１０６Ｐｉ（０、８Ｔｏｒｒ）、モノシラ
ン（Ｓｉ、）ｒ＋）と−酸化二窒素（Ｎ ２０ ）を反
応ガスとする低圧ＣＶＤ法により形成したＳｉＯ２膜が
最も絶縁耐圧の高いことが明らかとなった。参考までに
説明すれば、同じＬＰＣＶＤ法で形成したＳｉ窒化膜は
耐圧が低く、また、４３０℃程度の低温でＣＶＤ法によ
り形成したリンガラス膜は電流−電圧特性が不安定で且
つ下地段差に対する被覆性が悪いため段差の上下で膜厚
差を生じ実用的ではなかった。さらにプラズマ゛ＣＶＤ
法により形成したＳｉＯ２もリンガラスと同様の結果し
か得られなかった。
以上の検討により前記多結晶Ｓｉをｇ酸化して得られる
キャパシタ絶縁膜の耐圧低下の問題は、絶縁膜にＣＶＤ
法により形成する５ｉＯｚｒＪ、を用いることにより解
決できることが明らかとなった。
キャパシタ絶縁膜の耐圧低下の問題は、絶縁膜にＣＶＤ
法により形成する５ｉＯｚｒＪ、を用いることにより解
決できることが明らかとなった。
また、Ｗ！極とその上に形成するＣｖＤ−８ｉＯ２膜の
間に自然的に成長する酸化膜を含む熱酸化膜が介在する
と耐圧が低下する場合があり、この問題の解決に対して
はＣＶＤ−５ｉ○２膜を形成する直前に、下層の熱酸化
膜を気相中で除去することが有効であった。
間に自然的に成長する酸化膜を含む熱酸化膜が介在する
と耐圧が低下する場合があり、この問題の解決に対して
はＣＶＤ−５ｉ○２膜を形成する直前に、下層の熱酸化
膜を気相中で除去することが有効であった。
ＣＶＤ−８ｉ○２膜の形成機構は基板への被着堆積であ
り、熱酸化膜が下地基板自身を５ｉＯｚに変換しつつ形
成されるのとは全く異なっている。
り、熱酸化膜が下地基板自身を５ｉＯｚに変換しつつ形
成されるのとは全く異なっている。
従って、熱酸化膜では下地基板の不純物′ａ度や表面の
凹凸などがその絶縁耐圧に著しく影響するのに対してＣ
ｖＤ−８ｉＯ２膜は下地基板の影響を受けにくい。また
、熱酸化膜の低耐圧を補償するために、その上に膜を多
層に積層する方法が前記公告特許昭５８−４９０３２号
に述べられているが、発明者らの実験では、本方法によ
る耐圧向上に対する効果は見られず、むしろ熱酸化膜は
除去してＣＶＤ−８ｉ○２膜単層で携成する方が耐圧向
上に対する効果は大きいことが明らかとなった。
凹凸などがその絶縁耐圧に著しく影響するのに対してＣ
ｖＤ−８ｉＯ２膜は下地基板の影響を受けにくい。また
、熱酸化膜の低耐圧を補償するために、その上に膜を多
層に積層する方法が前記公告特許昭５８−４９０３２号
に述べられているが、発明者らの実験では、本方法によ
る耐圧向上に対する効果は見られず、むしろ熱酸化膜は
除去してＣＶＤ−８ｉ○２膜単層で携成する方が耐圧向
上に対する効果は大きいことが明らかとなった。
以下、本発明の一実施例を説明する。最初に本実施例で
扱う実験結果に関し、測定上の重要な留意点について説
明しておく。それは絶縁膜の膜厚測定方法についてであ
る。単結晶Ｓｉのような鏡面上の絶縁膜については周知
のエリプリメトリー法により測定可能であるが、本実施
例で述べる多結晶Ｓｉのように表面に凹凸がある場合に
は上記手法により絶縁膜の膜厚を同定することは田辺で
ある。加えて１０ｎｍ以下の極めて薄い膜厚を測定する
方法としては電気的手段が有効である。ここではキャパ
シタの容量を測定し、ｄ＝ε・Ｓ／Ｃの関係式から膜厚
を算出した。なお、測定周波数は１０ Ｋ Ｈｙ、とし
た。また、測定試料のキャパシタ面積は１ｆｆｌ”とし
、絶縁耐圧（電界強度）は１０−’Ａの電流が流れる時
の電極に印加した電圧が定義した。また、電極には時間
とともに、０．５Ｖ／Ｓで変化する電圧を印加した。
扱う実験結果に関し、測定上の重要な留意点について説
明しておく。それは絶縁膜の膜厚測定方法についてであ
る。単結晶Ｓｉのような鏡面上の絶縁膜については周知
のエリプリメトリー法により測定可能であるが、本実施
例で述べる多結晶Ｓｉのように表面に凹凸がある場合に
は上記手法により絶縁膜の膜厚を同定することは田辺で
ある。加えて１０ｎｍ以下の極めて薄い膜厚を測定する
方法としては電気的手段が有効である。ここではキャパ
シタの容量を測定し、ｄ＝ε・Ｓ／Ｃの関係式から膜厚
を算出した。なお、測定周波数は１０ Ｋ Ｈｙ、とし
た。また、測定試料のキャパシタ面積は１ｆｆｌ”とし
、絶縁耐圧（電界強度）は１０−’Ａの電流が流れる時
の電極に印加した電圧が定義した。また、電極には時間
とともに、０．５Ｖ／Ｓで変化する電圧を印加した。
実施例■
まず、第３図により測定試料の形成方法について説明す
る。比抵抗０．Ｌ〜１．０Ω・国のｎ型（１００）面方
位を有するＳｉ基板１上に、温度４３０’Ｃ，ＳｉＨ４
，！：、酸素（０２）を反応ガスとするＣＶＤ法により
厚さ３００ｎｍのＳｉＯ２膜２の島状パターンを形成し
た１次いで温度６３０℃、圧力１０６Ｐａ、５ｉＨａの
熱分解による低圧ＣＶＤ法により厚さ３００ｎｍの多結
晶Ｓｉを全面に被着堆積した。その後、通常の熱拡散法
を用いて多結晶Ｓｉにリンをドーピングし、下部電極３
とした。拡散条件は８７５℃、３０分とした。
る。比抵抗０．Ｌ〜１．０Ω・国のｎ型（１００）面方
位を有するＳｉ基板１上に、温度４３０’Ｃ，ＳｉＨ４
，！：、酸素（０２）を反応ガスとするＣＶＤ法により
厚さ３００ｎｍのＳｉＯ２膜２の島状パターンを形成し
た１次いで温度６３０℃、圧力１０６Ｐａ、５ｉＨａの
熱分解による低圧ＣＶＤ法により厚さ３００ｎｍの多結
晶Ｓｉを全面に被着堆積した。その後、通常の熱拡散法
を用いて多結晶Ｓｉにリンをドーピングし、下部電極３
とした。拡散条件は８７５℃、３０分とした。
次にキャパシタ絶縁膜としてＳｉＯ２膜４の形成を、乾
燥ＷＩＮを用いた熱酸化法あるいは温度８００℃〜８５
０℃、圧力１０６Ｐａ、ＳｉＨ４とＮＺＯを反応ガスと
する低圧ＣＶＤ法により行なった。
燥ＷＩＮを用いた熱酸化法あるいは温度８００℃〜８５
０℃、圧力１０６Ｐａ、ＳｉＨ４とＮＺＯを反応ガスと
する低圧ＣＶＤ法により行なった。
次に上部電極として、下部電極と同様の方法でリンをド
ープした多結晶Ｓ ｉ５を形成し、通常のホトリソグラ
フィー法とドライエツチング法により面積１ｍｍ”のパ
ターンを形成した。なお、基板の裏面にもリンを高濃度
にドーピングした。絶縁耐圧の測定は上部電極に正バイ
アス（＋）あるいは負バイアス（−）を印加することに
より行なった。
ープした多結晶Ｓ ｉ５を形成し、通常のホトリソグラ
フィー法とドライエツチング法により面積１ｍｍ”のパ
ターンを形成した。なお、基板の裏面にもリンを高濃度
にドーピングした。絶縁耐圧の測定は上部電極に正バイ
アス（＋）あるいは負バイアス（−）を印加することに
より行なった。
上記側室方法によって得られた、熱酸化膜とＣＶＤ・Ｓ
ｉＯ２膜のひとつの基板内での絶縁耐圧（電界強度）の
分布を第１図に示した。膜厚は２５ｎｍであり、ひとつ
の基板上での測定サンプル数は７７個である。ａ図は熱
酸化膜の結果で上部電極に正バイアスを印加した時の電
界強度分布を示している。耐圧がＩＭＶ／Ｇ以下のもの
を除外した平均電界強度は３．６ＭＶ／ａｍであった。
ｉＯ２膜のひとつの基板内での絶縁耐圧（電界強度）の
分布を第１図に示した。膜厚は２５ｎｍであり、ひとつ
の基板上での測定サンプル数は７７個である。ａ図は熱
酸化膜の結果で上部電極に正バイアスを印加した時の電
界強度分布を示している。耐圧がＩＭＶ／Ｇ以下のもの
を除外した平均電界強度は３．６ＭＶ／ａｍであった。
また。
極端な低電界（ＩＭＶ／■以下）で破壊を生じる・いわ
ゆる初期欠陥もあった。ｂ図は温度８００℃で形成した
ＣｖＤ−８ｉ○２膜の結果で上部電極に負バイアスを印
加した時の電界強度分布を示している。初期欠陥は熱酸
化膜と同等の割合で発生したが、平均電界強度は４．８
ＭＶ／■で熱酸化膜より高い値を示した。０図は、ＣＶ
Ｄ−８ｉ Ｏｘ暎形成後９５０℃、３０分、Ｎｘアニー
ルを行なった時の電界強度分布を示している。平均電界
強度は５．９ Ｍ Ｖ ／ ｃｘｓでさらに向上が見ら
れ、且つ初期欠陥は発生しなかった。なお、熱酸化膜と
ＣＶＤ−８ｉ○２膜では電界強度のバイアス依存性が逆
の傾向を示したが、第１図では各々の電界強度が低くな
る方のバイアス条件で比較した。
ゆる初期欠陥もあった。ｂ図は温度８００℃で形成した
ＣｖＤ−８ｉ○２膜の結果で上部電極に負バイアスを印
加した時の電界強度分布を示している。初期欠陥は熱酸
化膜と同等の割合で発生したが、平均電界強度は４．８
ＭＶ／■で熱酸化膜より高い値を示した。０図は、ＣＶ
Ｄ−８ｉ Ｏｘ暎形成後９５０℃、３０分、Ｎｘアニー
ルを行なった時の電界強度分布を示している。平均電界
強度は５．９ Ｍ Ｖ ／ ｃｘｓでさらに向上が見ら
れ、且つ初期欠陥は発生しなかった。なお、熱酸化膜と
ＣＶＤ−８ｉ○２膜では電界強度のバイアス依存性が逆
の傾向を示したが、第１図では各々の電界強度が低くな
る方のバイアス条件で比較した。
本実施例の結果から熱酸化膜よりもＣＶＤ・ＳｉＯ２膜
の方が電界強度を高くでき、Ｎ２アニールによってさら
に電界強度を高くできることが明らかである。また、Ｎ
２アニールにより初期欠陥の低減にも効果が見られたが
、これはＣＶＤ・ＳｉＯ２膜がアニールによって緻密化
し、膜中の構造的微小欠陥が消滅する効果によるものと
考えられる。また、ＣｖＤ−８ｉＯ２膜の形成温度は８
００℃であり、熱酸化法に比べて約１００℃低温化でき
、且つ膜厚分布の少ないＳｉＯ２膜を得ることができる
。本実施例ではＣｖＤ−８ｉ０２゜膜の形成には５ｉＩ
ＩｉとＮｅｏ の化学反応を用いたが、ジクロロシラン
（Ｓｉｉ［ｚＣＱ りとＮ ｚ Ｏを用いても同様の結
果が得られた、従って、低圧ＣＶＤ法で形成するＳｉＯ
２膜の電界強度は反応ガスの種類によって左右されるも
のではないことがわかった。
の方が電界強度を高くでき、Ｎ２アニールによってさら
に電界強度を高くできることが明らかである。また、Ｎ
２アニールにより初期欠陥の低減にも効果が見られたが
、これはＣＶＤ・ＳｉＯ２膜がアニールによって緻密化
し、膜中の構造的微小欠陥が消滅する効果によるものと
考えられる。また、ＣｖＤ−８ｉＯ２膜の形成温度は８
００℃であり、熱酸化法に比べて約１００℃低温化でき
、且つ膜厚分布の少ないＳｉＯ２膜を得ることができる
。本実施例ではＣｖＤ−８ｉ０２゜膜の形成には５ｉＩ
ＩｉとＮｅｏ の化学反応を用いたが、ジクロロシラン
（Ｓｉｉ［ｚＣＱ りとＮ ｚ Ｏを用いても同様の結
果が得られた、従って、低圧ＣＶＤ法で形成するＳｉＯ
２膜の電界強度は反応ガスの種類によって左右されるも
のではないことがわかった。
実施例■
次にＣＶ Ｄ−Ｓ ｘ Ｏｚ膜を絶縁膜とするキャパシ
タにおいて、絶縁膜の平均電界強度と膜厚との関係を澗
べた第２の実施例について第２図により説明する。
タにおいて、絶縁膜の平均電界強度と膜厚との関係を澗
べた第２の実施例について第２図により説明する。
ＣＶ Ｄ−８ｉ○２膜は８００℃で形成し、５ｉＴＩａ
とＮ２０の反応時間を変化させることにより膜厚の異な
るキャパシタを作成し前述の手法に従って絶縁耐圧（電
界強度）を測定した。その結果上部電極に正バイアスを
印加した方が電界強度が高かった。また、いずれのバイ
アスにおいても平均電界強度のＳｉＯ２膜厚依存性はほ
ぼ同じ傾向を示し、５ｉｎｓ膜厚が３０膜ｍより薄い領
域では膜厚の薄膜化に伴なって平均電界強度が増大する
ことがわかった。
とＮ２０の反応時間を変化させることにより膜厚の異な
るキャパシタを作成し前述の手法に従って絶縁耐圧（電
界強度）を測定した。その結果上部電極に正バイアスを
印加した方が電界強度が高かった。また、いずれのバイ
アスにおいても平均電界強度のＳｉＯ２膜厚依存性はほ
ぼ同じ傾向を示し、５ｉｎｓ膜厚が３０膜ｍより薄い領
域では膜厚の薄膜化に伴なって平均電界強度が増大する
ことがわかった。
本実施例の結果から、ＳｉＯ２膜自身の膜厚を薄くする
ことによってその電界強度を向上できることが明らかで
ある。
ことによってその電界強度を向上できることが明らかで
ある。
実施例■
次に、下部電極とＣＶ Ｄ ’ Ｓ ｉ Ｏ２膜との間
に（自然成長酸化膜を含む）熱酸化膜が存在すると電界
強度が低下する例について第４図により説明する。Ｓｉ
Ｈ４とＮｘＯを反応ガスとする低圧ＣＶＤ法でＳｉＣ２
膜を形成する場合、反応ガスの混合状態を良好にするた
め酸化剤であるＮ２０を反応管内に充満させた状態でＳ
ｉ、ｉＩ４ を導入する。従って、ＳｉＨｔを導入する
のに先立ってＮ ｚ Ｏだけを一定時間流すことが必要
となる。本実施例における試料の作成方法を説明する。
に（自然成長酸化膜を含む）熱酸化膜が存在すると電界
強度が低下する例について第４図により説明する。Ｓｉ
Ｈ４とＮｘＯを反応ガスとする低圧ＣＶＤ法でＳｉＣ２
膜を形成する場合、反応ガスの混合状態を良好にするた
め酸化剤であるＮ２０を反応管内に充満させた状態でＳ
ｉ、ｉＩ４ を導入する。従って、ＳｉＨｔを導入する
のに先立ってＮ ｚ Ｏだけを一定時間流すことが必要
となる。本実施例における試料の作成方法を説明する。
第３図に示した試料の作成手順に従って下地電極まで形
成した後、Ｓｉウェーハを低圧ＣＶＤ装置内に挿入設置
した。温度は８５０℃とした。−旦０．１：ＳＰａまで
真空排気した後Ｎ２０ を導入し、１０６Ｐａの雰囲気
で一定時間放置した。その後Ｓ ｉ、 Ｈｔを導入し厚
さ１２膜ｍのＳｉＯ２膜をウェーハ上に被着堆積した。
成した後、Ｓｉウェーハを低圧ＣＶＤ装置内に挿入設置
した。温度は８５０℃とした。−旦０．１：ＳＰａまで
真空排気した後Ｎ２０ を導入し、１０６Ｐａの雰囲気
で一定時間放置した。その後Ｓ ｉ、 Ｈｔを導入し厚
さ１２膜ｍのＳｉＯ２膜をウェーハ上に被着堆積した。
その後上部電極を形成してＳｉＯ２膜の電界強度を測定
した。第４図は、Ｎ ｘ Ｏ中での放置時間Ｊ「とその
放置中に多結晶Ｓｉから成る下地電極表面に成長した熱
酸化膜厚（図中右縦軸）と、その熱酸化膜の上に厚さ１
２膜ｍのＣｖＤ−８ｉ０２膜を形成した後の電界強度と
の関連を示している。Ｎ２０中での放置時間ｔが７８０
秒（Ｊこ＝２８）の時、下地電極表面に成長した熱酸化
膜ｌダは１２膜ｍであった。その王に厚さ１２膜ｍのＣ
ＶＤ−８ｉ○２膜を形成した後の電界強度は、正バイア
スで４．１ ＭＶ／ｃｎ 。
した。第４図は、Ｎ ｘ Ｏ中での放置時間Ｊ「とその
放置中に多結晶Ｓｉから成る下地電極表面に成長した熱
酸化膜厚（図中右縦軸）と、その熱酸化膜の上に厚さ１
２膜ｍのＣｖＤ−８ｉ０２膜を形成した後の電界強度と
の関連を示している。Ｎ２０中での放置時間ｔが７８０
秒（Ｊこ＝２８）の時、下地電極表面に成長した熱酸化
膜ｌダは１２膜ｍであった。その王に厚さ１２膜ｍのＣ
ＶＤ−８ｉ○２膜を形成した後の電界強度は、正バイア
スで４．１ ＭＶ／ｃｎ 。
負バイアスで５．１ＭＶ／個であった。一方、放置時間
が短くなると電極表面に成長する熱酸化膜厚は減少し、
それに伴なって電界強度は向上した。
が短くなると電極表面に成長する熱酸化膜厚は減少し、
それに伴なって電界強度は向上した。
例えばＮ２０中での放置時間ｔが２５秒＜Ｊτ＝５）の
時、電極表面に成長した熱酸化膜厚は３．５膜ｍであっ
た。その上に厚さ１２膜ｍのＣＶＤ・ＳｉＯ２膜を形成
した後の電界強度は正バイアスで６．５ＭＶ／ｃｍ 、
負バイア ステ５ 、８ Ｍ Ｖ ／ ｃｘｎに向上し
た。
時、電極表面に成長した熱酸化膜厚は３．５膜ｍであっ
た。その上に厚さ１２膜ｍのＣＶＤ・ＳｉＯ２膜を形成
した後の電界強度は正バイアスで６．５ＭＶ／ｃｍ 、
負バイア ステ５ 、８ Ｍ Ｖ ／ ｃｘｎに向上し
た。
本実施例によればＣＶＤ−３ｉ Ｏｘ ＩＸ％と下地電
極との間に存在する熱酸化膜を薄くするほど電界強度は
向上することが明らかである。また１本実施例ではＣＶ
Ｄ−８ｉＯ２膜形成前に電極表面に熱酸化膜を成長させ
た例について述べたが、ＣＶＤ・ＳｉＯｘ形成後に酸化
性雰囲気で熱処理を行なった場合にも同様に絶縁耐圧が
低下する結果が得られた。これは、熱酸化膜が常に下層
電極表面を酸化することにより成長するためである。
極との間に存在する熱酸化膜を薄くするほど電界強度は
向上することが明らかである。また１本実施例ではＣＶ
Ｄ−８ｉＯ２膜形成前に電極表面に熱酸化膜を成長させ
た例について述べたが、ＣＶＤ・ＳｉＯｘ形成後に酸化
性雰囲気で熱処理を行なった場合にも同様に絶縁耐圧が
低下する結果が得られた。これは、熱酸化膜が常に下層
電極表面を酸化することにより成長するためである。
実施例■
実施例３で用いた第４図から、ＮｚＯ中での放置時間を
雰にしても下地電極表面には２膜ｍ程度の自然成長した
酸化膜が存在していることがわかった６なお、自然成長
とは意図的に制御された条件の中で成長したものではな
いという意味を持っている。この自然成長酸化膜を零に
することは、試料作成環境に酸素を含む空気が存在する
限り実質的に田辺である。本実施例ではこの自然成長酸
化膜を気相中で除去した例について説明する。下地電極
を形成した後、低圧ＣＶＤ装置内にＳｉウェーハを挿入
設置した後、−旦０．１３Ｐａ まで真空排気した。
雰にしても下地電極表面には２膜ｍ程度の自然成長した
酸化膜が存在していることがわかった６なお、自然成長
とは意図的に制御された条件の中で成長したものではな
いという意味を持っている。この自然成長酸化膜を零に
することは、試料作成環境に酸素を含む空気が存在する
限り実質的に田辺である。本実施例ではこの自然成長酸
化膜を気相中で除去した例について説明する。下地電極
を形成した後、低圧ＣＶＤ装置内にＳｉウェーハを挿入
設置した後、−旦０．１３Ｐａ まで真空排気した。
その後、温度を１０００℃まで上昇し、水素を導入し２
６５Ｐａの雰囲気で３０分間熱処理を施した。その後水
素の導入を停止し、Ｎ２を導入して８００”Ｃまで降温
した後ＣＶＤ・５ｉＯｚ股を形成し、上部電極を形成し
て電界強度を測定した。ＣＶＤ−８ｉＯ２膜厚１０ｎｍ
の試料では正バイアスで７ 、２ ＭＶ／ａ＋＋ 、負
バイアスで６．３ＭＶ／ｍ であった。また、ＣＶＩ−
） ・Ｓｉ○２膜厚３ｎｍでも正バイアスで７ 、５
Ｍ Ｖ／信、負バイアスで６ 、５ Ｍ Ｖ ／ ｒｘ
の値が得られた。水素処理を行なっていない第２図の
結果と比狡して耐圧の向上および薄膜化の限界を５Ωｍ
から３Ωｍまで下げることができた。
６５Ｐａの雰囲気で３０分間熱処理を施した。その後水
素の導入を停止し、Ｎ２を導入して８００”Ｃまで降温
した後ＣＶＤ・５ｉＯｚ股を形成し、上部電極を形成し
て電界強度を測定した。ＣＶＤ−８ｉＯ２膜厚１０ｎｍ
の試料では正バイアスで７ 、２ ＭＶ／ａ＋＋ 、負
バイアスで６．３ＭＶ／ｍ であった。また、ＣＶＩ−
） ・Ｓｉ○２膜厚３ｎｍでも正バイアスで７ 、５
Ｍ Ｖ／信、負バイアスで６ 、５ Ｍ Ｖ ／ ｒｘ
の値が得られた。水素処理を行なっていない第２図の
結果と比狡して耐圧の向上および薄膜化の限界を５Ωｍ
から３Ωｍまで下げることができた。
本実施例では電極表面の自然成長酸化膜を除去する手段
として水素を用いたが、還元性雰囲気であればこれに限
ることはなく、また、フッ化水素ガス等によるエツチン
グ雰囲気中で行なっても効果は同じである。
として水素を用いたが、還元性雰囲気であればこれに限
ることはなく、また、フッ化水素ガス等によるエツチン
グ雰囲気中で行なっても効果は同じである。
実施例■
以上述べた実施例は第３図に示したキャパシタ構造によ
るものであるが、ここではより実際的な場合とし、てＳ
ＴＣ構造により実験検証した第５の実施例について第５
図により説明する。ｎ型（１，００）、１Ω・■のＳｉ
基板１上に厚さ５００ｎｍのＳｉＯ２膜２を形成し、ホ
トリソグラフィーと異方性ドライエツチング法により所
望の領域に穴あけを行なった６ホトレジストを除去した
後、厚さ３００ ｎ ｍの多結晶ＳｉをＣＶＤ法により
被着堆積し、周知の熱拡散法により８７５℃、３０分の
条件でリンをドーピングした０次いで多結晶Ｓｉ表面に
形成されているリンガラス層を希釈フッ酸により除去し
、ホトリソグラフィーと異方性ドライエツチング法によ
り多結晶Ｓｊをパターニングし下部電極３とした。次に
過酸化水素とアンモニア水を含む水溶液により表面を清
浄にし、さらに希釈フッ酸による洗浄を行なった後、温
度８００℃、圧力１０６Ｐａ、５ｉＩＩａとＮ２０ を
反応ガスとするＬ Ｐ ＣＶ Ｄ法により厚さ１０ｎｍ
のＳｉＯ４膜４を被着堆積した。その後９００℃。
るものであるが、ここではより実際的な場合とし、てＳ
ＴＣ構造により実験検証した第５の実施例について第５
図により説明する。ｎ型（１，００）、１Ω・■のＳｉ
基板１上に厚さ５００ｎｍのＳｉＯ２膜２を形成し、ホ
トリソグラフィーと異方性ドライエツチング法により所
望の領域に穴あけを行なった６ホトレジストを除去した
後、厚さ３００ ｎ ｍの多結晶ＳｉをＣＶＤ法により
被着堆積し、周知の熱拡散法により８７５℃、３０分の
条件でリンをドーピングした０次いで多結晶Ｓｉ表面に
形成されているリンガラス層を希釈フッ酸により除去し
、ホトリソグラフィーと異方性ドライエツチング法によ
り多結晶Ｓｊをパターニングし下部電極３とした。次に
過酸化水素とアンモニア水を含む水溶液により表面を清
浄にし、さらに希釈フッ酸による洗浄を行なった後、温
度８００℃、圧力１０６Ｐａ、５ｉＩＩａとＮ２０ を
反応ガスとするＬ Ｐ ＣＶ Ｄ法により厚さ１０ｎｍ
のＳｉＯ４膜４を被着堆積した。その後９００℃。
２０分のＮ２雰ｖＪ４気での熱処理を施し、リンをドー
ピングした多結晶Ｓｉによる上部電極５を形成した。第
５図に示した如く基本的なＳ Ｔ Ｃｔｔ’４造のキャ
パシタとなっている。この構造でキャパシタ絶縁膜を形
成する際に問題となるのは図中丸印で示した、下地の段
差によって電極表面に生じる角部６や電極自身の段差に
より生じる角部７などが存在することである。熱酸化法
でＳｉＯ２膜を形成した場合には上記角部では膜厚が薄
くなり絶縁耐圧の低下を避けることができない。ＣＶＤ
・Ｓｘ○２を用いた本実施例では、下部電極によって形
成される段差部の長さを１１００ＩＬから４ｍまで変え
て測定してみたがいずれの場合も上部電極正バイアスで
７．２ＭＶ／ｃｍ、負バイアスで６ 、４ Ｍ Ｖ ／
ｃｎ の値を示し、段差部の影響は全く受けないこと
が明らかとなった。
ピングした多結晶Ｓｉによる上部電極５を形成した。第
５図に示した如く基本的なＳ Ｔ Ｃｔｔ’４造のキャ
パシタとなっている。この構造でキャパシタ絶縁膜を形
成する際に問題となるのは図中丸印で示した、下地の段
差によって電極表面に生じる角部６や電極自身の段差に
より生じる角部７などが存在することである。熱酸化法
でＳｉＯ２膜を形成した場合には上記角部では膜厚が薄
くなり絶縁耐圧の低下を避けることができない。ＣＶＤ
・Ｓｘ○２を用いた本実施例では、下部電極によって形
成される段差部の長さを１１００ＩＬから４ｍまで変え
て測定してみたがいずれの場合も上部電極正バイアスで
７．２ＭＶ／ｃｍ、負バイアスで６ 、４ Ｍ Ｖ ／
ｃｎ の値を示し、段差部の影響は全く受けないこと
が明らかとなった。
これは、上記条件で形成するＣＶＤ−８ｉ Ｏｚ膜の段
差被覆性が優れており、且つ熱酸化膜と異なり下地の形
状、材質に係らずいかなる部分にも−様な膜厚で被着堆
積する性質に起因している。
差被覆性が優れており、且つ熱酸化膜と異なり下地の形
状、材質に係らずいかなる部分にも−様な膜厚で被着堆
積する性質に起因している。
従って本実施例で述べたＳＴＣ構造に限らず、Ｓｉ基板
内に形成する溝型キャパシタや、その他、下地電極構造
がいかに複離になっても絶縁耐圧が低下することのない
キャパシタを形成することができる。なお、本実施例で
は便宜上ｎ型Ｓｉ基板を用いたが、効果は基板の種類に
左右されるものではない。また、前述のように電極の材
質は多結晶Ｓｉに限るものではなく、タングステンシリ
サイドやモリブデンシリサイドなどのシリサイド電極や
、Ｗ等の金属電極であっても同様の効果を得ることがで
きる。
内に形成する溝型キャパシタや、その他、下地電極構造
がいかに複離になっても絶縁耐圧が低下することのない
キャパシタを形成することができる。なお、本実施例で
は便宜上ｎ型Ｓｉ基板を用いたが、効果は基板の種類に
左右されるものではない。また、前述のように電極の材
質は多結晶Ｓｉに限るものではなく、タングステンシリ
サイドやモリブデンシリサイドなどのシリサイド電極や
、Ｗ等の金属電極であっても同様の効果を得ることがで
きる。
本発明によればキャパシタ絶縁膜の絶縁耐圧を向上でき
るのでダイナミック型メモリーＬＳＩの信頼性を向上で
きる。また、多結晶Ｓｉの熱酸化膜を用いてメモリー動
作をさせる不揮発性メモリＬＳＩ等においても本発明を
用いることにより。
るのでダイナミック型メモリーＬＳＩの信頼性を向上で
きる。また、多結晶Ｓｉの熱酸化膜を用いてメモリー動
作をさせる不揮発性メモリＬＳＩ等においても本発明を
用いることにより。
情報の書き込み、読み出し不良等を著しく低減すること
ができ、歩留り、信頼性向上に大きな効果がある。
ができ、歩留り、信頼性向上に大きな効果がある。
第１図は熱酸化膜とＣＶＤ−３ｉ ０２ ！摸の電界強
度分布を示すヒストグラム、第２図はＣＶＤ・ＳｉＯ２
膜の電界強度に対するＳｉＯ２膜厚依存性を示す図、第
３図は測定試料の構造を示す断面図、第４図は電界強度
の低下に及ぼす熱酸化膜厚の影響を示す図、第５図は本
発明の他の実施例を説明するための断面図である。 １・・・Ｓｉ基板、３・・・下部電極、４・・・ＳｉＯ
２膜、石 １ 口 膚Ｌ Ｓト ５東ノＦ ＣＭフン’ｔｆＰＬン％ｚ
図 ５ｉＯｚ展厚 （’？ｌ気少 葛 ３ 図 ５エサ門りに 第 ４ 図 更 ５ 図
度分布を示すヒストグラム、第２図はＣＶＤ・ＳｉＯ２
膜の電界強度に対するＳｉＯ２膜厚依存性を示す図、第
３図は測定試料の構造を示す断面図、第４図は電界強度
の低下に及ぼす熱酸化膜厚の影響を示す図、第５図は本
発明の他の実施例を説明するための断面図である。 １・・・Ｓｉ基板、３・・・下部電極、４・・・ＳｉＯ
２膜、石 １ 口 膚Ｌ Ｓト ５東ノＦ ＣＭフン’ｔｆＰＬン％ｚ
図 ５ｉＯｚ展厚 （’？ｌ気少 葛 ３ 図 ５エサ門りに 第 ４ 図 更 ５ 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、導体あるいは半導体から成る一対の電極と、該一対
の電極の間に絶縁層を持つ電荷蓄積素子を有する半導体
装置において、上記絶縁層が化学的気相成長（ＣＶＤ）
法により形成した厚さ３０ｎｍ以下の酸化シリコン（Ｓ
ｉＯ＿２）膜で構成されていることを特徴とする半導体
装置。 ２、導体あるいは半導体から成る一対の電極と、該一対
の電極の間に絶縁層を持つ電荷蓄積素子を有する半導体
装置において、上記絶縁層がＣＶＤ法により形成した単
層のＳｉＯ＿２膜で構成され、且つ下地電極表面に熱酸
化膜が成長しない条件で上記ＳｉＯ＿２膜が熱処理され
ていることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の半
導体装置。 ３、導体あるいは半導体から成り所望の形状を有する第
一の電極を基板上あるいは基板内に形成する工程と、上
記第一の電極表面に存在する自然成長した酸化膜を除去
する工程と、上記第一の電極表面にＣＶＤ法によりＳｉ
Ｏ＿２膜を形成する工程と、上記ＳｉＯ＿２膜を熱処理
する工程と、上記第一の電極の他方の電極として導体あ
るいは半導体から成る第二の電極を上記ＳｉＯ＿２膜上
に形成する工程を含むことを特徴とする半導体装置の製
造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20365786A JPS6360550A (ja) | 1986-09-01 | 1986-09-01 | 半導体装置およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20365786A JPS6360550A (ja) | 1986-09-01 | 1986-09-01 | 半導体装置およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6360550A true JPS6360550A (ja) | 1988-03-16 |
Family
ID=16477687
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20365786A Pending JPS6360550A (ja) | 1986-09-01 | 1986-09-01 | 半導体装置およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6360550A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0875925A2 (en) * | 1997-04-30 | 1998-11-04 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method of manufacturing capacitors in integrated circuits |
| JP2008036713A (ja) * | 2006-08-01 | 2008-02-21 | Seiko Epson Corp | クランプ機構、計測装置 |
| WO2012120857A1 (ja) * | 2011-03-04 | 2012-09-13 | 旭化成エレクトロニクス株式会社 | 半導体装置、半導体装置の製造方法 |
-
1986
- 1986-09-01 JP JP20365786A patent/JPS6360550A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0875925A2 (en) * | 1997-04-30 | 1998-11-04 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method of manufacturing capacitors in integrated circuits |
| EP0875925A3 (en) * | 1997-04-30 | 2000-12-27 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method of manufacturing capacitors in integrated circuits |
| JP2008036713A (ja) * | 2006-08-01 | 2008-02-21 | Seiko Epson Corp | クランプ機構、計測装置 |
| WO2012120857A1 (ja) * | 2011-03-04 | 2012-09-13 | 旭化成エレクトロニクス株式会社 | 半導体装置、半導体装置の製造方法 |
| US8987145B2 (en) | 2011-03-04 | 2015-03-24 | Asahi Kasei Microdevices Corporation | Semiconductor device, manufacturing method of the semiconductor device |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2937817B2 (ja) | 半導体基板表面の酸化膜の形成方法及びｍｏｓ半導体デバイスの製造方法 | |
| JPS6323656B2 (ja) | ||
| JPH1174485A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JPH01225149A (ja) | キャパシタ及びその製造方法 | |
| KR19990077506A (ko) | 개선된게이트유전체를위한Ｓｉ(111)상의초박결정실리콘질화물제조공정 | |
| JP4003888B2 (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JP2697645B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH10335607A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS6360550A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JPH0738062A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH06310654A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JPH05190796A (ja) | ダイナミック・ランダム・アクセス・メモリ・セル用誘電体皮膜およびその形成方法 | |
| KR20030074108A (ko) | 반도체 장치 및 그 제조 방법 | |
| JPH0822991A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP3161523B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH01187847A (ja) | キヤパシタの形成方法 | |
| JPS626348B2 (ja) | ||
| JP2000200883A (ja) | メモリセル用キャパシタの製作方法及び基板処理装置 | |
| JPH01187848A (ja) | キヤパシタおよびその製造方法 | |
| JPH05259154A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| US8685826B2 (en) | Method for manufacturing nano-crystalline silicon material from chloride chemistries for the semiconductor integrated circuits | |
| JPH04242967A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH02181918A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP3499769B2 (ja) | 酸化膜の形成方法、キャパシタ | |
| JPH08306863A (ja) | キャパシタの製造方法 |