JPS6348687A - メモリ−カ−ドを用いた記憶装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、メモリーカードに対し、情報の読出しと書込
みとを行なうようにしたメモリーカードを用いた記憶装
置に関する。

従来の技術 近年、カード状媒体内に超薄型の半導体メモリーを内蔵
したメモリーカードが実現し、このメモリーカードを用
いた記憶装置が実用化されている。

このような記憶装置は、メモリーカードと制御装置とを
コネクタを介して接続し、半導体メモリーの情報を読込
んだり、半導体メモリーに情報の書込みを行なったりす
る。

発明が解決しようとする問題点 メモリーカードには半導体メモリーの記憶内容を保護す
るためのライトプロテクト機能が設けられていない。こ
のため、誤動作または誤操作によって半導体メモリーに
予期せぬ”１？込みがなされ、必要な情報が消去されて
しまう可能性がある。

問題点を解決するための手段 本発明は、メモリーカードに切換え状態が可視可能なス
イッチを設け、このスイッチの切換え状態を前記コネク
タを介して引出して書込みの許可または禁止の信号とし
て制御部に与える検出回路を設け、その制御部で発生し
たスイッチの切換え状態に対応する信号をコネクタを介
して半導体メモリーに与える送信回路を１投げ、この送
信回路内にスイッチの動作に連動して切換わるとともに
このスイッチの切換え状態に応じて制御部と半導体メモ
リーとの接続を断絶する第二スイッチを設けた。

作用 しかして、スイッチを切換えると、その切換え状態は検
出回路により検出され、半導体メモリーに対する書込み
の許可または禁止の信号が制御部に与えられる。すると
、制御部ではその信号に応じた信号が発生し、この信号
は送信回路によって半導体メモリーに与えられる。これ
により、スイッチを書込み禁止側にすれば、メモリーカ
ードの記憶内容は誤動作による情報消去から保護される
。

同時に、制御部と半導体メモリーとの接続は、スイッチ
の切換え状態に応じて第二スイッチにより断絶される。

このため、制御部より誤った書込許可信号が出力された
としても、その信号は第二スイッチにより半導体メモリ
ーに与えられず、半導体メモリーに対する誤書込みが防
止される。したがって、メモリーカードは予期せぬ情報
消去から保護される。また、スイッチは、その切換え状
態が可視可能であるため、誤操作の防止も図られる。

発明の実施例 本発明の一実施例を第１図および第２図に基づいて説明
する。半導体メモリー１を内蔵するメモリーカード２が
設けられている。このメモリーカード２の一端には、切
換え状態が可視可能なスイッチ３が取付けられている。

このスイッチ３は、接点ａ、接点す、接点Ｃの３接点方
式であり、接点ａおよび接点すが接続されたノーマル状
態と、接点すおよび接点Ｃが接続されたライトプロテク
ト状態とに切換えられる。また、前記メモリーカード２
内には、前記スイッチ３の動作に連動して切換えられる
第二スイッチ３ａが内蔵されている。

この第二スイッチ３ａは、接点ａ′、接点ｂ′。

接点Ｃ′の３接点方式であり、接点ａ′および接点ｂ′
が接続されたノーマル状態と、接点ｂ′および接点Ｃ′
が接続されたライトプロテクト状態とに切換えられる。

一方、前記メモリーカード２の他端には複数個のカード
端子４が一列に列設されている。これらのカード端子４
は、ライトプロテクト信号端子４ａ、アース端子４ｂ、
書込許可信号端子４ｃおよび複数個の情報信号端子４ｄ
よりなる。前記ライトプロテクト信号端子４ａは前記ス
イッチ３の接点ａに、前記アース端子４ｂは接点すに、
前記制御信号端子４ｄは前記半導体メモリー１にそれぞ
れ接続されている。また、前記書込許可信号端子４ｃは
前記第二スイッチ３ａの接点ａ′に接続され、この第二
スイッチ３ａの接点ｂ′は前記半導体メモリー１に、接
点Ｃ′は前記ライトプロテクト信号端子４ａに接続され
ている。

ついで、前記メモリーカード２を制御する制御部５が設
けられている。この制御部５には、ライトプロテクト信
号受信部５ａ、書込許可信号発信部５ｂ、書込パルス発
信部５ｃおよび情報送受信部５ｄ等が含まれている。ま
た、前記制御部５には、前記メモリーカード２が着脱自
在に取付けられるコネクタ６が接続されている。すなわ
ち、このコネクタ６には、前記カード端子４の一つ一つ
に対応させて複数個のコネクタ端子７が設けられている
。これらのコネクタ端子７の内、前記情報信号端子４ｄ
に対応するものは前記情報信号送受信部５ｄに接続され
、前記アース端子４ｂに対応するものはグランドＧにア
ースされている。また、前記ライトプロテクト信号端子
４ａに対応する前記コネクタ端子７は、前記ライトプロ
テクト信号受信部５ａに接続されている。そして、これ
らのライトプロテクト信号端子４ａとライトプロテクト
信号受信部５ａとの接続中点には抵抗８を介して電源９
が接続されている。ここに、検出回路１０が構成されて
いる。

一方、負理論のアンドゲートであるゲート１１が設けら
れている。このゲート１１の入力側には前記制御部５の
書込許可信号発信部５ｂと書込パルス発信部５ｃとが接
続されている。また、そのゲート１１の出力側は、前記
書込許可信号端子４Ｃに対応する前記コネクタ端子７に
接続されている。しかして、その書込許可信号端子４ｃ
に接続される第二スイッチ３ａを含み、送信回路１２が
構成されている。

このような構成において、情報の読込みまたは書込みを
メモリーカード２に行なうには、メモリーカード２をコ
ネクタ６に装着する。これにより、半４体メモリー１と
情報信号送受信部５ｄとが接続される。そこで、両者間
で情報の送受信を行な。

うことにより、半導体メモリー１に対する情報の読込み
と情報の書込みとが行なわれる。

ここで、メモリーカード２に対する情報書込みの詳細を
第２図のフローチャートに基づいて説明する。まず、制
御部５にスタート信号が与えら九ると、スイッチ３がノ
ーマル側に切換えられているかライトプロテクト側に９
ノ換えら九でいるかが検出回路１０により検出される。

すなわち、制御部５のライトプロテクト信号受信部５ａ
とゲート１１とには電源９より電圧が印加されるが、そ
のレベルはスイッチ３の切換え状態により変わる。

ライトプロテクト側であればＩ−ルベル、ノーマル側で
あればＬレベルである。ノーマル側に切換えられている
場合には、電源９による電流はグランドＧに流れるから
である。ついで、制御部５におけるスイッチ３の切換え
状態の検出結果がライトプロテクト側であれば、エラー
としてオペレーションコールされる。一方、それがノー
マル側であれば、制御部５内において書込許可信号がオ
ンされる。これにより、書込許可信号発信部５′ｏより
Ｌレベルの書込許可信号が発信されてゲート１１に送ら
れ、ゲート１１はＬレベルを出力する。このとき、ゲー
ト１１と半導体メモリー１とは、第二スイッチ３ａによ
って接続されている。したがって、半導体メモリー１に
はＬレベルの書込許可信号が送られる。これにより、情
報送受信部５ｄから半導体メモリー１に対して情報の送
信が可能になり、メモリーカード２に情報の書込みがな
される。この後、制御部５内で書込許可信号がオフにさ
れると、書込許可信号発信部５ｂよりＨレベルの書込禁
止信号がゲート１１に送られて半導体メモリー１に対す
る書込みが禁止され、情報の書込みが終了する。

しかして、スイッチ３をライトプロテクト側に切換えれ
ば、半導体メモリー１に対する情報の書込みが禁止され
る。Ｈレベルのライトプロテクト信号が半導体メモリー
１に与えられるからである。

すなわち、スイッチ３がライトプロテクト側に切換えら
れると、第二スイッチ３ａもライトプロテクト側に切換
えられる。これにより、制御部５からの信号は半導体メ
モリー１に伝えられず、かつ、半導体メモリー１には電
源９からの電流によりＨレベルのライトプロテクト信号
が与えられる。したがって、半導体メモリー１に対する
情報の書込みが禁止される。

加えて、スイッチ３をライトプロテクト側に切換えると
、電源９からの電流はグランドＧに流れないためにＨレ
ベルとなってライトプロテクト信号受信部ａに与えられ
る。すると、制御部５では書込禁止信号がオンされ、書
込許可信号発信部５ｂからＨレベルの書込禁止信号がゲ
ート１１に送られる。このため、ゲート１１は■］レベ
ルの信号を出力し、この工（レベル信号が第二スイッチ
３ａの端子ａ′に送られる。これにより、ライトプロテ
クト時に、故障等によって第二スイッチ３ａがノーマル
側に切換えられてしまっているような場合には、制御部
５からのＨレベルのライトプロテクト信号が半導体メモ
リー１に与えら九、半２厚体メモリー１に対する情報の
書込みが禁止される。

このように、ライトプロテクト時には、半導体メモリー
１への書込みは第二スイッチ３ａと制御部５の信号とに
より二重に禁止され、半導体メモリーは情報消去から確
実に保護される。

さらに、ライトプロテクトをするか否かを選択するため
のスイッチ３は、その切換え状態が可視可能であるため
、誤操作の防止にも貢猷する。

発明の効果 本発明は、メモリーカードと制御部との間で各種信号を
送受信することによってメモリーカード内の半導体メモ
リーに対して情報読込みと情報書込みとを行なうように
したものにおいて、メモリーカードに切換え状態が可視
可能なスイッチを設け、このスイッチの切換え状態を書
込みの許可または禁止の信号として制御部に与える検出
回路を設け、その制御部で発生したスイッチの切換え状
態に対応する信号をコネクタを介して半導体メモリーに
与える送信回路を設け、この送信回路内にスイッチの動
作に連動して切換ねるとともにこのスイッチの切換え状
態に応じて制御部と半導体メモリーとの接続を断絶する
第二スイッチを設けたので、ライトプロテクト時には半
導体メモリーに対する情報の書込みが制御部からの出力
信号と第二スイッチとにより二重に禁止され、誤動作、
誤操作による情報消去からメモリーカードの記憶内容を
有効に防止することができる等の効果を有する。

【図面の簡単な説明】

第１図は全体のブロック図、第２図はメモリーカードに
情報書込みを行なう場合のフローチャートである。 １・・・半導体メモリー、２・・・メモリーカード、３
・・・スイッチ、３ａ・・・第二スイッチ、５・・・制
御部、６・・・コネクタ、１０・・・検出回路、１２・
・・送信回路出　願　人　　東京電気株式会社 ］　Ａ　図 Ａｌ　　仄１．δ日冶

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 半導体メモリーを有するメモリーカードを制御部にコネ
   クタを介して接続し、これらの制御部とメモリーカード
   との間で各種信号を送受信することにより前記半導体メ
   モリーの情報を読込むとともにこの半導体メモリーに情
   報を書込むようにしたメモリーカードを用いた記憶装置
   において、前記メモリーカードに切換え状態が可視可能
   なスイッチを設け、このスイッチの切換え状態を前記コ
   ネクタを介して引出して書込みの許可または禁止の信号
   として前記制御部に与える検出回路を設け、その制御部
   で発生した前記スイッチの切換え状態に対応する信号を
   前記コネクタを介して前記半導体メモリーに与える送信
   回路を設け、この送信回路内に前記スイッチの動作に連
   動して切換わるとともにこのスイッチの切換え状態に応
   じて前記制御部と前記半導体メモリーとの接続を断絶す
   る第二スイッチを設けたことを特徴とするメモリーカー
   ドを用いた記憶装置。