JPH03237694A - 不揮発性半導体記憶装置 - Google Patents
不揮発性半導体記憶装置Info
- Publication number
- JPH03237694A JPH03237694A JP2034675A JP3467590A JPH03237694A JP H03237694 A JPH03237694 A JP H03237694A JP 2034675 A JP2034675 A JP 2034675A JP 3467590 A JP3467590 A JP 3467590A JP H03237694 A JPH03237694 A JP H03237694A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- level
- memory
- reading
- external terminal
- semiconductor memory
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Storage Device Security (AREA)
- Read Only Memory (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、電気的に書換え可能な不揮発性半導体記憶
装置のメモリプロテクトに関するものである。
装置のメモリプロテクトに関するものである。
〔従来の技術及び発明が解決しようとする課題〕電気的
に書換え可能な不揮発性メモリ（Ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌ
ｌｙ Ｅｒａｓａｂｌｅ ａｎｄ Ｐｒｏｇｒａｍａｂ
ｌｅ Ｒｅａｄ ＯｎｌｙＭｅｍｏｒｙ ；以後、ＥＥ
ＰＲＯＭと呼ぶ）は、高電圧によりメモリセルのしきい
値電圧を変化させて記憶することを原理としており、電
源を切ってもメモリの内容を保持できるという特徴があ
る。
に書換え可能な不揮発性メモリ（Ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌ
ｌｙ Ｅｒａｓａｂｌｅ ａｎｄ Ｐｒｏｇｒａｍａｂ
ｌｅ Ｒｅａｄ ＯｎｌｙＭｅｍｏｒｙ ；以後、ＥＥ
ＰＲＯＭと呼ぶ）は、高電圧によりメモリセルのしきい
値電圧を変化させて記憶することを原理としており、電
源を切ってもメモリの内容を保持できるという特徴があ
る。
しかし、逆にその反面、何らかの要因で誤ってメモリの
内容を乱してしまうという欠点をももっている。何らか
の要因というのは、メモリを動かすコントローラ側の暴
走やノイズによる電源のダウンなどが考えられる。従来
から、このデータ化けを防ぐためにさまざまな方法が用
いられてきた。
内容を乱してしまうという欠点をももっている。何らか
の要因というのは、メモリを動かすコントローラ側の暴
走やノイズによる電源のダウンなどが考えられる。従来
から、このデータ化けを防ぐためにさまざまな方法が用
いられてきた。
その例をあげると、
（１）電源検出回路の挿入・・・・・・・・・電源があ
る電位以下になると、回路が動かないようにする（２）
ファンクシ冒ンとして書き込み可、不可モードをいれる
・・−・・・・・・モードを受ることによって行なう などが考えられているがコントローラ側から全く予期し
ない信号が発生した場合には、上記の方法では不十分で
ある。
る電位以下になると、回路が動かないようにする（２）
ファンクシ冒ンとして書き込み可、不可モードをいれる
・・−・・・・・・モードを受ることによって行なう などが考えられているがコントローラ側から全く予期し
ない信号が発生した場合には、上記の方法では不十分で
ある。
この発明は、このような問題点を解消するためになされ
たもので、ＥＥＦＲＯＭの外部からのさまざまな信号に
対しての←→化けをなくすことを目的とする。
たもので、ＥＥＦＲＯＭの外部からのさまざまな信号に
対しての←→化けをなくすことを目的とする。
この発明に係わる不揮発性半導体記憶装置は、読み出し
専用の外部端子を取り付けるものである。
専用の外部端子を取り付けるものである。
この発明に係わる不揮発性半導体記憶装置は、読み出し
専用の外部端子を取り付けることによりある状態のとき
は、読み出しのみができるようにし、また別の状態のと
きは通常のファンクシ冒ンができるようにする。
専用の外部端子を取り付けることによりある状態のとき
は、読み出しのみができるようにし、また別の状態のと
きは通常のファンクシ冒ンができるようにする。
以下、この発明の一実施例を第１図、および第２図を用
いて説明する。第１図において、αＱはＥＥＰＲＯＭそ
のものをあられし、（ロ）はこの発明のために設けられ
た外部端子をあられす。
いて説明する。第１図において、αＱはＥＥＰＲＯＭそ
のものをあられし、（ロ）はこの発明のために設けられ
た外部端子をあられす。
また、第２図はＥＥＰＲＯＭの回路構成の一例を示した
ものであり、（１）はメモリアレイ、Ｑυは書き込み回
路、＠は読み出し回路をあられす。
ものであり、（１）はメモリアレイ、Ｑυは書き込み回
路、＠は読み出し回路をあられす。
次に動作について説明する。外部端子αυはＨ”レベル
、または°１Ｌ”レベルがスタチックに固定される。
、または°１Ｌ”レベルがスタチックに固定される。
外部端子（ロ）は、第２図のごとく内部回路につながっ
ており、例えば１Ｈ”レベルのときは、通常モード、す
なわちメモリへの書き込み、読み出しが行なえるように
する。第２図でみた場合書き込みのモードとなる信号を
常に受は付けるようにする。次に”Ｌ″レベルときは、
読み出しのみができるようにする。これは、第２図でみ
た場合には書き込みモードをオフするかたちになる。
ており、例えば１Ｈ”レベルのときは、通常モード、す
なわちメモリへの書き込み、読み出しが行なえるように
する。第２図でみた場合書き込みのモードとなる信号を
常に受は付けるようにする。次に”Ｌ″レベルときは、
読み出しのみができるようにする。これは、第２図でみ
た場合には書き込みモードをオフするかたちになる。
以上のように、この発明によればスタチックに決めた端
子によって電位が固定されるため、不揮発性半導体記憶
装置の外部からうける不安定な信号や、予期しない信号
などに対して、十分なメモリプロテクトとなるものであ
る。
子によって電位が固定されるため、不揮発性半導体記憶
装置の外部からうける不安定な信号や、予期しない信号
などに対して、十分なメモリプロテクトとなるものであ
る。
第１図、第２図はこの発明の不揮発性半導体装置の一実
施例をあられす図である。 図において、αＱはＥＥＰＲＯＭ、Ｕは外部端子、翰は
メモリアレイ、（ハ）は書き込み回路、＠は読み出し回
路、＠は制御回路。 なお、図中、同一符号は同一、または相当部分を示す。
施例をあられす図である。 図において、αＱはＥＥＰＲＯＭ、Ｕは外部端子、翰は
メモリアレイ、（ハ）は書き込み回路、＠は読み出し回
路、＠は制御回路。 なお、図中、同一符号は同一、または相当部分を示す。
Claims (1)
- 読み出しのみを可能とすることが、外付けの端子によっ
て操作できることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2034675A JPH03237694A (ja) | 1990-02-15 | 1990-02-15 | 不揮発性半導体記憶装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2034675A JPH03237694A (ja) | 1990-02-15 | 1990-02-15 | 不揮発性半導体記憶装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03237694A true JPH03237694A (ja) | 1991-10-23 |
Family
ID=12421003
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2034675A Pending JPH03237694A (ja) | 1990-02-15 | 1990-02-15 | 不揮発性半導体記憶装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03237694A (ja) |
-
1990
- 1990-02-15 JP JP2034675A patent/JPH03237694A/ja active Pending
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