KR910006995A - 전기적 소거 및 기입 가능형 불휘발성 반도체 기억장치 - Google Patents

전기적 소거 및 기입 가능형 불휘발성 반도체 기억장치 Download PDF

Info

Publication number
KR910006995A
KR910006995A KR1019900014914A KR900014914A KR910006995A KR 910006995 A KR910006995 A KR 910006995A KR 1019900014914 A KR1019900014914 A KR 1019900014914A KR 900014914 A KR900014914 A KR 900014914A KR 910006995 A KR910006995 A KR 910006995A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
semiconductor memory
nonvolatile semiconductor
setting
electrically erasable
logic state
Prior art date
Application number
KR1019900014914A
Other languages
English (en)
Inventor
히로미 가와시마
요시노리 쓰지무라
Original Assignee
세끼자와 다다시
후지쓰 가부시키가이샤
하니도시 유끼
후지쓰브이 엘 에스 아이 가부시끼가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 세끼자와 다다시, 후지쓰 가부시키가이샤, 하니도시 유끼, 후지쓰브이 엘 에스 아이 가부시끼가이샤 filed Critical 세끼자와 다다시
Publication of KR910006995A publication Critical patent/KR910006995A/ko

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C16/00Erasable programmable read-only memories
    • GPHYSICS
    • G06COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06FELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F21/00Security arrangements for protecting computers, components thereof, programs or data against unauthorised activity
    • G06F21/70Protecting specific internal or peripheral components, in which the protection of a component leads to protection of the entire computer
    • G06F21/78Protecting specific internal or peripheral components, in which the protection of a component leads to protection of the entire computer to assure secure storage of data
    • G06F21/79Protecting specific internal or peripheral components, in which the protection of a component leads to protection of the entire computer to assure secure storage of data in semiconductor storage media, e.g. directly-addressable memories
    • GPHYSICS
    • G06COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06FELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F12/00Accessing, addressing or allocating within memory systems or architectures
    • G06F12/14Protection against unauthorised use of memory or access to memory
    • G06F12/1416Protection against unauthorised use of memory or access to memory by checking the object accessibility, e.g. type of access defined by the memory independently of subject rights
    • G06F12/1425Protection against unauthorised use of memory or access to memory by checking the object accessibility, e.g. type of access defined by the memory independently of subject rights the protection being physical, e.g. cell, word, block
    • G06F12/1433Protection against unauthorised use of memory or access to memory by checking the object accessibility, e.g. type of access defined by the memory independently of subject rights the protection being physical, e.g. cell, word, block for a module or a part of a module
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C16/00Erasable programmable read-only memories
    • G11C16/02Erasable programmable read-only memories electrically programmable
    • G11C16/06Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
    • G11C16/10Programming or data input circuits
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C16/00Erasable programmable read-only memories
    • G11C16/02Erasable programmable read-only memories electrically programmable
    • G11C16/06Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
    • G11C16/22Safety or protection circuits preventing unauthorised or accidental access to memory cells
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C16/00Erasable programmable read-only memories
    • G11C16/02Erasable programmable read-only memories electrically programmable
    • G11C16/06Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
    • G11C16/32Timing circuits
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C16/00Erasable programmable read-only memories
    • G11C16/02Erasable programmable read-only memories electrically programmable
    • G11C16/06Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
    • G11C16/34Determination of programming status, e.g. threshold voltage, overprogramming or underprogramming, retention
    • G11C16/349Arrangements for evaluating degradation, retention or wearout, e.g. by counting erase cycles
    • G11C16/3495Circuits or methods to detect or delay wearout of nonvolatile EPROM or EEPROM memory devices, e.g. by counting numbers of erase or reprogram cycles, by using multiple memory areas serially or cyclically
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C7/00Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
    • G11C7/20Memory cell initialisation circuits, e.g. when powering up or down, memory clear, latent image memory

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Security & Cryptography (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Software Systems (AREA)
  • Read Only Memory (AREA)
  • Storage Device Security (AREA)

Abstract

내용 없음

Description

전기적 소거 및 기입 가능형 불휘발성 반도체 기억장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 본 발명의 실시예의 개통도.

Claims (6)

  1. 전기적 소거 및 기입가능 비휘발성 반도체 기억소자와, 소프트웨어 데이타 보호설정용 어드레스와 데이타가 입력된 경우, 상기 전기적 소거 및 기입가능 비휘발성 반도체 기억소자내에 한 논리상태를 세트함으로써 소프트 웨어 데이타보호의 설정상태를 기억 및 유지하고 또한 소프트웨어 데이타보호해제용 어드레스와 데이타가 입력된 경우, 상기 전기적 소거 및 기입가능 비휘발성 반도체 기억소자내에 다른 논리상태를 세트함으로써 소프트웨어 데이타보호의 해제상태를 기억 및 유지하기 위한 소프트웨어 데이타 보호회로와, 그리고 상기 전기적 소거 및 기입가능 비휘발성 반도체 기억소자가 한 논리상태에 이미 세트되어 있는 경우, 소프트웨어 데이타보호설정용 어드레스와 데이타가 입력되더라도 상기 전기적 소거 및 기입가능 비휘발성 반도체 기억소자에 대한 한 논리상태가 다시 세트되지 않도록 상기 소거 및 기입가능 비휘발성 반도체 기억소자의 논리상태를 세팅하는 동작을 제어하기 위한 논리상태 세팅 제어 회로수단을 포함하는 것이 특징인 전기적 소거 및 기입가능 비휘발성 반도체 기억장치.
  2. 전기적 소거 및 기입가능 비휘발성 반도체 기억소자와, 소프트웨어 데이타 보호설정용 어드레스와 데이타가 입력된 경우, 상기 전기적 소거 및 기입가능 비휘발성 반도체 기억소자내에 한 논리상태를 세트함으로써 소프트 웨어 데이타보호의 설정상태를 기억 및 유지하고 또한 소프트웨어 데이타보호해제용 어드레스와 데이타가 입력된 경우, 상기 전기적 소거 및 기입가능 비휘발성 반도체 기억소자내에 다른 논리상태를 세트함으로써 소프트웨어 데이타보호의 해제상태를 기억 및 유지하기 위한 소프트웨어 데이타 보호회로와, 그리고 상기 전기적 소거 및 기입가능 비휘발성 반도체 기억소자가 다른 논리상태에 세트되면 상기 소프트웨어 데이타보호설정용 어드레스와 데이타가 수신되더라도 상기 다른 논리상태가 상기 전기적 소거 및 기입가능 비휘발성 반도체 기억소자에 대해 다시 세트되지 않도록 상기 전기적 소거 및 기입가능 비휘발성 반도체 기억소자의 논리상태 설정동작을 제어하기 위해 상기 전기적 소거 및 기입자능 비휘발성 기억소자가 한 논리상태에 세트되어있는 경우, 소프트웨어 데이타 보호설정용 어드레스와 데이타가 입력되더라도 상기 전기적 소거 및 기입가능 비휘발성 반도체 기억소자에 대한 한 논리상태가 다시 세트되지않도록 상기 소거 및 기입가능 비휘발성 반도체 기억소자의 논리상태를 세팅하는 동작을 제어하기 위한 논리상태 세팅 제어회로수단을 포함하는 것이 특징인 전기적 소거 및 기입가능 비휘발성 반도체 기억장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 논리상태 설정제어수단은 상기 전기적 소거 및 기입 가능 비휘발성 반도체 기억소자내에 현재 세트된 논리상태를 기억하는 기억회로와, 소프트웨어 데이타 보호설정용 어드레스와 데이타가 수신될 경우, 상기 전기적 소거 및 기입가능 비휘발성 반도체 기억소자내에 다른 논리상태를 설정하기 위한 제어신호를 출력하는 논리회로와, 한 논리상태가 상기 기억회로수단내에 기억되어 있고 또한 상기 전기적 소거 및 기입가능 비휘발성 반도체 기억소자가 다른 논리상태에 세트되어있을 경우 상기 전기적 소거 및 기입가능 비휘발성 반도체 기억소자가 한 논리상태에 세트되지 않게 하는 한편, 상기 전기적 소거 및 기입가능 비휘발성 반도체 기억소자 설정용 제어신호가 수신될때는 상기 논리 회로로 부터 출력된 상기 다른 논리상태에 세트되지않게 하는 회로수단을 포함하는 것이 특징인 전기적 소거 및 기입 가능 비휘발성 반도체 기억장치.
  4. 제3항에 있어서, 상기 기억회로는 랫치회로를 포함하는 것이 특징인 전기적 소거 및 기입가능 비휘발성 반도체 기억장치.
  5. 제2항에 있어서, 상기 논리상태 설정제어 회로는 상기 전기적소거 및 기입가능 비휘발성 반도체 기억소자내에 세트된 논리상태를 기억하기 위한 기억회로수단과, 상기 논리회로가 상기 소프트웨어 데이타 보호설정용 어드레스와 데이타를 수신할 경우, 상기 전기적 소거 및 기입가능 비휘발성 반도체 기억소자설정용 제1제어신호를 출력하는 한편, 상기 논리회로가 상기 소프트웨어 데이타 보호 해제용 어드레스와 데이타를 수신할 경우, 상기 전기적 소거 및 기입가능 비휘발성 반도체 기억소자해제용 제2제어신호를 출력하는 논리 회로수단과, 그리고 상기 논리회로가 상기 상기 전기적 소거 및 기입가능 비휘발성 반도체 기억소자내에 상기 한 논리상태를 설정하기 위한 상기 제1제어신호를 출력할 때, 상기 전기적 소거 및 기입가능 비휘발성 반도체 기억소자가 상기 한 논리상태에 세트되어 있음을 상기 기억회로가 기억하고 있으면 상기 전기적 소거 및 기입가능 비휘발성 반도체 기억소자가 상기 한 논리상테에 세트되는 것을 금하는 한편, 상기 논리회로가 상기 전기적 소거 및 기입가능 비휘발성 반도체 기억소자내에 상기 다른 논리상태를 설정하기 위한 상기 제2제어신호를 출력할때, 상기 전기적 소거 및 기입가능 비휘발성 반도체 기억소자가 상기 다른 논리상태에 세트되어 있음을 상기 기억회로가 기억하고 있으면 상기 전기적 소거 및 기입가능 비휘발성 반도체 기억소자가 상기 다른 논리상태에 세트되는 것을 금하는 금지수단을 포함하는 것이 특징인 전기적 소거 및 기입가능 비휘발성 반도체 기억장치.
  6. 제5항에 있어서, 상기 기억회로는 랫치 회로를 포함하는 것이 특징인 전기적 소거 및 기입 가능 비휘발성 반도체 기억장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019900014914A 1989-09-20 1990-09-20 전기적 소거 및 기입 가능형 불휘발성 반도체 기억장치 KR910006995A (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1-244553 1989-09-20
JP1244553A JPH03108196A (ja) 1989-09-20 1989-09-20 電気的消去・書込み可能型不揮発性半導体記憶装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR910006995A true KR910006995A (ko) 1991-04-30

Family

ID=17120418

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019900014914A KR910006995A (ko) 1989-09-20 1990-09-20 전기적 소거 및 기입 가능형 불휘발성 반도체 기억장치

Country Status (4)

Country Link
US (1) US5173876A (ko)
EP (1) EP0419260A3 (ko)
JP (1) JPH03108196A (ko)
KR (1) KR910006995A (ko)

Families Citing this family (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3083536B2 (ja) * 1990-06-05 2000-09-04 株式会社東芝 不揮発性半導体記憶装置の書込み回路
KR940006611B1 (ko) * 1990-08-20 1994-07-23 삼성전자 주식회사 전기적으로 소거 및 프로그램이 가능한 반도체 메모리장치의 자동 소거 최적화회로 및 방법
US5546561A (en) * 1991-02-11 1996-08-13 Intel Corporation Circuitry and method for selectively protecting the integrity of data stored within a range of addresses within a non-volatile semiconductor memory
KR940005696B1 (ko) * 1991-11-25 1994-06-22 현대전자산업 주식회사 보안성 있는 롬(rom)소자
JP3305737B2 (ja) * 1991-11-27 2002-07-24 富士通株式会社 情報処理装置の機密情報管理方式
GB2263348B (en) * 1992-01-14 1995-08-09 Rohm Co Ltd Microcomputer and card having the same
US5381369A (en) * 1993-02-05 1995-01-10 Kabushiki Kaisha Toshiba Nonvolatile semiconductor memory device using a command control system
US5506757A (en) * 1993-06-14 1996-04-09 Macsema, Inc. Compact electronic data module with nonvolatile memory
US5418751A (en) * 1993-09-29 1995-05-23 Texas Instruments Incorporated Variable frequency oscillator controlled EEPROM charge pump
US5355347A (en) * 1993-11-08 1994-10-11 Turbo Ic, Inc. Single transistor per cell EEPROM memory device with bit line sector page programming
US5539252A (en) * 1995-05-16 1996-07-23 Macsema, Inc. Fastener with onboard memory
FR2771839B1 (fr) * 1997-11-28 2000-01-28 Sgs Thomson Microelectronics Memoire non volatile programmable et effacable electriquement
US6654847B1 (en) * 2000-06-30 2003-11-25 Micron Technology, Inc. Top/bottom symmetrical protection scheme for flash
US7931533B2 (en) 2001-09-28 2011-04-26 Igt Game development architecture that decouples the game logic from the graphics logics
US6902481B2 (en) 2001-09-28 2005-06-07 Igt Decoupling of the graphical presentation of a game from the presentation logic
WO2007056503A2 (en) * 2005-11-08 2007-05-18 Macsema, Inc. Information devices
US7680625B2 (en) * 2005-11-14 2010-03-16 Macsema, Inc. Systems and methods for monitoring system performance
US7908118B2 (en) * 2005-11-14 2011-03-15 Macsema, Inc. System and methods for testing, monitoring, and replacing equipment
US20080106415A1 (en) * 2006-11-08 2008-05-08 Macsema, Inc. Information tag

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4744062A (en) * 1985-04-23 1988-05-10 Hitachi, Ltd. Semiconductor integrated circuit with nonvolatile memory
US4763305A (en) * 1985-11-27 1988-08-09 Motorola, Inc. Intelligent write in an EEPROM with data and erase check
US4975878A (en) * 1988-01-28 1990-12-04 National Semiconductor Programmable memory data protection scheme

Also Published As

Publication number Publication date
US5173876A (en) 1992-12-22
EP0419260A2 (en) 1991-03-27
JPH03108196A (ja) 1991-05-08
EP0419260A3 (en) 1992-08-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR910006995A (ko) 전기적 소거 및 기입 가능형 불휘발성 반도체 기억장치
KR970059929A (ko) 데이터보호회로
US5991849A (en) Rewriting protection of a size varying first region of a reprogrammable non-volatile memory
KR870000705A (ko) 반도체 기억 장치
KR910700527A (ko) 전기적 소거 및 재프로그래밍 가능 불휘발성 메모리를 포함한 데이터 처리 장치
DE69333151D1 (de) Datenleitungsstörungsfreier, in Speicherblöcke geteilter Flashspeicher und Mikrorechner mit Flashspeicher
US6108235A (en) Memory device
KR940022578A (ko) 비휘발성 반도체 메모리 장치를 소거하고 검증하기 위한 방법 및 장치
JP2006127648A (ja) 不揮発性記憶装置及び電子機器
US5742935A (en) Method and apparatus for controlling the protection mode of flash memory
JPS6118840B2 (ko)
KR940022295A (ko) 플래시메모리를 포함하는 마이크로컴퓨터
JPS63102096A (ja) 電気的にプログラム可能な不揮発性メモリを含む論理回路形集積回路
US5991207A (en) Circuit configuration having a number of electronic circuit components
US5586077A (en) Circuit device and corresponding method for resetting non-volatile and electrically programmable memory devices
JPS6443897A (en) Non-volatile semiconductor memory device capable of being erased and written electrically
JPH0131313B2 (ko)
JPS6236800A (ja) Icメモリ装置
JPS5836435B2 (ja) 半導体メモリ回路
JP3028567B2 (ja) Eeprom内蔵マイクロコンピュータ
RU98119738A (ru) Полупроводниковое запоминающее устройство
KR900005315A (ko) 데이타 처리시스템의 개발방법 및 데이타 처리용 반도체 집적회로
JPH04124790A (ja) Ramカード
JP2854610B2 (ja) 携帯可能電子装置
JP3510780B2 (ja) マイクロコンピュータ

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E601 Decision to refuse application