KR910006995A - 전기적 소거 및 기입 가능형 불휘발성 반도체 기억장치 - Google Patents
전기적 소거 및 기입 가능형 불휘발성 반도체 기억장치 Download PDFInfo
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Abstract
내용 없음
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 본 발명의 실시예의 개통도.
Claims (6)
- 전기적 소거 및 기입가능 비휘발성 반도체 기억소자와, 소프트웨어 데이타 보호설정용 어드레스와 데이타가 입력된 경우, 상기 전기적 소거 및 기입가능 비휘발성 반도체 기억소자내에 한 논리상태를 세트함으로써 소프트 웨어 데이타보호의 설정상태를 기억 및 유지하고 또한 소프트웨어 데이타보호해제용 어드레스와 데이타가 입력된 경우, 상기 전기적 소거 및 기입가능 비휘발성 반도체 기억소자내에 다른 논리상태를 세트함으로써 소프트웨어 데이타보호의 해제상태를 기억 및 유지하기 위한 소프트웨어 데이타 보호회로와, 그리고 상기 전기적 소거 및 기입가능 비휘발성 반도체 기억소자가 한 논리상태에 이미 세트되어 있는 경우, 소프트웨어 데이타보호설정용 어드레스와 데이타가 입력되더라도 상기 전기적 소거 및 기입가능 비휘발성 반도체 기억소자에 대한 한 논리상태가 다시 세트되지 않도록 상기 소거 및 기입가능 비휘발성 반도체 기억소자의 논리상태를 세팅하는 동작을 제어하기 위한 논리상태 세팅 제어 회로수단을 포함하는 것이 특징인 전기적 소거 및 기입가능 비휘발성 반도체 기억장치.
- 전기적 소거 및 기입가능 비휘발성 반도체 기억소자와, 소프트웨어 데이타 보호설정용 어드레스와 데이타가 입력된 경우, 상기 전기적 소거 및 기입가능 비휘발성 반도체 기억소자내에 한 논리상태를 세트함으로써 소프트 웨어 데이타보호의 설정상태를 기억 및 유지하고 또한 소프트웨어 데이타보호해제용 어드레스와 데이타가 입력된 경우, 상기 전기적 소거 및 기입가능 비휘발성 반도체 기억소자내에 다른 논리상태를 세트함으로써 소프트웨어 데이타보호의 해제상태를 기억 및 유지하기 위한 소프트웨어 데이타 보호회로와, 그리고 상기 전기적 소거 및 기입가능 비휘발성 반도체 기억소자가 다른 논리상태에 세트되면 상기 소프트웨어 데이타보호설정용 어드레스와 데이타가 수신되더라도 상기 다른 논리상태가 상기 전기적 소거 및 기입가능 비휘발성 반도체 기억소자에 대해 다시 세트되지 않도록 상기 전기적 소거 및 기입가능 비휘발성 반도체 기억소자의 논리상태 설정동작을 제어하기 위해 상기 전기적 소거 및 기입자능 비휘발성 기억소자가 한 논리상태에 세트되어있는 경우, 소프트웨어 데이타 보호설정용 어드레스와 데이타가 입력되더라도 상기 전기적 소거 및 기입가능 비휘발성 반도체 기억소자에 대한 한 논리상태가 다시 세트되지않도록 상기 소거 및 기입가능 비휘발성 반도체 기억소자의 논리상태를 세팅하는 동작을 제어하기 위한 논리상태 세팅 제어회로수단을 포함하는 것이 특징인 전기적 소거 및 기입가능 비휘발성 반도체 기억장치.
- 제1항에 있어서, 상기 논리상태 설정제어수단은 상기 전기적 소거 및 기입 가능 비휘발성 반도체 기억소자내에 현재 세트된 논리상태를 기억하는 기억회로와, 소프트웨어 데이타 보호설정용 어드레스와 데이타가 수신될 경우, 상기 전기적 소거 및 기입가능 비휘발성 반도체 기억소자내에 다른 논리상태를 설정하기 위한 제어신호를 출력하는 논리회로와, 한 논리상태가 상기 기억회로수단내에 기억되어 있고 또한 상기 전기적 소거 및 기입가능 비휘발성 반도체 기억소자가 다른 논리상태에 세트되어있을 경우 상기 전기적 소거 및 기입가능 비휘발성 반도체 기억소자가 한 논리상태에 세트되지 않게 하는 한편, 상기 전기적 소거 및 기입가능 비휘발성 반도체 기억소자 설정용 제어신호가 수신될때는 상기 논리 회로로 부터 출력된 상기 다른 논리상태에 세트되지않게 하는 회로수단을 포함하는 것이 특징인 전기적 소거 및 기입 가능 비휘발성 반도체 기억장치.
- 제3항에 있어서, 상기 기억회로는 랫치회로를 포함하는 것이 특징인 전기적 소거 및 기입가능 비휘발성 반도체 기억장치.
- 제2항에 있어서, 상기 논리상태 설정제어 회로는 상기 전기적소거 및 기입가능 비휘발성 반도체 기억소자내에 세트된 논리상태를 기억하기 위한 기억회로수단과, 상기 논리회로가 상기 소프트웨어 데이타 보호설정용 어드레스와 데이타를 수신할 경우, 상기 전기적 소거 및 기입가능 비휘발성 반도체 기억소자설정용 제1제어신호를 출력하는 한편, 상기 논리회로가 상기 소프트웨어 데이타 보호 해제용 어드레스와 데이타를 수신할 경우, 상기 전기적 소거 및 기입가능 비휘발성 반도체 기억소자해제용 제2제어신호를 출력하는 논리 회로수단과, 그리고 상기 논리회로가 상기 상기 전기적 소거 및 기입가능 비휘발성 반도체 기억소자내에 상기 한 논리상태를 설정하기 위한 상기 제1제어신호를 출력할 때, 상기 전기적 소거 및 기입가능 비휘발성 반도체 기억소자가 상기 한 논리상태에 세트되어 있음을 상기 기억회로가 기억하고 있으면 상기 전기적 소거 및 기입가능 비휘발성 반도체 기억소자가 상기 한 논리상테에 세트되는 것을 금하는 한편, 상기 논리회로가 상기 전기적 소거 및 기입가능 비휘발성 반도체 기억소자내에 상기 다른 논리상태를 설정하기 위한 상기 제2제어신호를 출력할때, 상기 전기적 소거 및 기입가능 비휘발성 반도체 기억소자가 상기 다른 논리상태에 세트되어 있음을 상기 기억회로가 기억하고 있으면 상기 전기적 소거 및 기입가능 비휘발성 반도체 기억소자가 상기 다른 논리상태에 세트되는 것을 금하는 금지수단을 포함하는 것이 특징인 전기적 소거 및 기입가능 비휘발성 반도체 기억장치.
- 제5항에 있어서, 상기 기억회로는 랫치 회로를 포함하는 것이 특징인 전기적 소거 및 기입 가능 비휘발성 반도체 기억장치.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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KR940006611B1 (ko) * | 1990-08-20 | 1994-07-23 | 삼성전자 주식회사 | 전기적으로 소거 및 프로그램이 가능한 반도체 메모리장치의 자동 소거 최적화회로 및 방법 |
US5546561A (en) * | 1991-02-11 | 1996-08-13 | Intel Corporation | Circuitry and method for selectively protecting the integrity of data stored within a range of addresses within a non-volatile semiconductor memory |
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JP3305737B2 (ja) * | 1991-11-27 | 2002-07-24 | 富士通株式会社 | 情報処理装置の機密情報管理方式 |
GB2263348B (en) * | 1992-01-14 | 1995-08-09 | Rohm Co Ltd | Microcomputer and card having the same |
US5381369A (en) * | 1993-02-05 | 1995-01-10 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Nonvolatile semiconductor memory device using a command control system |
US5506757A (en) * | 1993-06-14 | 1996-04-09 | Macsema, Inc. | Compact electronic data module with nonvolatile memory |
US5418751A (en) * | 1993-09-29 | 1995-05-23 | Texas Instruments Incorporated | Variable frequency oscillator controlled EEPROM charge pump |
US5355347A (en) * | 1993-11-08 | 1994-10-11 | Turbo Ic, Inc. | Single transistor per cell EEPROM memory device with bit line sector page programming |
US5539252A (en) * | 1995-05-16 | 1996-07-23 | Macsema, Inc. | Fastener with onboard memory |
FR2771839B1 (fr) * | 1997-11-28 | 2000-01-28 | Sgs Thomson Microelectronics | Memoire non volatile programmable et effacable electriquement |
US6654847B1 (en) * | 2000-06-30 | 2003-11-25 | Micron Technology, Inc. | Top/bottom symmetrical protection scheme for flash |
US7931533B2 (en) | 2001-09-28 | 2011-04-26 | Igt | Game development architecture that decouples the game logic from the graphics logics |
US6902481B2 (en) | 2001-09-28 | 2005-06-07 | Igt | Decoupling of the graphical presentation of a game from the presentation logic |
WO2007056503A2 (en) * | 2005-11-08 | 2007-05-18 | Macsema, Inc. | Information devices |
US7680625B2 (en) * | 2005-11-14 | 2010-03-16 | Macsema, Inc. | Systems and methods for monitoring system performance |
US7908118B2 (en) * | 2005-11-14 | 2011-03-15 | Macsema, Inc. | System and methods for testing, monitoring, and replacing equipment |
US20080106415A1 (en) * | 2006-11-08 | 2008-05-08 | Macsema, Inc. | Information tag |
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---|---|---|---|---|
US4744062A (en) * | 1985-04-23 | 1988-05-10 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor integrated circuit with nonvolatile memory |
US4763305A (en) * | 1985-11-27 | 1988-08-09 | Motorola, Inc. | Intelligent write in an EEPROM with data and erase check |
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