JPH0246597A - 不揮発性半導体記憶装置 - Google Patents

不揮発性半導体記憶装置

Info

Publication number
JPH0246597A
JPH0246597A JP63196859A JP19685988A JPH0246597A JP H0246597 A JPH0246597 A JP H0246597A JP 63196859 A JP63196859 A JP 63196859A JP 19685988 A JP19685988 A JP 19685988A JP H0246597 A JPH0246597 A JP H0246597A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
area
data
circuit
rewriting
rewritten
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP63196859A
Other languages
English (en)
Inventor
Seiichiro Asari
浅利 誠一郎
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
Priority to JP63196859A priority Critical patent/JPH0246597A/ja
Publication of JPH0246597A publication Critical patent/JPH0246597A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Read Only Memory (AREA)
  • Semiconductor Memories (AREA)
  • Non-Volatile Memory (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明の記憶装置は、電気的に書き換え可能な不揮発性
半導体を記憶素子とした記憶装置に関する。
〔従来の技術及び発明が解決しようとする課題〕電気的
に書き換え可能な不揮発性半導体記憶素子、所謂EEF
ROMは、コントローラから与えられる書き込みモード
信号に従い、2値化した情報に応じて、対応するメモリ
セルに約20Vの高電圧が印加されると、メモリセルの
しきい値が変化して電荷が注入され、情報が書き込まれ
るものである。メモリセルに高電圧を印加する方法とし
ては、電源から各メモリセルに設けた外部端子へ直接印
加する方法と、IC内部に昇圧回路を設け、通常の印加
電圧5vを昇圧して印加する方法とがある。
以上のようなEEFROMを記憶素子として用いる場合
、電源のオン、オフ又は印加電圧の瞬時停電の際、EE
FROMが保持しているデータが破壊される可能性があ
る。即ち、外部端子を介して電源から高電圧を印加する
場合、メモリセルへ高電圧を印加した際に、電源のオン
、オフ、又は瞬停によって、コントローラから出力され
る信号が不安定になると、IC側が誤って書き込みモー
ドになってしまう可能性がある。また、IC内部に昇圧
回路を設けた場合、電源のオン、オフ、又は瞬停によっ
て、コントローラから出力される信号が不安定になると
、書き込みモードを受は入れてしまう可能性がある。
ところで、EEFROMは電気的に書き換え可能ではあ
るが、多くの場合、一部の領域はデータを書き換えるが
、他の領域は一旦書き込んだデータを書き換えることが
ない読み出し専用、所謂ROMのような用い方をしてい
る。従って、コントローラからの書き込み信号によって
全領域が書き換え可能となっては、読み出し専用として
用いている領域のデータが書き換えられて破壊される可
能性がある。
本発明はこのような問題を解決するためになされたもの
であって、書き換え可能な領域を限定する不揮発性半導
体記憶装置の提供を目的とする。
〔課題を解決するための手段〕
本発明の不揮発性半導体記憶装置は、記憶素子の記憶領
域の一部のみを選択的に書き換え得る回路を備えたこと
を特徴とする。
〔作用〕
本発明の不揮発性半導体記憶装置は、書き換えモードが
設定されると、記憶素子の一部記憶領域のみは書き換え
得る一方、他の部分のデータは書き換えられない。
〔実施例〕
イブにしない。
従って、メモリセルアレイ1にデータを一旦書き込んだ
後、出力端子6に所定電圧が印加された際、電源のオン
、オフ又は瞬停の影響を受けて図示しないコントローラ
からの信号出力が不安定となり、誤って書き込みモード
となっても、ROM領域12への書き込みは行えず、記
憶データは破壊されない。
また、書き換え領域11のデータ破壊を防止するため、
所定数のクロックパルスの出力に加え、書き込みを許可
又は禁止するイネーブル信号又はディゼープル信号を定
めておき、コントローラ側からの出力信号によって書き
込みモードとなった際、同時的に出力される書き込みの
許可/禁止信号がイネーブル信号の場合のみ、書き込み
を許する仕様にして、書き込みの条件を厳重にしておけ
ば、データが誤って書き込まれる可能性は低減する。
なお、本実施例では、メモリセルアレイとしてEEPR
OMを用いたが、−旦書き込んだデータを書き換えない
ROM領域にマスクROMを用い以下、本発明をその実
施例を示す図面に基づき詳述する。第1図は、本発明に
係る不揮発性半導体記憶装置の構成を示すブロック図で
ある。図中1は、EEFROMからなるメモリセルアレ
イであって、その−半部はデータが書き換え可能な書き
換え領域11、また他半部は書き換えが禁止されたRO
M領域12である。書き換え領域11及びROM領域1
2は、互いに独立的に動作する書き込み回路2又は3に
それぞれ接続される。書き込み回路2及び3はそれぞれ
昇圧回路4に接続され、昇圧回路4は制御回路5に接続
され、制御回路5は外部端子6に接続される。
以上のような構成の不揮発性半導体記憶装置の書き込み
動作につき説明する。制御回路5は、外部端子6に所定
電圧が印加され、予め書き込みモードとして定めた所定
数のクロックパルスが入力される都度、書き換え領@1
1が接続される書き込み回路2をアクティブにする一方
、ROM領域12が接続される書き込み回路3を、書き
込み1回目のみはアクティブにするが、2回目以降はア
クテる構成としても同様の効果が得られる。その際、マ
スクROMには、搭載する前にデータを書き込んでおく
こととなる。
〔発明の効果〕
本発明の不揮発性半導体記憶装置は、電気的に書き換え
可能な記憶素子の一部のみを選択的に書き換え得る回路
を設けたことにより、電源の不安定な状態に影響され、
記憶素子が誤って書き込みモードに設定された場合であ
っても、書き換え得る領域が限定されるため、書き換え
不可能な領域のデータ破壊を防止し得るという優れた効
果を奏する。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明に係る不揮発性半導体記憶装置の構成を
示すブロック図である。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、電気的に書き換え可能な不揮発性半導体を記憶素子
    とする記憶装置において、 前記記憶素子の記憶領域の一部のみを選択 的に書き換え得る回路を備えたことを特徴とする不揮発
    性半導体記憶装置。
JP63196859A 1988-08-06 1988-08-06 不揮発性半導体記憶装置 Pending JPH0246597A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP63196859A JPH0246597A (ja) 1988-08-06 1988-08-06 不揮発性半導体記憶装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP63196859A JPH0246597A (ja) 1988-08-06 1988-08-06 不揮発性半導体記憶装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH0246597A true JPH0246597A (ja) 1990-02-15

Family

ID=16364844

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP63196859A Pending JPH0246597A (ja) 1988-08-06 1988-08-06 不揮発性半導体記憶装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH0246597A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04121897A (ja) * 1990-09-12 1992-04-22 Mitsubishi Electric Corp 電気的消去可能プログラマブル読出し専用メモリ

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04121897A (ja) * 1990-09-12 1992-04-22 Mitsubishi Electric Corp 電気的消去可能プログラマブル読出し専用メモリ

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5566323A (en) Data processing system including programming voltage inhibitor for an electrically erasable reprogrammable nonvolatile memory
JP2588483B2 (ja) Mos技術を応用した電圧スイッチ回路
KR970059929A (ko) 데이터보호회로
US5594686A (en) Method and apparatus for protecting data stored in flash memory
US4805151A (en) Nonvolatile semiconductor memory device
JP2004039127A (ja) 不揮発性半導体記憶装置およびその書き換え禁止制御方法
US5301151A (en) High voltage level converter
US5925139A (en) Microcomputer capable of preventing writing errors in a non-volatile memory
JPH02214156A (ja) 不揮発性半導体装置
US6886087B2 (en) Semiconductor memory device
JPH0246597A (ja) 不揮発性半導体記憶装置
JPS62291168A (ja) 不揮発性ram
JPS623516B2 (ja)
US20030214834A1 (en) Device that makes it possible to selectively use nonvolatile memory as RAM or ROM
US5355336A (en) Memory device and a method for prohibiting writing to the memory device
US5586077A (en) Circuit device and corresponding method for resetting non-volatile and electrically programmable memory devices
JP2006311579A (ja) 検知回路
JPH0131313B2 (ja)
US6870383B2 (en) Semiconductor device with high speed switching of test modes
JPH02183496A (ja) 不揮発性半導体記憶装置
JP4302123B2 (ja) 半導体集積回路装置
JP2659147B2 (ja) 評価用マイクロコンピュータ
JPH02299039A (ja) 半導体メモリ装置
JPH0511806B2 (ja)
JPH01118974A (ja) カードモジュール