JPS633442A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPS633442A JPS633442A JP14851986A JP14851986A JPS633442A JP S633442 A JPS633442 A JP S633442A JP 14851986 A JP14851986 A JP 14851986A JP 14851986 A JP14851986 A JP 14851986A JP S633442 A JPS633442 A JP S633442A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resin
- semiconductor chip
- layer resin
- semiconductor device
- chip
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 27
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 6
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 27
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 27
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 10
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 10
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims description 8
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims description 7
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 claims description 6
- 230000035699 permeability Effects 0.000 abstract description 5
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 abstract 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 5
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 3
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 230000008595 infiltration Effects 0.000 description 2
- 238000001764 infiltration Methods 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、樹脂封止の半導体装置の製造方法に関し、特
にシリコン樹脂などの内層樹脂で半導体チップを直接包
覆し、さらにその外側をエポキシ樹脂などで包覆した二
層樹脂封止の半導体装置の製造方法に関する。
にシリコン樹脂などの内層樹脂で半導体チップを直接包
覆し、さらにその外側をエポキシ樹脂などで包覆した二
層樹脂封止の半導体装置の製造方法に関する。
従来、二層樹脂封止の半導体装置は、半導体チップを直
接包む内層樹脂としては半導体チップに影響を及ぼす不
純物をできるだけ含まない純度の高いシリコン樹脂を用
い、外側の内層樹脂としては純度の高いことを必要とし
ない、比較的安価で構造的強度を有するエポシ樹脂など
が用いられている。
接包む内層樹脂としては半導体チップに影響を及ぼす不
純物をできるだけ含まない純度の高いシリコン樹脂を用
い、外側の内層樹脂としては純度の高いことを必要とし
ない、比較的安価で構造的強度を有するエポシ樹脂など
が用いられている。
このような二層樹脂封止の半導体装置では封止樹脂から
の半導体チップが汚染されることは防止されているが、
しかし外部湿気の浸入防止特性は十分とはいい難く、−
層改善が望まれていた。
の半導体チップが汚染されることは防止されているが、
しかし外部湿気の浸入防止特性は十分とはいい難く、−
層改善が望まれていた。
本発明の目的は、従来の問題点を解決し、簡単な工程の
追加のみで、大きなコスト上昇にならない方法で保護膜
を形成し、外部湿気の進入を防止し、信頼性の優れた樹
脂封止構造を有する半導体装置の製造方法を提供するこ
とにある。
追加のみで、大きなコスト上昇にならない方法で保護膜
を形成し、外部湿気の進入を防止し、信頼性の優れた樹
脂封止構造を有する半導体装置の製造方法を提供するこ
とにある。
本発明の半導体装置の製造方法は、半導体装置プと外部
リードとの間を金属細線で接続し、前記半導体チップを
シリコン樹脂などの内層樹脂で包覆し、該内層樹脂表面
に低融点ガラスを形成し、さらに前記低融点ガラスの外
面を外層樹脂で包覆する工程とを含んで構成される。
リードとの間を金属細線で接続し、前記半導体チップを
シリコン樹脂などの内層樹脂で包覆し、該内層樹脂表面
に低融点ガラスを形成し、さらに前記低融点ガラスの外
面を外層樹脂で包覆する工程とを含んで構成される。
次に、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。第1図は本発明方法により製造された半導体装置の断
面図である。
。第1図は本発明方法により製造された半導体装置の断
面図である。
第1図において、1は外部雰囲気から保護すべき半導体
チップでリードフレームのアイランド2に固着されてい
る0次に半導体チップ1の電極と外部リード3との間を
金属細線4で接続する0次に、アイランド2を含む半導
体チップ1および金属細線4および接続部を含む領域を
チップを汚染するような不純物を含まない、すなわち純
度の高いシリコン樹脂5で包んで保護する。
チップでリードフレームのアイランド2に固着されてい
る0次に半導体チップ1の電極と外部リード3との間を
金属細線4で接続する0次に、アイランド2を含む半導
体チップ1および金属細線4および接続部を含む領域を
チップを汚染するような不純物を含まない、すなわち純
度の高いシリコン樹脂5で包んで保護する。
次に、シリコン樹脂5の外面に透湿性の極めて小さい低
融点ガラス膜6を形成する。
融点ガラス膜6を形成する。
さらに、低融点ガラス膜6の外面を外層樹脂、例えばエ
ポキシ樹脂7で包んで外装を完成する。
ポキシ樹脂7で包んで外装を完成する。
以上により内層樹脂と外層樹脂の間に透湿率の極めて小
さい保護膜を備えた本実施例により製造された半導体装
置が得られる。
さい保護膜を備えた本実施例により製造された半導体装
置が得られる。
以上説明したように、本発明方法によれば内層樹脂と外
層樹脂の間に透湿率の極めて小さい保護膜を備えている
ので、この保護膜により外部湿気の浸入は阻止されて半
導体チップは外部湿気から十分に保護される。なお、保
護膜の形成は低融点ガラスという簡単な追加工程だけで
できるので、それ程大きなコストアップにならず、信頼
性のすぐれた二層樹脂封止の半導体装置を安価に提供で
きるという効果が得られる。
層樹脂の間に透湿率の極めて小さい保護膜を備えている
ので、この保護膜により外部湿気の浸入は阻止されて半
導体チップは外部湿気から十分に保護される。なお、保
護膜の形成は低融点ガラスという簡単な追加工程だけで
できるので、それ程大きなコストアップにならず、信頼
性のすぐれた二層樹脂封止の半導体装置を安価に提供で
きるという効果が得られる。
第1図は本発明の一実施例の方法により製造された半導
体装置の断面図である。 1・・・半導体チップ、2・・・リードフレームのアイ
ランド、3・・・外部リード、4・・・金属細線、5・
・・内層樹脂、6・・・低融点ガラス膜、7・・・外層
樹脂。 代理人 弁理士 内 原 晋t ′者 べ・
体装置の断面図である。 1・・・半導体チップ、2・・・リードフレームのアイ
ランド、3・・・外部リード、4・・・金属細線、5・
・・内層樹脂、6・・・低融点ガラス膜、7・・・外層
樹脂。 代理人 弁理士 内 原 晋t ′者 べ・
Claims (1)
- 半導体チップと外部リードとの間を金属細線で接続し、
前記半導体チップをシリコン樹脂などの内層樹脂で包覆
し、該内層樹脂表面に低融点ガラスを形成し、さらに前
記低融点ガラスの外面を外層樹脂で包覆することを特徴
とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP14851986A JPS633442A (ja) | 1986-06-24 | 1986-06-24 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP14851986A JPS633442A (ja) | 1986-06-24 | 1986-06-24 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS633442A true JPS633442A (ja) | 1988-01-08 |
Family
ID=15454589
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP14851986A Pending JPS633442A (ja) | 1986-06-24 | 1986-06-24 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS633442A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7681499B2 (en) | 2004-05-19 | 2010-03-23 | Kabushikikaisha Tokyo Kikai Seisakusho | Gap filling member for blanket cylinder |
WO2014128899A1 (ja) * | 2013-02-22 | 2014-08-28 | 株式会社 日立製作所 | 樹脂封止型電子制御装置 |
-
1986
- 1986-06-24 JP JP14851986A patent/JPS633442A/ja active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7681499B2 (en) | 2004-05-19 | 2010-03-23 | Kabushikikaisha Tokyo Kikai Seisakusho | Gap filling member for blanket cylinder |
WO2014128899A1 (ja) * | 2013-02-22 | 2014-08-28 | 株式会社 日立製作所 | 樹脂封止型電子制御装置 |
US9373558B2 (en) | 2013-02-22 | 2016-06-21 | Hitachi, Ltd. | Resin-sealed electronic control device |
JPWO2014128899A1 (ja) * | 2013-02-22 | 2017-02-02 | 株式会社日立製作所 | 樹脂封止型電子制御装置 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR100559062B1 (ko) | 반도체소자및그제조방법 | |
JPS633442A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JPS62264648A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JPS62155542A (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
JPS6218740A (ja) | 半導体装置 | |
KR920018880A (ko) | 유리봉지형 세라믹 패키지 | |
JPH07183431A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
JPS58106851A (ja) | 半導体装置 | |
JPS60257531A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JPS6392926A (ja) | 液晶表示素子 | |
JPS61276245A (ja) | 半導体集積回路装置 | |
JPH03116960A (ja) | 半導体装置 | |
JPS5998540A (ja) | 半導体装置 | |
JPS6182447A (ja) | 半導体装置 | |
JPH01273343A (ja) | リードフレーム | |
JPS63114242A (ja) | 半導体装置 | |
JPH01123428A (ja) | 半導体装置 | |
JPS6079749A (ja) | 半導体装置 | |
JPS63122250A (ja) | 半導体装置 | |
JPS6257238A (ja) | 半導体装置 | |
JPH03169057A (ja) | 半導体装置 | |
JPS61292945A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JPH01215049A (ja) | 半導体装置 | |
JPH06140525A (ja) | 半導体装置 | |
JPH0373560A (ja) | 半導体装置 |