JPS6257238A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPS6257238A JPS6257238A JP60197902A JP19790285A JPS6257238A JP S6257238 A JPS6257238 A JP S6257238A JP 60197902 A JP60197902 A JP 60197902A JP 19790285 A JP19790285 A JP 19790285A JP S6257238 A JPS6257238 A JP S6257238A
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- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
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- H01L23/057—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls the container being a hollow construction and having an insulating or insulated base as a mounting for the semiconductor body the leads being parallel to the base
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- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体装置、特に、セラミックパッケージに
匹敵するような耐久性を有する樹脂封止型半導体装置に
関する。
匹敵するような耐久性を有する樹脂封止型半導体装置に
関する。
従来の樹脂封止型半導体装置の断面図を第2図に示す。
図において、リードフレームのアイランド2に半導体ペ
レット1がマウントされ、ペレット1の電極パッドとリ
ードフレームのり一ド3の内端部との間がボンディング
ワイヤ4で接続後、リードフレームのリード3の外端部
を外に出して。
レット1がマウントされ、ペレット1の電極パッドとリ
ードフレームのり一ド3の内端部との間がボンディング
ワイヤ4で接続後、リードフレームのリード3の外端部
を外に出して。
残りの部分を樹脂6で包んで封止されている。
このような従来の樹脂封止半導体装置においては、外部
から樹脂6内に浸入した水分は、ペレットlの表面など
にて水の膜となり、この水に樹脂6内の不純物イオンが
溶は込み、この水が電極パッドに浸入して腐食を起す。
から樹脂6内に浸入した水分は、ペレットlの表面など
にて水の膜となり、この水に樹脂6内の不純物イオンが
溶は込み、この水が電極パッドに浸入して腐食を起す。
また、ペレット1゜ボンディングワイヤ4.アイランド
2と樹脂6との間の熱膨張係数の違いから、熱応力によ
る不都合も生じる。すなわち、樹脂封入の際の61脂は
高温の状態にあり、封入後次第に冷めてくる訳であるが
、このとき高温で伸びていた樹脂やペレット。
2と樹脂6との間の熱膨張係数の違いから、熱応力によ
る不都合も生じる。すなわち、樹脂封入の際の61脂は
高温の状態にあり、封入後次第に冷めてくる訳であるが
、このとき高温で伸びていた樹脂やペレット。
ボンディングワイヤ、アイランド尋も次第に縮んでくる
。このとき、ペレットがうける熱応力には横方向や縦方
向の熱応力やこの他にも種々の方向から熱応力をうける
ものと考えられる。又ペレットが直接受ける熱応力の他
にも、間接的に受ける応力も考えられる。これらの応力
は半導体装置の特性劣化等を起こすことになる。例えば
ペレット表面に密着[7ている樹脂が熱応力により伸縮
すると、これがベレット表面にダメージを与え、半導体
装置の特性劣化をまねく。一方、腐食や熱応力に強い半
導体装置としてセラミックパッケージの半導体装置があ
るが、これは樹脂封止半導体装置に比べて材料も高く又
工数もかかる為に非常に高価になる。
。このとき、ペレットがうける熱応力には横方向や縦方
向の熱応力やこの他にも種々の方向から熱応力をうける
ものと考えられる。又ペレットが直接受ける熱応力の他
にも、間接的に受ける応力も考えられる。これらの応力
は半導体装置の特性劣化等を起こすことになる。例えば
ペレット表面に密着[7ている樹脂が熱応力により伸縮
すると、これがベレット表面にダメージを与え、半導体
装置の特性劣化をまねく。一方、腐食や熱応力に強い半
導体装置としてセラミックパッケージの半導体装置があ
るが、これは樹脂封止半導体装置に比べて材料も高く又
工数もかかる為に非常に高価になる。
上記問題に対し本発明では、樹脂中に含まれている不純
物イオンによる腐食、および樹脂の熱応力による半導体
ペレットの特性劣化を起さないよウニ、ペレットとボン
ディングワイヤが封止樹脂に触れないような樹脂封止構
造を有せしめている。
物イオンによる腐食、および樹脂の熱応力による半導体
ペレットの特性劣化を起さないよウニ、ペレットとボン
ディングワイヤが封止樹脂に触れないような樹脂封止構
造を有せしめている。
つぎに本発明を実施例により説明する。
第1図は本発明の一実施例の断面図である。図において
、半導体ベレット1はリードフレームのアイランド2に
マウントされ、ボンディングワイヤ4により、リードフ
レームのり一ド3の内端部とペレットlの電極パッドと
の間は接続されている。つぎに絶縁板5でリードフレー
ムのアイランド2とリード部3との隙間が城かれて、そ
扛からボンディングワイヤ4を含むペレット1の周囲を
包囲する中空型でこれらが&われ、樹脂6の封止がなさ
扛、封止樹脂6が硬化後、中空型を上方に引き上げて取
り除き、この引上げ後の上部開口は、ふた7で気密にぶ
たされている。よって、ペレット1とボンディングワイ
ヤ4は樹脂6と触れることのないように樹脂6の空洞内
に残されている。
、半導体ベレット1はリードフレームのアイランド2に
マウントされ、ボンディングワイヤ4により、リードフ
レームのり一ド3の内端部とペレットlの電極パッドと
の間は接続されている。つぎに絶縁板5でリードフレー
ムのアイランド2とリード部3との隙間が城かれて、そ
扛からボンディングワイヤ4を含むペレット1の周囲を
包囲する中空型でこれらが&われ、樹脂6の封止がなさ
扛、封止樹脂6が硬化後、中空型を上方に引き上げて取
り除き、この引上げ後の上部開口は、ふた7で気密にぶ
たされている。よって、ペレット1とボンディングワイ
ヤ4は樹脂6と触れることのないように樹脂6の空洞内
に残されている。
以上説明したように1本発明はペレットとボンディング
ワイヤーに樹脂が触れないような空洞を残して樹脂封止
を行っていることにより、ベレット表面の水の膜へ溶け
こむ不純物イオンの量は減り、これより腐食の起こる割
合や腐食速度の軽減に効果がある。−万態応力について
も、従来ペレット表面、及び側面が樹脂から受けていた
応力を、ベレット表面及び側面が樹脂に触れないように
することにより軽減できる効果がある。又、ペレット及
びボンディングワイヤ上部を空洞にし、該空洞にふたを
するという構造を樹脂封止半導体装置にて実施すること
により、セラミックパッケージの半導体装置よ抄も安価
に作製可能となる。
ワイヤーに樹脂が触れないような空洞を残して樹脂封止
を行っていることにより、ベレット表面の水の膜へ溶け
こむ不純物イオンの量は減り、これより腐食の起こる割
合や腐食速度の軽減に効果がある。−万態応力について
も、従来ペレット表面、及び側面が樹脂から受けていた
応力を、ベレット表面及び側面が樹脂に触れないように
することにより軽減できる効果がある。又、ペレット及
びボンディングワイヤ上部を空洞にし、該空洞にふたを
するという構造を樹脂封止半導体装置にて実施すること
により、セラミックパッケージの半導体装置よ抄も安価
に作製可能となる。
第1図は本考案の一実施例の断面図、第2図は従来の樹
脂封止半導体装置の断面図である。 l・・・・・・半導体ペレット、2・・・・・・リード
フレームのアイランド、3・・・・・・リードフレーム
のリード部、4・・・・・・ボンディングワイヤ、5・
・・・・・絶縁板、6・・・・・・封止樹脂、7・・・
・・・ふた。
脂封止半導体装置の断面図である。 l・・・・・・半導体ペレット、2・・・・・・リード
フレームのアイランド、3・・・・・・リードフレーム
のリード部、4・・・・・・ボンディングワイヤ、5・
・・・・・絶縁板、6・・・・・・封止樹脂、7・・・
・・・ふた。
Claims (1)
- リードフレームのアイランドに半導体ペレットをマウン
トして、前記半導体ペレットの電極パッドと前記リード
フレームのリード部内端との間をボンディングワイヤで
接続後樹脂封止してなる半導体装置において、前記半導
体ペレットおよびボンディングワイヤが前記封止樹脂に
触れないように、前記ペレット周囲に上部開口を有する
空洞を残して樹脂封止を行い、前記開口にふたをして前
記空洞を気密にしたことを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60197902A JPS6257238A (ja) | 1985-09-06 | 1985-09-06 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60197902A JPS6257238A (ja) | 1985-09-06 | 1985-09-06 | 半導体装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6257238A true JPS6257238A (ja) | 1987-03-12 |
Family
ID=16382179
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP60197902A Pending JPS6257238A (ja) | 1985-09-06 | 1985-09-06 | 半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6257238A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100461721B1 (ko) * | 2002-05-27 | 2004-12-14 | 삼성전기주식회사 | 리드 방열 세라믹 패키지 |
-
1985
- 1985-09-06 JP JP60197902A patent/JPS6257238A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100461721B1 (ko) * | 2002-05-27 | 2004-12-14 | 삼성전기주식회사 | 리드 방열 세라믹 패키지 |
US7053482B2 (en) | 2002-05-27 | 2006-05-30 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Ceramic package with radiating lid |
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