JPH0444349A - 樹脂封止半導体およびその成形方法 - Google Patents
樹脂封止半導体およびその成形方法Info
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- JPH0444349A JPH0444349A JP15367190A JP15367190A JPH0444349A JP H0444349 A JPH0444349 A JP H0444349A JP 15367190 A JP15367190 A JP 15367190A JP 15367190 A JP15367190 A JP 15367190A JP H0444349 A JPH0444349 A JP H0444349A
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- Japan
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- resin
- chip
- thickness
- outside
- cavity
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- Pending
Links
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- 229920005989 resin Polymers 0.000 title claims abstract description 44
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- 239000006185 dispersion Substances 0.000 abstract 1
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Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、半導体チップの保持、外部環境からの保護、
取扱性の向上等のためにチップが樹脂で包まれている、
樹脂封止半導体およびその成形方法に関するものである
。
取扱性の向上等のためにチップが樹脂で包まれている、
樹脂封止半導体およびその成形方法に関するものである
。
従来の技術
第4図は、従来の樹脂封止半導体の断面形状を示す。図
において1は封止樹脂部、2は半導体チップ、3は金属
のリードフレーム、4はボンディングワイヤである。
において1は封止樹脂部、2は半導体チップ、3は金属
のリードフレーム、4はボンディングワイヤである。
このような構造の樹脂封止半導体において、樹脂の封止
成形工程で発生する空気溜りやボイドは、製品の半田付
は時やその後の使用時に内部の熱ひずみによるひび割れ
(クラック)の原因となり、製品の耐湿性を著しく低下
させる。
成形工程で発生する空気溜りやボイドは、製品の半田付
は時やその後の使用時に内部の熱ひずみによるひび割れ
(クラック)の原因となり、製品の耐湿性を著しく低下
させる。
発明が解決しようとする課題
ところが、近年の半導体の大容量化、高集積化に伴う、
チップの大型化とパッケージの小型化、薄型化の要求に
よって、上記の成形不具合が発生しやすくなり、耐湿性
の低下が問題となっている。
チップの大型化とパッケージの小型化、薄型化の要求に
よって、上記の成形不具合が発生しやすくなり、耐湿性
の低下が問題となっている。
発明者の見出したところによれば、これは、従来の樹脂
封止半導体の構造に原因がある。すなわち、図にみるよ
うに、チップ2上の樹脂部11の肉厚t1は、チップの
厚みだけ、チップ外の樹脂部12の肉厚t2よりも薄く
なっている。そのために、近年の半導体の製品動向に従
い半導体チップが大型化したにもかかわらず、パッケー
ジ寸法は従来通りであったり、あるいは従来以上に薄型
化される場合には、チップ2の厚みの上記樹脂部11す
なわち、薄肉部に与える影響を無視することができなく
なるのである。これを、金型キャビティへの樹脂の充填
状態を示す第5図を参照しながら以下に述べる。
封止半導体の構造に原因がある。すなわち、図にみるよ
うに、チップ2上の樹脂部11の肉厚t1は、チップの
厚みだけ、チップ外の樹脂部12の肉厚t2よりも薄く
なっている。そのために、近年の半導体の製品動向に従
い半導体チップが大型化したにもかかわらず、パッケー
ジ寸法は従来通りであったり、あるいは従来以上に薄型
化される場合には、チップ2の厚みの上記樹脂部11す
なわち、薄肉部に与える影響を無視することができなく
なるのである。これを、金型キャビティへの樹脂の充填
状態を示す第5図を参照しながら以下に述べる。
第5図において5はゲート、6はチップ2の外形線を示
している。パッケージ全体の厚みが変わらない状況の下
で、この全体厚みに占めるチップの厚みの割合が増すと
、薄肉部11の厚みtlが一層薄くなり、チップ2外の
樹脂部12、すなわち厚肉部の厚みt2との差が大きく
なる。その結果、薄肉部11を流動する樹脂の速度が厚
肉部12を流動する樹脂の速度と比較して遅くなる。
している。パッケージ全体の厚みが変わらない状況の下
で、この全体厚みに占めるチップの厚みの割合が増すと
、薄肉部11の厚みtlが一層薄くなり、チップ2外の
樹脂部12、すなわち厚肉部の厚みt2との差が大きく
なる。その結果、薄肉部11を流動する樹脂の速度が厚
肉部12を流動する樹脂の速度と比較して遅くなる。
図の2点鎖線はこのときの樹脂の流れ先端7を示すが、
図にみるように、キャビティ周辺部の流れがキャビティ
中央部の流れよりも早くなって、ゲート5側からみてキ
ャビティ中央寄りの位置8よりも早く、末端9で先に樹
脂が合流し、上記中央寄りの位置8に空気が残留して空
気溜りゃボイドが発生しやすくなるのである。
図にみるように、キャビティ周辺部の流れがキャビティ
中央部の流れよりも早くなって、ゲート5側からみてキ
ャビティ中央寄りの位置8よりも早く、末端9で先に樹
脂が合流し、上記中央寄りの位置8に空気が残留して空
気溜りゃボイドが発生しやすくなるのである。
本発明は、上記問題点に鑑み、樹脂の充填時における流
れのばらつきによって生じる空気溜りやボイドを無くす
る、樹脂封止半導体およびその成形方法を提供すること
を目的とする。
れのばらつきによって生じる空気溜りやボイドを無くす
る、樹脂封止半導体およびその成形方法を提供すること
を目的とする。
課題を解決するための手段
上記目的を達成するために、本発明の樹脂封止半導体は
、封止樹脂部において、チップ上の樹脂肉厚をチップ外
の樹脂肉厚とほぼ等しくなるようにしている。そして、
本発明の樹脂封止半導体の成形方法は、型内に形成され
るキャビティの厚み寸法において、チップ上となる部分
とチップ外となる部分とがほぼ等しくなるようになって
いる成形金型を用いてチップの樹脂封止を行うようにす
るものである。
、封止樹脂部において、チップ上の樹脂肉厚をチップ外
の樹脂肉厚とほぼ等しくなるようにしている。そして、
本発明の樹脂封止半導体の成形方法は、型内に形成され
るキャビティの厚み寸法において、チップ上となる部分
とチップ外となる部分とがほぼ等しくなるようになって
いる成形金型を用いてチップの樹脂封止を行うようにす
るものである。
作 用
本発明では、チップ上とチップ外を通じ封止樹脂郡全体
をほぼ等しい肉厚で形成するようにしたことにより、封
止成形工程においては、第3図に2点鎖線で示す樹脂の
流れ先端7の進行状況にみるように、充填時樹脂流れの
場所によるばらつきが無くなり、充填完了時に初めて流
れ先端7が金型キャビティの末端9に達するようになる
ため、キャビティ内の空気が充分にキャビテイ外へ押し
出されるようになってキャビティ内に残留するこがない
。
をほぼ等しい肉厚で形成するようにしたことにより、封
止成形工程においては、第3図に2点鎖線で示す樹脂の
流れ先端7の進行状況にみるように、充填時樹脂流れの
場所によるばらつきが無くなり、充填完了時に初めて流
れ先端7が金型キャビティの末端9に達するようになる
ため、キャビティ内の空気が充分にキャビテイ外へ押し
出されるようになってキャビティ内に残留するこがない
。
第3図において5はゲート、6はチップの外形線を示す
。
。
実 施 例
以下、本発明を、樹脂封止半導体の一実施例に基づいて
説明する。第1図はこの実施例にかかる樹脂封止半導体
の外形状を示し、第2図は断面を示すが、1は封止樹脂
部、2は半導体チップ、3はリードフレーム、4はボン
ディングワイヤである。
説明する。第1図はこの実施例にかかる樹脂封止半導体
の外形状を示し、第2図は断面を示すが、1は封止樹脂
部、2は半導体チップ、3はリードフレーム、4はボン
ディングワイヤである。
封止樹脂部1において11はチップ2上の部分、12は
チップ外の部分であり、図にみるように、チップ2の厚
みt3を考慮し、チップ上の樹脂部11の厚みt、はチ
ップ外の樹脂部12の厚みt2にチップ2の厚みt3を
加えたものとして、チップ上とチップ外を通じ封止樹脂
部1全体で肉厚がほぼ等しくなるように形成されている
。
チップ外の部分であり、図にみるように、チップ2の厚
みt3を考慮し、チップ上の樹脂部11の厚みt、はチ
ップ外の樹脂部12の厚みt2にチップ2の厚みt3を
加えたものとして、チップ上とチップ外を通じ封止樹脂
部1全体で肉厚がほぼ等しくなるように形成されている
。
この樹脂封止半導体を成形するにあたっては、上型Aと
下型Bを合わせたときに形成されるキャビティ内のパー
ティングラインPのある位置にリードフレーム3を配置
すると、このリードフレーム3に配置固定されているチ
ップ2が、この例では上型A側に位置するようになるの
で、この上型Aは、そのキャビティ形成部分における、
チップ上となる部分の厚み寸法がチップ外となる部分の
厚み寸法と同じになるように設計されている。本発明の
樹脂封止半導体の成形方法は、このような成形金型を用
いるほかは、従来と同様にして樹脂封止のための成形を
行うものである。
下型Bを合わせたときに形成されるキャビティ内のパー
ティングラインPのある位置にリードフレーム3を配置
すると、このリードフレーム3に配置固定されているチ
ップ2が、この例では上型A側に位置するようになるの
で、この上型Aは、そのキャビティ形成部分における、
チップ上となる部分の厚み寸法がチップ外となる部分の
厚み寸法と同じになるように設計されている。本発明の
樹脂封止半導体の成形方法は、このような成形金型を用
いるほかは、従来と同様にして樹脂封止のための成形を
行うものである。
発明の効果
本発明によれば、封止成形工程において、封止樹脂部に
空気が残留することが起きにくくなったため、空気溜り
やボイドの発生が抑えられ、樹脂封止半導体の製品とし
て必要な耐湿性を充分に確保することができるようにな
る。
空気が残留することが起きにくくなったため、空気溜り
やボイドの発生が抑えられ、樹脂封止半導体の製品とし
て必要な耐湿性を充分に確保することができるようにな
る。
第1図は、本発明の一実施例にかかる樹脂封止半導体の
斜視図、第2図は同実施例の封止成形工程を示す断面図
、第3図は同封止成形工程時における樹脂流れ先端の進
展状況を示す斜視図、第4図は従来の樹脂封止半導体の
断面図、第5図は同従来の半導体を従来技術を用いて封
止成形したときの樹脂流れ先端の進展状況の斜視図であ
る。 1・・・・・・封止樹脂部、2・・・・・・半導体チッ
プ、3・・・・・・リードフレーム、5・・・・・・ゲ
ート、7・・・・・・樹脂流れの先端、9・・・・・・
キャビティ末端、11・・・・・・チップ上の樹脂部、
12・・・・・・チップ外の樹脂部、A・・・・・・上
型、B・・・・・・下型。
斜視図、第2図は同実施例の封止成形工程を示す断面図
、第3図は同封止成形工程時における樹脂流れ先端の進
展状況を示す斜視図、第4図は従来の樹脂封止半導体の
断面図、第5図は同従来の半導体を従来技術を用いて封
止成形したときの樹脂流れ先端の進展状況の斜視図であ
る。 1・・・・・・封止樹脂部、2・・・・・・半導体チッ
プ、3・・・・・・リードフレーム、5・・・・・・ゲ
ート、7・・・・・・樹脂流れの先端、9・・・・・・
キャビティ末端、11・・・・・・チップ上の樹脂部、
12・・・・・・チップ外の樹脂部、A・・・・・・上
型、B・・・・・・下型。
Claims (2)
- (1)封止樹脂部において、チップ上の樹脂肉厚がチッ
プ外の肉厚とほぼ等しくなっている樹脂封止半導体。 - (2)型内に形成されるキャビティの厚み寸法がチップ
上となる部分とチップ外となる部分とでほぼ等しくなる
ようになっている成形金型を用いてチップの樹脂封止を
行う樹脂封止半導体の成形方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP15367190A JPH0444349A (ja) | 1990-06-12 | 1990-06-12 | 樹脂封止半導体およびその成形方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP15367190A JPH0444349A (ja) | 1990-06-12 | 1990-06-12 | 樹脂封止半導体およびその成形方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0444349A true JPH0444349A (ja) | 1992-02-14 |
Family
ID=15567630
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP15367190A Pending JPH0444349A (ja) | 1990-06-12 | 1990-06-12 | 樹脂封止半導体およびその成形方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0444349A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015032705A (ja) * | 2013-08-02 | 2015-02-16 | 株式会社デンソー | モールドパッケージ |
US11772405B2 (en) | 2021-10-08 | 2023-10-03 | Fujifilm Business Innovation Corp. | Recording medium processing apparatus and image forming system |
-
1990
- 1990-06-12 JP JP15367190A patent/JPH0444349A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015032705A (ja) * | 2013-08-02 | 2015-02-16 | 株式会社デンソー | モールドパッケージ |
US11772405B2 (en) | 2021-10-08 | 2023-10-03 | Fujifilm Business Innovation Corp. | Recording medium processing apparatus and image forming system |
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