JPH04286134A - 半導体装置の封止方法 - Google Patents
半導体装置の封止方法Info
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- JPH04286134A JPH04286134A JP5001391A JP5001391A JPH04286134A JP H04286134 A JPH04286134 A JP H04286134A JP 5001391 A JP5001391 A JP 5001391A JP 5001391 A JP5001391 A JP 5001391A JP H04286134 A JPH04286134 A JP H04286134A
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 24
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 18
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 23
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 23
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 abstract 1
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
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- H01L2224/4809—Loop shape
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-
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- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
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- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
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- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
- H01L2224/491—Disposition
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- H01L2224/49171—Fan-out arrangements
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- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/151—Die mounting substrate
- H01L2924/153—Connection portion
- H01L2924/1532—Connection portion the connection portion being formed on the die mounting surface of the substrate
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置の封止方法に
関する。近年，半導体装置の多様化に伴い，種々のパッ
ケージが開発されている。このため，半導体チップとリ
ードフレームをつなぐボンディングワイヤにもいろいろ
な制限が課されている。その中にボンディングワイヤの
長さ制限がある。これは，ボンディングワイヤがある長
さ以上になると，封止の際にワイヤが下に垂れ，他のボ
ンディングワイヤや隣接するインナーリードに接触して
しまうことがあるので，それを防止するための長さ制限
である。この制限のため，半導体装置の設計段階で半導
体チップ上のワイヤボンディングパッドの形成位置やそ
のワイヤボンディングパッドからワイヤが張られるリー
ドフレーム上の位置などにいろいろな変更が生じ，設計
における自由度を制限している。
関する。近年，半導体装置の多様化に伴い，種々のパッ
ケージが開発されている。このため，半導体チップとリ
ードフレームをつなぐボンディングワイヤにもいろいろ
な制限が課されている。その中にボンディングワイヤの
長さ制限がある。これは，ボンディングワイヤがある長
さ以上になると，封止の際にワイヤが下に垂れ，他のボ
ンディングワイヤや隣接するインナーリードに接触して
しまうことがあるので，それを防止するための長さ制限
である。この制限のため，半導体装置の設計段階で半導
体チップ上のワイヤボンディングパッドの形成位置やそ
のワイヤボンディングパッドからワイヤが張られるリー
ドフレーム上の位置などにいろいろな変更が生じ，設計
における自由度を制限している。
【０００２】
【従来の技術】図４は従来の封止方法を説明するための
断面図で，１は半導体チップ，２はワイヤボンディング
パッド，３はボンディングワイヤ，４はリードフレーム
，５は外部端子，６は樹脂封止体，７ａは上側モールド
型， ７ｂは樹脂供給口， ７ｃは下側モールド型を表
す。
断面図で，１は半導体チップ，２はワイヤボンディング
パッド，３はボンディングワイヤ，４はリードフレーム
，５は外部端子，６は樹脂封止体，７ａは上側モールド
型， ７ｂは樹脂供給口， ７ｃは下側モールド型を表
す。
【０００３】ワイヤボンディングの終わった半導体チッ
プ１は，ワイヤボンディングパッド２の形成さた面を上
側にして上側モールド型７ａと下側モールド型７ｃの間
に配置され，樹脂供給口７ｂから樹脂を供給して封止を
行う。 ボンディングワイヤ３は樹脂封止体の中に固定されるの
であるが，封止の際，ボンディングワイヤ３がある長さ
以上になると，下に垂れて他のボンディングワイヤや隣
接するインナーリードに接触し，その状態で固定されて
しまうことがある。このような不良の発生を避けるため
，ワイヤボンディングパッド２の形成位置を設計段階で
変更するが，設計の自由度が損なわれる。この問題はワ
イヤボンディングパッド２の箇所が増加ししかもその間
隔が減少する高密度化デバイスの場合，特に深刻になる
。
プ１は，ワイヤボンディングパッド２の形成さた面を上
側にして上側モールド型７ａと下側モールド型７ｃの間
に配置され，樹脂供給口７ｂから樹脂を供給して封止を
行う。 ボンディングワイヤ３は樹脂封止体の中に固定されるの
であるが，封止の際，ボンディングワイヤ３がある長さ
以上になると，下に垂れて他のボンディングワイヤや隣
接するインナーリードに接触し，その状態で固定されて
しまうことがある。このような不良の発生を避けるため
，ワイヤボンディングパッド２の形成位置を設計段階で
変更するが，設計の自由度が損なわれる。この問題はワ
イヤボンディングパッド２の箇所が増加ししかもその間
隔が減少する高密度化デバイスの場合，特に深刻になる
。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明は上記の問題に
鑑み，たとえボンディングワイヤ３が長くとも他のボン
ディングワイヤや隣接するインナーリードと接触するこ
とのない封止方法を提供することにより，設計の自由度
を増し，融通性のある設計を可能とし，しかも接触不良
を生じないようにするものである。
鑑み，たとえボンディングワイヤ３が長くとも他のボン
ディングワイヤや隣接するインナーリードと接触するこ
とのない封止方法を提供することにより，設計の自由度
を増し，融通性のある設計を可能とし，しかも接触不良
を生じないようにするものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】図１（ａ）， （ｂ）は
，本発明の封止方法を説明するための断面図，図２（ａ
）， （ｂ）は，ワイヤボンディング状態を示す上面図
と側面断面図である。
，本発明の封止方法を説明するための断面図，図２（ａ
）， （ｂ）は，ワイヤボンディング状態を示す上面図
と側面断面図である。
【０００６】上記課題は，リードフレーム４に半導体チ
ップ１を搭載し， ダイボンディング及びワイヤボンデ
ィングを行った後の半導体装置を樹脂封止する方法であ
って，該半導体チップ１のワイヤボンディングパッド２
の形成されている面を下側に向けてボンディングワイヤ
３が下方に垂れる部分を持つようにした状態で樹脂封止
を行う半導体装置の封止方法によって解決される。
ップ１を搭載し， ダイボンディング及びワイヤボンデ
ィングを行った後の半導体装置を樹脂封止する方法であ
って，該半導体チップ１のワイヤボンディングパッド２
の形成されている面を下側に向けてボンディングワイヤ
３が下方に垂れる部分を持つようにした状態で樹脂封止
を行う半導体装置の封止方法によって解決される。
【０００７】
【作用】半導体チップ１はリードフレーム４にダイボン
ディングされ，半導体チップ１上のワイヤボンディング
パッド２とリードフレーム４のインナーリード間にワイ
ヤボンディングが行われる。半導体装置の高密度化に伴
いワイヤボンディングパッド２間の距離が小さくなる時
は，ボンディングワイヤ３が長いとワイヤボンディング
後ワイヤが垂れ下がり，不規則に変形して隣のボンディ
ングワイヤやインナーリードと接触することがある。
ディングされ，半導体チップ１上のワイヤボンディング
パッド２とリードフレーム４のインナーリード間にワイ
ヤボンディングが行われる。半導体装置の高密度化に伴
いワイヤボンディングパッド２間の距離が小さくなる時
は，ボンディングワイヤ３が長いとワイヤボンディング
後ワイヤが垂れ下がり，不規則に変形して隣のボンディ
ングワイヤやインナーリードと接触することがある。
【０００８】本発明では樹脂封止の際，半導体チップ１
のワイヤボンディングパッド２の形成されている面を下
側に向け，ボンディングワイヤ３が下方に垂れる部分を
持つようにした状態で樹脂封止を行う。このようにすれ
ば，たとえボンディングワイヤ３が長くても，自重によ
り垂れ下がり，不規則に変形することがない。したがっ
てボンディングワイヤ同志が接触することはなく，隣接
するインナーリードに接触することもない。その状態で
樹脂中に固定してしまえば接触不良を防ぐことができる
。
のワイヤボンディングパッド２の形成されている面を下
側に向け，ボンディングワイヤ３が下方に垂れる部分を
持つようにした状態で樹脂封止を行う。このようにすれ
ば，たとえボンディングワイヤ３が長くても，自重によ
り垂れ下がり，不規則に変形することがない。したがっ
てボンディングワイヤ同志が接触することはなく，隣接
するインナーリードに接触することもない。その状態で
樹脂中に固定してしまえば接触不良を防ぐことができる
。
【０００９】
【実施例】図１（ａ）， （ｂ）は本発明の封止方法を
説明するための断面図で，（ａ） は樹脂封止体をモー
ルド型に流しこんだ状態，（ｂ） は樹脂封止体が固化
した後，外部を折り曲げた完成状態を示し，１は半導体
チップ，２はワイヤボンディングパッド，３はボンディ
ングワイヤ，４はリードフレーム，５は外部端子，６は
樹脂封止体，７ａは上側モールド型， ７ｂは樹脂供給
口， ７ｃは下側モールド型を表す。
説明するための断面図で，（ａ） は樹脂封止体をモー
ルド型に流しこんだ状態，（ｂ） は樹脂封止体が固化
した後，外部を折り曲げた完成状態を示し，１は半導体
チップ，２はワイヤボンディングパッド，３はボンディ
ングワイヤ，４はリードフレーム，５は外部端子，６は
樹脂封止体，７ａは上側モールド型， ７ｂは樹脂供給
口， ７ｃは下側モールド型を表す。
【００１０】図２（ａ）， （ｂ）はワイヤボンディン
グ状態を示す上面図と側面断面図で，（ａ） は上面図
，（ｂ） はＡ−Ａ断面図である。図２（ａ）， （ｂ
）に示すように半導体チップ１のダイボンディング及び
ワイヤボンディングを行った後，図１（ａ） に示すよ
うに半導体チップ１のワイヤボンディングパッド２の形
成されている面を下側に向け，上側モールド７ａ， 下
側モールド７ｃ間に配置する。ボンディングワイヤが下
方に垂れる部分を持つが，ボンディングワイヤ同志が接
触することはない。隣接するインナーリードに接触する
こともない。この状態で樹脂供給口７ｂから例えばプラ
スチック樹脂を流し込む。
グ状態を示す上面図と側面断面図で，（ａ） は上面図
，（ｂ） はＡ−Ａ断面図である。図２（ａ）， （ｂ
）に示すように半導体チップ１のダイボンディング及び
ワイヤボンディングを行った後，図１（ａ） に示すよ
うに半導体チップ１のワイヤボンディングパッド２の形
成されている面を下側に向け，上側モールド７ａ， 下
側モールド７ｃ間に配置する。ボンディングワイヤが下
方に垂れる部分を持つが，ボンディングワイヤ同志が接
触することはない。隣接するインナーリードに接触する
こともない。この状態で樹脂供給口７ｂから例えばプラ
スチック樹脂を流し込む。
【００１１】樹脂封止体６が固化した後，周囲のリード
片を切離し，外部端子５を図１（ｂ）に示すように折り
曲げる。図１（ｂ） では折り曲げる方向をボンディン
グワイヤ３の存在する側としたが，その逆方向に折り曲
げてもよい。
片を切離し，外部端子５を図１（ｂ）に示すように折り
曲げる。図１（ｂ） では折り曲げる方向をボンディン
グワイヤ３の存在する側としたが，その逆方向に折り曲
げてもよい。
【００１２】図３はクロスするワイヤボンディングを説
明するための図である。従来の封止方法であれば，クロ
スするワイヤボンディングを行うとボンディングワイヤ
同志が接触してしまう。しかし，本発明の封止方法によ
れば，クロスするボンディングワイヤ同志を接触させな
いようにすることができる。即ち，下側となるボンディ
ングワイヤはたるませないでボンディングし，上側とな
るボンディングワイヤはたるませてボンディングする。 そして，樹脂封止の際ワイヤボンディングパッド２の形
成されている面を下側に向けて，上側モールド７ａ，
下側モールド７ｃ間に配置すれば，ボンディングワイヤ
は自重で下方に垂れさがり，ボンディングワイヤ同志が
接触することはない。
明するための図である。従来の封止方法であれば，クロ
スするワイヤボンディングを行うとボンディングワイヤ
同志が接触してしまう。しかし，本発明の封止方法によ
れば，クロスするボンディングワイヤ同志を接触させな
いようにすることができる。即ち，下側となるボンディ
ングワイヤはたるませないでボンディングし，上側とな
るボンディングワイヤはたるませてボンディングする。 そして，樹脂封止の際ワイヤボンディングパッド２の形
成されている面を下側に向けて，上側モールド７ａ，
下側モールド７ｃ間に配置すれば，ボンディングワイヤ
は自重で下方に垂れさがり，ボンディングワイヤ同志が
接触することはない。
【００１３】
【発明の効果】以上説明したように，本発明によれば，
ボンディングワイヤに課されていた長さ制限が緩和され
，設計の自由度を大幅に増すことができる。さらに，ボ
ンディングワイヤ同志の接触や隣接するインナーリード
との接触による不良を防止することができ，製造歩留り
を顕著に向上することができる。
ボンディングワイヤに課されていた長さ制限が緩和され
，設計の自由度を大幅に増すことができる。さらに，ボ
ンディングワイヤ同志の接触や隣接するインナーリード
との接触による不良を防止することができ，製造歩留り
を顕著に向上することができる。
【００１４】本発明は半導体装置の高密度化に寄与する
ものである。
ものである。
【図１】本発明の封止方法を説明するための断面図で，
（ａ） は樹脂封止体をモールド型に流しこんだ状態，
（ｂ） は樹脂封止体が固化した後，外部リードを折り
曲げた完成状態である。
（ａ） は樹脂封止体をモールド型に流しこんだ状態，
（ｂ） は樹脂封止体が固化した後，外部リードを折り
曲げた完成状態である。
【図２】ワイヤボンディング状態を示す上面図と側面断
面図で，（ａ） は上面図，（ｂ） はＡ−Ａ断面図で
ある。
面図で，（ａ） は上面図，（ｂ） はＡ−Ａ断面図で
ある。
【図３】クロスするワイヤボンディングを説明するため
の図である。
の図である。
【図４】従来の封止方法を説明するための断面図である
。
。
１は半導体チップ
２はワイヤボンディングパッド
３はボンディングワイヤ
４はリードフレーム
５は外部端子
６は樹脂封止体
７ａは上側モールド型
７ｂは樹脂供給口
７ｃは下側モールド型
Claims (1)
- 【請求項１】 リードフレーム（４） に半導体チッ
プ（１） を搭載し， ダイボンディング及びワイヤボ
ンディングを行った後の半導体装置を樹脂封止する方法
であって，該半導体チップ（１） のワイヤボンディン
グパッド（２） の形成されている面を下側に向けてボ
ンディングワイヤ（３） が下方に垂れる部分を持つよ
うにした状態で樹脂封止を行うことを特徴とする半導体
装置の封止方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5001391A JPH04286134A (ja) | 1991-03-15 | 1991-03-15 | 半導体装置の封止方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5001391A JPH04286134A (ja) | 1991-03-15 | 1991-03-15 | 半導体装置の封止方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04286134A true JPH04286134A (ja) | 1992-10-12 |
Family
ID=12847116
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5001391A Withdrawn JPH04286134A (ja) | 1991-03-15 | 1991-03-15 | 半導体装置の封止方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04286134A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7157789B2 (en) | 2004-05-26 | 2007-01-02 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
| US7713787B2 (en) | 2006-02-21 | 2010-05-11 | Panasonic Corporation | Mounted body and method for manufacturing the same |
-
1991
- 1991-03-15 JP JP5001391A patent/JPH04286134A/ja not_active Withdrawn
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7157789B2 (en) | 2004-05-26 | 2007-01-02 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
| US7713787B2 (en) | 2006-02-21 | 2010-05-11 | Panasonic Corporation | Mounted body and method for manufacturing the same |
| US8039307B2 (en) | 2006-02-21 | 2011-10-18 | Panasonic Corporation | Mounted body and method for manufacturing the same |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19980514 |