JPH0461362A - 樹脂封止半導体およびその成形方法 - Google Patents
樹脂封止半導体およびその成形方法Info
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- JPH0461362A JPH0461362A JP17342190A JP17342190A JPH0461362A JP H0461362 A JPH0461362 A JP H0461362A JP 17342190 A JP17342190 A JP 17342190A JP 17342190 A JP17342190 A JP 17342190A JP H0461362 A JPH0461362 A JP H0461362A
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- JP
- Japan
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- gate
- resin
- thickness
- cavity
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- Pending
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 18
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 title description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 28
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 28
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims abstract description 14
- 238000000465 moulding Methods 0.000 claims description 17
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 10
- 238000013459 approach Methods 0.000 claims description 7
- 230000007423 decrease Effects 0.000 claims description 6
- 239000011800 void material Substances 0.000 abstract 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 230000035508 accumulation Effects 0.000 description 1
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 1
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000012778 molding material Substances 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、半導体チップの保持、外部環境からの保護、
取扱性の向上等のためにチップが樹脂で包まれている樹
脂封止半導体およびその成形方法に関するものである。
取扱性の向上等のためにチップが樹脂で包まれている樹
脂封止半導体およびその成形方法に関するものである。
従来の技術
第４図は、従来の樹脂封止半導体の一例を示し、第５図
はその成形方法を示す。図において、１は封止樹脂部、
２は半導体チップ、３は金属のり一ドフレーム、４はボ
ンディングワイヤ、５はゲート、６は溶融樹脂である。
はその成形方法を示す。図において、１は封止樹脂部、
２は半導体チップ、３は金属のり一ドフレーム、４はボ
ンディングワイヤ、５はゲート、６は溶融樹脂である。
第４図に示しているように、封止樹脂部１の側面には小
さな傾斜（抜き勾配）１１がつけられている。
さな傾斜（抜き勾配）１１がつけられている。
このような樹脂封止半導体において、樹脂の封止成形工
程で発生する空気溜りやボイドは、半田付は工程時また
はその後における製品使用時に内部の熱ひずみによるひ
び割れ（クランク）の原因となり、製品の耐湿性を著し
く低下させる。
程で発生する空気溜りやボイドは、半田付は工程時また
はその後における製品使用時に内部の熱ひずみによるひ
び割れ（クランク）の原因となり、製品の耐湿性を著し
く低下させる。
発明が解決しようとする課題
しかしながら従来、樹脂封止半導体を成形する場合に、
ゲート５に接続された金型キャビティ部７が同ゲート５
に対して急拡大しているときには、上記の成形不具合が
発生しやすくなっていた。
ゲート５に接続された金型キャビティ部７が同ゲート５
に対して急拡大しているときには、上記の成形不具合が
発生しやすくなっていた。
すなわち、封止成形特初期にゲート５から金型キャビテ
ィ７内に流入してきた溶融樹脂６は、第５図に示すよう
にゲート寸法に対して急拡大しているキャビテイ壁面か
ら剥がれて乱れた流れとなり、空気を巻き込んだり、成
形圧がかからないためボイド８を発生させるなどの成形
不具合が発生し易くなるのである。
ィ７内に流入してきた溶融樹脂６は、第５図に示すよう
にゲート寸法に対して急拡大しているキャビテイ壁面か
ら剥がれて乱れた流れとなり、空気を巻き込んだり、成
形圧がかからないためボイド８を発生させるなどの成形
不具合が発生し易くなるのである。
本発明は、上記問題点に鑑み、樹脂の充填初期における
ゲート近傍での流れの乱れを防止することを可能とする
ことにより、空気溜りやボイドを無くすることができた
樹脂封止半導体およびその成形方法を提供することを課
題とする。
ゲート近傍での流れの乱れを防止することを可能とする
ことにより、空気溜りやボイドを無くすることができた
樹脂封止半導体およびその成形方法を提供することを課
題とする。
課題を解決するための手段
１−記課題を解決するために、本発明の樹脂封止半導体
は、ゲート近傍となる封止樹脂部において、端部に近づ
くにつれて肉厚が減少している。
は、ゲート近傍となる封止樹脂部において、端部に近づ
くにつれて肉厚が減少している。
このような樹脂封止半導体を成形するために、本発明の
成形方法は、キャビティにおけるゲート近傍部分が、ゲ
ートに近づくにつれて厚み寸法が減少しＣいる金型を用
いて成形を行うようにする。
成形方法は、キャビティにおけるゲート近傍部分が、ゲ
ートに近づくにつれて厚み寸法が減少しＣいる金型を用
いて成形を行うようにする。
作 用
ゲート近傍となる封止樹脂部の肉厚を減少させておくと
、樹脂半導体の封止成形時において、ゲートから金型キ
ャビティ内に流入してくる樹脂が、金型キャビティ内を
ゲート側から完全に充填しながら徐々に流動面積を拡大
するため、樹脂材料の壁面との粘性効果により、乱れの
ない流動状態を形成し、ボイドを生じさせない。
、樹脂半導体の封止成形時において、ゲートから金型キ
ャビティ内に流入してくる樹脂が、金型キャビティ内を
ゲート側から完全に充填しながら徐々に流動面積を拡大
するため、樹脂材料の壁面との粘性効果により、乱れの
ない流動状態を形成し、ボイドを生じさせない。
実 施 例
以下、本発明を、第２図に示すような樹脂封止半導体に
具体化した一実施例に基づいて説明する。
具体化した一実施例に基づいて説明する。
第１図はその成形方法を示し、第３図はその部分的拡大
平面を示す。図において、１は封止樹脂部、２は半導体
チップ、３はリードフレーム、４はボンディングワイヤ
、５はゲート、６は溶融樹脂、７はキャビティである。
平面を示す。図において、１は封止樹脂部、２は半導体
チップ、３はリードフレーム、４はボンディングワイヤ
、５はゲート、６は溶融樹脂、７はキャビティである。
ゲート５近傍の封止樹脂部１２は、端部に近づくにつれ
て、勾配を持って徐々に肉厚を減少するように形成され
ている。図中、１１は抜き勾配である。金型キャビティ
７のゲート５近傍部分７１は、ゲート５に近づくにつれ
て厚み寸法が次第に減少している。第１図の鎖線は厚み
寸法減少のないときのキャビティ端部形状を示している
。
て、勾配を持って徐々に肉厚を減少するように形成され
ている。図中、１１は抜き勾配である。金型キャビティ
７のゲート５近傍部分７１は、ゲート５に近づくにつれ
て厚み寸法が次第に減少している。第１図の鎖線は厚み
寸法減少のないときのキャビティ端部形状を示している
。
溶融樹脂６はゲート５からキャビティ７内に入った直後
は部分７１で厚み寸法が次第に大きくなるようになって
いるため、ボイドを生じない。
は部分７１で厚み寸法が次第に大きくなるようになって
いるため、ボイドを生じない。
なお、本実施例においてゲート近傍の封止樹脂部１は勾
配をもって徐々に厚みを減らすように形成したが、これ
は段階的に厚みを減らすように形成してもよい。これら
ゲート近傍となる部分の封止樹脂部の形状と肉厚は、ゲ
ートから流入してくる樹脂材料の粘度によって異なる。
配をもって徐々に厚みを減らすように形成したが、これ
は段階的に厚みを減らすように形成してもよい。これら
ゲート近傍となる部分の封止樹脂部の形状と肉厚は、ゲ
ートから流入してくる樹脂材料の粘度によって異なる。
発明の効果
本発明によれば、ゲート近傍となる部分の樹脂肉厚を端
部に近づくにつれて減少させることによって、封止成形
時においてゲートから金型キャビティ内に流入する樹脂
の乱れを抑え、空気溜りやボイドの発生を防止すること
ができる。
部に近づくにつれて減少させることによって、封止成形
時においてゲートから金型キャビティ内に流入する樹脂
の乱れを抑え、空気溜りやボイドの発生を防止すること
ができる。
第１図は、本発明の成形方法の一実施例を示す断面図、
第２図は同実施例が成形対象にしている樹脂封止半導体
の斜視図、第３図はその部分的拡大平面図、第４図は従
来の樹脂封止半導体の断面図、第５図はその成形方法を
示す断面図である。 １・・・・・・封止樹脂部、２・・・・・・半導体チッ
プ、５・・・・・・ゲート、６・・・・・・溶融樹脂、
７・・・・・・金型キャビ代理人の氏名 弁理士 粟野
重孝 はか１名を−・ケ１．．ワ ５−ｍ−ゲート Ｃ−・−惚恥猾謁 ７−−−キャと”ティ
第２図は同実施例が成形対象にしている樹脂封止半導体
の斜視図、第３図はその部分的拡大平面図、第４図は従
来の樹脂封止半導体の断面図、第５図はその成形方法を
示す断面図である。 １・・・・・・封止樹脂部、２・・・・・・半導体チッ
プ、５・・・・・・ゲート、６・・・・・・溶融樹脂、
７・・・・・・金型キャビ代理人の氏名 弁理士 粟野
重孝 はか１名を−・ケ１．．ワ ５−ｍ−ゲート Ｃ−・−惚恥猾謁 ７−−−キャと”ティ
Claims (2)
- （１）ゲート近傍となる封止樹脂部において、端部に近
づくにつれて肉厚が減少している樹脂封止半導体。 - （２）キャビティにおける近傍部分が、ゲートに近づく
につれて厚み寸法が減少している金型を用いて成形を行
う樹脂封止半導体の成形方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17342190A JPH0461362A (ja) | 1990-06-29 | 1990-06-29 | 樹脂封止半導体およびその成形方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17342190A JPH0461362A (ja) | 1990-06-29 | 1990-06-29 | 樹脂封止半導体およびその成形方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0461362A true JPH0461362A (ja) | 1992-02-27 |
Family
ID=15960141
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17342190A Pending JPH0461362A (ja) | 1990-06-29 | 1990-06-29 | 樹脂封止半導体およびその成形方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0461362A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013058549A (ja) * | 2011-09-07 | 2013-03-28 | Auto Network Gijutsu Kenkyusho:Kk | 電装ユニット |
-
1990
- 1990-06-29 JP JP17342190A patent/JPH0461362A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013058549A (ja) * | 2011-09-07 | 2013-03-28 | Auto Network Gijutsu Kenkyusho:Kk | 電装ユニット |
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