KR950003903B1 - 반도체패키지의 성형장치 - Google Patents

Abstract

내용 없음.

Description

반도체패키지의 성형장치

제1도는 일반적인 반도체패키지가 기판에 실장된 상태를 나타낸 단면도.

제2a도,제2b도는 종래의 반도체패키지의 성형장치를 설명하기 위한 개략도면.

제3도 및 제4a도,제4b도는 이 발명에 따른 반도체패키지의 성형장치를 설명하기 위한 개략도면.

제5도는 이 발명에 따른 반도체패키지의 성형장치를 설명하기 위한 요부도면이다.

이 발명은 반도체패키지에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 각 제조공정을 통하여 칩이 부착된 리드프레임을 몰딩다이상에 장착한 후 수지로 몰딩시키는 경우에 수지의 흐름에 용이하게 할 수 있도록 한 반도체패키지의 성형장치에 관한 것이다.

일반적으로 제1도에 나타낸 바와같은 반도체패키지(10)는, 리드프레임(11)의 내부중앙에 형성된 각각의 패드(12)상에 칩(13)이 부착되고, 이 칩(13)과 내부리드(11a)를 와이어(14)로 연결한 후 상기 칩(13)을 외부환경으로부터 보호하기 위해 수지(15)로 몰딩하게되며, 이후에 상기 반도체패키지(10)의 외부리드(11b)를 절곡 성형함으로써, 기판(16)상에 실장할 수 있도록 구성된다. 그런데, 상기한 바와같이 반도체패키지(10)의 성형장치는, 제2a도,제2b도에 나타낸 바와같이 반도체패키지(10)의 성형을 위한 상,하부다이(20),(21)내에 캐비티(Cavity)(22)가 형성되고, 램포트(Ram pot)(도시생략)로부터 액상의 수지가 주입되는 런너(Runner)(23)가 게이트(Gate)(24)에 의해 상기 캐비티(22)와 연결 구성된다. 따라서, 반도체패키지(10)의 성형시에 상기 캐비티(22)상에 칩(13)이 부착된 리드프레임(11)을 장착한 후 램포트에 콤파운드 수지를 넣고 적정온도하에서 소정 압력을 가하게 되면, 상기 수지가 녹으면서 각 런너(23)를 따라 흘러 이동하게 되며, 런너(23)의 일측에 형성된 각각의 게이트(24)를 통하여 수지가 상기 상,하부다이(21),(21)내의 캐비티(22)로 흘러들어감으로써 각 칩(13)들을 몰딩시킬 수 있게 된다.

그러나, 상기와 같은 종래의 성형장치는, 상,하부다이(21),(21)의 어느 일측에 형성된 런너(23)로부터 캐비티(22)내로 수지가 유입되는 게이트(24)가 한군데에만 형성되어 있기 때문에 수지가 용이하게 캐비티(22)내로 흘러들어가지 못하게 되므로 와이어스위핑(Wire Sweeping), 패드틸트(Pad Tilt), 인너보이드(Inner Void) 현상등이 발생하여 반도체패키지(10)가 불완전하게 몰딩되거나 기포 발생율이 증가하는 문제가 있다.

이 발명은 상기한 바와같은 종래의 문제점을 감안하여 이루어진 것으로서, 이 발명의 목적은 상, 하부다이내에 형성되는 하나의 캐비티에 2개 이상의 게이트를 소정 각도로 형성하고, 이 게이트와 대향되는 부위에 보조 게이트를 형성하여 액상의 수지가 용이하게 캐비티내로 유입되도록 함으로써, 상술한 종래의 문제들을 해결할 수 있는 반도체패키지의 성형장치를 제공함에 있다. 상기와 같은 목적을 달성하기 위한 이 발명의 특징은, 칩이 부착된 리드프레임을 상,하부다이내의 캐비티상에 장착한후 수지를 유입하여 몰딩시키는 반도체패키지의 성형장치에 있어서, 상기 상,하부다이에 각각 형성된 캐비티의 어느 한쪽에 린너와 연결되는 게이트를 형성하고, 상기 게이트가 형성된 다이의 대항되는 다이에 보조 게이트를 각각 형성하여 캐비티내로 수지가 유입되도록 한 반도체패키지의 성형장치에 있다.

이하, 이 발명의 바람직한 실시예를 첨부도면에 따라 상세히 설명한다. 제3도 내지 제5도는 이 발명에 따른 반도체패키지의 성형장치를 설명하기 위한 도면으로서, 먼저 제3a도에서와 같이 종래와 마찬가지로 반도체패키지를 성형하기 위한 상,하부다이(30),(31)내에 캐비티(32)가 형성되고, 이들 사이에는 패드(12)상에 칩(13)이 접착된 리드프레임(11)이 장착된다. 그리고, 상기 하부다이(31)의 일측에는 액상의 수지가 유입되어오는 런너(33)가 형성되고, 이 런너(33)와 상기 캐비티(32)가 게이트(34)에 의해 연결되어 수지가 캐비티(32)내로 충진될 수 있도록 하고 있다. 또한, 상기 게이트(34)의 연장선상으로는 캐비티(32)와 연결되는 보조게이트(35)가 상부다이(30)에 형성되어 수지가 상,하 균일하게 캐비티(32)내로 흘러들어갈 수 있도록 되어 있다. 또한, 상기 예에서는 런너(33) 및 게이트(34)가 하부다이(31)에 형성되고, 보조게이트(35)를 상부다이(30)에 형성한 것에 대하여 설명하였으나 이것과는 반대로 제3b도에서와 같이 런너(33) 및 게이트(34)를 상부다이(30)에 형성하고, 보조게이트(35)를 하부다이(31)에 형성하여도 좋다. 한편, 이 발명에 따른 반도체패키지의 성형장치는 제4a도,제4b도에 나타낸 바와같이 상기 캐비티(32)와 런너(33)를 연결하는 게이트(34)가 하나의 캐비티(32)에 대하여 2개의 게이트(34)가 형성되어 런너(33)와 연결되므로 수지가 용이하게 캐비티(32)내로 흘러들어갈 수 있도록 하였으며, 이 게이트(34)는 2개 이상 형성할 수도 있다. 또한, 제5도에 나타낸 바와같이 상기 게이트(34)는 런너(33)와 캐비티(32)에 대하여 소정 경사각(θ)을 갖도록 형성되며, 이 경사각(θ)은 대략 20°~35°의 범위내에 형성되도록 하는 것이 바람직하다.

상술한 바와같이 이 발명은, 하부다이(31)상에 리드프레임(11)을 장착시킨후, 상부다이(30)가 하강하여 형성된 캐비티(32)의 중앙에 패드(12)상의 칩(13)이 위치한 상태에서 고체상태의 수지가 채워진 램포트(도시생략)에 적정온도를 가하면서 압력을 가하게 되면, 제4a도,제4b도에서와 같이 램포트로부터 액상이 수지가 런너(33)를 통하여 화살표 방향으로 흘러들어오게 된다. 따라서, 상기 수지는 각각의 게이트(34)를 통하여 캐비티(32)로 원할하게 유입되는 것이며, 이때 캐비티(32)내에 존재하는 공기는 에어벤트(Air vent)(도시생략)를 통하여 배기된다. 한편, 상기한 게이트(34)들은 제5도에서와 같이 수평면에 대하여 경사각(θ)이 20°~35°의 범위내이고, 이 게이트(34)의 연장선상에 보조게이트(35)들이 형성되어 있기 때문에 상기 캐비티(32)내로 유입되는 수지가 상,하 고르게 유입되므로 반도체패키지가 불완전하게 몰딩되거나 기포가 발생하는 등의 몰딩불량이 방지할 수 있게 된다.

이상에서와 같이 이 발명에 따른 반도체패키지의 성형장치에 의하면, 상,하부다이내에 형성되는 하나의 캐비티에 2개 이상의 게이트를 소정각도로 형성하고, 이 게이트와 대향되는 부위에 보조게이트를 형성하여 액상의 수지가 용이하게 캐비티내로 유입되도록 한 것이므로 종래와 같은 반도체패키지의 몰딩불량을 방지할 수 있는 것이다.

Claims (4)

1. 칩이 부착된 리드프레임을 상,하부 다이내에 캐비티상에 장착한 후 수지를 유입하여 몰딩시키는 반도체패키지의 성형장치에 있어서, 상기 상,하부다이에 각각 형성된 캐비티의 어느 한쪽에 런너와 연결되는 게이트를 형성하고, 상기 게이트가 형성된 다이의 대항되는 상기 캐비티내로 수지가 유입되도록 함을 특징으로 하는 반도체패키지의 성형장치.
2. 제1항에 있어서, 상기 게이트 및 보조게이트가 하나의 캐비티에 2개 이상으로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지의 성형장치.
3. 제2항에 있어서, 상기 보조게이트가 게이트의 연장선상에 형성되도록 함을 특징으로 하는 반도체패키지의 성형장치.
4. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 게이트의 경사각(θ)이 20°~35°의 범위내로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체패키지의 성형장치.