JPH064578Y2 - 樹脂封止形半導体装置 - Google Patents
樹脂封止形半導体装置Info
- Publication number
- JPH064578Y2 JPH064578Y2 JP14669288U JP14669288U JPH064578Y2 JP H064578 Y2 JPH064578 Y2 JP H064578Y2 JP 14669288 U JP14669288 U JP 14669288U JP 14669288 U JP14669288 U JP 14669288U JP H064578 Y2 JPH064578 Y2 JP H064578Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resin
- chip
- semiconductor device
- island
- cavity
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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- Injection Moulding Of Plastics Or The Like (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
- Moulds For Moulding Plastics Or The Like (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本考案は、樹脂封止形半導体装置に関する。
〔従来の技術〕 まず、この種の樹脂封止形半導体装置の従来構造，並び
に樹脂封止のトランスファ成形方法を第５図ないし第８
図で説明する。第５図において、１は半導体素子のチッ
プ、２はチップ１をマウントしたリードフレームのアイ
ランド部、３はリードフレームの外部リード、４はチッ
プ１と外部リード３との間を結線したボンディングワイ
ヤ、５が樹脂封止形のパッケージである。
に樹脂封止のトランスファ成形方法を第５図ないし第８
図で説明する。第５図において、１は半導体素子のチッ
プ、２はチップ１をマウントしたリードフレームのアイ
ランド部、３はリードフレームの外部リード、４はチッ
プ１と外部リード３との間を結線したボンディングワイ
ヤ、５が樹脂封止形のパッケージである。
一方、リードフレームの形状は第６図のごとくであり、
リードフレーム６にパターン形成されたアイランド部２
の中央位置にはチップ１がマウントされ、さらにチップ
１と外部リード３との間で第５図のようにワイヤ４をボ
ンディングして内部結線している。
リードフレーム６にパターン形成されたアイランド部２
の中央位置にはチップ１がマウントされ、さらにチップ
１と外部リード３との間で第５図のようにワイヤ４をボ
ンディングして内部結線している。
また、チップ１を含めてその周囲を樹脂封止するには、
トランスファ成形法が一般に採用されている。このトラ
ンスファ成形には、第７図に示したトランスファ成形用
金型７を用い、ここに前記のようにリードフレーム６に
チップ１をマウントした半導体装置の仮組立体をインサ
ートして成形する。なお、図中7aは上型、7bは下型、7c
はキャビテイ、7dはランナ、7eはゲートである。ここ
で、図示されてないポットより射出された溶融樹脂をラ
ンナ7d，ゲート7eを通じてキャビテイ7cに圧入すること
により、溶融樹脂（図中に梨地として表す）は矢印ａ，
ｂで示すようにゲート口からキャビテイ7cの中を二手に
分かれて前記した仮組立体の上下面側に流れ、チップ
１，リードフレーム６の周囲を充填して第５図に示した
樹脂封止パッケージ５を成形する。なお、図示してない
が金型７にはゲート7eと反対側にはキャビテイからエア
外方に逃がすエアベントを備えている。
トランスファ成形法が一般に採用されている。このトラ
ンスファ成形には、第７図に示したトランスファ成形用
金型７を用い、ここに前記のようにリードフレーム６に
チップ１をマウントした半導体装置の仮組立体をインサ
ートして成形する。なお、図中7aは上型、7bは下型、7c
はキャビテイ、7dはランナ、7eはゲートである。ここ
で、図示されてないポットより射出された溶融樹脂をラ
ンナ7d，ゲート7eを通じてキャビテイ7cに圧入すること
により、溶融樹脂（図中に梨地として表す）は矢印ａ，
ｂで示すようにゲート口からキャビテイ7cの中を二手に
分かれて前記した仮組立体の上下面側に流れ、チップ
１，リードフレーム６の周囲を充填して第５図に示した
樹脂封止パッケージ５を成形する。なお、図示してない
が金型７にはゲート7eと反対側にはキャビテイからエア
外方に逃がすエアベントを備えている。
ところで、前記した従来の半導体装置に構造では、樹脂
封止を行うトランスファ成形の過程で次記のように樹脂
封止層内に未充填の部分が局部的に生成する成形欠陥が
生じる。すなわち、トランスファ成形の当初は金型７の
キャビテイ7c，ランナ7d，ゲート7e内にはエアが存在し
ており、キャビテイ内に流れ込む溶融樹脂はエアを巻き
込みながらエアベントに向けてキャビテイ内を流れる。
この場合に、樹脂の流動性，成形圧力などにもよるが、
樹脂の流れ（矢印ａ，ｂ）に対してアイランド部２の後
端縁とチップ１の後端縁との間の段差部分（チップ１は
アイランド部２の中央位置にマウントされている）が流
路の死角となって、この部分で溶融樹脂の流れに大きな
乱れが生じ、この乱流が原因で樹脂流に巻き込まれてい
たエアが気泡（符号ｃで示す）となって前記の段差部分
に付着，ないし取り残されるようになる。この結果、第
８図で示すようにトランスファ成形後の状態で、封止樹
脂層の内部に局部的に気泡ｃが残存した未充填部分が発
生するようになる。
封止を行うトランスファ成形の過程で次記のように樹脂
封止層内に未充填の部分が局部的に生成する成形欠陥が
生じる。すなわち、トランスファ成形の当初は金型７の
キャビテイ7c，ランナ7d，ゲート7e内にはエアが存在し
ており、キャビテイ内に流れ込む溶融樹脂はエアを巻き
込みながらエアベントに向けてキャビテイ内を流れる。
この場合に、樹脂の流動性，成形圧力などにもよるが、
樹脂の流れ（矢印ａ，ｂ）に対してアイランド部２の後
端縁とチップ１の後端縁との間の段差部分（チップ１は
アイランド部２の中央位置にマウントされている）が流
路の死角となって、この部分で溶融樹脂の流れに大きな
乱れが生じ、この乱流が原因で樹脂流に巻き込まれてい
たエアが気泡（符号ｃで示す）となって前記の段差部分
に付着，ないし取り残されるようになる。この結果、第
８図で示すようにトランスファ成形後の状態で、封止樹
脂層の内部に局部的に気泡ｃが残存した未充填部分が発
生するようになる。
しかも、上記した封止樹脂層内に生成した残存気泡はボ
イドとしてチップ１，ないしアイランド部２と樹脂層と
の間の密着を阻害して特性劣化の原因となるのみなら
ず、この気泡は高い成形圧力で封じ込められているため
に、金型を開いた際に破裂して樹脂パッケージ５に亀裂
を引き起こすことがある。
イドとしてチップ１，ないしアイランド部２と樹脂層と
の間の密着を阻害して特性劣化の原因となるのみなら
ず、この気泡は高い成形圧力で封じ込められているため
に、金型を開いた際に破裂して樹脂パッケージ５に亀裂
を引き起こすことがある。
本考案は上記の点にかんがみなされたものであり、前記
した従来構造によるトランスファ成形時に発生する成形
欠陥を未然に回避できるようにした樹脂封止形半導体装
置の構造を提供することを目的とする。
した従来構造によるトランスファ成形時に発生する成形
欠陥を未然に回避できるようにした樹脂封止形半導体装
置の構造を提供することを目的とする。
上記課題を解決するために、本考案の半導体装置では、
アイランド部に対するチップのマウント位置をマウント
部の中央位置からずらし、金型へのインサート状態でキ
ャビテイに開口するゲート口と反対側の端縁にてアイラ
ンド部とチップとの端縁が略面一に揃うように位置決め
してマウントして構成するものとする。
アイランド部に対するチップのマウント位置をマウント
部の中央位置からずらし、金型へのインサート状態でキ
ャビテイに開口するゲート口と反対側の端縁にてアイラ
ンド部とチップとの端縁が略面一に揃うように位置決め
してマウントして構成するものとする。
〔作用〕 上記構成のように、キャビテイ内を流れる溶融樹脂流に
対し、アイランド部とチップの後端縁を揃えてこの部分
を段差無しにマウントして置くことにより、流体力学面
からの流路形状の変化が小さくなり、したがってトラン
スファ成形の過程でキャビテイ内を流れる溶融樹脂流に
大きな乱流が発生しなくなる。したがって樹脂流の乱流
に起因して封止樹脂層内に発生する気泡の生成、残存が
抑制されることになる。
対し、アイランド部とチップの後端縁を揃えてこの部分
を段差無しにマウントして置くことにより、流体力学面
からの流路形状の変化が小さくなり、したがってトラン
スファ成形の過程でキャビテイ内を流れる溶融樹脂流に
大きな乱流が発生しなくなる。したがって樹脂流の乱流
に起因して封止樹脂層内に発生する気泡の生成、残存が
抑制されることになる。
第１図ないし第４図は本考案実施例を示すものである。
本考案により、第１図ないし第４図で表したように、リ
ードフレーム６のアイランド部２に対するチップ１のマ
ウント位置をアイランド部２の中央から端縁へずらして
片寄りさせ、マウント部２の端縁にチップ１の端縁が略
面一（チップ１とアイランド部２との端縁段差は0.1mm
以下が望ましい）に揃うような位置に設定してマウント
されている。しかも、第４図で示すようにリードフレー
ム６のアイランド部２にチップ１をマウントした仮組立
体をトランスファ成形用金型７にインサートした状態
で、前記したチップ１の片寄り端縁部が金型７のキャビ
テイ7cに開口するゲート7eに対してアイランド部２の後
端位置、つまりキャビテイ内に流入する溶融樹脂流ａ，
ｂに対して下流側に位置するように設定されている。
本考案により、第１図ないし第４図で表したように、リ
ードフレーム６のアイランド部２に対するチップ１のマ
ウント位置をアイランド部２の中央から端縁へずらして
片寄りさせ、マウント部２の端縁にチップ１の端縁が略
面一（チップ１とアイランド部２との端縁段差は0.1mm
以下が望ましい）に揃うような位置に設定してマウント
されている。しかも、第４図で示すようにリードフレー
ム６のアイランド部２にチップ１をマウントした仮組立
体をトランスファ成形用金型７にインサートした状態
で、前記したチップ１の片寄り端縁部が金型７のキャビ
テイ7cに開口するゲート7eに対してアイランド部２の後
端位置、つまりキャビテイ内に流入する溶融樹脂流ａ，
ｂに対して下流側に位置するように設定されている。
したがって、第４図の状態でトランスファ成形を行う
と、アイランド部２の後端側ではチップ１との間段差が
無いので樹脂流の死角となる流路の形状変化が少なく、
したがってゲート7eを通じてキャビテイ7c内を流れる溶
融樹脂流ａ，ｂが前記端縁部を通過する際に大きな乱流
が発生せず、かつ乱流に起因する気泡の生成，付着，残
存の発生が抑制されるようになる。これにより、第２図
に示すごとくトランスファ成形後に金型から取り出した
製品について、パッケージ５の樹脂封止層内に気泡の付
着，残存によるボイドの発生がなくなる。なお、この点
は実際に製作した製品検査結果からも確認されている。
と、アイランド部２の後端側ではチップ１との間段差が
無いので樹脂流の死角となる流路の形状変化が少なく、
したがってゲート7eを通じてキャビテイ7c内を流れる溶
融樹脂流ａ，ｂが前記端縁部を通過する際に大きな乱流
が発生せず、かつ乱流に起因する気泡の生成，付着，残
存の発生が抑制されるようになる。これにより、第２図
に示すごとくトランスファ成形後に金型から取り出した
製品について、パッケージ５の樹脂封止層内に気泡の付
着，残存によるボイドの発生がなくなる。なお、この点
は実際に製作した製品検査結果からも確認されている。
本考案による樹脂封止形半導体装置は、以上説明したよ
うに構成されているので、次記の効果を奏する。
うに構成されているので、次記の効果を奏する。
(1)トランスファ成形の過程で金型のキャビテイ内を流
れる溶融樹脂流に大きな乱流の発生がなくなり，したが
って樹脂層内に気泡の発生，残存がなくなる。(2)した
がって、樹脂の未充填による成形欠陥、並びに残存気泡
の破裂による樹脂封止パッケージの亀裂発生などのトラ
ブルを回避して不良品の発生を抑え、製品の大幅な品質
向上を図ることができる。
れる溶融樹脂流に大きな乱流の発生がなくなり，したが
って樹脂層内に気泡の発生，残存がなくなる。(2)した
がって、樹脂の未充填による成形欠陥、並びに残存気泡
の破裂による樹脂封止パッケージの亀裂発生などのトラ
ブルを回避して不良品の発生を抑え、製品の大幅な品質
向上を図ることができる。
第１図ないし第４図は本考案の実施例、第５図ないし第
８図は従来例に関し、第１図は樹脂封止形半導体装置の
平面図、第２図は第１図の断面図、第３図はアイランド
部に対するチップのマウント位置を表したリードフレー
ムの平面図、第４図はトランスファ成形工程図、第５図
は樹脂封止形半導体装置の断面図、第６図はチップをマ
ウントしたリードフレームの平面図、第７図はトランス
ファ成形工程図、第８図は成形後の半導体装置の断面図
である。図において、 １：チップ、２：アイランド部、５：樹脂封止パッケー
ジ、６：リードフレーム、７：トランスファ成形用金
型、7a：上型、7b：下型、7c：キャビテイ、7d：ラン
ナ、7e：ゲート。
８図は従来例に関し、第１図は樹脂封止形半導体装置の
平面図、第２図は第１図の断面図、第３図はアイランド
部に対するチップのマウント位置を表したリードフレー
ムの平面図、第４図はトランスファ成形工程図、第５図
は樹脂封止形半導体装置の断面図、第６図はチップをマ
ウントしたリードフレームの平面図、第７図はトランス
ファ成形工程図、第８図は成形後の半導体装置の断面図
である。図において、 １：チップ、２：アイランド部、５：樹脂封止パッケー
ジ、６：リードフレーム、７：トランスファ成形用金
型、7a：上型、7b：下型、7c：キャビテイ、7d：ラン
ナ、7e：ゲート。
Claims (1)
- 【請求項１】リードフレームのアイランド部にチップを
マウントしてなる半導体装置の仮組立体を金型にインサ
ートし、トランスファ成形法によりチップ，アイランド
の周囲を樹脂封止した樹脂封止形半導体装置において、
アイランド部に対するチップのマウント位置をマウント
部の中央位置からずらし、金型へのインサート状態でキ
ャビティに開口するゲート口と反対側の端縁にてアイラ
ンド部とチップとの端縁が略面一に揃うように位置決め
してマウントしたことを特徴とする樹脂封止形半導体装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14669288U JPH064578Y2 (ja) | 1988-11-10 | 1988-11-10 | 樹脂封止形半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14669288U JPH064578Y2 (ja) | 1988-11-10 | 1988-11-10 | 樹脂封止形半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0267638U JPH0267638U (ja) | 1990-05-22 |
| JPH064578Y2 true JPH064578Y2 (ja) | 1994-02-02 |
Family
ID=31416420
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14669288U Expired - Lifetime JPH064578Y2 (ja) | 1988-11-10 | 1988-11-10 | 樹脂封止形半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH064578Y2 (ja) |
-
1988
- 1988-11-10 JP JP14669288U patent/JPH064578Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0267638U (ja) | 1990-05-22 |
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