JPS62264648A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

半導体装置の製造方法

Info

Publication number
JPS62264648A
JPS62264648A JP61108817A JP10881786A JPS62264648A JP S62264648 A JPS62264648 A JP S62264648A JP 61108817 A JP61108817 A JP 61108817A JP 10881786 A JP10881786 A JP 10881786A JP S62264648 A JPS62264648 A JP S62264648A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
resin
semiconductor chip
protective film
layer resin
bpsg
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP61108817A
Other languages
English (en)
Inventor
Yoichi Iga
伊賀　洋一
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
Priority to JP61108817A priority Critical patent/JPS62264648A/ja
Publication of JPS62264648A publication Critical patent/JPS62264648A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
    • H01L23/3107—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
    • H01L23/3135—Double encapsulation or coating and encapsulation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/16—Fillings or auxiliary members in containers or encapsulations, e.g. centering rings
    • H01L23/18—Fillings characterised by the material, its physical or chemical properties, or its arrangement within the complete device
    • H01L23/24—Fillings characterised by the material, its physical or chemical properties, or its arrangement within the complete device solid or gel at the normal operating temperature of the device
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/29—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
    • H01L23/291—Oxides or nitrides or carbides, e.g. ceramics, glass
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Dispersion Chemistry (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、樹脂封止の半導体装置に関し、特にシリコン
樹脂などの内層樹脂で半導体チップを直接包覆し、さら
にその外側をエポキシ樹脂などで包覆した二層樹脂封止
の半導体装置を製造する方法に関する。
〔従来の技術〕
このような二層樹脂構造の半導体装置においては、半導
体チップを直接包む内層樹脂として、半導体チップに影
響を及ぼす不純物をできるだけ含まない純度の高いシリ
コン樹脂を用い、外側の外層樹脂としては、細度の高い
ことを必要としない、比較的安価で構造的強度を有する
エポキシ樹脂などが用いられている。
〔発明が解決しようとする問題点〕
このような二層樹脂の半導体装置では、封止樹脂からの
半導体チップの汚染は防止されているが、しかし、外部
湿気の侵入防止特性は十分とはいい難く、−要改善が望
まれていた。
〔問題点を解決するだめの手段〕
本発明では、内側の保護層、すなわち、内層樹脂の表面
に透磁率の＜３いＢＰＳＧ膜を形成し、この保護膜によ
り外部湿気の侵入を防止している。
〔実施例〕
次に、本発明を実施例により説明する。
第１図は本発明方法によシ製造された半導体装置の断面
図である。第１図において、１は外部雰囲気から保咳す
べき半導体チップで、リードフレームのアイランド２に
固着されている。そして、半導体チップ１の電極と外部
リード３との間を金属細線４で接続したのち、アイラン
ド２を含む半導体チップ１及び金属細線４はチップを汚
染するような不純物を含まない、すなわち、純度の高い
シリコン樹脂５で包んで保護する。それから、シリコン
樹脂層５の外面に、透湿率の極めて小さいＢＰＳＧ（ホ
ウン・リン入りシリケートガラス）の保護膜６を形成す
る。さらにＢＰＳＧ膜６の外面を外層樹脂、例えばエポ
キシ樹脂７で包んで外装を完成する。
〔発明の効果〕
本発明方法によれば、内層樹脂と外層樹脂の間に透湿率
の極めて小さいＢＰＳＧの保ｉｉ！ｉ膜を備えしめてい
るので、この保護膜によシ外部湿気の侵入は阻止されて
、半導体チップは外部湿気から十分に保護される。なお
、この保護膜の形成は、ＢＰ８Ｇ膜被着という簡単な追
加工程だけでできるので、それ根太さなコストアップに
ならず、信頼性のすぐれた二層樹脂封止の半導体装置を
安価に提供できるという効果が得られている。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の一実施例の方法により製造された半導
体装置の断面図である。 １・・・・・・半導体チップ、２・・・・・・リードフ
レームのアイランド、３・・・・・・外部リード、４・
・・・・・金属細線、５・・・・・・内層樹脂、６・・
・・・・ＢＰ８Ｇ膜、７・・・・・・外層樹脂。 ユｌ　′ 代理人　弁理士　　内　原　　　町　　　。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 半導体チップと外部リードとの間を金属細線で接続し、
    前記チップをシリコン樹脂などの内層樹脂で包覆し、こ
    の内層樹脂表面にＢＰＳＧの保護膜を形成し、さらに前
    記保護膜の外面を外層樹脂で包覆することとを含む半導
    体装置の製造方法。
JP61108817A 1986-05-12 1986-05-12 半導体装置の製造方法 Pending JPS62264648A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP61108817A JPS62264648A (ja) 1986-05-12 1986-05-12 半導体装置の製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP61108817A JPS62264648A (ja) 1986-05-12 1986-05-12 半導体装置の製造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS62264648A true JPS62264648A (ja) 1987-11-17

Family

ID=14494263

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP61108817A Pending JPS62264648A (ja) 1986-05-12 1986-05-12 半導体装置の製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS62264648A (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07183431A (ja) * 1993-12-24 1995-07-21 Nec Corp 半導体装置及びその製造方法
WO2006020345A2 (en) * 2004-08-06 2006-02-23 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Electrical contact encapsulation
WO2015000905A1 (de) * 2013-07-01 2015-01-08 Continental Teves Ag & Co. Ohg Sensor mit abdichtender beschichtung

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07183431A (ja) * 1993-12-24 1995-07-21 Nec Corp 半導体装置及びその製造方法
WO2006020345A2 (en) * 2004-08-06 2006-02-23 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Electrical contact encapsulation
WO2006020345A3 (en) * 2004-08-06 2006-10-26 Hewlett Packard Development Co Electrical contact encapsulation
US7475964B2 (en) 2004-08-06 2009-01-13 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Electrical contact encapsulation
WO2015000905A1 (de) * 2013-07-01 2015-01-08 Continental Teves Ag & Co. Ohg Sensor mit abdichtender beschichtung
CN105358940A (zh) * 2013-07-01 2016-02-24 大陆-特韦斯贸易合伙股份公司及两合公司 具有密封涂层的传感器

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPS62264648A (ja) 半導体装置の製造方法
JPS62155542A (ja) 樹脂封止型半導体装置
JPS633442A (ja) 半導体装置の製造方法
JPS6218740A (ja) 半導体装置
KR920018880A (ko) 유리봉지형 세라믹 패키지
JPH07183431A (ja) 半導体装置及びその製造方法
JPS62296528A (ja) 樹脂封止型半導体装置
JPS6254456A (ja) 半導体装置用リ−ドフレ−ム
JPS60257531A (ja) 半導体装置の製造方法
JPS6112053A (ja) リ−ドフレ−ム
JPH03116960A (ja) 半導体装置
JPS59231839A (ja) 半導体装置
JPH0567069B2 (ja)
JPS6182447A (ja) 半導体装置
JPS5998540A (ja) 半導体装置
JPH04221842A (ja) 半導体装置とその製造方法
JPH06349814A (ja) 半導体集積回路装置
JPH01273343A (ja) リードフレーム
JPS61207037A (ja) Ｉｃパツケ−ジ
JPS63114242A (ja) 半導体装置
JPH05190734A (ja) 半導体装置とその製造方法
JPS6333851A (ja) Ｉｃパツケ−ジ
JPS6294967A (ja) リ−ドフレ−ム
JPS62147752A (ja) 半導体装置
JPS63260039A (ja) 樹脂封止型半導体装置