JPS63305518A - 半導体デバイスの製造方法 - Google Patents
半導体デバイスの製造方法Info
- Publication number
- JPS63305518A JPS63305518A JP63117153A JP11715388A JPS63305518A JP S63305518 A JPS63305518 A JP S63305518A JP 63117153 A JP63117153 A JP 63117153A JP 11715388 A JP11715388 A JP 11715388A JP S63305518 A JPS63305518 A JP S63305518A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- etching
- titanium
- buffer
- tungsten
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 11
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 5
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 36
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 18
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 17
- MAKDTFFYCIMFQP-UHFFFAOYSA-N titanium tungsten Chemical compound [Ti].[W] MAKDTFFYCIMFQP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 17
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 16
- KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N citric acid Chemical compound OC(=O)CC(O)(C(O)=O)CC(O)=O KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 8
- USFZMSVCRYTOJT-UHFFFAOYSA-N Ammonium acetate Chemical compound N.CC(O)=O USFZMSVCRYTOJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000005695 Ammonium acetate Substances 0.000 claims description 4
- 229940043376 ammonium acetate Drugs 0.000 claims description 4
- 235000019257 ammonium acetate Nutrition 0.000 claims description 4
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O Ammonium Chemical group [NH4+] QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O 0.000 claims description 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims description 2
- 150000001768 cations Chemical class 0.000 claims description 2
- 150000007524 organic acids Chemical group 0.000 claims description 2
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 9
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 7
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 3
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 3
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- LFVGISIMTYGQHF-UHFFFAOYSA-N ammonium dihydrogen phosphate Chemical compound [NH4+].OP(O)([O-])=O LFVGISIMTYGQHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000387 ammonium dihydrogen phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003763 carbonization Methods 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 235000019837 monoammonium phosphate Nutrition 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
- C23F1/00—Etching metallic material by chemical means
- C23F1/10—Etching compositions
- C23F1/14—Aqueous compositions
- C23F1/16—Acidic compositions
- C23F1/26—Acidic compositions for etching refractory metals
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3205—Deposition of non-insulating-, e.g. conductive- or resistive-, layers on insulating layers; After-treatment of these layers
- H01L21/321—After treatment
- H01L21/3213—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer
- H01L21/32133—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer by chemical means only
- H01L21/32134—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer by chemical means only by liquid etching only
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Weting (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、基板上にチタン−タングステン層を設け、こ
の層の上に前記チタン−タングステン層のエツチング中
にマスクの作用をする層を設け、しかる後に過酸化水素
を水に溶解したエツチング溶液中で前記チタン−タング
ステン層をエツチングすることにより、半導体デバイス
を製造する方法に関するものである。
の層の上に前記チタン−タングステン層のエツチング中
にマスクの作用をする層を設け、しかる後に過酸化水素
を水に溶解したエツチング溶液中で前記チタン−タング
ステン層をエツチングすることにより、半導体デバイス
を製造する方法に関するものである。
このような方法は米国特許第４，２６７．０１２号明細
のから既知である。
のから既知である。
チタン−タングステン層のエンチング剤として過酸化水
素溶液を使用する場合には、エツチング処理が不均一に
進行する欠点があり、この結果マスク層の下のチタン−
タングステン層の受けるアンダーエツチングの程度が局
部的に大きく異なり、マスク層の下ではチタン−タング
ステンの真直ぐな細条を形成することができないという
欠点がある。
素溶液を使用する場合には、エツチング処理が不均一に
進行する欠点があり、この結果マスク層の下のチタン−
タングステン層の受けるアンダーエツチングの程度が局
部的に大きく異なり、マスク層の下ではチタン−タング
ステンの真直ぐな細条を形成することができないという
欠点がある。
エツチング中にエツチング溶液をかきまぜると、エツチ
ング中に不均一性がかえって増大し、この結果既知方法
では液体の運動を避ける必要がある。
ング中に不均一性がかえって増大し、この結果既知方法
では液体の運動を避ける必要がある。
上述の米国特許明細書は過酸化水素のほかにアンモニウ
ムを含有するチタン−タングステン用エツチング溶液を
開示している。このエツチング溶液はエツチング作用が
急激すぎまた不安定であるため過酸化水素含有量が急激
に低下する欠点がある。
ムを含有するチタン−タングステン用エツチング溶液を
開示している。このエツチング溶液はエツチング作用が
急激すぎまた不安定であるため過酸化水素含有量が急激
に低下する欠点がある。
本発明の目的は上述の欠点を少なくとも可成りの程度ま
で消滅させることにある。
で消滅させることにある。
従って本発明においは、冒頭に記載した方法は、エツチ
ング溶液のｐＨを緩衝剤により１〜６の値に調整するこ
とを特徴とする。
ング溶液のｐＨを緩衝剤により１〜６の値に調整するこ
とを特徴とする。
本発明は、エツチング処理中にｐＨをできるだけ一定に
維持した場合に、好ましい均一なエツチング結果が得ら
れることを見い出したことに基づく。
維持した場合に、好ましい均一なエツチング結果が得ら
れることを見い出したことに基づく。
しかも、本発明においては、使用する緩衝剤に関して広
範囲な選択が可能であることを見い出した。
範囲な選択が可能であることを見い出した。
エツチング処理中に望ましくない物質が基板の半導体本
体上に残らないようにするのが重要である。従って、緩
衝剤中の陽イオンとしてアンモニアを使用するのが好ま
しい。緩衝剤中に使用する酸としては有機酸が好ましく
、特に酢酸またはクエン酸が好ましい。
体上に残らないようにするのが重要である。従って、緩
衝剤中の陽イオンとしてアンモニアを使用するのが好ま
しい。緩衝剤中に使用する酸としては有機酸が好ましく
、特に酢酸またはクエン酸が好ましい。
極めて好ましい緩衝剤は酢酸及び酢酸アンモニウムから
なる。
なる。
２５〜３０％の過酸化水素濃度を使用するのが好ましい
。
。
チタン−タングステン層に対するマスク層はアルミニウ
ムまたはホトレジストから構成するのが好ましい。アル
ミニウム層を使用する場合には、エツチング処理後にチ
クンータングステン層上にアルミニウム層が残る。チタ
ン−タングステン層は例えばアルミニウムに対し拡散障
壁として作用する。
ムまたはホトレジストから構成するのが好ましい。アル
ミニウム層を使用する場合には、エツチング処理後にチ
クンータングステン層上にアルミニウム層が残る。チタ
ン−タングステン層は例えばアルミニウムに対し拡散障
壁として作用する。
チタン−タングステン層は、基板の半導体本体例えばケ
イ素からなる半導体本体の上に直接設けることができる
が、例えば半導体本体上に存在する酸化物の上に、ある
いは多層配線する場合には基板上に既に存在するアルミ
ニウム層の上にさえ設けることができる。
イ素からなる半導体本体の上に直接設けることができる
が、例えば半導体本体上に存在する酸化物の上に、ある
いは多層配線する場合には基板上に既に存在するアルミ
ニウム層の上にさえ設けることができる。
次に本発明を図面を参照して例について説明する。
半導体デバイスの製造方法においては、基板Ｉを、例え
ば、ケイ素からなる半導体本体２に常法によって酸化ケ
イ素層３を設け、層３に開口４を形成することによって
作る。
ば、ケイ素からなる半導体本体２に常法によって酸化ケ
イ素層３を設け、層３に開口４を形成することによって
作る。
ケイ素本体２と接触させるために、基板１の上にチタン
−タングステン層５を設け、このチタン−タングステン
層５のエツチング中にマスクとして作用するアルミニウ
ムＮ６をこのＮ５の上に設ける。
−タングステン層５を設け、このチタン−タングステン
層５のエツチング中にマスクとして作用するアルミニウ
ムＮ６をこのＮ５の上に設ける。
層５及び６はスパッタリングによって常法により得られ
る。′ｊＷ ６に望ましいマスクパターンはプラズマエ
ツチングによって形成することができる。
る。′ｊＷ ６に望ましいマスクパターンはプラズマエ
ツチングによって形成することができる。
層５は開口４におけるアルミニウム層６からケイ素本体
２へのアルミニウムの拡散に対する障壁の作用をし、ま
たアルミニウムのプラズマエツチング中にシリコン本体
２の受ける作用に対するマスクの作用をする。層６に関
し層５の露出している部分７は過酸化水素を水に溶解し
たエツチング溶液中でエツチングされる。
２へのアルミニウムの拡散に対する障壁の作用をし、ま
たアルミニウムのプラズマエツチング中にシリコン本体
２の受ける作用に対するマスクの作用をする。層６に関
し層５の露出している部分７は過酸化水素を水に溶解し
たエツチング溶液中でエツチングされる。
チタン−タングステン層５の均一なエツチング、のほか
、アルミニウムＮ６の下におけるＭ５の均一なアンダー
エツチングも、エツチング溶液のｐｌ＋が緩衝剤によっ
て１〜６の値に調整されている場合に達成される。
、アルミニウムＮ６の下におけるＭ５の均一なアンダー
エツチングも、エツチング溶液のｐｌ＋が緩衝剤によっ
て１〜６の値に調整されている場合に達成される。
チタン−タングステン層５の厚さが例えば０．１μｍで
あり、アルミニウム層６の厚さがｌａｍである場合には
、Ｎ６の下の層５のアンダーエッチングは均一で０．１
μｍ未満である。
あり、アルミニウム層６の厚さがｌａｍである場合には
、Ｎ６の下の層５のアンダーエッチングは均一で０．１
μｍ未満である。
エツチング処理は周囲温度においていつも一定に行うこ
とができる。
とができる。
次に本発明を実施例について説明する。
１呈±１
スパッタリングによって得た厚さ０．１μｍのチタン−
タングステン層５ （ＴｉｌＯ重量％、Ｗ９０重量％）
の場合に、エンチング溶液に例えば次の物質を含有させ
た： ＣＨ３ＣＯ０Ｉ＋ （１００％） ６０．０ｇＣ
ＩｈＣ００ＮＩｌｎ ７７．０ ｇ１１□
０□（３０％） ８８０ｍ１ｐＨは４．０であ
り、温度はエツチング中２２°Ｃであった。１モル％の
ケイ素を含有する厚さ１．０μｍのアルミニウム層６も
スパッタリングによって得られた。
タングステン層５ （ＴｉｌＯ重量％、Ｗ９０重量％）
の場合に、エンチング溶液に例えば次の物質を含有させ
た： ＣＨ３ＣＯ０Ｉ＋ （１００％） ６０．０ｇＣ
ＩｈＣ００ＮＩｌｎ ７７．０ ｇ１１□
０□（３０％） ８８０ｍ１ｐＨは４．０であ
り、温度はエツチング中２２°Ｃであった。１モル％の
ケイ素を含有する厚さ１．０μｍのアルミニウム層６も
スパッタリングによって得られた。
層５の露出部分７のエツチング時間は１１分であった。
エツチングは均一であった。このことは層６の下の層５
のアンダーエツチングが均一で０．１μｍ未満であるこ
とから明らかである。
のアンダーエツチングが均一で０．１μｍ未満であるこ
とから明らかである。
実尉Ｉ鉗λ
この例では、過酸化水素濃度を１７２に低下した点を除
いて、実施例１と同し条件を用いた。エツチング時間は
２１分であった。
いて、実施例１と同し条件を用いた。エツチング時間は
２１分であった。
尖絡炭主
実施例１に記載した溶液を硝酸によってそのｐＨを低下
させ、水酸化ナトリウムによってそのｐｌ＋を上昇させ
た。得られた結果は、エツチング時間が次のようにｐ＋
＋によって変動する点を除いて、実施例１に記載した結
果と同じであった； ■且 エツチングＪ、ＩＩノつ−５．８
６．５ 尖旋±↓ 酢酸及び酢酸アンモニウムの代りに１モルのクエン酸を
使用し、水酸化ナトリウムによってｐｌ（＝４にした点
を除いて、実施例１と同じ条件を用いた。結果は、エツ
チング時間が３０分であった点を除いて実施例１の結果
と同じであった。
させ、水酸化ナトリウムによってそのｐｌ＋を上昇させ
た。得られた結果は、エツチング時間が次のようにｐ＋
＋によって変動する点を除いて、実施例１に記載した結
果と同じであった； ■且 エツチングＪ、ＩＩノつ−５．８
６．５ 尖旋±↓ 酢酸及び酢酸アンモニウムの代りに１モルのクエン酸を
使用し、水酸化ナトリウムによってｐｌ（＝４にした点
を除いて、実施例１と同じ条件を用いた。結果は、エツ
チング時間が３０分であった点を除いて実施例１の結果
と同じであった。
尖施炭ｉ
酢酸及び酢酸アンモニウムの代りに１モルのリン酸二水
素アンモニウムを使用し、水酸化ナトリウムによってｐ
Ｉ＋＝４にした点を除いて、実施例１と同じ条件を用い
た。結果は、エツチング時間が２３分であった点を除い
て、実施例１の結果と同じであった。
素アンモニウムを使用し、水酸化ナトリウムによってｐ
Ｉ＋＝４にした点を除いて、実施例１と同じ条件を用い
た。結果は、エツチング時間が２３分であった点を除い
て、実施例１の結果と同じであった。
本発明は上述の実施例に限定されるものではない。例え
ば、アルミニウム層６はアルミニウムの代りにホトレジ
ストから構成することができ、この場合にも同様な結果
が得られた。
ば、アルミニウム層６はアルミニウムの代りにホトレジ
ストから構成することができ、この場合にも同様な結果
が得られた。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明方法の一例の製造段階における半導体本
体の一部を示す断面図である。 １・・・基板 ２・・・半導体本体（ケイ素本体） ３・・・酸化ケイ素層 ４・・・開口５・・・チ
タン−タングステン層 ６・・・アルミニウム層（マスク層） ７・・・層５の露出部分 特許出願人 ニス・ベー・フィリ、ブス・フルーイ
ランペンファプリケン
体の一部を示す断面図である。 １・・・基板 ２・・・半導体本体（ケイ素本体） ３・・・酸化ケイ素層 ４・・・開口５・・・チ
タン−タングステン層 ６・・・アルミニウム層（マスク層） ７・・・層５の露出部分 特許出願人 ニス・ベー・フィリ、ブス・フルーイ
ランペンファプリケン
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、基板上にチタン−タングステン層を設け、この層の
上に前記チタン−タングステン層のエッチング中にマス
クの作用をする層を設け、しかる後に過酸化水素を水に
溶解したエッチング溶液中で前記チタン−タングステン
層をエッチングすることにより、半導体デバイスを製造
するに当り、 前記エッチング溶液のｐＨを緩衝剤により１〜６の値に
調整することを特徴とする半導体デバイスの製造方法。 ２、緩衝剤中に使用する陽イオンがアンモニウムイオン
である請求項１記載の方法。 ３、緩衝剤中に使用する酸が有機酸である請求項１また
は２記載の方法。 ４、酢酸または、クエン酸を使用する請求項３記載の方
法。 ５、酢酸及び酢酸アンモニウムからなる緩衝剤を使用す
る請求項２または４記載の方法。６、エッチング溶液中
の過酸化水素濃度が２５〜３０％である請求項１〜５の
いずれか一つの項に記載の方法。 ７、マスク層としてアルミニウム層を使用する請求項１
〜６のいずれか一つの項に記載の方法。 ８、マスク層としてホトレジスト層を使用する請求項１
〜６のいずれか一つの項に記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| NL8701184A NL8701184A (nl) | 1987-05-18 | 1987-05-18 | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting. |
| NL8701184 | 1987-05-18 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63305518A true JPS63305518A (ja) | 1988-12-13 |
| JPH0257339B2 JPH0257339B2 (ja) | 1990-12-04 |
Family
ID=19850032
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63117153A Granted JPS63305518A (ja) | 1987-05-18 | 1988-05-16 | 半導体デバイスの製造方法 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4814293A (ja) |
| EP (1) | EP0292057B1 (ja) |
| JP (1) | JPS63305518A (ja) |
| KR (1) | KR970009862B1 (ja) |
| DE (1) | DE3874411T2 (ja) |
| NL (1) | NL8701184A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH1187262A (ja) * | 1997-09-03 | 1999-03-30 | Toshiba Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
| WO2006068091A1 (ja) * | 2004-12-20 | 2006-06-29 | Stella Chemifa Corporation | 微細加工処理剤、及びそれを用いた微細加工処理方法 |
| WO2009038063A1 (ja) * | 2007-09-19 | 2009-03-26 | Nagase Chemtex Corporation | エッチング溶液 |
| WO2010029867A1 (ja) * | 2008-09-09 | 2010-03-18 | 昭和電工株式会社 | チタン系金属、タングステン系金属、チタンタングステン系金属またはそれらの窒化物のエッチング液 |
| JP2010245362A (ja) * | 2009-04-08 | 2010-10-28 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 発光素子の製造方法 |
Families Citing this family (21)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5229311A (en) * | 1989-03-22 | 1993-07-20 | Intel Corporation | Method of reducing hot-electron degradation in semiconductor devices |
| DE69209724T2 (de) * | 1991-04-29 | 1996-10-10 | Philips Electronics Nv | Erhöhung der Diffusionsbarriere einer Metallisierungsstruktur geeignet zur Herstellung von Halbleiterbauelementen |
| US5246732A (en) * | 1991-07-16 | 1993-09-21 | U.S. Philips Corporation | Method of providing a copper pattern on a dielectric substrate |
| JP3135185B2 (ja) * | 1993-03-19 | 2001-02-13 | 三菱電機株式会社 | 半導体エッチング液，半導体エッチング方法，及びＧａＡｓ面の判定方法 |
| US5419808A (en) * | 1993-03-19 | 1995-05-30 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Etching solution and etching method for semiconductors |
| US5374328A (en) * | 1993-03-25 | 1994-12-20 | Watkins Johnson Company | Method of fabricating group III-V compound |
| US5462638A (en) * | 1994-06-15 | 1995-10-31 | International Business Machines Corporation | Selective etching of TiW for C4 fabrication |
| JPH08162425A (ja) * | 1994-12-06 | 1996-06-21 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体集積回路装置の製造方法および製造装置 |
| US5800726A (en) * | 1995-07-26 | 1998-09-01 | International Business Machines Corporation | Selective chemical etching in microelectronics fabrication |
| US5759437A (en) * | 1996-10-31 | 1998-06-02 | International Business Machines Corporation | Etching of Ti-W for C4 rework |
| US6015505A (en) * | 1997-10-30 | 2000-01-18 | International Business Machines Corporation | Process improvements for titanium-tungsten etching in the presence of electroplated C4's |
| US6436300B2 (en) | 1998-07-30 | 2002-08-20 | Motorola, Inc. | Method of manufacturing electronic components |
| US6332988B1 (en) | 1999-06-02 | 2001-12-25 | International Business Machines Corporation | Rework process |
| KR100379824B1 (ko) | 2000-12-20 | 2003-04-11 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 식각용액 및 식각용액으로 패턴된 구리배선을 가지는전자기기용 어레이기판 |
| US7521366B2 (en) * | 2001-12-12 | 2009-04-21 | Lg Display Co., Ltd. | Manufacturing method of electro line for liquid crystal display device |
| DE10230252B4 (de) * | 2002-07-04 | 2013-10-17 | Robert Bosch Gmbh | Verfahren zur Herstellung integrierter Mikrosysteme |
| US7244671B2 (en) | 2003-07-25 | 2007-07-17 | Unitive International Limited | Methods of forming conductive structures including titanium-tungsten base layers and related structures |
| US7425278B2 (en) * | 2006-11-28 | 2008-09-16 | International Business Machines Corporation | Process of etching a titanium/tungsten surface and etchant used therein |
| US8025812B2 (en) * | 2007-04-27 | 2011-09-27 | International Business Machines Corporation | Selective etch of TiW for capture pad formation |
| WO2015054460A1 (en) * | 2013-10-11 | 2015-04-16 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Removal composition for selectively removing hard mask |
| US20150104952A1 (en) | 2013-10-11 | 2015-04-16 | Ekc Technology, Inc. | Method and composition for selectively removing metal hardmask and other residues from semiconductor device substrates comprising low-k dielectric material and copper |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3841931A (en) * | 1973-07-23 | 1974-10-15 | Bell Telephone Labor Inc | Mild acid etch for tungsten |
| SU707949A1 (ru) * | 1976-12-14 | 1980-01-05 | Институт химии Уральского научного центра АН СССР | Раствор дл травлени вольфрама с поверхности алюмини |
| US4443295A (en) * | 1983-06-13 | 1984-04-17 | Fairchild Camera & Instrument Corp. | Method of etching refractory metal film on semiconductor structures utilizing triethylamine and H2 O2 |
-
1987
- 1987-05-18 NL NL8701184A patent/NL8701184A/nl not_active Application Discontinuation
-
1988
- 1988-05-06 US US07/191,299 patent/US4814293A/en not_active Expired - Lifetime
- 1988-05-11 DE DE8888200945T patent/DE3874411T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1988-05-11 EP EP88200945A patent/EP0292057B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1988-05-16 JP JP63117153A patent/JPS63305518A/ja active Granted
- 1988-05-16 KR KR1019880005663A patent/KR970009862B1/ko not_active IP Right Cessation
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH1187262A (ja) * | 1997-09-03 | 1999-03-30 | Toshiba Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
| WO2006068091A1 (ja) * | 2004-12-20 | 2006-06-29 | Stella Chemifa Corporation | 微細加工処理剤、及びそれを用いた微細加工処理方法 |
| US7727415B2 (en) | 2004-12-20 | 2010-06-01 | Stella Chemifa Corporation | Fine treatment agent and fine treatment method using same |
| WO2009038063A1 (ja) * | 2007-09-19 | 2009-03-26 | Nagase Chemtex Corporation | エッチング溶液 |
| WO2010029867A1 (ja) * | 2008-09-09 | 2010-03-18 | 昭和電工株式会社 | チタン系金属、タングステン系金属、チタンタングステン系金属またはそれらの窒化物のエッチング液 |
| JPWO2010029867A1 (ja) * | 2008-09-09 | 2012-02-02 | 昭和電工株式会社 | チタン系金属、タングステン系金属、チタンタングステン系金属またはそれらの窒化物のエッチング液 |
| KR101282177B1 (ko) * | 2008-09-09 | 2013-07-04 | 쇼와 덴코 가부시키가이샤 | 티탄계 금속, 텅스텐계 금속, 티탄-텅스텐계 금속 또는 그것들의 질화물의 에칭액 |
| JP5523325B2 (ja) * | 2008-09-09 | 2014-06-18 | 昭和電工株式会社 | チタン系金属、タングステン系金属、チタンタングステン系金属またはそれらの窒化物のエッチング液 |
| TWI460310B (zh) * | 2008-09-09 | 2014-11-11 | Showa Denko Kk | A titanium-based metal, a tungsten-based metal, a titanium-tungsten-based metal, or an etching solution of these nitrides |
| JP2010245362A (ja) * | 2009-04-08 | 2010-10-28 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 発光素子の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0257339B2 (ja) | 1990-12-04 |
| NL8701184A (nl) | 1988-12-16 |
| KR880014662A (ko) | 1988-12-24 |
| US4814293A (en) | 1989-03-21 |
| EP0292057A1 (en) | 1988-11-23 |
| DE3874411D1 (de) | 1992-10-15 |
| DE3874411T2 (de) | 1993-04-08 |
| KR970009862B1 (ko) | 1997-06-18 |
| EP0292057B1 (en) | 1992-09-09 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS63305518A (ja) | 半導体デバイスの製造方法 | |
| US5017516A (en) | Method of manufacturing a semiconductor device | |
| US5369053A (en) | Method for patterning aluminum metallizations | |
| JPS62259469A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS61591A (ja) | 銅のエツチング方法 | |
| IE53902B1 (en) | Process for fabricating a semiconductor device having a phosphosilicate glass layer | |
| JPH0831456B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| US4035206A (en) | Method of manufacturing a semiconductor device having a pattern of conductors | |
| EP0002798A2 (de) | Verfahren zum Entfernen einer Metallschicht von einem Halbleiterkörper durch reaktives Ionenätzen | |
| JPS6317348B2 (ja) | ||
| JPS5832498B2 (ja) | ハンドウタイソウチ ノ セイゾウホウホウ | |
| JPS62242337A (ja) | 多層配線用金属膜の形成方法 | |
| JPS6193629A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH04370932A (ja) | シリコンの異方性エッチング液 | |
| JPH0519301B2 (ja) | ||
| JPH0473292B2 (ja) | ||
| JPS60251663A (ja) | 半導体装置 | |
| JP2937537B2 (ja) | パターン形成方法 | |
| US5650040A (en) | Interfacial etch of silica to improve adherence of noble metals | |
| JPS6376460A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH01102938A (ja) | 半導体集積回論の製造方法 | |
| JPH069201B2 (ja) | 半導体装置用電極・配線 | |
| JPH0416009B2 (ja) | ||
| JPH0258251A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS6141129B2 (ja) |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |