JPS6329733A - 光学変調素子の駆動法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、光学変調素子の駆動法に関し、特に少なくと
も２つの安定状態をもつ強誘電性液晶素子、その他の駆
動法に関する。

〔従来技術の説明〕

従来より、走査電極群と信号電極群をマトリクス状に構
成し、その電極間に液晶化合物を充填し多数の画素を形
成して、画像或いは情報の表示を行う液晶表示素子はよ
く知られている。この表示素子の駆動法としては、走査
電極群に順次周期的にアドレス信号を選択印加し、信号
電極群には所定の情報信号をアドレス信号と同期させて
並列的に選択印加する時分割駆動が採用されている。

これらの実用に供されたのは、殆どが、例えば゛アプラ
イドやフイジスク・レターズパ（°“Ａｐｐｌｉｅｄ　
　Ｐｈｙｓｉｃｓ　　Ｌｅｔｔｅｒｓ”）１９７１年、
１８（４）号１２７〜１２８頁に記載のＭ、シャット（
Ｍ、５ｃｈａｄｔ）及びＷ。

ヘルフリヒ（Ｗ、Ｈｅ１ｆｒｉｃｈ）共著になる“ボル
テージ・ディペンタ゛ント・オプティカル争アクティビ
ティ−・オブ番ア命ツィステッド・ネマチック・リキッ
ド会クリスタル°゛（°“Ｖｏｌｔａｇｅ　　Ｄｅｐｅ
ｎｄｅｎｔ　　０ｐｔｉｃａｌＡｃｔｉｖｉｔｙ　　ｏ
ｆ　　ａＴｗｉｓｔｅｄ　　Ｎｅｃｎａｔｉｃ　　Ｌｉ
ｑｕｉｄ　　Ｃｒｙｓｔａｌ”）に示されたＴＮ（ｔｗ
ｉｓｔｅｄ　　ｎｅｍａｔｉ。）型液晶であった・ 近年は、在来の液晶素子の改善型として、双安定性を有
する液晶素子の使用がクラーク（Ｃｌ　ａｒｋ）及びラ
ガーウォール（Ｌａｇｅ　ｒｗａ　１１）の両者により
特開昭５６−１０７２１６号公報、米国特許第４３６７
９２４号明細書等で提案されている。双安定性液晶とし
ては、一般に、カイラルスメクチックＣ相（Ｓｍ０本）
又はＨ相（ＳｍＨ本）を有する強誘電性液晶が用いられ
、これらの状態において、印加された電界に応答して第
１の光学的安定状態と第２の光学的安定状態とのいずれ
かをとり、かつ電界が印加されないときはその状態を維
持する性質、即ち安定性を有し、また電界の変化に対す
る応答がすみやかで、高速かつ記憶型の表示装置等の分
野における広い利用が期待されている。

〔発明が解決しようとする問題点〕

しかしながら、上記強誘電液晶において、上記安定状態
を利用して表示装置を駆動する場合、第１の光学的安定
状態と第２の安定状態との間は、スイッチング時高速で
遷移するがために、この２つの安定状態の中間レベルを
制御することが難かしく、このため、中間調を表現する
ことが難かしい問題点があった。

本発明の目的は、前述したような従来の表示素子或いは
光シヤツターにおける問題点を解決し階調表現を安定し
て行いうる新規な光学変調素子の駆動法を提供すること
にある。

本発明の別の目的は、高速応答性を有する光学変調素子
の駆動法を提供することにある。

本発明の他の目的は、高密度の画素を有する光学変調素
子の駆動法を提供することにある。

〔問題点を解決するための手段〕及び〔作用〕本発明は
、電圧印加により電位勾配を生じる画素を複数ラインに
沿って配置され、該画素が光学変調物質と電気的に接続
されている光学変調素子の駆動法において、ライン上の
画素に所定幅以上に亘った書込み状態を形成する第１ス
テップと、所定幅以上に亘った書込み状態を所定幅の書
込み状態にまで消去する第２ステップとを有する光学変
調素子の駆動法に特徴を有している。

〔実施例〕

本発明の駆動法で用いる光学変調物質としては、少なく
とも２つの安定状態をもつもの、特に加えられる電界に
応じて第１の光学的安定状態と第２の光学的安定状態と
のいずれかを取る、すなわち電界に対する双安定状態を
有する物質、特にこのような性質を有する液晶、が用い
られる。

４　本発明の駆動法で用いることができる双安定性を有
する液晶としては、強誘電性を有するカイラルスメクチ
ック液晶が最も好ましく、そのうちカイラルスメクチッ
クＣ相（ＳｍＣ木）又Ｈ相（ＳｍＨ本）の液晶が適して
いる。この強誘電性液晶については、“ル・ジュルナー
ル・ド・フィシツク会ルーチル”　（“Ｌｅ　　Ｊｏｕ
ｒｎａｌＤｅ　　ｐｈｙｓｉｏｖｅ　　１ｅｔｔｅｒ”
）第３６巻（Ｌ−６９）、１９７５年の「フェロエレク
トリック令リキッド・クリスタルスＪ　　（ｒＦｅｒｒ
ｏｅｌｅｃｔｒｉｃ　　Ｌｉｑｕｉｄ　　Ｃｒｙｓｔａ
ｌｓ」）：　　“°アプライド・フィジックス争しター
ズ（“Ａｐｐｌｉｅｄ　　ＰｈｙｓｉｃｓＬｅｔｔｅｒ
ｓ″）第３６巻（１１号）１９８０年の「サブミクロン
Φセカンド・へイスティプル・エレクトロオプティック
・スイッチングφイン・リキッド番りリスタルスＪ　　
（ｒｓｕｂｍｉｃｒｏ　　５ｅｃｏｎｄ　　Ｂ１５ｔａ
ｂｌｅ　　Ｅｌｅｃｔｒｏｏｐｔｉｃ　　Ｓｗｉｔｃｈ
ｉｎｇ　　１ｎＬｉｑｕｉｄ　　Ｃｒｙｓｔａｌｓ」）
；　”固体物理”　１６　（１４１）１９８１　ｒ液晶
」等に記載されており、本発明ではこれらに開始された
強誘電性液晶を用いることができる。

より具体的には、本発明法に用いられる強誘電性液晶化
合物の例としては、デシロキシベンジリデン−ｙ−アミ
ノ−２−メチルブチルシンナメート（ＤＯＢＡＭＢＣ）
、ヘキシルオキシベンジリデン−ｙ−アミノ−２−クロ
ロプロピルシンナメート　（ＨＯＢＡＣＰＣ）および４
−ｏ−（２−メチル）−ブチルレゾルシリチン−４′−
オクチルアニリン（ＭＢＲＡ８）等が挙げられる。

これらの材料を用いて、素子を構成する場合、液晶化合
物が、ＳｍＣ木相又はＳｍＨ木相となるような温度状態
に保持する為、必要に応じて素子をヒーターが埋め込ま
れた銅ブロック等により支持することができる。

又、本発明では前述のＳｍＣ木、ＳｍＨ木の他にカイラ
ルスメクチックＦ相、■相、Ｊ相、Ｇ相やに相で現われ
る強誘電性液晶を用いることも可能である。

第１図は１強誘電性液晶セルの例を模式的に描いたもノ
テある。２１ａと２１ｂは、Ｉ　ｎ　２０３、Ｓ　ｎ　
Ｏ２やＩＴＯ（インジウム−ティン−オキサイド）等の
透明電極がコートされた基板（ガラス板）であり、その
間に液晶分子層２２がガラス面に垂直になるよう配向し
たＳｍＣ本相０掖晶が封入されている。太線で示した線
２３が液晶分子を表わしており、この液晶分子２３は、
その分子に直交した方向に双極子モーメン）（Ｐ工）１
４を有している。基板２１ａと２１ｂ上の電極間に一定
の閾値以上の電圧を印加すると、液晶分子２３のらせん
構造がほどけ、双極子モーメン）　（Ｐ工）２４はすべ
て電界方向に向くよう、液晶分子２３の配向方向を変え
ることができる。液晶分子２３は細長い形状を有してお
り、その長袖方向と短軸方向で屈折率異方性を示し、従
って例えばガラス面の上下に互いにクロスニコルの位置
関係に配置した偏光子を置けば、電圧印加極性によって
光学特性が変わる液晶光学変調素子となることは、容易
に理解される。さらに液晶セルの厚さを充分に薄くした
場合（例えばｉｐ）には、第２図に示すように電界を印
加していない状態でも液晶分子のらせん構造は、はどけ
、その双極子モーメン）Ｐａ又はＰｂは上向き（３４ａ
）又は下向き（３４ｂ）のどちらかの状態をとる。この
ようなセルに第３図に示す如く一定の閾値以上の極性の
異る電界Ｅａ又はＥｂを所定時間付与すると、双極子モ
ーメントは電界Ｅａ又はＥｂの電界ベクトルに対して上
向き３４ａ又は、下向き３４ｂと向きを変え、それに応
じて液晶分子は第１の安定状８３３ａかあるいは第２の
安定状態３３ｂの何れか一方に配向する。

このような強誘電性液晶を光学変調素子として用いるこ
との利点は２つある。第１に、応答速度が極めて速いこ
と、第２に液晶分子の配向が双安定状態を有することで
ある。第２の点を例えば第１図によって説明すると、電
界Ｅａを印加すると液晶分子は第１の安定状＄　３３　
ａに配向するが、この状態は電界を切っても安定である
。又、逆向きの電界Ｅｂを印加すると、液晶分子は第２
の安定状態３３ｂに配向して、その分子の向きを変える
が、やはり電界を切ってもこの状態に留っている。又、
与える電界Ｅａが一定の閾値を越えない限り、それぞれ
の配向状態にやはり維持されている。このような応答速
度の速さと、双安定性が有効に実現されるには、セルと
しては出来るだけ薄い方が好ましく、一般的にはｏ、ｓ
ｇ〜２０ル、特に１終〜５ルが適している。

本発明に適用される光学変調素子の構成例を以下に示す
、第３図に示す例はマトリクス光学変調素子であり、特
に階調表現を有効に成し得る。

ここで工１〜Ｉ　５−−−−が接続された部分はＩＴｏ
等の低抵抗透明導電膜により形成された信号電極群、ま
たｓ　、　−ｓ　５−−−−が接続された部分はＡ文、
Ａｕ等で形成された低抵抗走査電極群またｓ　、　−ｓ
　５−−−−で挟まれた部分は５ｎ０２゜Ｔ　ｉ　Ｏ２
その他の透明な高抵抗膜（１例としてそのシート抵抗が
１０５〜１０８Ω／口）である。

該走査電極群と信号電極群との間に必要に応じて誘電体
層また、配向膜等を介して、前記強誘電性液晶が挾持さ
れている。

第４図は、前記走査電極群、ｓｓ　、ＳＮ　Ｓ、信号電
極群ＩＳ、ＩＨ５，ＩＮＳに印加される駆動波形の１例
、およびこのとき上記液晶に各電極群との交差部にいて
印加される電圧を示す、ここで横軸は時間、縦軸は電位
（電圧）を示す。

本発明は２値、多値、またはアナログの階調表示に適用
できるものであるが、説明を簡略化するために「白」お
よび、１つの中間レベル、および「全黒」の３値を表示
する場合を例にとって示す。

第４図はｌライン毎に画像消去、書き込みの信号を含む
場合の具体的駆動波形１例を示し、書き込み後の画像は
第５図に対応する。

Ｓｓは画情報を書き込むライン、すなわち選択された走
査電極に印加される駆動波形、ＳＮＳは非選択の走査電
極に印加される駆動波形、またＩｓは前記選択されたラ
イン上の画素に「全黒」を書き込むための駆動波形、Ｉ
Ｈ５は中間レベル、またはｒＮｓは「白」を書き込むた
めの駆動波形を示す、（前記「全黒」、「白」はそれぞ
れ「余白」、「黒」とされても良い、） このとき走査電極、信号電極間の液晶にそれぞれ印加さ
れる電圧はｓｓ　　ｒｓ、５ｓ−ＩＨ５゜５ｓ−ＩＮＳ
、５ＮＳ−ＩＳ、５Ｍ５−ＩＨ３゜５Ｍ５−ＩＮＳで示
される様になる。

ここで、用いた双安定性強誘電液晶の反転閾値を１例と
して１ｆ２Ｖｏｌ＜１Ｖｔｈｌ＜ｌ±３Ｖｏｌとなる様
に駆動電圧Ｖｏを選ぶ、ここで、通常、液晶セルに加え
る配向処理等によりｖｔｈは＋側と一側で若干違いがあ
る場合があるが、この場合は、各駆動波形において＋側
と一側の駆動電位を若干補正する等の対応をするものと
し、こ、−−ｃ’は説明の便宜上ｌ＋Ｖｔｈｌ＝ｌ−Ｖ
ｔｈｌとしておく。

上記の様にした場合、各画素に印加される電圧が、その
絶対値が１例として２Ｖｏ以下の場合はその部分の液晶
分子の反転は起こらない。

ここで各波形について説明する。

選択された走査電極Ｓｓは１ライン書き込みを３つの位
相に分割して、その第２の位相でライン消去を、第３の
位相で信号電極に印加される信号に応じた画素書き込み
を行なうために、それぞれ第２位相に一２Ｖｏ、第３位
相に＋２Ｖｏの電位波形が印加されている。また第１位
相においては、これらの位相に信号電極に印加される電
圧によって液晶にかかる電圧が閾値を越えない様な電圧
波形が補助的に印加される。

一方、選択されない走査電極ＳＮＳは基準電位（ここで
はｏＶ）に固定される。

次に信号電極に印加される電位波形において前記走査電
極の位相とほぼ同期してその第２位相において消去信号
＋２Ｖｏを印加する。この位相において、選択された走
査電極Ｓｓと各信号電極との間で一４ＶＯの電圧が印加
されることになり、この部分においては液晶の反転閾値
−ｖｔｈを超えるため、このラインすべてを消去側（白
）に反転させる信号とする０次に第３位相においては、
ＳＳと交差する信号電極にそれぞれ階調に応じた電圧が
印加される。ここでこの時画素を「黒」にする電位とし
て一２Ｖｏ、中間レベルにする電位として−Ｖｏ、「白
」のまま保持する電位として零（基準電位）とする。

次に補助的に印加する第１位相について説明する。第１
位相としては、前記第３位相の画素書き込み信号に応じ
た電位の信号を入れる。この電位は第３位相において信
号電極に印加される電位と同極性か零（基準電位）であ
り、かつ、第３位相の電位との和の絶対値が、第２位相
に印加する電位とほぼ等しいものが好ましい。

第５図は前記第４図に示した駆動波形によって画素が形
成されたマトリクスセルを示す、ここでＳｏは常に零（
基準）電位とした。該構成においては、選択された走査
電極と、選択されない走査電極との間で画素書き込み時
においてほぼ２Ｖ。

の電位勾配が形成される。すなわち、たとえばＳｌに書
き込み時２Ｖｏの電位が印加された場合、ＳｏおよびＳ
２までの中間点において電位Ｖｏとなる。これに対し、
信号電極群に所定の信号電圧を印加した場合、抵抗膜の
おのおのの位置において液晶に印加される電圧が異なる
ため、該電圧が閾値を越えた部分のみ「黒」が書き込ま
れることになる。第５図においては各走査電極を含む一
点鎖線で囲まれた部分が１画素に相当する。

この動作についてライン消去をする駆動法を用いてもう
少し詳しく説明する。走査電極Ｓ１が選択され、さらに
各信号電極に信号電圧が印加される場合、ラインで消去
される範囲あるいは「黒」が書き込まれる範囲は第６図
に示すＳｌより互いにほぼ等距離にある一点鎖線ＡＩ−
ＢＩ間で示される。すなわち、この範囲内はすべて一旦
「白」にされ、その後信号電圧が「黒」の場合は、走金
電極Ｓ１を中心としてこの範囲内はぼ全部が「黒」にな
り、また、中間レベルの場合はその一部が「黒」になり
、また「白」の場合は、そのまま白に保持される０次に
、走査電極Ｓ２が選択された場合に、まず全面が「白」
にされる範囲はＡ２−Ｂ２間となり、その後この範囲内
で「黒」、中間レベル、「白」が決定される。したがっ
て走査電極を順次選択していくことにより、第５図に示
される画像が形成される。

一方、画素に印加される電圧の最大の絶対値を適宜選ぶ
ことにより第７図に示す様に各走査電極間の中心を隔て
て画素を分割することが出来る。これは選択された走査
電極と選択されない走査電極間で形成される電位勾配の
絶対値が第４図に従って２ＶＯとすると、１閾値１より
ほぼ１■０１大きい値を液晶にかかる最大電圧値とする
ことにより達成される。

しかしながら、第５図で示す様に画素を書き込む方法、
すなわち、所定の１ラインより広い幅にわたって画素を
書き込み、次ライン書き込み時に前記１ラインより広い
幅を消去し、ふたたび書き込む方法によれば、たとえば
「全黒」を続けて書き込む際などにおいて、副走査方向
における画素のつながりが確実となり、セルにおける抵
抗膜のバラツキや、前記最大電圧値も１閾値１より１ｖ
０１以上大きい範囲内で設定すれば良く、自由度も大き
い。

以上において１つの画素全部を「黒」にする電圧値と「
白」にする電圧値にズレがある場合があるが、この時は
その電圧値をそれぞれ適宜に異ならせることにより補正
することが出来る。

次に第８図以下、本発明の別の実施例について説明する
。

第８図は前記第３図で示したマトリクス素子を別の駆動
法で書き込んだ場合に描かれる画像の１例である。

本例における特徴は各走査電極３７＋−２。

５ｆｌ−１，３ｆｉ、Ｓｆｌ＋１．Ｓｎ＋２−＝−を境
界としてライン画素が形成されるものである。

第９図にこの書込み方法に適用しうる駆動波形の１例を
示す、第９図においても前例と同様１ラインの書き込み
を３つの位相により行ない、第２位相、第３位相に、そ
れぞれライン消去信号、画像書き込み信号を与え、第１
位相に補助信号を与える。

まず、■走査電極Ｓｎを選択した走査電極Ｓｓとし、第
２位相に一２ＶＯ、第３位相に２ＶＯの電圧を与えるよ
うにする。更に走査電極Ｓｎの両側の走査電極５ｎ−１
，Ｓｆｉ＋１に１例として、各位相においてＳｎのほぼ
麦の電圧を与え、それ以外の走査電極５ｎ−２＋Ｓｎ＋
２−−−一は基準電位（零電位）に保つ、この時、５ｎ
−１・ｓｎ＋　１は電源により電圧を与えても良いし、
または、電極を開放とすることで、前記電圧にすること
ができる。

一方、各信号電極には第２位相においてはライン消去信
号として＋１．５　Ｖ　Ｏｌまた第３位相においては階
調に応じた信号すなわち「全黒」にする信号Ｉｓとして
−１，５Ｖ　Ｑ、中間レベルＩＨｓ、として−ｖＯｌま
たライン消去後「白」のまま保持する信号ＩＮＳとして
零（基準電位）を与える。すなわち−１，５Ｖ　Ｏと零
の電位中をたとえばアナログ的に変化させることでアナ
ログ階調を得る。

＠ｌＯ図に上記各位相において、前記マトリクス素子の
１信号電極に注目し、各走査電極および抵抗膜との間で
液晶に印加される電圧の模式図を示す。

第１０図において信号レベルＩＳ、ＩＨ３゜ＩＮＳをそ
れぞれ実線、−点鎖線、点線で示し。

またＳｓ、が印加されたときに形成される電位勾配の様
子を実線で示す。

ここで前述と同様、液晶の反意閾値１±ｖｔｈ＋を２．
５　Ｖ　Ｏとする。

第１位相においては全走査電極および抵抗膜と信号電極
間とに印加される電圧は閾値１±２．５■ｏ１より小さ
く、ここでは液晶の反転は起こらない。

第２位相はライン消去位相である。この位相においては
、信号電極に印加される電圧はＩＳ。

ＩＨ５，ＩＮＳともに一定で＋１．５Ｖ、どなる。

これに対し、走査電極Ｓｓに一２Ｖｏ、また５ｎ−１・
Ｓ１１＋１は−ｖＯ１その他の走査電極は基準電位であ
るため、図示する電位勾配が形成される。したがって閾
値を越える範囲は電位差が２、５　Ｖ　Ｏとなる５ｎ−
ｘ〜ｓｎ＋ｘの範囲であり、この範囲すなわち２ライン
分の消去「全白」反転が行なわれる。

次に第３位相においては、走査電極Ｓ９に＋２Ｖｏが印
加され、図示する様な電位勾配が形成される。これに対
して信号電極には階調に応じた信号レベル、ｌ５＝−１
，５Ｖｏ、ｌＮ５＝−ＶＯ。

ｌＮ５＝Ｏが印加され、Ｉｓの場合は５ｎ−１”’Ｓｏ
までの２ラインにわたる範囲が「黒」に、またＩＨ３の
場合は、５ｎ−ｔとＳｎの中間からＳｎとｓｎ＋１の中
間までが「黒」に反転し、中間レベルを表現する。また
ＩＮＳの場合は反転閾値を越える範囲がないため「白」
のまま保持される。したがって、上記の３位相で２ライ
ンにわたって画像が形成される。

而して走査電極Ｓｎのラインの次にＳｆｌ＋１がＳｓと
して選択された場合、前述までと同様にＳｎ＋　１を中
心に電位勾配が形成され、Ｓｎ＋　１選択時における消
去位相において前記で画像を書き込んだ範囲のうち、Ｓ
ｎからＳｎ＋　１との間は「白」に消去されるため、Ｓ
ｎをＳＳとして選択した時に書き込まれた画像のうち残
るのは５ｎ−ｔとＳｎ間に書き込まれた画像であり、こ
こに１ライン分の画像が形成されていることになる。

同様にｓｎ＋ｉをＳｓとして選択して書き込まれた画像
は、ＳｏとＳｎ＋１間に残り、他も同様に１ライン分の
画像が順次書き込まれることになる。このようにして、
第８図に示す様な画像が形成される。

本例によって書き込まれた画像はライン画素がＡＪＬ、
Ａｎ等の走査電極間に書き込まれるため画素の切れ目が
ハツキリしており、より椎間な画像を得ることが出来る
。

ここで上記例においては反転閾値を１±２．５■ｏ１と
したが、この閾値等の多少のズレについては、信号電極
に印加する電圧のうち第２位相の信号レベルと、第３位
相に印加する信号レベルの絶対値の最大レベルを、それ
ぞれ調節するようにしてやれば良い。

次に第１１図は変形ｌ実施例である。第１１図例におい
てはＳｎをＳｓとして選択時において５ｌｌ−１，Ｓｎ
＋１のレベルを電源により調節することで、前記と同様
ｌラインに書き込み、次のライン走査時に１ラインを消
去する例を挙げたものである。ここでは例として、信号
電極の第２位相を＋２ＶＱ、また＠３３位相最大値を１
−２■ｏ１とし、走査電極５ｎ−１およびＳ。＋１の第
２位相および第３位相をそれぞれ一〇、５ＶＯ。

＋　０．５　Ｖ　Ｏとし、消去時および「全黒」書き込
み時に５ｉｔ−１からＳｆｌ＋１の範囲において液晶の
反転が起こるようにしたものである。この場合、第３位
相で信号電極にＩＨｓとして−Ｖｏを印加した中間レベ
ルは前記第１０図例と範囲が異なるが、これは言うまで
もなく適当に値を選べるし、前記例と同様書き込み位相
（第３位相）においてＯから一２Ｖ、までアナログ的に
変調を行なうことでアナログ階調が得られる。また本例
も前例と同様、走査電極の選択ラインＳｓを順次Ｓｎ。

Ｓｆｌ＋１＋−−−一とすることで各走査電極間にライ
ン画素を有する画像が形成される。

前記第８図以降において示した例においてはライン消去
、書き込み各位相において選択した走査電極ＳＳと、こ
れに隣接する走査電極との間に形成される電位差よりも
、信号電極に印加する信号レベルの最大値と最小値の差
を大きくすることで、各走査電極間にライン画素を形成
し、さらに良画質を得ることが出来るものである。

〔発明の効果〕

以上本発明によれば高速応答また高密度画素を有した光
学変調素子により安定した良質の階調表現を行なうこと
が出来る駆動法を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図及び第２図は、本発明で用いた強誘電性液晶素子
の斜視図である。第３図は本発明でマトリクス電極構造
の平面図である。第４図（ａ）は本発明の駆動法で用い
た信号の電圧波形図で、第４図（ｂ）はそのタイミング
チャート図である。 第５図は第４図に示した駆動波形によって画素が形成さ
れたマトリクスセルの平面図である。第６図は、消去さ
れる範囲又は「黒」が書込まれる範囲を模式的に表わし
た平面図である。第７図は、本発明外の方法で書込まれ
た態様を表わす平面図である。第８図は、本発明の別の
書込み態様を表わす平面図である。第９図は１本発明の
別の駆動波形を表わす波形図である。第１０図は、各位
相におけるマトリクス画素内における電位勾配の状態を
模式的に示す説明図である。第１１図は、本発明の別の
駆動波形を示す波形図である。第１２図は、本発明の別
の駆動波形を用いた時の各位相におけるマトリクス画素
内の電位勾配を示す説明図である。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 電圧印加により電位勾配を生じる画素を複数ラインに沿
   って配置され、該画素が光学変調物質と電気的に接続さ
   れている光学変調素子の駆動法において、ライン上の画
   素に所定幅以上に亘った書込み状態を形成する第１ステ
   ップと、所定幅以上に亘った書込み状態を所定幅の書込
   み状態にまで消去する第２ステップとを有することを特
   徴とする光学変調素子の駆動法。