JPS6327818A - 光学変調素子の駆動法 - Google Patents
光学変調素子の駆動法Info
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- JPS6327818A JPS6327818A JP61172584A JP17258486A JPS6327818A JP S6327818 A JPS6327818 A JP S6327818A JP 61172584 A JP61172584 A JP 61172584A JP 17258486 A JP17258486 A JP 17258486A JP S6327818 A JPS6327818 A JP S6327818A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、光学変調素子の駆動法に関し、特に少なくと
も2つの安定状態をもつ強誘電性液晶素子の駆動法に関
する。
も2つの安定状態をもつ強誘電性液晶素子の駆動法に関
する。
(従来技術の説明)
従来より、走査電極群と信号電極群をマトリクス状に構
成し、その電極間に液晶化合物を充填し多数の画素を形
成して、画像或いは情報の表示を行う液晶表示素子はよ
く知られている。この表示素子の駆動法としては、走査
電極群に順次周期的にアドレス信号を選択印加し、信号
電極群には所定の情報信号をアドレス信号と同期させて
並列的に選択印加する時分割駆動が採用されている。
成し、その電極間に液晶化合物を充填し多数の画素を形
成して、画像或いは情報の表示を行う液晶表示素子はよ
く知られている。この表示素子の駆動法としては、走査
電極群に順次周期的にアドレス信号を選択印加し、信号
電極群には所定の情報信号をアドレス信号と同期させて
並列的に選択印加する時分割駆動が採用されている。
これらの実用に供されたのは、殆どが、例えば“アプラ
イド・フィジスク・レターズ(Applied Ph
ysics Letters″)1971年、18(
4)号127〜128頁に記載のM、シャット(M、5
chadt)及びW、ヘルフリヒ(W、He1fric
h)共著になる“ボルテージ・ディペンダント・オプテ
ィカル・アクティビテー・オブ・ア・ツィステッド・ネ
マチック・リキッド・クリスタル″(Voltage
Dependent 0ptical Ac
tivityof a Twisted
Nematicl、1quid Crystal”)
に示されたTN (twisted nematic
)型液晶であった。
イド・フィジスク・レターズ(Applied Ph
ysics Letters″)1971年、18(
4)号127〜128頁に記載のM、シャット(M、5
chadt)及びW、ヘルフリヒ(W、He1fric
h)共著になる“ボルテージ・ディペンダント・オプテ
ィカル・アクティビテー・オブ・ア・ツィステッド・ネ
マチック・リキッド・クリスタル″(Voltage
Dependent 0ptical Ac
tivityof a Twisted
Nematicl、1quid Crystal”)
に示されたTN (twisted nematic
)型液晶であった。
近年は、在来の液晶素子の改善型として、双安定性を有
する液晶素子の使用がクラーク(C1ark)及びラガ
ーウオール(Lagerwall)の両者により特開昭
56−107216号公報、米国特許第4,367゜9
24号明細書等で提案されている。双安定性液晶として
は、一般に、カイラルスメクチックC相(SmC*)又
はH相(SmH*)を有する強話電性液晶が用いられ、
これらの状態において、印加された電界に応答して第1
の光学的安定状態と第2の光学的安定状態とのいずれか
をとり、かつ電界が印加されないときはその状態を維持
する性質、即ち安定性を有し、また電界の変化に対する
応答がすみやかで、光束、かつ、記憶型の表示装置等の
分野における広い利用が期待されている。
する液晶素子の使用がクラーク(C1ark)及びラガ
ーウオール(Lagerwall)の両者により特開昭
56−107216号公報、米国特許第4,367゜9
24号明細書等で提案されている。双安定性液晶として
は、一般に、カイラルスメクチックC相(SmC*)又
はH相(SmH*)を有する強話電性液晶が用いられ、
これらの状態において、印加された電界に応答して第1
の光学的安定状態と第2の光学的安定状態とのいずれか
をとり、かつ電界が印加されないときはその状態を維持
する性質、即ち安定性を有し、また電界の変化に対する
応答がすみやかで、光束、かつ、記憶型の表示装置等の
分野における広い利用が期待されている。
(発明が解決しようとする問題点〕
しかしながら、表示画素数が極めて多く、しかも高速駆
動が求められる時には、問題を生じる。すなわち、所定
の電圧印加時間に対して双安定性を有する強誘電性液晶
セルで第1の安定状態を与えるための閾値電圧を−vt
h。
動が求められる時には、問題を生じる。すなわち、所定
の電圧印加時間に対して双安定性を有する強誘電性液晶
セルで第1の安定状態を与えるための閾値電圧を−vt
h。
とし、第2の安定状態を与えるための閾値電圧を+vt
h2とすると、これらの閾値電圧を越えなくとも、長時
間に亘り、電圧が印加され続ける場合に、画素に書込ま
れた表示状態(例えば、白状態)が別の表示状態(例え
ば黒状態)に反転することがある。第1図は双安定性強
誘電性液晶セルの閾値特性を表わしている。
h2とすると、これらの閾値電圧を越えなくとも、長時
間に亘り、電圧が印加され続ける場合に、画素に書込ま
れた表示状態(例えば、白状態)が別の表示状態(例え
ば黒状態)に反転することがある。第1図は双安定性強
誘電性液晶セルの閾値特性を表わしている。
第1図は、強話電性液晶としてDOBAMBC(図中の
12)とHOBACPC(図中の11)を用いた時のス
イッチングに要する閾値電圧(vth)の印加時間依存
性をプロットしたものである。
12)とHOBACPC(図中の11)を用いた時のス
イッチングに要する閾値電圧(vth)の印加時間依存
性をプロットしたものである。
第1図より明らかな如く、閾値vthは印加時間依存性
を持っており、ざらに印加時間が短い程、急勾配になっ
ていることが理解される。このことから、走査線が極め
て多く、しかも高速に駆動する素子に適用した場合には
、例えばある画素に走査時において明状態にスイッチさ
れていても、次の走査以降常にvth以下の情報信号が
印加され続ける場合、一画面の走査が終了する途中でそ
の画素が暗状態に反転してしまう危険性をもっているこ
とが判る。
を持っており、ざらに印加時間が短い程、急勾配になっ
ていることが理解される。このことから、走査線が極め
て多く、しかも高速に駆動する素子に適用した場合には
、例えばある画素に走査時において明状態にスイッチさ
れていても、次の走査以降常にvth以下の情報信号が
印加され続ける場合、一画面の走査が終了する途中でそ
の画素が暗状態に反転してしまう危険性をもっているこ
とが判る。
〔問題点を解決するための手段〕及び〔作用〕本発明の
目的は、前述したような従来の液晶表示素子或いは液晶
光シャッターにおける問題点を解決した新規な液晶素子
の駆動法を提供することにある。
目的は、前述したような従来の液晶表示素子或いは液晶
光シャッターにおける問題点を解決した新規な液晶素子
の駆動法を提供することにある。
本発明の別の目的は、高速応答性を有する液晶素子の駆
動法を提供することにある。
動法を提供することにある。
本発明の他の目的は、高密度の画素を有する液晶素子の
駆動法を提供することにある。
駆動法を提供することにある。
本発明の更なる他の目的は、階調表現を安定して行ない
つる双安定液晶素子の駆動法を提供することにある。
つる双安定液晶素子の駆動法を提供することにある。
本発明は、交差した走査電極群と信号電極群の間に電界
に対して第1と第2の安定状態を生じる光学変調物質を
配置した光学変調素子の駆動法において、走査電極群に
第1位相と第2位相で互いに交番する波形の走査選択信
号を順次印加し、信号電極群に階調情報に応じた波形で
、第1位相と第2位相で互いに交番した波形電圧で、且
つ第1位相における波形電圧の絶対値と第2位相におけ
る波形電圧の絶対値を等しくなした階調情報信号を前記
走査選択信号と同期させて印加する光学変調素子の駆動
法に特徴を有している。具体的には、画素書き込み期間
を第1の位相と第2の位相により構成し走査電極選択時
は第1の位相で光学変調物質を第1の安定状態に反転す
る完全反転電圧値に加えて画像情報に応じた電圧値を画
素に印加し、第2の位相では光学変調物質を第2の安定
状態に反転するべく反転開始閾値以下の電圧値に加えて
、画像情報に応じた電圧値を印加する。
に対して第1と第2の安定状態を生じる光学変調物質を
配置した光学変調素子の駆動法において、走査電極群に
第1位相と第2位相で互いに交番する波形の走査選択信
号を順次印加し、信号電極群に階調情報に応じた波形で
、第1位相と第2位相で互いに交番した波形電圧で、且
つ第1位相における波形電圧の絶対値と第2位相におけ
る波形電圧の絶対値を等しくなした階調情報信号を前記
走査選択信号と同期させて印加する光学変調素子の駆動
法に特徴を有している。具体的には、画素書き込み期間
を第1の位相と第2の位相により構成し走査電極選択時
は第1の位相で光学変調物質を第1の安定状態に反転す
る完全反転電圧値に加えて画像情報に応じた電圧値を画
素に印加し、第2の位相では光学変調物質を第2の安定
状態に反転するべく反転開始閾値以下の電圧値に加えて
、画像情報に応じた電圧値を印加する。
更に走査電極非選択時は、第1及び第2の位相で電圧値
がほぼ等しく極性の逆な画像情報に応じた電圧を印加す
ることができる。
がほぼ等しく極性の逆な画像情報に応じた電圧を印加す
ることができる。
本発明の駆動法で用いる光学変調物質としては、少なく
とも2つの安定状態をもつもの、特に加えられる電界に
応じて第1の光学的安定状態と第2の光学的安定状態と
のいずれかを取る、すなわち電界に対する双安定状態を
有する物質、特にこのような性質を有する液晶、が用い
られる。
とも2つの安定状態をもつもの、特に加えられる電界に
応じて第1の光学的安定状態と第2の光学的安定状態と
のいずれかを取る、すなわち電界に対する双安定状態を
有する物質、特にこのような性質を有する液晶、が用い
られる。
本発明の駆動法で用いることができる双安定性を有する
液晶としては、強誘電性を有するカイラルスメクチック
液晶が最も好ましく、そのうちカイラルスメクチックC
相(SmC*)又H相(SmH*)の液晶が適している
。この強誘電性液晶については、“ル・ジュルナール・
ド・フィシツク・ルーチル” (’Le Journ
al de Physiove 1etter″
)36巻(L−69)、1975年の「フェロエレクト
リック・リキッド・クリスタルスJ (rFerro
electric Liquid Crystal
s」); “アプライド・フィジックス・レタース”
(“Applied Physics Lett
ers″)36巻(11号)1980年のrサブミクロ
ン・セカンド・バイスティプル・エレクトロオブテイツ
タ・スイッチング・イン・リキッド・クリスタルJ
(rsubmicro Sec。
液晶としては、強誘電性を有するカイラルスメクチック
液晶が最も好ましく、そのうちカイラルスメクチックC
相(SmC*)又H相(SmH*)の液晶が適している
。この強誘電性液晶については、“ル・ジュルナール・
ド・フィシツク・ルーチル” (’Le Journ
al de Physiove 1etter″
)36巻(L−69)、1975年の「フェロエレクト
リック・リキッド・クリスタルスJ (rFerro
electric Liquid Crystal
s」); “アプライド・フィジックス・レタース”
(“Applied Physics Lett
ers″)36巻(11号)1980年のrサブミクロ
ン・セカンド・バイスティプル・エレクトロオブテイツ
タ・スイッチング・イン・リキッド・クリスタルJ
(rsubmicro Sec。
nd B15table Electroopti
c Switching in Liquid
Crystals)」 ; “固体物理”8 (1
41)1981 r液晶」等に記載されており、本発明
ではこれらに開示された強誘電性液晶を用いることがで
きる。
c Switching in Liquid
Crystals)」 ; “固体物理”8 (1
41)1981 r液晶」等に記載されており、本発明
ではこれらに開示された強誘電性液晶を用いることがで
きる。
より具体的には、本発明に用いられる強誘電性液晶化合
物の例としては、デシロキシベンジリデン−P′−アミ
ノ−2−メチルブチルシンナメート(DoBAMBC)
、ヘキシルオキシベンジリデン−P′−アミノ−2−ク
ロロプロピルシンナメート(HOBACPC)および4
−0− (2−メチル)−ブチルレゾルリリデン−4′
−オクチルアニリン(MBRA8)等が挙げられる。
物の例としては、デシロキシベンジリデン−P′−アミ
ノ−2−メチルブチルシンナメート(DoBAMBC)
、ヘキシルオキシベンジリデン−P′−アミノ−2−ク
ロロプロピルシンナメート(HOBACPC)および4
−0− (2−メチル)−ブチルレゾルリリデン−4′
−オクチルアニリン(MBRA8)等が挙げられる。
これらの材料を用いて、素子を構成する場合、液晶化合
物が、SmC*相又はSmH*相となるような温度状態
に保持する為、必要に応じて素子をヒーターが埋め込ま
れた銅ブロック等により支持することができる。
物が、SmC*相又はSmH*相となるような温度状態
に保持する為、必要に応じて素子をヒーターが埋め込ま
れた銅ブロック等により支持することができる。
又、本発明では前述のSmC*、SmH*の他にカイラ
ルスメクチックF相、■相、J相、G相やに相で現われ
る強誘電性液晶を用いることも可能である。
ルスメクチックF相、■相、J相、G相やに相で現われ
る強誘電性液晶を用いることも可能である。
第2図は、強誘電性液晶セルの例を模式的に描いたもの
である。21aと21bは、I nz Os 、5nO
zやITO(インジウム−ティン−オキサイド)等の透
明電極がコートされた基板(ガラス板)であり、その間
に液晶分子層22がガラス面に垂直になるよう配向した
SmC*相の液晶が封入されている。
である。21aと21bは、I nz Os 、5nO
zやITO(インジウム−ティン−オキサイド)等の透
明電極がコートされた基板(ガラス板)であり、その間
に液晶分子層22がガラス面に垂直になるよう配向した
SmC*相の液晶が封入されている。
太線で示した線23が液晶分子を表わしており、この液
晶分子23は、その分子に直交した方向に双極子モーメ
ント(P工)14を有している。
晶分子23は、その分子に直交した方向に双極子モーメ
ント(P工)14を有している。
基板21aと21b上の電極間に一定の閾値以上の電圧
を印加すると、液晶分子23のらせん構造がほどけ、双
極子モーメント(P工)24はすべて電界方向に向くよ
う、液晶分子23の配向方向を変えることができる。液
晶分子23は細長い形状を有しており、その長軸方向と
短軸方向で屈折率異方性を示し、従って例えばガラス面
の上下に互いにクロスニコルの位置関係に配置した偏光
子を置けば、電圧印加極性によって光学特性が変わる液
晶光学変調素子となることは、容易に理解される。さら
に液晶セルの厚さを充分に薄くした場合(例えば1μ)
には、第3図に示すように電界を印加していない状態で
も液晶分子のらせん構造は、ほどけ、その双極子モーメ
ントPa又はpbは上向き(34a)又は下向き(34
b)のどちらかの状態をとる。このようなセルに第3図
に示す如く一定の閾値以上の極性の異なる電界Ea又は
Ebを所定時間付与すると、双極子モーメントは電界E
a又はEbの電界ベクトルに対して上向き34a又は、
下向き34bと向きを変え、それに応じて液晶分子は第
1の安定状態33aか、あるいは第2の安定状態33b
の何れか1方に配向する。
を印加すると、液晶分子23のらせん構造がほどけ、双
極子モーメント(P工)24はすべて電界方向に向くよ
う、液晶分子23の配向方向を変えることができる。液
晶分子23は細長い形状を有しており、その長軸方向と
短軸方向で屈折率異方性を示し、従って例えばガラス面
の上下に互いにクロスニコルの位置関係に配置した偏光
子を置けば、電圧印加極性によって光学特性が変わる液
晶光学変調素子となることは、容易に理解される。さら
に液晶セルの厚さを充分に薄くした場合(例えば1μ)
には、第3図に示すように電界を印加していない状態で
も液晶分子のらせん構造は、ほどけ、その双極子モーメ
ントPa又はpbは上向き(34a)又は下向き(34
b)のどちらかの状態をとる。このようなセルに第3図
に示す如く一定の閾値以上の極性の異なる電界Ea又は
Ebを所定時間付与すると、双極子モーメントは電界E
a又はEbの電界ベクトルに対して上向き34a又は、
下向き34bと向きを変え、それに応じて液晶分子は第
1の安定状態33aか、あるいは第2の安定状態33b
の何れか1方に配向する。
このような強話電性液晶を光学変調素子として用いるこ
との利点は2つある。第1に、応答速度が極めて速いこ
と、第2に液晶分子の配向が双安定状態を有することで
ある。第2の点を例えば第2図によって説明すると、電
界Eaを印加すると液晶分子は第1の安定状態33aに
配向するが、この状態は電界を切っても安定である。又
、逆向きの電界Ebを印加すると、液晶分子は第2の安
定状態33bに配向して、その分子の向きを変えるが、
やはり電界を切ってもこの状態に留っている。又、与え
る電界Eaが一定の閾値を越えない限り、それぞれの配
向状態にやはり維持されている。このような応答速度の
速さと、双安定性が有効に実現されるには、セルとして
は出来るだけ薄い方が好ましく、一般的には、0.5μ
〜20μ、特に1μ〜5μが適している。
との利点は2つある。第1に、応答速度が極めて速いこ
と、第2に液晶分子の配向が双安定状態を有することで
ある。第2の点を例えば第2図によって説明すると、電
界Eaを印加すると液晶分子は第1の安定状態33aに
配向するが、この状態は電界を切っても安定である。又
、逆向きの電界Ebを印加すると、液晶分子は第2の安
定状態33bに配向して、その分子の向きを変えるが、
やはり電界を切ってもこの状態に留っている。又、与え
る電界Eaが一定の閾値を越えない限り、それぞれの配
向状態にやはり維持されている。このような応答速度の
速さと、双安定性が有効に実現されるには、セルとして
は出来るだけ薄い方が好ましく、一般的には、0.5μ
〜20μ、特に1μ〜5μが適している。
本発明の駆動法の好ましい具体例を以下の図により示す
。
。
第4図は、走査電極群と信号電極群の間に双安定性強誘
電性液晶が挟まれたマトリクス画素構造を有する代表的
セル41の模式図である。42は走査電極群、43は信
号電極群である。本発明は多値またはアナログの階調表
示に適用できるものであるが、説明を簡略化するために
白、および1つの中間レベル、および黒の3値を表示す
る場合を例にとって示す。
電性液晶が挟まれたマトリクス画素構造を有する代表的
セル41の模式図である。42は走査電極群、43は信
号電極群である。本発明は多値またはアナログの階調表
示に適用できるものであるが、説明を簡略化するために
白、および1つの中間レベル、および黒の3値を表示す
る場合を例にとって示す。
第4図に於いてクロスハツチングで示される画素が「黒
」に、片ハツチングで示される画素が中間レベル、その
他の画素が「白」に対応するものとする。
」に、片ハツチングで示される画素が中間レベル、その
他の画素が「白」に対応するものとする。
第5図は1ライン毎に画像消去、書き込みを行なう場合
の具体的駆動波形1例を示し、書き込み後の画像は第4
図に対応する。
の具体的駆動波形1例を示し、書き込み後の画像は第4
図に対応する。
第5図に各走査電極ss、sssおよび各信号電極Is
、 I)Is、 INSに印加する電圧波形およ
びそれぞれの走査電極と信号電極に挟持される画素液晶
に印加される電圧を示す。ここで横軸は時間、縦軸は電
位(電圧)を示す。
、 I)Is、 INSに印加する電圧波形およ
びそれぞれの走査電極と信号電極に挟持される画素液晶
に印加される電圧を示す。ここで横軸は時間、縦軸は電
位(電圧)を示す。
ここでS、は画情報を書き込むライン、すなわち選択さ
れた走査電極に印加される駆動波形SSSはそのと包囲
情報を書き込まないライン、すなわち非選択の走査電極
に印加される駆動波形。またIsは前記選択されたライ
ンとの交差部との間に「黒」を書き込むための駆動波形
。183は中間レベルまたINSは「白」を書き込むた
めの駆動波形を示す。
れた走査電極に印加される駆動波形SSSはそのと包囲
情報を書き込まないライン、すなわち非選択の走査電極
に印加される駆動波形。またIsは前記選択されたライ
ンとの交差部との間に「黒」を書き込むための駆動波形
。183は中間レベルまたINSは「白」を書き込むた
めの駆動波形を示す。
このとき画素を形成する液晶にそれぞれ印加される電圧
は、Is −5s 、 Iss Ss 。
は、Is −5s 、 Iss Ss 。
lN5SS ・ Is −5ss、 INS S
ss・I Nl−S N8で示される様になる。
ss・I Nl−S N8で示される様になる。
ここで用いた双安定性強話電液晶の反転閾値を1例とし
て1±2■。l<1Vthlく1±3v01となる様に
駆動電圧V0を運ぶ、ここで通常液晶セルに加える配向
処理等によりvthは+側と一側で若干違いがある場合
があるが、この場合は、各駆動波形において+側と一側
の駆動電位を若干補正する等の対応をするものとし、こ
こでは説明の便宜上l+Vthl=l−Vthlとして
おく。
て1±2■。l<1Vthlく1±3v01となる様に
駆動電圧V0を運ぶ、ここで通常液晶セルに加える配向
処理等によりvthは+側と一側で若干違いがある場合
があるが、この場合は、各駆動波形において+側と一側
の駆動電位を若干補正する等の対応をするものとし、こ
こでは説明の便宜上l+Vthl=l−Vthlとして
おく。
上記の様にした場合、各画素に印加される電圧が、その
絶対値が1例として2v0以下の場合は液晶分子反転は
起こらず、また以上の場合は反転が起こり、その絶対値
が大きくなるにつれて、反転が強く起こる様になる。
絶対値が1例として2v0以下の場合は液晶分子反転は
起こらず、また以上の場合は反転が起こり、その絶対値
が大きくなるにつれて、反転が強く起こる様になる。
ここで各波形について説明する。
選択された走査電極SSは1ライン書き込みを2つの位
相に1..1.に分割して、その第1の位相1.でライ
ン消去を行なう為に4■oの電圧を印加し、第2の位相
t2で信号電極に印加される信号に応じた画素書き込み
を行なうために一2v0の電圧を印加する。
相に1..1.に分割して、その第1の位相1.でライ
ン消去を行なう為に4■oの電圧を印加し、第2の位相
t2で信号電極に印加される信号に応じた画素書き込み
を行なうために一2v0の電圧を印加する。
一方、選択されない走査電極S1は第1及び第2の位相
1..12共に基準電位(ここではOV)に固定される
。
1..12共に基準電位(ここではOV)に固定される
。
次に信号電極に印加される電位波形において前記走査電
極の位相とほぼ同期して、その第1位相tlにおいて階
調に応じた0〜−2vの電圧が印加される。即ち黒を書
く場合(Is)は−2v0.白の場合はQV(Ins)
中間調の場合その間の電圧、図では−vo Issが印
加される。この位相において選択された走査電極SSと
各信号電極との間で階調に応じて一4VO〜−6VOの
電圧が印加されることになり、液晶の反転閾値−vth
を超えるため、このラインすべてを消去側(白)に反転
させる。
極の位相とほぼ同期して、その第1位相tlにおいて階
調に応じた0〜−2vの電圧が印加される。即ち黒を書
く場合(Is)は−2v0.白の場合はQV(Ins)
中間調の場合その間の電圧、図では−vo Issが印
加される。この位相において選択された走査電極SSと
各信号電極との間で階調に応じて一4VO〜−6VOの
電圧が印加されることになり、液晶の反転閾値−vth
を超えるため、このラインすべてを消去側(白)に反転
させる。
次に第2位相t、においては、S3と交差する信号電極
にそれぞれ階調に応じた第1の位相と逆極のO〜2V0
の電圧が印加される。ここでこの時画素を「黒」にする
電位として+2v0゜中間レベル(灰)にする電位の一
例として+V0.r白」のまま保持する電位として零(
基準電位とする。この様にすると第2位相t2において
、このラインの画素に印加される電圧はそれぞれ+4V
o 、+3Vo 、+2Vaとなり、それぞれ「黒」、
中間レベル、「白」をそれぞれ画素に書き込むことにな
る。
にそれぞれ階調に応じた第1の位相と逆極のO〜2V0
の電圧が印加される。ここでこの時画素を「黒」にする
電位として+2v0゜中間レベル(灰)にする電位の一
例として+V0.r白」のまま保持する電位として零(
基準電位とする。この様にすると第2位相t2において
、このラインの画素に印加される電圧はそれぞれ+4V
o 、+3Vo 、+2Vaとなり、それぞれ「黒」、
中間レベル、「白」をそれぞれ画素に書き込むことにな
る。
さらに第5図において、選択されない走査電極SNSと
各信号電極Is 、 INS、 INSとの間に印
加される電位は図示の通りとなる。
各信号電極Is 、 INS、 INSとの間に印
加される電位は図示の通りとなる。
以上第5図で示した駆動波形が順次走査電極群および信
号電極群に印加された場合の様子を第5図(b)に示す
。画素に印加される電圧の代表例としてはI+ −3t
、I2 St 。
号電極群に印加された場合の様子を第5図(b)に示す
。画素に印加される電圧の代表例としてはI+ −3t
、I2 St 。
Is −5+ 、I4−3s 、I5−3sを挙げた。
第6図に示した波形により、1フレームで第4図示例の
画像が書き込まれるものである。
画像が書き込まれるものである。
さて、双安定性を有する状態での強訪電液晶の電界によ
るスイッチングのメカニズムは微視的には必ずしも明ら
かではないが、一般に所定の安定状態に所定時間の強い
電界でスイッチングした後、全く電界が印加されない状
態に放置する場合には、はぼ半永久的にその状態を保つ
ことは可能であるが、所定時間ではスイッチングしない
ような弱い電界(先に説明した例で言えば、vth以下
の電圧に対応)であっても、逆極性の電界が長時間に捗
って印加される場合には、逆の安定状態へ再び配向状態
が反転してしまい、その結果正しい情報の表示や変調が
達成できない現象が生じ得る。当発明者等は、このよう
な弱電界の長時間印加による、配向状態の転穆反転現象
(一種のクロストーク)の生じ易さが基板表面の材質、
粗さや液晶材料等によって影響を受ける事は認識したが
、定量的には末だ把みぎっていない。ただ、ラビングや
SiO等の斜方蒸着等液晶分子の配向のための一軸性基
板処理を行うと、上記反転現象の生じ易さが増す傾向に
あることは確認した。
るスイッチングのメカニズムは微視的には必ずしも明ら
かではないが、一般に所定の安定状態に所定時間の強い
電界でスイッチングした後、全く電界が印加されない状
態に放置する場合には、はぼ半永久的にその状態を保つ
ことは可能であるが、所定時間ではスイッチングしない
ような弱い電界(先に説明した例で言えば、vth以下
の電圧に対応)であっても、逆極性の電界が長時間に捗
って印加される場合には、逆の安定状態へ再び配向状態
が反転してしまい、その結果正しい情報の表示や変調が
達成できない現象が生じ得る。当発明者等は、このよう
な弱電界の長時間印加による、配向状態の転穆反転現象
(一種のクロストーク)の生じ易さが基板表面の材質、
粗さや液晶材料等によって影響を受ける事は認識したが
、定量的には末だ把みぎっていない。ただ、ラビングや
SiO等の斜方蒸着等液晶分子の配向のための一軸性基
板処理を行うと、上記反転現象の生じ易さが増す傾向に
あることは確認した。
特に、高い温度の時に低い温度の場合に比べて、その傾
向が強く現われることも確認した。
向が強く現われることも確認した。
いずれにしても、正しい情報の表示や変調を達成するた
めに一定方向の電界が長時間に渉って印加されることは
、避けるのが好ましい。
めに一定方向の電界が長時間に渉って印加されることは
、避けるのが好ましい。
本発明においては同極性の電圧が続いて印加されない様
にしたことで上記問題を解決した。
にしたことで上記問題を解決した。
すなわち、第5図と第6図において、走査電極の非選択
時に画素に印加される電圧I s −SNS、 I
ns−SNs、 I ss−SNSは、第1位相と
第2位相とで、その電圧の絶対値がほぼ等しくその極性
が逆である。画像の濃度に応じた第2位相で階調電圧を
印加しても、その前位相で逆極性電圧が印加される。従
ってマトリックス電極の数が増加しても画素に印加され
る電圧が一方向の極性にかたよってしまうことはない。
時に画素に印加される電圧I s −SNS、 I
ns−SNs、 I ss−SNSは、第1位相と
第2位相とで、その電圧の絶対値がほぼ等しくその極性
が逆である。画像の濃度に応じた第2位相で階調電圧を
印加しても、その前位相で逆極性電圧が印加される。従
ってマトリックス電極の数が増加しても画素に印加され
る電圧が一方向の極性にかたよってしまうことはない。
第5図では走査電極の非選択時の電圧をOvとしている
為、信号電極に印加される電圧は画素に印加される電圧
と同等となっている。また走査電極選択時も、画素に印
加される電圧rs−5Ns・ I 141− S NS
・ I NS−S NSは、第1の位相で画素の消去用
完全反転電圧に中間調表示用の画像に応じた階調信号電
圧と同等で逆性の電圧を加算された電圧が印加される。
為、信号電極に印加される電圧は画素に印加される電圧
と同等となっている。また走査電極選択時も、画素に印
加される電圧rs−5Ns・ I 141− S NS
・ I NS−S NSは、第1の位相で画素の消去用
完全反転電圧に中間調表示用の画像に応じた階調信号電
圧と同等で逆性の電圧を加算された電圧が印加される。
次の第2の位相では画素表示の反転開始電圧に画像に応
じた階調信号電圧が加算された電圧が印加される。従っ
て第5図に示す如く画素消去用の一極性電圧が印加され
た後画素濃度決定用の中極性電圧が印加される為同−の
極性が印加されることはない。また、走査電極と信号電
極を共に選択した場合、即ち画素書き込み中の第2の位
相時に画素に印加される極性と、走査電極非選択時に第
1の位相時に画素に印加される極性とが逆極性となるた
め、どのような場合においても同極性の電圧が続けて印
加されることはなく、クロストークを与えることなく良
好かつ安定な階調表示を行なうことができる。また、画
素の書き込みを2位相で行なっており、非常に高速な表
示を可能としている。
じた階調信号電圧が加算された電圧が印加される。従っ
て第5図に示す如く画素消去用の一極性電圧が印加され
た後画素濃度決定用の中極性電圧が印加される為同−の
極性が印加されることはない。また、走査電極と信号電
極を共に選択した場合、即ち画素書き込み中の第2の位
相時に画素に印加される極性と、走査電極非選択時に第
1の位相時に画素に印加される極性とが逆極性となるた
め、どのような場合においても同極性の電圧が続けて印
加されることはなく、クロストークを与えることなく良
好かつ安定な階調表示を行なうことができる。また、画
素の書き込みを2位相で行なっており、非常に高速な表
示を可能としている。
言うまでもないが電圧のレベルを「白」およびr黒」に
対応した2値のみ選ぶこ社で、2値のみの表現も当然可
能である。
対応した2値のみ選ぶこ社で、2値のみの表現も当然可
能である。
また、上記駆動法では階調信号を電圧変調法で示したが
、信号電極に印加する電圧波形として第1.第2の位相
に逆極性でほぼ同等のパルス数を印加したパルス数制御
により階調表現することも可能であり、またパルス幅制
御も可能である。
、信号電極に印加する電圧波形として第1.第2の位相
に逆極性でほぼ同等のパルス数を印加したパルス数制御
により階調表現することも可能であり、またパルス幅制
御も可能である。
第7図(a)〜(e)は、第2の位相t、でデータ線に
印加される階調信号電圧を表わし、第7図(a)〜me
)は位相t2で前述の階調信号が付与され、走査線が選
択された場合の画素に印加される電圧を表わしている。
印加される階調信号電圧を表わし、第7図(a)〜me
)は位相t2で前述の階調信号が付与され、走査線が選
択された場合の画素に印加される電圧を表わしている。
第7図(a)は第1階調信号の電圧波形(o)で画素に
は第8図(a)に示す2v0の電圧が印加される0画素
には電圧2v0が印加されるが反転開始電圧直前であり
、第9図(a)に示す如く画素全体が第1の位相時に書
き込まれた白状態が保持される。
は第8図(a)に示す2v0の電圧が印加される0画素
には電圧2v0が印加されるが反転開始電圧直前であり
、第9図(a)に示す如く画素全体が第1の位相時に書
き込まれた白状態が保持される。
第7図(8)は、第5階調信号の電圧波形(v4)で、
画素には第8図(e)に示す(2V、+v4)の完全反
転電圧が印加される。完全反転電圧(2V O+ V
4 )が印加された画素には第9図(e)に示す如く、
画素全域にわたり白状態から黒状態に反転する。
画素には第8図(e)に示す(2V、+v4)の完全反
転電圧が印加される。完全反転電圧(2V O+ V
4 )が印加された画素には第9図(e)に示す如く、
画素全域にわたり白状態から黒状態に反転する。
第7図(b)、(C)及び(d)は、それぞれ第2階調
信号(vl)、第3階調信号(v2)及び第4階調信号
(■、)を表わし、それぞれの階調信号はO<lV+l
<IVz l<lvs I<lv41に設定されてい
る。従って、反転開始電圧2■。以上で、且つ完全反転
電圧2V。
信号(vl)、第3階調信号(v2)及び第4階調信号
(■、)を表わし、それぞれの階調信号はO<lV+l
<IVz l<lvs I<lv41に設定されてい
る。従って、反転開始電圧2■。以上で、且つ完全反転
電圧2V。
+v4以下の電圧に設定した2V0+v、、2V 6
+ V 2及び2Vo +Vs ”Qそれぞhの階調信
号に応じて白の領域82に対する黒に反転した領域81
の割合を制御することができる。第9図(b)は2■。
+ V 2及び2Vo +Vs ”Qそれぞhの階調信
号に応じて白の領域82に対する黒に反転した領域81
の割合を制御することができる。第9図(b)は2■。
+■、の電圧信号が画素に印加された時の状態、第9図
(e)は2v0+v2の電圧信号が画素に印加された時
の状態第9図(d)は2VO+V3の電圧信号が画素に
印加された時の状態を表わしている。
(e)は2v0+v2の電圧信号が画素に印加された時
の状態第9図(d)は2VO+V3の電圧信号が画素に
印加された時の状態を表わしている。
前述した様に、白の領域82は強誘電性液晶が第1の配
向状態に配向しており、黒の領域81は強誘電性液晶が
第2の配向状態に配向し、これらの何れかの配向状態は
、次のフレームで書込み画像情報により変動するが完全
反転電圧を超えるクリヤー信号(−4V、〜−6■。)
が印加されるまでの間維持され、1フレ一ム期間内での
階調表示が行われる。但し、第9図は、90°のクロス
ニコルスを用いた偏光顕微鏡観察のスケッチである。
向状態に配向しており、黒の領域81は強誘電性液晶が
第2の配向状態に配向し、これらの何れかの配向状態は
、次のフレームで書込み画像情報により変動するが完全
反転電圧を超えるクリヤー信号(−4V、〜−6■。)
が印加されるまでの間維持され、1フレ一ム期間内での
階調表示が行われる。但し、第9図は、90°のクロス
ニコルスを用いた偏光顕微鏡観察のスケッチである。
第10図は、ITO膜とその上に1000人のラビング
処理したポリイミド膜を設けた1組のガラス基板を3.
8μmの間隔で保持したセル内に下記液晶組成物を注入
した強誘電性液晶素子に38℃の温度下での電圧と光透
過率の関係を表わしている(但し、この時のパルス巾は
1m5ecとした)。第10図によれば、反転開始電圧
(2Vo)102は6vで、完全反転電圧(2VO+V
4 ) 101は12.5Vであることが判る。中間調
電圧(2V。+■I)として7vを画素に印加した時、
ドメインの状態は第9図(b)に示す状態となり、中間
調電圧(2VO+V2 )として10.2Vを画素に印
加した時、ドメインの状態は第9図(C)に示す状態で
、さらに中間調電圧(2Vo+V3)として11vを画
素に印加した時には、ドメインの状態は第9図(d)に
示す状態であった。
処理したポリイミド膜を設けた1組のガラス基板を3.
8μmの間隔で保持したセル内に下記液晶組成物を注入
した強誘電性液晶素子に38℃の温度下での電圧と光透
過率の関係を表わしている(但し、この時のパルス巾は
1m5ecとした)。第10図によれば、反転開始電圧
(2Vo)102は6vで、完全反転電圧(2VO+V
4 ) 101は12.5Vであることが判る。中間調
電圧(2V。+■I)として7vを画素に印加した時、
ドメインの状態は第9図(b)に示す状態となり、中間
調電圧(2VO+V2 )として10.2Vを画素に印
加した時、ドメインの状態は第9図(C)に示す状態で
、さらに中間調電圧(2Vo+V3)として11vを画
素に印加した時には、ドメインの状態は第9図(d)に
示す状態であった。
尚、図中の・は実測値を表わす。
本発明によれば、クロストークを発生しない良好な階調
表示画像を形成することができる。
表示画像を形成することができる。
第1図は、強誘電性液晶素子における閾値電圧の印加時
間依存性を表わす特性図である。 第2図及び第3図は、本発明で用いた強誘電性液晶素子
を模式的に示す斜視図である。第4図は、本発明の強誘
電性液晶で用いたマトリックス電極構造の平面図である
。第5図は本発明の駆動法で用いた信号波形を示す説明
図で、第6図は第5図の信号を用いて第4図に示す画像
を書込んだ際の信号波形を時系列で表わした説明図であ
る。第7図(a)〜(e)は、階調情報に応じた信号波
形を表わす説明図である。第8図(a)〜(e)は、画
素の印加された時の階調情報波形を表わす説明図である
。 第9図(a)〜(e)は、階調情報に応じた画素の配向
状態を表わす説明図である。 第10図は、画素におけるパルス高と光透過率の関係を
表わす特性図である。
間依存性を表わす特性図である。 第2図及び第3図は、本発明で用いた強誘電性液晶素子
を模式的に示す斜視図である。第4図は、本発明の強誘
電性液晶で用いたマトリックス電極構造の平面図である
。第5図は本発明の駆動法で用いた信号波形を示す説明
図で、第6図は第5図の信号を用いて第4図に示す画像
を書込んだ際の信号波形を時系列で表わした説明図であ
る。第7図(a)〜(e)は、階調情報に応じた信号波
形を表わす説明図である。第8図(a)〜(e)は、画
素の印加された時の階調情報波形を表わす説明図である
。 第9図(a)〜(e)は、階調情報に応じた画素の配向
状態を表わす説明図である。 第10図は、画素におけるパルス高と光透過率の関係を
表わす特性図である。
Claims (1)
- (1)交差した走査電極群と信号電極群の間に電界に対
して第1と第2の安定状態を生じる光学変調物質を配置
した光学変調素子の駆動法において、走査電極群に第1
位相と第2位相で互いに交番する波形の走査選択信号を
順次印加し、信号電極群に階調情報に応じた波形で、第
1位相と第2位相で互いに交番した波形電圧で、且つ第
1位相における波形電圧の絶対値と第2位相における波
形電圧の絶対値を等しくなした階調情報信号を前記走査
選択信号と同期させて印加することを特徴とする光学変
調素子の駆動法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61172584A JP2505756B2 (ja) | 1986-07-22 | 1986-07-22 | 光学変調素子の駆動法 |
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