JPH0823635B2

JPH0823635B2 - 光学変調素子

Info

Publication number: JPH0823635B2
Application number: JP61082924A
Authority: JP
Inventors: 光俊久野; 正彦江成; 寿進藤
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 1986-04-09
Filing date: 1986-04-09
Publication date: 1996-03-06
Anticipated expiration: 2011-03-06
Also published as: JPS62238532A

Description

【発明の詳細な説明】［産業上の利用分野］本発明は、画素にかかる電位差勾配を利用して階調表
示を行う光学変調素子に関する。

［従来の技術］ TFTアクティブマトリクスによるTN液晶を用いた階調
表示では印加される電界に応じて画素全域の透過率を変
化させる方法が採用されている。強誘電性液晶では２つ
の安定配向状態を混在させて階調表示を行う方法が知ら
れている。（特開昭59-193427号）［発明が解決しようとする技術課題］しかしながら、何れの方法も画素の高密度化、大面積
化した場合の安定性や再現性という点で充分ではない。
特に、印加電圧の極性に応じて２つの光学状態をとる素
子に、改良なくして適用することは、難しいものであっ
た。

［課題を解決する為の手段］本発明は、上述した課題を解決するものであり、走査
電極群を有する第１の基板と、所定の間隔をおいて配さ
れた電送ライン群と該電送ライン群の間に設けられ該電
送ラインより高抵抗の導電膜とを含む情報電極群を有す
る第２の基板と、これらの間に配された光学変調物質と
を備えたパネルと、該走査電極群に走査信号を出力する
為の走査電極駆動回路と、該電送ライン群のうち奇数番
目の電送ラインに階調情報に応じた情報信号を出力する
為の第１の情報電極駆動回路と、該電送ライン群のうち
偶数番目の電送ラインに階調情報に応じた情報信号を出
力する為の第２の情報電極駆動回路と、を有し、該奇数
番目の電送ラインと該偶数番目の電送ラインへの異なる
電圧の印加によって画素を構成する該導電膜と該走査電
極との間に電位差勾配が生じるように該パネルを駆動す
る光学変調素子において、該情報信号が該奇数番目の電
送ラインに出力されるときこれに同期して該第２の情報
電極駆動回路から基準電圧が偶数番目の電送ラインに出
力され、該情報信号が偶数番目の電送ラインに出力され
るときこれに同期して該第１の情報電極駆動回路から基
準電圧が奇数番目の電送ラインに出力されるように設定
する為の信号を、該第１及び第２の情報電極駆動回路に
入力することを特徴とする光学変調素子である。

［作用］本発明によれば奇数番目の電送ラインを中心にした画
素と偶数番目の電送ラインを中心とした画素が形成され
るので高密度で高精細で大面積の素子を提供できる。ま
た反転を開始する位置が電界の強い電送ラインを中心に
正確に制御できるので安定性、再現性の良い階調表示が
行える。

〔実施例〕以下、本発明を図面に従って説明する。本発明の駆動
法で用いる光学変調物質としては、加えられる電界に応
じて少なくとも第１の光学的安定状態（例えば明状態を
形成するものとする）と第２の工学的安定状態（例えば
暗状態を形成するものとする）を有する、すなわち電界
に対する少なくとも２つの安定状態を有する物質、特に
このような性質を有する液晶が用いられる。

本発明の駆動法で用いることができる双安定性を有す
る液晶としては、強誘電性を有するカイラルスメクチツ
ク液晶が最も好ましく、そのうちカイラルスメクチツク
Ｃ相（SmC＊）,H相（SmH＊）、Ｉ相（SmI＊）、Ｆ相（S
mF＊）やＧ相（SmG＊）の液晶が適している。この強誘
電性液晶については、“ル・ジユルナール・ド・フイジ
イク・レツトル”（“LE JOURNAL DE PHYSIQUE LETTR
E"）第36巻（L-69）1975年の「フエロエレクトリツク・
リキツド・クリスタルス」（「Ferroelectric Liquid C
rystals」）；“アプライド・フイジツクス・レター
ズ”（Applied Physics Letters"）第36巻，第11号,198
0年の「サブミクロ・セカンド・バイステイブル・エレ
クトロオプテイツク・スイツチング・イン・リキツド・
クリスタルス」（「Submicro Second Bistable Electro
optic Switchng in Liquid Crystels」）；“固体物理1
6（141）1981「液晶」等に記載されており、本発明では
これらに開示された強誘電性液晶を用いることができ
る。

より具体的には、本発明法に用いられる強誘電性液晶
化合物の例としては、デシロキシベンジリデン−Ｐ′−
アミノ−２−メチルブチルシンナメート（DOBAMBC）、
ヘキシルオキシベンジリデン−Ｐ′−アミノ−２−クロ
ロプロピルシンナメート（HOBACPC）および４−ｏ−
（２−メチル）−ブチルレゾルシリデン−４′−オクチ
ルアニリン（MBRA8）等が挙げられる。

これらの材料を用いて、素子を構成する場合、液晶化
合物が、SmC＊、SmH＊、SmI＊、SmF＊、SmG＊となるよ
うな温度状態に保持する為、必要に応じて素子をヒータ
ーが埋め込まれた銅ブロツク等により支持することがで
きる。

第１図は、強誘電性液晶セルの例を模式的に描いたも
のである。11と11′は、In₂O₃,SnO₂やITO（インジウム
−テイン−オキサイド）等の透明電極がコートされた基
板（ガラス板）であり、その間に液晶分子層12がガラス
面に垂直になるよう配向したSmC＊相の液晶が封入され
ている。太線で示した線13が液晶分子を表わしており、
この液晶分子13は、その分子に直交した方向に双極子モ
ーメント（Ｐ⊥）14を有している。基板11と11′上の電
極間に一定の閾値以上の電圧を印加すると、液晶分子13
のらせん構造がほどけ、双極子モーメント（Ｐ⊥）14は
すべて電界方向に向くよう、液晶分子13の配向方向を変
えることができる。液晶分子13は細長い形状を有してお
り、その長軸方向と短軸方向で屈折率異方性を示し、従
って例えばガラス面の上下に互いにクロスニコルの位置
関係に配置した偏光子を置けば、電圧印加極性によって
光学特性が変わる液晶光学変調素子となることは、容易
に理解される。さらに液晶セルの厚さを充分に薄くした
場合（例えば１μ）には、第２図に示すように電界を印
加していない状態でも液晶分子のらせん構造はほどけ
（非らせん構造）、その双極子モーメントＰ又はＰ′は
上向き（24）又は下向き（24′）のどちらかの配向状態
をとる。このようなセルに第２図に示す如く一定の閾値
以上の極性の異る電界Ｅ又はＥ′を付与すると、双極子
モーメント電界Ｅ又はＥ′の電界ベクトルに対応して上
向き24又は下向き24′と向きを変え、それに応じて液晶
分子は第１の安定状態23（明状態）か或は第２の安定状
態23′（暗状態）の何れか一方に配向する。

この様な強誘電性液晶を光学変調素子として用いるこ
との利点は２つある。第１に応答速度が極めて速いこ
と、第２に液晶分子の配向が双安定性を有することであ
る。第２の点を例えば第２図によって説明すると、電界
Ｅを印加すると液晶分子は第１の安定状態23に配向する
が、この状態は電界を切ってもこの第１の安定状態23が
維持され、又、逆向きの電界Ｅ′を印加すると、液晶分
子は第２の安定状態23′に配向してその分子の向きを変
えるが、やはり電界を切ってもこの状態に保ち、それぞ
れの安定状態でメモリー機能を有している。このような
応答速度の速さと、双安定性が有効に実現されるには、
セルとしては出来るだけ薄い方が好ましく、一般的には
0.5μ〜20μ、特に１μ〜５μが適している。この種の
強誘電性液晶を用いたマトリクス電極構造を有する液晶
−電気光学装置は、例えばクラークとラガバルにより、
米国特許第4,367,924号明細書で提案されている。

次に、本発明で用いる液晶光学素子の詳細を第３図を
参照して説明する。

第３図中の31は、一方の基板である。32は表示導電膜
であり31の基板上に積層されている。33は、低抵抗の金
属フイルムからなる電送電極であり、表示導電膜32上に
等間隔に平行に並んで積層されている。又基板31に対し
て図示されていない他方の基板が対向しており該他方の
基板上の図中画素Ａの領域に対応する領域には対向導電
膜（対向電極）34が配置されている。表示用導電膜32と
対向電極34との間には、前述した光学変調物質がサンド
イツチされている。

前記により構成される液晶光学素子では、電送電極33
に印加された信号電圧により表示用導電膜32の面内に電
位勾配を付与することによって対向電極34との間の電界
に電位差勾配を生じさせる。この際、電送電極33aと33c
を基準電位点V_E（例えば０ボルト）に接続し、電送電極
33bに所定の信号電圧Vaを印加すると、第８図（ａ）の
如く電送電極間33aと33bあるいは33bと33cの導電膜32の
面内の長さ方向l₁とl₂にVaの電位勾配を付与することが
できる。この時、強誘電性液晶の反転閾値電圧VthをVa
とした時、対向電極34に−Vbを印加すると、第８図
（ｂ）に示す様に導電膜32の面内の長さ方向m₁とm₂に対
応する強誘電性液晶に反転閾値電圧Vth以上の電位差Va
＋Vbが印加されることになり、かかるm₁とm₂に対応した
領域が例えば明状態から暗状態に反転することができ
る。従って、本発明では画素毎に階調に応じた値でVbを
印加することによって階調性を表現することができる。
この際、対向電極34に印加する電圧信号−Vbを階調情報
に応じてその電圧値（波高値）を変調してもよく、又は
階調情報に応じてそのパルス幅を変調してもよく若しく
はそのパルス数を変調することによって階調性を制御す
ることができる。

又、本発明では前述の階調信号を印加するに先立っ
て、画素を明状態か暗状態のうち何れか一方の状態にす
る消去ステツプを経てから、その状態を反転させる反転
電圧が階調に応じて制御されて強誘電性液晶に印加され
る様にしておくことが必要である。

さらに、本発明の好ましい具体例を挙げて説明する。

第３図においてガラス基板31上にスパツタリング法に
よって約200Åの厚さの透明導電膜であるSnO₂膜を形成
し表示様導電膜32とした。このSnO₂膜のシート抵抗は10
⁵Ω／□であった。次いで、1000Å厚さAlを前述のSnO₂
膜上に真空蒸着し、再びパターニングすることにより第
３図の如く電送電極33を複数本形成した。本例では電送
電極33の間隔を230μとした、この電送電極33のシート
抵抗は約0.4Ω／□であり、その幅を約20μとした。一
方、対向基板には領域Ａをカバーするような、ITO膜を
対向電極34として設けた。この対向電極34となるITO膜
のシート抵抗は約20Ω／□であった。

このようにして作成された２つの基板のそれぞれの表
面に液晶配向膜として約500Åのポリビニルアルコール
層を形成し、ラビング処理を施した。

次に、２つの基板を対向させ、間隙が約１μとなるよ
う調節し、強誘電性液晶（ｐ−η−オクチルオシイ安息
香酸−Ｐ′−（２−メチルブチルオキシ）フエニルエス
テルとｐ−η−ノニルオキシ安息香酸−Ｐ′−（２−メ
チルブチルオキシ）フエニルエステルを主成分とした液
晶組成物）を注入した。表示用導電膜32と対向電極34が
重なる部分画素Ａの形状は、230μ×230μであって、液
晶注入後の静電容量は約3PFであった。但し、画素Ａの
幅はとした。

このようにして形成した液晶セルの両側に、偏光板を
クロスニコルにして配設し、光学特性を観測した。

第４図は電気信号の印加方法を模式的に示したもので
あり、第５図及び第６図は電気信号である。第５図は、
第４図の駆動回路43で発生するシグナル（ａ）の波形
を、第６図（ａ）〜（ｅ）は第４図の駆動回路44で発生
するシグナル（ｂ）の波形を表わしている。

さてシグナル（ａ）として、−12Vの200μsecパルス
を又シグナル（ｂ）として、8Vの200μsecパルスをあら
かじめ同期して与える（これを消去パルスと呼ぶ）消去
ステツプを設ける。すると、液晶は第１の安定状態にス
イツチングされ、画素Ａ全体が明状態となる（このよう
にクロス偏光板を配置した）。この状態より、第６図
（ａ）〜（ｅ）に示されるような種々のパルスをシグナ
ル（ｂ）として電送電極33bに駆動回路43からのパルス
と同期させて印加したときの画素Ａの光学的状態を第７
図に示す。この際、駆動回路44からのパルスは第５図の
パルスと同一のものでよい。

パルス印加電圧−2V（第６図（ａ）に対応）と−5V
（第６図（ｂ）に対応）では全く明状態71からの変化は
生じない（第７図（ａ）に対応）が、パルス印加電圧−
8V（第６図（ｃ）に対応）では電送電極33の近傍の液晶
は暗状態72ヘスイツチングする（第７図（ｂ）に対
応）。さらに、印加電圧を−14V（第６図（ｄ）に対
応）と長くした場合には、暗状態72の領域は図示の如く
広くなり（第７図（ｃ）に対応）、印加電圧20V（第６
図（ｅ）に対応）で画素Ａ全体が暗状態72にスイツチン
グされる（第７図（ｄ）に対応）。このようにして、階
調性のある画像を形成することができる。

尚、第４図中、41は強誘電性液晶、好ましくは双安定
状態下のカイラルスメクチツク液晶、42は対向基板を表
わしている。

又、本発明では前述の例で使用したアルミニウム（A
l）の電送電極33の他に銀、銅，金，クロムなどの金属
を電送電極33として使用することができ、好ましくはそ
のシート抵抗を10²Ω／□以下とすることができる。
又、電位勾配が付与される導電膜32としては10²Ω／□
〜1MΩ／□のシート抵抗をもつ透明導電膜を用いること
ができる。

次に、第９図において本発明による階調表示駆動方式
の具体的な実施例を示す。第９図中の91はFLC（強誘電
性液晶）パネル、92は走査線駆動回路で、S₁,S₂,S₃，…
…はFLCパネル91の走査線である。93は奇数番面の奇数
情報駆動回路であり、奇数番目の情報線I₁,I₃,I₅，……
の一走査線分の画素数のメモリーをもつ。94は偶数番面
の偶数情報駆動回路であり、偶数番目の情報線I₂,I₄,
I₆，……の一走査線分の画素数のメモリーをもつ。また
端子95は、奇数情報駆動回路93と偶数情報駆動回路94の
クロツク端子であり、クロツクの立上りによって奇数情
報駆動回路93と偶数情報駆動回路94のメモリーに画素デ
ータを取込むことが出来る。96は出力レベルを制御する
入力端子で、レベル“1"の時奇数情報駆動回路93又は偶
数情報駆動回路94の駆動回路の全ての出力が基準電位に
保たれ、レベル“0"の時情報信号に応じた出力レベルが
出力される。97は情報入力端子で、情報信号が入力され
る。又、SW1はスイツチである。このスイツチSW1は制御
入力98の制御レベルが“1"の時には97aに接続され、制
御レベルが“0"の時には97bに接続される。

第10図（ａ）に示す情報信号は、情報入力端子97にシ
リアルに入力される。この情報信号のうち、時間ｔで割
振られた１番目（１）,3番目（３）,5番目（５），……
2n＋１（ｎ＝0.1,2,3,……）番目の奇数情報信号は、奇
数情報駆動回路93にメモリーされ、時間ｔで割振られた
２番目（２）,4番目（４），……2n（ｎ＝1,2,3,……）
番目の偶数信号は、偶数情報駆動回路94にメモリーされ
る。この際、制御入力端子98に入力された第10図（ｂ）
のスイツチングパルスのレベルが情報信号における時間
ｔと同一パルス幅の時間ｔで情報信号と同期して“1"と
“0"のレベルを繰返しており、このレベルに応じてSW1
が切換えられる。従って、制御入力端子98のレベルを奇
数番目の情報信号の時に、“1"とし、又偶数番目の情報
信号の時に“0"とすることによって、奇数番目の情報信
号は奇数情報駆動回路93に出力され、偶数番目の情報信
号は偶数情報駆動回路94に出力される。次に、奇数情報
駆動回路93と偶数情報駆動回路94にそれぞれ情報信号が
接続された時に、第９図中のクロツク端子95に入力され
たクロツクは、点95aでは第10図（ｃ）のクロツク
（１）で示され、点95bでは第10図（ｄ）のクロツク
（２）で示され、それぞれのクロツクの立ち上がりのタ
イミングで情報信号がそれぞれ奇数番目と偶数番目に応
じて奇数情報駆動回路93と偶数情報駆動回路94にメモリ
ーされることになる。その結果、第11図に示す様にそれ
ぞれ奇数番目（１、3,5,……）の情報信号が奇数情報駆
動回路93に偶数番目（2,4,6,……）の情報信号が偶数情
報駆動回路94にシリアルにメモリーされる。そして、奇
数情報駆動回路93と偶数情報駆動回路94に一走査線分の
情報信号がメモリーされた後、第９図に示す情報ライン
I₁,I₂,I₃，……の奇数ラインと愚数ラインにそれぞれ奇
数情報と偶数情報が異なった位相で出力される。又、こ
の時、走査線駆動回路92からVaレベルの情報信号と同期
する様に−Vbレベルの走査選択信号が順次走査線S₁,
S₂，……に出力される。従って、走査ライン上の選択さ
れた画素はVa＋Vbの電圧レベルが印加されて、例えば白
の表示状態に相応する強誘電性液晶の第１の安定状態か
ら黒の表示状態に相応する第２の安定状態に反転され
る。この時のタイミングを第12図に示す。この際、走査
ライン上の画素には電位勾配が付与されているので、情
報信号の電圧レベルVaが階調に応じたレベルに設定され
ていれば、第７図に示す様に画素が白の表示状態と黒の
表示状態とを混在した表示状態となって一画素の階調性
を表現することができる。

第12図の走査線S₁,S₂，……に順次走査選択パルス−V
bが時間T₁で印加され、この時間T₁内に第１期間t₁と第
２期間t₂を有している。

第１期間t₁では、出力レベルの制御入力端子96のレベ
ルを“1"とすることで、奇数情報駆動回路93の出力であ
る奇数番目の出力は全て基準電位Vrとなり、偶数情報駆
動回路94の出力である偶数番目の出力は情報信号に応じ
た出力電圧Vaとなる。又、第２期間t₂では、出力レベル
の制御入力端子96のレベルを“0"とすることで、偶数情
報駆動回路94の出力である偶数番目の出力レベルは全て
基準電位Vrとなり、奇数情報駆動回路93の出力である奇
数番目の出力は情報信号に応じた出力電圧Vaが出力され
る。

第13図は、第１期間t₁と第２期間t₂における走査線上
の画素に表われた電位勾配の状態とその時の画素の表示
状態を模式的に表わしている。すなわち第13図に示した
様に第１期間t₁で偶数番目の情報信号に応じた出力Vaが
印加されて、画素中の強誘電性液晶にかかる電圧Va＋Vb
が閾値電圧Vthを越えた領域のみが反転されている（図
中の斜視部）。又、第２期間t₂についても同様に、奇数
番目の情報信号に応じた出力Vaが出力され、液晶にかか
る電圧Va＋Vbが閾値電圧Vthを越えた領域のみが反転さ
れている（図中の斜視部）。従って、第１期間t₁で偶数
番目の階調情報を書き込み、第２期間t₂で奇数番目の情
報を書き込むことによって、一走査線上の画素を階調に
応じて書込むことができ、かかる書込みを走査線毎に行
なうことによって一画面の階調画像を形成することがで
きる。又、前述の第１期間t₁と第２期間t₂に先立って走
査線上の画素を例えば強誘電性液晶の第１の安定状態に
基づく白の表示状態に揃えておくことが必要である。

第14図は、本発明の別の階調表示駆動方式の具体例を
示している。一走査線分の情報信号が第11図に示した様
に奇数情報駆動回路93と偶数情報駆動回路94にメモリー
された後、第14図に示すタイミングで出力レベル制御入
力端子96のレベルを変化させる。この際所定周期、例え
ば１フレーム時間FTを例えばビデオ信号の表示レートで
あるNTSCでのインターレース方式と同様の第１フイール
ドFt₁と第２フイールドFt₂に分割し、第１フイールドFt
₁では出力レベル制御入力端子96のレベルを“1"とする
ことで、偶数番目の情報線I₂,I₄，……に情報信号Vaが
出力され、一画面の内偶数番目の情報線に対応した画素
の書込みが行なわれる。この時、奇数番目の情報線は、
基準電位Vrとなっている。次に、第２フイールドFt₂で
は、出力レベル制御入力端子96のレベルが“0"となり、
従って奇数番目の情報線I₁,I₃，……に情報信号Vaが出
力され、一画面の内奇数番目の情報線に対応した画素の
書込みが行なわれる。この時、偶数番目の情報線は、基
準電位Vrとなっている。又、前述の第１フイールドFt₁
と第２フイールドFt₂時の書込みに先立って、走査線上
の画素を白の状態にクリヤーする必要がある。

本発明の駆動法は、前述した白黒階調表示の他に、カ
ラフイルターを用いることでカラーの階調表示及びカラ
ー二値表示にも適用することができる。又、白黒二値表
示としても可能である。二値表示の場合には、駆動回路
としてフリツプフロツプ型のシフトレジスタ等が用いら
れ、階調表示の場合には第15図に示す様なサンプルアン
ドホールド型のアナログメモリを使用することができ
る。

以上説明した様に、本発明は、情報電極側に少なくと
も２回の書込み操作を行うことにより、画素内に電位勾
配を付与した階調表示方式を可能とした。

第15図は、アナログ型メモリーを用いた情報側駆動回
路、例えば奇数情報駆動回路93の具体例を表わしてい
る。又、偶数情報駆動回路94についても同様の回路を用
いることができる。この駆動回路には情報ライン毎にス
イツチング回路151と、サンプルホールト用コンデンサ1
52とバツフア回路153が配線されている。又、スイツチ
ング回路151としては、電界効果型トランジスタを用い
たゲート回路を用いることが好ましい。

又、本発明では前述の強誘電性液晶の他にツイステツ
ドネマチツク液晶、ゲストホスト液晶などを用いること
ができるが、最も好ましくは強誘電性液晶、特に少なく
とも２つの安定状態をもつ強誘電性液晶が適している。

〔発明の効果〕

本発明によれば、表示パネルへの高速書込みが可能で
ある上、入力信号として電圧値、あるいはパルス幅ある
いはパルス数等によって変調された階調信号を印加する
ことにより、階調表示を行なうことができる。

【図面の簡単な説明】

第１図及び第２図は、本発明で用いる強誘電性液晶素子
を模式的に示す斜視図である。第３図は本発明で用いる
一方の基板を表わす斜視図である。第４図は、本発明で
用いる液晶光学素子の断面図である。第５図及び第６図
（ａ）〜（ｅ）は、本発明で用いるパルス波形を表わす
説明図である。第７図（ａ）〜（ｄ）は、画素の階調性
を表わす模式図である。第８図（ａ）及び第８図（ｂ）
は、本発明で用いる電位勾配を模式的に表わす説明図で
ある。第９図は、本発明の駆動法を用いた駆動回路図で
ある。第10図（ａ）〜（ｄ）は、情報信号を入力する時
のタイミングチヤート図である。第11図は入力された情
報信号がメモリーされた時の状態を表わす説明図であ
る。第12図は、情報信号を出力する時のタイミングチヤ
ート図である。第13図は、一走査線ライン上の画素に表
われた電位勾配レベルとその時の表示状態を表わす説明
図である。第14図は、情報信号を出力する時の別のタイ
ミングチヤート図である。第15図は、アナログ型メモリ
ーを用いた情報側駆動回路図である。

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】走査電極群を有する第１の基板と、所定の
間隔をおいて配された電送ライン群と該電送ライン群の
間に設けられ該電送ラインより高抵抗の導電膜とを含む
情報電極群を有する第２の基板と、これらの間に配され
た光学変調物質とを備えたパネルと、該走査電極群に走査信号を出力する為の走査電極駆動回
路と、該電送ライン群のうち奇数番目の電送ラインに階調情報
に応じた情報信号を出力する為の第１の情報電極駆動回
路と、該電送ライン群のうち偶数番目の電送ラインに階調情報
に応じた情報信号を出力する為の第２の情報電極駆動回
路と、を有し、該奇数番目の電送ラインと該偶数番目の電送ラインへの
異なる電圧の印加によって画素を構成する該導電膜と該
走査電極との間に電位差勾配が生じるように該パネルを
駆動する光学変調素子において、該情報信号が該奇数番目の電送ラインに出力されるとき
これに同期して該第２の情報電極駆動回路から基準電圧
が偶数番目の電送ラインに出力され、該情報信号が偶数
番目の電送ラインに出力されるときこれに同期して該第
１の情報電極駆動回路から基準電圧が奇数番目の電送ラ
インに出力されるように設定する為の信号を、該第１及
び第２の情報電極駆動回路に入力することを特徴とする
光学変調素子。
【請求項２】該光学変調物質がカイラルスメクティック
液晶であることを特徴とする特許請求の範囲第１項に記
載の光学変調素子。
【請求項３】該光学変調物質が強誘電性液晶であること
を特徴とする特許請求の範囲第１項に記載の光学変調素
子。