JPS6361233A - 光学変調素子の駆動法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、光学変調素子の駆動法に関し、特に少なくと
も２つの安定状態をもつ強誘電性液晶素子の駆動法に関
する。

〔従来技術の説明〕

従来より、走査電極群と信号電極群をマトリクス状に構
成し、その電極間に液晶化合物を充填し多数の画素を形
成して、画像或いは情報の表示を行う液晶表示素子はよ
（知られている。この表示素子の駆動法としては、走査
電極群に順次周期的にアドレス信号を選択印加し、信号
電極群には所定の情報信号をアドレス信号と同期させて
並列的に選択印加する時分割駆動が採用されている。

これらの実用に供されたのは、殆どが、例えば“アプラ
イド・フイジクス・レターズ（“、Ａ　ｐ　ｐ　Ｉ　ｉ
　ｅ　ｄＰｈｙｓｉｃｓ　　Ｌｅｔｔｅｒｓ″）　１９
７１年、１８　（４）号１２７〜１２８頁に記載のＭ、
シャット（Ｍ、５ｃｈａｄｔ）及びＷ、ヘルフリヒ（Ｗ
　、　Ｈｅ　Ｉ　ｆ　ｒ　ｉ　ｃ　ｈ　）共著になる“
ボルテージ・ディペンダント・オプティカル・アクティ
ビティ−・オブ・ア・ツィステッド・ネマチック・リキ
ッド・クリスタル”（“ＶｏｌｔａｇｅＤｅｐｅｎｄｅ
ｎｔ　　０ｐｔｉｃａｌ　　Ａｃｔｉｖｉｔｙ　　ｏｆ
　　ａＴｗｉｓｔｅｄ　　Ｎｅｍａｔｉｃ　　Ｌｉｑｕ
ｉｄ　Ｃｒｙｓｔａビ）に示されたＴＮ　（ｔｗｉｓｔ
ｅｄ　　ｎｅｍａｔｉｃ）型液晶であった。

近年は、在来の液晶素子の改善型として、双安定性を有
する液晶素子の使用がクラーク（Ｃ１ａｒｋ）及びラガ
ーウオール（Ｌａｇｅｒｗａｌｌ）の両者により特開昭
５６−１０７２１６号公報、米国特許第４３６７９２４
号明細書等で提案されている。双安定性液晶としては、
一般に、カイラルスメクチックＣ相（ＳｍＣ＊）又はＨ
相（ＳｍＨ＊）を有する強誘電性液晶が用いられ、これ
らの状態において、印加された電界に応答して第１の光
学的安定状態と第２の光学的安定状態とのいずれかをと
り、かつ電界が印加されないときはその状態を維持する
性質、即ち安定性を有し、また電界の変化に対する応答
がすみやかで、高速かつ記憶型の表示装置等の分野にお
ける広い利用が期待されている。

〔発明が解決しようとする問題点〕

しかしながら、表示画素数が極めて多く、１ノかも高速
駆動が求められるときには、問題を生じる。

すなわち、所定の電圧印加時間に対して双安定性を有す
る強誘電性液晶セルで第１の安定状態を与えるための閾
値電圧を−ＶｔＪとし、第２の安定状態を与えるための
閾値電圧を＋ｖｔｈ２とすると、これらの閾値電圧を越
えな（とも、長時間に亘り、電圧が印加され続ける場合
に、画素に書込まれた表示状態（例えば、白状態）が別
の表示状態（例えば黒状態）に反転することがある。第
５図は双安定性強誘電性液晶セルの閾値特性を表わして
いる。

第５図は、強誘電性液晶としてＤＯＢＡＭＢＣ（図中の
５２）とＨＯＢＡＣＰＣ（図中の５１）を用いた時のス
イッチングに要する閾値電圧（Ｖ＋ｈ）の印加時間依存
性をプロットしたものである。

第５図より明らかな如く、閾値Ｖｒｈは印加時間依存性
を持っており、さらに印加時間が短い程、急勾配になっ
ていることが理解される。このことから、走査線が極め
て多く、しかも高速に駆動する素子に適用した場合には
、例えばある画素に走査時において明状態にスイッチさ
れていても、次の走査以降常にＶｌｈ以下の情報信号が
印加され続ける場合、一画面の走査が終了する途中でそ
の画素が暗状態に反転してしまう危険性をもっているこ
とが判る。または、長時間にわたり駆動される場合、全
体としてＤＣ成分が大きくのると上記と同様の問題が起
こりうる。

本発明の目的は、前述したような従来の光学変調素子、
特に液晶表示素子或いは液晶光シャッターにおける問題
点を解決した新規な光学変調素子の駆動法を提供するこ
とにある。

本発明の別の目的は、階調表現に適した光学変調素子の
駆動法を提供することにある。

〔問題点を解決するための手段〕及び〔作用〕すなわち
、本発明は、交差した走査電極群と信号電極群との間に
電界に対して第１と第２の安定状態を生じる光学変調物
質を有し、走査電極と信号電極との交差部で画素を形成
した光学変調素子の駆動法において、前記走査電極群の
うちの全部若しくは所定数又は選択された走査電極上の
画素に、前記光学変調物質の第１の安定状態に基づく第
１の表示状態を生じさせる第１電圧を印加する第１ステ
ップと、走査電極を順次選択し、選択された走査電極上
の画素に、前記光学変調物質の第２の安定状態に基づく
第２の表示状態を生じさせる第２電圧及び第１の表示状
態を保持する第３電圧とを選択的に印加する第２ステッ
プとを有し、前記第１電圧及び第２電圧との電圧平均値
と前記第１電圧及び第３電圧との電圧平均値とを等しく
した光学変調素子の駆動法に特徴を有している。

〔実施例〕

本発明の駆動法で用いる光学変調物質としては、少な（
とも２つの安定状態をもつもの、特に加えられる電界に
応じて第１の光学的安定状態と第２の光学的安定状態と
のいずれかを取る、すなわち電界に対する双安定状態を
有する物質、特にこのような性質を有する液晶、が用い
られる。

本発明の駆動法で用いる事ができる双安定性を有する液
晶としては、強誘電性を有するカイラルスメクチック液
晶が最も好ましく、そのうちカイラルスメクチックＣ相
（ＳｍＣ＊）また、Ｈ相（ＳｍＨ＊）の液晶が適してい
る。この強誘電性液晶については、“ル・ジュルナール
・ド・フィシツク・ルーチル″（Ｌｅ　　Ｊｏｕｒｎａ
ｌ　　ｄｅ　　Ｐｈｙｓｉｏｃｅｌｅｔｔｅｒ”）３６
巻（Ｌ−６９）、１９７５年の「フェロエレクトリック
・リキッド・クリスタルス」（ｒ　Ｆｅｒｒｏｅｌｅｃ
ｔｒｉｃ　　Ｌｉｑｕｉｄ　　Ｃｒｙｓｔａｌｓ　ｊ）
　；“アプライド・フィジックス・レタース”（“Ａｐ
ｐｌｉｅｄＰｈｙｓｉｃｓ　Ｌｅｔｔｅｒｓ”　）　３
６巻（１１号）　１９８０年の［サブミクロン・セカン
ド・バイスティプル・エレクトロオプティック・スイッ
チング・イン・リキッド・クリスタルＪ　（ｒｓｕｂｍ
ｉｃｒｏ　　５ｅｃｏｎｄＢｉｓｔａｂｌｅ　　Ｅｌｅ
ｃｔｒｏｏｐｔｉｃ　　Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ　　１ｎＬ
ｉｑｕｉｄ　　Ｃｒｙｓｔａｌｓｊ）　；“固体物理１
６　（１４１）１９８１　ｒ液晶」等に記載されており
、本発明ではこれらに開示された強誘電性液晶を用いる
ことができる。

より具体的には、本発明法に用いられる強誘電性液晶化
合物の例としては、デシロキンベンシリデンーＰ′−ア
ミノ−２−メチルブチルソンナメート（ＤＯＢＡＭＢＣ
）、ヘキシルオキンベンンリデンーＰ′−アミノ−２−
クロロプロピルシンナメート（ＨＯＢＡＣＰＣ）および
４−ｏ−（２−メチル）−ブチルレゾルシリテン−４′
−オクチルアニリン（ＭＢＲＡ８）等が挙げられる。

これらの材料を用いて、素子を構成する場合、液晶化合
物が、ＳｍＣ＊相又はＳｍＨ宰相となるような温度状態
に保持する為、必要に応じて素子をヒーターが埋め込ま
れた銅ブロック等により支持することができる。

又、本発明では前述のＳｍＣ＊、ＳｍＨ＊の他にカイラ
ルスメクチックＦ相、■相、Ｊ相、Ｇ相やに相で現われ
る強誘電性液晶を用いることも可能である。

第６図は、強誘電性液晶セルの例を模式的に描いたもの
である。２１ａと２１ｂは、Ｉｎ２Ｏ３，５ｎ０２やＩ
ＴＯ（インジウム−ティン−オキサイド）等の透明電極
がコートされた基板（ガラス板）であり、その間に液晶
分子層２２がガラス面に垂直になるよう配向したＳｍＣ
＊相の液晶が封入されている。太線で示した線２３が液
晶分子を表わしており、この液晶分子２３は、その分子
に直交した方向に双極子モーメント（Ｐ土）】４を有し
ている。基板２１ａと２１ｂ上の電極間に一定の閾値以
上の電圧を印加すると、液晶分子２３のらせん構造がほ
どけ、双極子モーメント（Ｐ上）２４はすべて電界方向
に向くよう、液晶分子２３の配向方向を変えることがで
きる。

液晶分子２３は細長い形状を有しており、その長袖方向
と短軸方向で屈折率異方性を示し、従って例えばガラス
面の上下に互いにクロスニコルの位置関係に配置した偏
光子を置けば、電圧印加極性によって光学特性が変わる
液晶光学変調素子となることは、容易に理解される。さ
らに液晶セルの厚さを充分に、専＜シた場合（例えば１
μ）には、第７図に示すように電界を印加していない状
態でも液晶分子のらせん構造はほどけ、その双極子モー
メントＰａまたはｐｂは上向き（３−４ａ　）または下
向き（３４ｂ）のどちらかの状態をとる。このようなセ
ルに第７図に示す如く一定の閾値以上の極性の異なる電
界ＥａまたはＥｂを所定時間付与すると、双極子モーメ
ントは電界Ｅａ、またはＥｂの電界ベクトルに対して上
向き３４ａまたは、下向き３４ｂと向きを変え、それに
応じて液晶分子は第１の安定状態３３ａかあるいは第２
の安定状態３３　ｂの何れが一方に配向する。

このような強誘電性液晶を光学変調素子として用いるこ
との利点は２つある。第１に、応答速度が極めて速いこ
と、第２に液晶分子の配向が双安定状態を有することで
ある。第２の点を例えば第７図によって説明すると、電
界Ｅａを印加すると液晶分子は第１の安定状態３３ａに
配向するが、この状態は電界を切っても安定である。又
、逆向きの電界Ｅｂを印加すると、液晶分子は第２の安
定状態３３ｂに配向して、その分子の向きを変えるが、
やはり電界を切ってもこの状態に留っている。又、与え
る電界Ｅａが一定の閾礒を越えない限り、それぞれの配
向状態にやはり維持されている。このような応答速度の
速さと、双安定性が有効に実現されるには、セルとして
は出来るだけ薄い方が好ましく、−般的には０．５μ〜
２０μ、特に１μ〜５μが適している。

本発明の駆動法の好ましい具体例を以下の図により示す
。

第４図は、走査電極群４２と信号電極群４３の間に双安
定性強誘電性液晶が挟まれたマトリクス画素構造を有す
る代表的な強誘電性液晶セル４１の模式図である。本発
明は、多値またはアナログの階調表示に適用できるもの
であるが、説明を簡略化するために白、および１つの中
間レベル（灰）、および黒の３値を表示する場合を例に
とって示す。第４図に於いて、クロスハツチングで示さ
れる画素Ａが「黒」に、片ハツチングで示される画素Ｂ
が中間レベル、その他の画素Ｃが「白」に対応するもの
とする。

第１図は、１ライン毎に画像消去ステップと書き込みス
テップを用いた場合の具体的駆動波形の１例を示し、書
き込み後の画像は第４図に対応する。

第５図（ａ）に各走査電極ＳＳ、ＳＮＳおよび各信号電
極Ｔ　ｓ　、　　Ｉ　ＨＳ　、　　ｒ　ＮＳに印加する
電圧波形およびそれぞれの走査電極と信号電極に挾持さ
れる画素液晶に印加される電圧を示す。ここで横軸は時
間、縦軸は電位（電圧）を示す。

ここでＳｓは画情報を書きこむライン、すなわち選択さ
れた走査電極に印加される駆動波形、ＳＮＳはそのとき
画像情報を書き込まないライン、すなわち非選択の走査
電極に印加される駆動波形である。

またＩｓは前記選択されたラインとの交差部との間に「
黒」を書き込むための駆動波形で、ＩＮＳは中間レベル
を、またＩＮＳは「白」を書き込むための駆動波形を示
す。

このとき画素を形成する液晶にそれぞれ印加される電圧
はｌ５−５ｓ、　ＩＮＳ−３ｓ、　ｌＮ５−３ｓ、　ｌ
５−５ＮＳ。

Ｉ　ＨＳ　−Ｓ　ＮＳとＩ　ＮＳ　−Ｓ　！ＪＳで示さ
れる様になる。

ここで、用いた双安定性強誘電液晶の反転閾値をＶｌｈ
とした時１±２Ｖｏｌ＜１Ｖｔｈｌ＜１±３Ｖｏ＋とな
るように駆動電圧Ｖ。を選ぶ。ここで、通常、液晶セル
に適用した配向処理のちがい等によりＶｌｈがＯ側とθ
側で若干違いがある場合があるが、この場合は、各駆動
波形のＯ側とｅ側の駆動電位を若干補正する等の対応を
するものとし、ここでは説明の便宜上ｌ　＋Ｖ＋ｈ　ｌ
　＝　ｌ　−Ｖｔｈ　ｌとしておく。

上記の様にした場合、各画素に印加される電圧が、その
絶対値カ月例として２ｖｏ以下の場合は液晶分子反転は
起こらず、また、３■ｏ以上の場合は反転が起こり、そ
の絶対値が大きくなるにつれ、反転が強（起こる様にな
る。

ここで各波形について説明する。

選択された走査電極に印加される走査選択信号Ｓｓは、
ｌライン書き込みを４つの位相に分割して、その第３番
目の位相で走査ライン上の画素を一方の表示状態（白）
とすることによって、前の書込み表示状態を消去し、第
４番目の位相で信号電極に印加される信号に応じた画素
書き込みを行なうために、それぞれ第３番目の位相にｅ
２■ｏ、第４番目の位相に■２ｖｏの電圧波形が走査電
極に印加されている。また第１番目の位相と第２番目の
位相においてはほぼ零（基準電位）に保たれている。こ
の基準電位は非選択走査時の走査電極に印加される電圧
レベルと同一レベルとする。

一方、選択されない走査電極ＳＮｓは、基準電位（ここ
ではＯｖ）に固定される。

次に、信号電極に印加される電位波形は、前記走査選択
信号と同期してその第３番目の位相において消去信号■
２Ｖｏが印加され、この位相で選択された走査電極上の
画素には４■ｏの電圧が印加されることになり、液晶の
反転閾値ＯＶ＋ｈを越えるため、このラインすべてを消
去側（白）に反転させる。次に第４番目の位相において
は、走査選択信号Ｓｓと階調に応じた情報信号ＩＨ５、
選択情報信号Ｉｓ又は非選択情報信号が印加される。こ
の時画素を「黒」にする電位として１９２Ｖｏ、中間レ
ベル（灰）にする電位としてＯｖｏ、「白」のまま保持
する電位として零（基準電位）とする。この様にすると
、第４番目の位相において、このラインの画素に印加さ
れる電圧はそれぞれＣ）　４Ｖｏ、ｅ３Ｖｏ、θ２Ｖ、
となり、それぞれ「黒」、中間レベル、「白Ｊをそれぞ
れ画素に書き込むことになる。

次に、補助的に印加する第１番目の位相、および第２番
目の位相について説明する。まず第２番目の位相におい
ては、書き込み信号にかかわらず全画素に印加される電
圧をＶｔｈ以下である０２ｖｏとした。また第１番目の
位相としては第４番目の位相における画素書き込み信号
に応じた電圧信号が印加される。この電圧は第４番目の
位相における信号電極に印加される電圧と逆極性か零（
基準電位）であり、かつ、第４番目の位相の電位とその
絶対値がほぼ等しいものが好ましい。すなわち第４番目
の位相で画素に印加される電圧０２ｖ０、Ｏｖｏ１零に
対し、それぞれ零、■ＶＯｓ■２ｖｏを印加する。

このようにする事で第１番目の位相において選択された
走査電極上の画素に印加される電圧は、２Ｖｏ。

ｖｏ１零となる。すなわちここで印加される電圧はすべ
て閾値電圧Ｖ＋ｈ以下であり、しかも画素を白にする方
向の電圧（第４番目の位相で印加される電圧と逆極性）
であるため、ここで画素が「黒」方向に反転することは
なく、第３番目の位相において一様に走査ライン上の画
素を白にする電圧が印加される前に画像にちらつきを与
えないものである。

第２番目の位相においては、選択された走査電極上の画
素に印加される電圧は閾値以下であり一定（２ＶＯ）で
ある。

さらに第１図（ａ）において、選択されない走査電極Ｓ
ＮＳと各信号電極１　ｓ　、Ｔ　ＨＳ　、　　Ｉ　ＮＳ
との間に印加される電圧は図示の通りとなる。

以上第１図（ａ）で示した駆動波形が順次走査電極部４
２および信号電極部４３に印加された場合の様子を第１
図（ｂ）に示す。画素に印加される電圧の代表例として
はＩＩ　　ＳＩ＋１２　　ｓ２とＳ、−Ｓ３を挙げた。

第１図（ｂ）に示した波形により１フレームで第４図示
例の画像が書き込まれるものである。

さて、双安定性を有する状態での強誘電液晶の電界によ
るスイッチングのメカニズムは微視的には必ずしも明ら
かではないが、一般に所定の安定状態に所定時間の強い
電界でスイッチングした後、全く電界が印加されない状
態に放置する場合には、はぼ半永久的にその状態を保つ
ことは可能であるが、所定時間ではスイッチングしない
ような弱い電界（先に説明した例で言えば、Ｖｌｈ以下
の電圧に対応）であっても、逆極性の電界が長時間に渉
って印加される場合には、逆の安定状態へ再び配向状態
が反転していまい、その結果圧しい情報の表示や変調が
達成できない現象が生じ得る。当発明者等は、このよう
な弱電界の長時間印加による、配向状態の罎移反転現象
（一種のクロストーク）の生じ易さが基板表面の材質、
粗さや液晶材料等によって影響を受ける事は認識したが
、定量的には未だ把みきっていない。ただ、ラビングや
ＳｉＯ等の斜方蒸着等液晶分子の配向のための一軸性基
板処理を行うと、上記反転現象の生じ易さが増す傾向に
あることは確認した。特に、高い温度の時に低い温度の
場合に較べて、その傾向が強く現われることも確認した
。

いずれにしても、正しい情報の表示や変調を達成するた
めに一定方向の電界が長時間に渉って印加されることは
、避けるのが好ましい。

本発明においてはさらに同極性の電圧が２位相以上続い
て印加されない様にしたことで上記問題を解決した。

すなわち第１図において、各位相における電圧の選択の
範囲は、はぼ零を含む同極性の範囲内とし、しかも連続
した位相においては必ず逆極性側へ選択する様にしたた
め、互いに隣り合った同極性の電圧の間には必ずほぼ零
か逆極性の電圧が存在するため画素に連続して同極性の
電圧が印加されない。しかもそれぞれの電圧の総和がほ
ぼ零となる様に駆動波形を構成出来るため、前記のクロ
ストークの問題が解決された。

さらに本発明においては前記第１番目の位相で与える補
助信号は特に画素の状態を決定する第４番目の位相の電
圧とほぼ波高値が等しい逆極性の電圧としたため、たと
えば第４番目の位相に与える画素書き込みのためのレベ
ル信号を単純にアナログあるいはデジタル的なインバー
タ等で反転して与えるのみで良いので、駆動のための電
気回路も単純に構成することが出来、また複雑な演算回
路などを特に必要としない。

前述迄の説明においては３値の画像について説明したが
、第１図において信号電極に印加される駆動波形のうち
、第４番目の位相における電圧をたとえばｅ２Ｖｏから
零まで、またこれに対応して第１番目の位相における補
助信号の電位を■２ｖｏから零まで多値に分割しである
いはアナログ的に値を選択して与えることにより、多階
調あるいはアナログ階調の画像が得られる。

第２図（ａ）は表示画面全面、あるいはブロック内にお
いて全面消去を行なった後、順次ｌラインずつ画像を書
き込む１例を示す。

第２図において、Ｓｅｔ、は全面消去時において、全面
あるいは、ブロック全面（所定数の走査電極に対応する
ブロック）における画素をすべて「白」に揃えるために
走査電極群に印加される信号、ＩＣＬは、信号電極群に
印加される信号であり、このとき走査電極群と信号電極
群の画素に印加される電圧はＩ　ＣＬ　−Ｓ　ＣＬとな
る。ここで用いる双安定性強誘電液晶の反転閾値は前記
第１図例と同様とする。これにより、全面消去時に画素
に印加される第１番目の位相の電圧が４ｖｏとなること
により、全画素が一様に「白」に揃えられる。こののち
第２番目の位相でｅ２ｖｏが印加されるがこれは閾値電
圧Ｖｌｈ以下でありここで画素の変化はない。

次に１ライン毎に順次画像情報を与えていくわけである
が、選択されるラインの走査電極には第１番目の位相で
零（基準電位）、第２番目の位相に＋２Ｖｏの駆動波形
を与える。また、選択されない走査電極は第１番目の位
相、第２番目の位相ともに零（基準電位）に保つ。おの
おのの信号電極にはその第２番目の位相に画素状態を決
める信号、また第１番目の位相にこれとは逆極性（第２
番目の位相が零（基準電位）のときには、零（基準電位
））で第２番目の位相とほぼ絶対値の等しい電位を印加
する。具体的には「黒」を書き込むための信号ｌ　Ｓと
して第２番目の位相に一２ｖｏ１第１呑目の位相に＋２
Ｖｏ１中間レベルＩ　ＨＳとして、第２番目の位相に−
Ｖ。、第１番目の位相に＋ｖｏ１「白」のまま保持する
信号ＩＮＳとして第２番目の位相、第１番目の位相とも
にほぼ零（基準電位）の駆動波形を与える。この様にす
ると、各画素には信号電極に印加される信号により、そ
れぞれｌ５−５ｓ、　　ＩＨＳ−５ｓ。

ｌＮ５−３ｓで図示される電圧が印加され、それぞれ「
黒」を書きこむ電圧−４Ｖｏ、中間レベルとなる一３Ｖ
ｏ、「白」を保持する電圧−２ｖｏが第２番目の位相で
印加され、それぞれ画素の状態が決定される。一方、第
１番目の位相において与えられる電圧は第２番目の位相
と逆極かほぼ零であり、「黒」側に反転させない。さら
に選択されていない走査電極と対応する画素には、それ
ぞれＩ　ｓ　、　Ｉ　ＨＳ　、　　Ｉ　Ｎｓと極性を逆
にした電圧波形がＩ　ｓ　−Ｓ　ＮＳ　、　Ｉ　ＨＳ　
−Ｓ　ＮＳ　。

Ｉ　ＮＳ　−Ｓ　ＮＳとして印加され、書き込まれた状
態を保持するのみである。

ここにおいても各位相における電圧の選択の範囲はほぼ
零を含む同極性の範囲内とし、しかも連続した位相にお
いては必ず逆極性側へ選択する様にしたため、互いに隣
り合った同極性の電圧の間には必ずほぼ零か逆極性の電
圧が存在するため画素に連続して同極性の電圧が印加さ
れない。

また第２図に示した波形においては全面消去時における
電圧の総和と書き込み時における電圧の総和がほぼ零で
あり、しかも、非選択時における電圧の総和はほぼ零と
なるように構成したため長時間にわたって素子が駆動さ
れた時にＤＣ成分は全（のらず、このＤＣ成分による弊
害は全く排除される。

また本例においても前記と同様にして、信号電極に印加
する信号の絶対値をアナログ的に、または多値で変える
ことにより、階調表現を良好に行なうことが出来る。

第３図は更なる変形であり、第２図における消去のため
の電圧を各ライン毎に行なったものであり、前述までと
同様ちらつきがな（、クロストークのない良好な画像を
与える。

以上、記述した本発明によれば、高密度の画素を有する
マトリクス光学変調素子においても、安定して階調表現
をも行なうことが出来るものである。

〔発明の効果〕

本発明によれば、クロストークを防止することができる
上、良好な階調表示画像を形成することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図（ａ）及び（ｂ）、第２図（ａ）及び（ｂ）並び
に第３図（ａ）及び（ｂ）は、本発明の具体的な駆動例
を示す駆動波形図である。第４図は、本発明の方法で用
いたマトリクス電極構造の平面図である。第５図は、閾
値電圧の電圧印加時間依存性を表わす特性図である。第
６図及び第７図は、本発明の方法で用いた強誘電性液晶
素子の模式的斜視図である。

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）交差した走査電極群と信号電極群との間に電界に
   対して第１と第２の安定状態を生じる光学変調物質を有
   し、走査電極と信号電極との交差部で画素を形成した光
   学変調素子の駆動法において、前記走査電極群のうちの
   全部若しくは所定数または選択された走査電極上の画素
   に、前記光学変調物質の第１の安定状態に基づく第１の
   表示状態を生じさせる第１電圧を印加する第１ステップ
   と、走査電極を順次選択し、選択された走査電極上の画
   素に、前記光学変調物質の第２の安定状態に基づく第２
   の表示状態を生じさせる第２電圧および第１の表示状態
   を保持する第３電圧とを選択的に印加する第２ステップ
   とを有し、前記第１電圧および第２電圧との電圧平均値
   と前記第１電圧及び第３電圧との電圧平均値とが等しい
   ことを特徴とする光学変調素子の駆動法。
2. （２）交差した走査電極群と信号電極群との間に電界に
   対して第１と第２の安定状態を生じる光学変調物質を有
   し、走査電極と信号電極との交差部で画素を形成した光
   学変調素子の駆動法において、選択された走査電極上の
   選択された画素に印加される電圧が複数の位相を有し、
   該複数の位相のうち画素の表示状態を決定づける位相で
   の電圧と補助電圧印加位相での電圧とが互いに逆極性の
   電圧となっているとともに、選択された走査電極上の選
   択されていない画素に印加される電圧印加位相のうち補
   助電圧印加位相での電圧が選択されていない走査電極に
   印加する電圧と同一の電圧となっていることを特徴とす
   る光学変調素子の駆動法。