JP2614220B2 - ディスプレイ装置 - Google Patents

ディスプレイ装置

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JP2614220B2
JP2614220B2 JP62028441A JP2844187A JP2614220B2 JP 2614220 B2 JP2614220 B2 JP 2614220B2 JP 62028441 A JP62028441 A JP 62028441A JP 2844187 A JP2844187 A JP 2844187A JP 2614220 B2 JP2614220 B2 JP 2614220B2
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【発明の詳細な説明】 〔発明の分野〕 本発明は、表示装置または光シヤツタアレイ等に適用
する光学変調素子に関し、特に階調表現に適した光学変
調素子に関する。
〔従来技術〕
従来より、走査電極群と信号電極群をマトリクス状に
構成し、その電極間に液晶化合物を充填し多数の画素を
形成して、画像或いは情報の表示を行う液晶表示素子あ
るいは液晶光シヤツタアレイはよく知られている。この
表示素子の駆動法としては、走査電極群に順次周期的に
アドレス信号を選択印加し、信号電極群には所定の情報
信号をアドレス信号と同期させて並列的に選択印加する
時分割駆動が採用されている。
これらの実用に供されたのは殆どが、例えば“アプラ
イド・フイジスク・レターズ“(“Applied Physics Le
tters")1971年,18(4)号127〜128頁に記載のM.シヤ
ツト(M.Schadt)及びW.ヘルフリツヒ(W.Helfrich)共
著になる“ボルテージ・デイペンダント・オプテイカル
・アクテビテイー・オブ・ア・ツイステツド・ネマチツ
ク・リキツド・クリスタル”(“Voltage Dependent Op
tical Activity of a Twisted Nematic Liquid Crysta
l")に示されたTN液晶であった。
この様なTN液晶により、従来のアクテイブマトリクス
駆動方式を用いた液晶テレビジヨンパネルでは、薄膜ト
ランジスタ(TFT)を画素毎にマトリクス配置し、TFTに
ゲートオンパルスを印加してソースとドレイン間を導通
状態とし、このとき映像画像信号がソースから印加さ
れ、キヤパシタに蓄積され、この蓄積された画像信号に
対応して液晶が駆動し、同時に映像信号の電圧を変調す
ることによって階調表示が行われている。
〔発明が解決しようとする問題点〕
しかし、この様なTN液晶を用いたアクテイブマトリク
ス駆動方式のテレビジヨンパネルでは、使用するTFTが
複雑な構造を有しているため、構造工程数が多く、高い
製品コストがネツクとなっているうえに、TFTを構成し
ている薄膜半導体(例えば、ポリシリコン,アモルフア
スシリコン)を広い面積に亘って被膜形成することが難
しいなどの問題点がある。
一方、低い製造コストで製造できるものとしてTN液晶
を用いたパツシブマトリクス駆動方式の表示パネルが知
られているが、この表示パネルでは走査線(N)が増大
するに従って、1画面(1フレーム)を走査する間に1
つの選択点に有効な電界が印加されている時間(デユー
テイー比)が1/Nの割合で減少し、このためクロストー
クが発生し、しかも高コントラストの画像とならないな
どの欠点を有している上、デユーテイー比が低くなると
各画素の階調を電圧変調により制御することが難しくな
るなど欠点があった。
近年は、在来の液晶素子の改善型として双安定性を有
する液晶素子の使用が、クラーク(Clark)およびラガ
ーウオール(Lagerwall)の両者により特開昭56−10721
6号公報、米国特許第4367924号明細書等で提案されてい
る。双安定性液晶としては、一般にカイラルスメクチツ
クC相(SmC*)又はH相(SmH*)を有する強誘電性液
晶が用いられ、これらの状態において、印加された電界
に応答して第1の光学的安定状態と第2の光学的安定状
態とのいずれかをとり、かつ電界が印加されないときは
その状態を維持する性質、即ち双安定性を有し、また電
界の変化に対する応答がすみやかで、高速かつ記憶型の
表示装置等の分野における広い利用が期待されている。
しかしながら、上記強誘電性液晶素子は、一般に印加
電圧に対する双安定状態間の光透過(または反射)状態
変化が急峻であり、電圧変調またはパルス巾変調による
階調性の付与が難しかった。
従って、本発明の目的は、前述の欠点を解消したもの
で、詳しくは広い面積に亘って高密度画素をもつ表示パ
ネルあるいは光シヤツタアレイとしての駆動法、とくに
階調表現に適した光学変調素子を提供することにある。
〔問題点を解決するための手段〕
本発明は、第1の電極群が設けられた第1の基板と該
第1の電極群と交差する第2の電極群が設けられた第2
の基板との間に配されたスメクチック液晶を有する液晶
表示セルと、階調表示を行う為の信号を該液晶表示セル
に供給する為の手段と、を具備するディスプレイ装置に
おいて、該第1の電極は、抵抗層と、該抵抗層に所定の
間隔を置いて接続され該抵抗層より低抵抗の複数の電送
電極と、を備え、該手段は、該複数の電送電極間の該抵
抗層に電位勾配を形成する様に、互いに異なる電圧を該
複数の電送電極に供給する駆動回路を備え、該スメクチ
ック液晶は、その分子層法線が該電送電極の長手方向と
直交するように配向しており、階調情報に応じて、一方
の該電送電極から他方の該電送電極側に向かって広がれ
該スメクチック液晶の反転領域の面積を定めることによ
り階調表示を行うことを特徴とするディスプレイ装置で
ある。本発明によれば、スメクチック液晶分子は、同じ
スメクチック分子層内では反転しきい値が比較的均一で
あるが、複数のスメクチック層にわたっては不均一にな
りやすい傾向がある。そのために、分子層と等電位線が
直交するよりも平行に並ぶように電位勾配を形成した方
が反転領域形成の制御性、再現性が向上し、良好な階調
表示画面が得られる。
〔実施例〕
第11図は、強誘電性液晶セルの例を模式的に描いたも
のである。111aと111bはIn2O3,SnO2やITO(インジウム
−テイン−オキサイド)等の透明電極(又は透明抵抗
層)がコートされた基板(ガラス板)であり、その間に
液晶分子層112がガラス面に垂直になるよう配向したSmC
*相(カイラルスメクチツクC相)の液晶が封入されて
いる。太線で示した線113が液晶分子を表わしており、
この液晶分子113はその分子に直交した方向に双極子モ
ーメント(P⊥)114を有している。基板111aと111b上
の電極間に一定の閾値以上の電圧を印加すると、液晶分
子113のらせん構造がほどけ、双極子モーメント(P
⊥)114はすべて電界方向に向くように、液晶分子113の
配向方向を変えることができる。液晶分子113は細長い
形状を有しており、その長軸方向と短軸方向で屈折率異
方性を示し、従って、例えばガラス面の上下に互いにク
ロスニコルの位置関係に配置した偏光子を置けば、電圧
印加極性によって光学特性が変わる液晶光学変調素子と
なることは容易に理解される。さらに液晶セルの厚さを
充分に薄くした場合(例えば1μ)には、第12図に示す
ように電界を印加していない状態でも液晶分子のらせん
構造はほどけ(非らせん構造)、その双極子モーメント
Pa又はPbは上向き(124a)又は下向き(124b)のどちら
かの状態をとる。このようなセルに第12図に示す如く一
定の閾値以上の極性の異なる電界Ea又はEbを付与する
と、双極子モーメント電界Ea又はEbの電界ベクトルに対
応して上向124a又は下向き124bと向きを変え、それに応
じて液晶分子は第1の安定状態123a(明状態)かあるい
は第2の安定状態123b(暗状態)のいずれか一方に配向
する。
この様な強誘電性液晶を光学変調素子として用いるこ
との利点は2つある。第1に応答速度が極めて速いこ
と、第2に液晶分子の配向が双安定状態を有することで
ある。第2の点で、例えば第12図によって説明すると、
電界Eaを印加すると液晶分子は第1の安定状態123aに配
向するが、この状態は電界を切ってもこの第1の安定状
態123aが維持され、又逆向きの電界Ebを印加すると液晶
分子は第2の安定状態123bに配向してその分子の向きを
変えるが、やはり電界を切ってもこの状態に保ち、それ
ぞれの安定状態でメモリー機能を有している。このよう
な応答速度の速さと双安定性が有効に実現されるにはセ
ルとしては出来るだけ薄い方が好ましく、一般的には0.
5μ〜20μ、特に1μ〜5μが適している。
この種の強誘電性液晶を用いたマトリクス電極構造を
有する液晶−電気光学装置が、例えばクラークとラガバ
ルにより、米国特許第4,367,924号明細書で提案されて
いる。
強誘電性液晶については、“ル・ジユナール・ド・フ
イジイク・レツトル”(“LE JOURNALDE PHYSIQUE L
ETTERS")第36巻(L−69)1975年の「フエロエレクト
リツク・リキツド・クリスタル」(Ferroelectric Liqu
id Crystals」);“アプライド・フイジイツクス・レ
ターズ”(“Applied Physics Letters")第36巻,第11
号,1980年の「サブミクロ・セカンド・バイステイブル
・エレクトロオプテイツク・スイツチング・イン・リキ
ツド・クリスタルス」(「Submicro Second Bistable E
lectrooptic Switching in Liquid Crystals」);“固
体物理"16(141)1981「液晶」等に記載されており、本
発明ではこれらに開示された強誘電性液晶を用いること
ができる。
より具体的には、本発明に用いられる強誘電性液晶化
合物の例としては、デシロキシベンジリデン−P′−ア
ミノ−2−メチルブチルシンナメート(DOBAMBC)、ヘ
キシルオキシベンジリデン−P′−アミノ−2−クロロ
プロピルシンナメート(HOBACPC)および4−o−(2
−メチル)−ブチルレゾルシルデン−4′−オクチルア
ニリン(MBRA8)等が挙げられる。
これらの材料を用いて素子を構成する場合、液晶化合
物がSmC*,SmH*,SmI*、SmF*,SmG*となるような温度
状態に保持する為、必要に応じて素子をヒーターが埋め
込まれた銅やアルミニウムブロツク等により指示するこ
とができる。
次に、本発明で用いる液晶光学素子の詳細を第1図を
参照して説明する。
第1図中の11は一方の基板である。12は抵抗層であり
11の基板上に積層されている。13は低抵抗の金属(又は
合金)フイルムからなる伝送電極で、信号電極(例え
ば、走査電極又は情報電極)として用いられ、抵抗層12
上に等間隔に平行に並んで積層されている。又基板11に
対して図示されていない他方の基板が対向しており、該
他方の基板上の図中画素Aの領域に対応する領域には対
向導電膜(対向電極)14が配置されている。抵抗層12と
対向電極14との間には、前述した光学的変調物質がサン
ドイツチされている。
前記により構成される液晶光学素子では、伝送電極13
に印加された走査信号により、抵抗層12の面内に電位勾
配を付与することによって、対向電極14との間の電界に
電位差勾配を生じさせる。
この際、たとえば伝送電極13bを第1の基準電位点Va
に接続し、これと隣り合う伝送電極13aおよび13cに第2
の基準電位点VE(例えば0ボルト)を印加すると、第2
図(a)の如く伝送電極間13bと13aあるいは13bと13cの
抵抗層12の面内の長さ方向l1とl2にVaの電位勾配を付与
することができる。
この時、強誘電性液晶の反転閾値電圧VthををVaとし
た時、対向電極14に情報信号として−Vbを印加すると、
第2図(b)に示す様に抵抗層12の面内の長さ方向m1
m2に対応する強誘電性液晶に反転閾値電圧Vth以上の電
位差Va+Vbが印加されることになり、かかるm1とm2に対
応した領域が、例えば明状態から暗状態に反転すること
ができる。従って、画素毎に階調に応じた値でVbの値を
選択して印加することによって階調性を表現することが
できる。この際、前記の様に対向電極14に印加する電圧
信号−Vbを階調情報に応じてその電圧値を変調してもよ
く、又は階調情報に応じてそのパルス幅を変調してもよ
く、若しくはそのパルス数を変調することによって階調
性を制御することができる。
次に上記階調性を出すために最も好ましい光学変調素
子具体的構成例を第1図に用いて説明する。
図において、ガラス基板11上にスパツタリング法によ
って約3000Åの透明抵抗層であるSnO2(酸化錫)膜を形
成し、抵抗層12とする。次いで、1000Å厚でAlを前述の
SnO2膜上に真空蒸着し、再びパターニングすることによ
り伝送電極13を複数本形成する。ここで、たとえば前記
伝送電極の間隔を230μm,該電極巾を20μmとすること
が出来る。
一方対向基板には、スパツタリング法によりITO(イ
ンジウム−テイン−オキサイド)膜を対向電極14として
設ける。
このようにして作製された2つの基板のそれぞれの表
面に、液晶配向膜(図示せず)として約500Åのポリビ
ニルアルコール層またはポリイミド層を形成し、ラビン
グ処理を施した。
本発明の好ましい具体例としては、抵抗層12のシート
抵抗を、好ましくは103Ω/□〜109Ω/□とすることで
ある。このような抵抗を形成するものとしては前記のSn
O2をアルゴン気中でスパツターしたもの等が用いうる。
かかるアルゴン気中でスパツターする方法は、例えばデ
イー・ビー・フラシヤ(D.B.Fraser)とエツチ・デイー
・クツク(H.D.Cook)の共著“ジヤーナル・オブ・ザ・
エレクトロケミカル・ソサイエテイー・ソリツド−ステ
ート・サイエンス・アンド・テクノロジー”(“Journa
l of the Electrochemical Society Solid−State Scie
nce and Technology")第119巻、第10号(1972年発行)
の“ハイリイー・コンダツクテイブ・トランスペアレン
ト・フイルムズ・オブ・スパツタード・In2−xSnxO3
y"(“Highly Conductive Transparent Films of Sputt
ered In2−xSnxO3−y")に記載されている。
また、前記した伝送電極は充分に電源接続端部からの
電圧を前記抵抗層に伝え得るものであれば良く、充分低
抵抗一例として1Ω/□前後またはこれ以下のものが使
用される。また、前記対向電極としては一例として約20
Ω/□のITO等が前記した様に用いられる。
以上において示した2つの基盤を対向させ、間隔が約
1μmとなるように調節し、強誘電性液晶(p−η−オ
クチルオキシ安息香酸−P′−(2−メチルブチルオキ
シ)フエニルエステルとp−η−ノニルオキシ安息香酸
−P′−(2−メチルブチルオキシ)フエニルエステル
を主成分とした液晶組成物)を注入した。抵抗層12と対
向電極14が重なる部分画素Aの形状は、230μm×230μ
mとした。但し、ここで画素Aの幅は とした。
このようにして形成した液晶セルの両側に、偏光板を
クロスニコルにして配設し光学特性を観測した。
第3図(A)は電気信号の印加方法を模式的に示した
ものであり、第3図(B)及び第3図(C)は与える電
気信号である。第3図(B)は第3図(A)の駆動回路
34で発生するシグナル(b)の波形を、第3図(C)
(i)〜(v)は第3図(A)の駆動回路33で発生する
シグナル(a)の波形を表わしている。
さてシグナル(b)として、全伝送電極13に−12Vの2
00μsecパルスを、又シグナル(a)として対向電極に8
Vの200μsecパルスをあらかじめ同期して与える(これ
を消去パルスと呼ぶ)消去ステツプを設ける。すると液
晶は第1の安定状態にスイツチングされ、画素A全体が
明状態となる(このようにクロス偏光板を配置した)。
なお、ここで使用する液晶の反転閾値を説明の便宜上±
15V〜±16Vとする。
この状態より、シグナル(b)として伝送電極13bに
印加した第3図(B)のパルスに同期させて、第3図
(C)(i)〜(v)に示される様な種々のパルスを対
向電極14に与えたときの画素Aの光学的状態を第4図に
示す。
このとき、伝送電極13aおよび13cは基準電位(ここで
は0)とする。パルス印加電圧−2V(第3図(C)
(i)に対応)では全く明状態41からの変化は生じない
(第4図(a)に対応)が、パルス電圧−4V(第3図
(C)(ii)に対応)では伝送電極13bの極く近傍の液
晶がその閾値を越える電界のために暗状態42へスイツチ
ングする(第4図(b)に対応)。さらに印加電圧を−
6V(第3図(C)(iii)),−8V(第3図(C)(i
v)と大きくした場合には、反転の閾値を越える範囲が
広がるため暗状態42の領域は図示の如く広くなり(第4
図(C)として代表例示)、印加電圧−10V(第3図
(C)(v)で画素A全体が暗状態にスイツチングされ
る(第4図(d)に対応)。このようにして階調性のあ
る画像を形成することができる。
又、第6図(i)〜(v)に示されるような種々のパ
ルス幅の異なるシグナル(a)と、第5図に示されるよ
うな三角波であるシグナル(b)を同期して与えたとき
でも、前記の第4図に図示した光学的状態変化を示すこ
とができる。この際、第5図に示すシグナルを伝送電極
13bに印加し、このシグナルと同期して第6図(i)〜
(v)に示すパルスを階調に応じて対向電極14に印加す
ることによって階調性を表現することができる。
また上記は第7図(i)〜(v)に示される様な種々
のタイミングの異なるシグナル(a)と、第5図に示さ
れるような三角波であるシグナル(b)を同期して与え
たときでも同様であることが容易に理解できるであろ
う。
又、本発明では前述の例で使用したアルミニウム(A
l)の伝送電極13の他に、銀,銅,金,クロムなどの金
属または低抵抗ITO等の透明電極を伝送電極13として使
用することができ、好ましくはそのシート抵抗を102Ω
/□以下とすることができる。
かかる電極のシート抵抗は,たとえば膜厚を調節する
ことによって適当な値に設計することができる。
上記において、階調をもたせる方法を示したが、たと
えば信号のレベルを特に2値だけ選ぶことによって当然
階調を出さない2値の表現も行うことができる。
上記例の場合、信号としては上記第3図(C)(V)
と第7図(V)に示す信号を反転させる信号とすること
ができる。
さて、ここで本発明光学変調素子をその光学変調物質
の配向方向に注目して更に詳しく説明する。
第8図(A)は、基板11と対向基板85との間に配置し
た強誘電性液晶81の分子配列状態を示したものである。
強誘電性液晶81をはじめとするスメクチツク液晶(SmL
C)は、図示する様に層状分子構造を有している。すな
わち、分子配列が単分子配列層または複数の分子配列毎
の層として層構成をとっている。この場合、通常同一層
内におけるそれぞれの分子間力の方が、互いに異なる層
における分子間力よりも強いと思われ、このため各分子
の電圧による反転は、各層内での反転領域を定めるより
も層毎に反転領域を定める方がより制御がし易い。
本発明者らは上記を考察し、前述の様に電位勾配によ
り階調性を得る場合に、階調性に従って反転領域86が広
がる方向に各層が配列する様に配向処理を施したとこ
ろ、分子層82の法線が電送電極13と平行となる様に液晶
分子を配向させた強誘電性液晶素子と比較して解像度で
階調性が得られることがわかった。
すなわち本発明における光学変調素子においては、第
8図(B)によりわかりやすく示す様にスメクチツク液
晶の分子層82の配列方向83(すなわち、分子層82の法
線)が前記電送電極13とほぼ直交する方向である様にす
る。
上記の様に分子層82の配列を決めるために以下の方法
で一軸性配向処理を施した。
1.第8図(A)に不図示のポリビニルアルコールまたは
ポリイミド等の配向制御膜に、伝送電極13の長手方向87
とほぼ直交する向きにラビング処理を施した。ラビング
方向84は第8図(B)における←または いずれでも良い。
2.伝送電極13の長手方向87にほぼ直交する方向にシリコ
ン酸化物(SiO等)を斜め蒸着し、この傾斜角をほぼ30
゜以下とした。
3.前記伝送電極13の長手方向87にほぼ平行な方向に前記
SiOを斜め蒸着し、この傾斜角をほぼ30゜以上とした。
以上、本発明光学変調素子を構成するための分子配列
方向を決めるための代表実施例を挙げたが、この他層を
所望の方向に配列させる他の方法を用いても良い。
又、本発明では上述した一軸性配向処理軸が少なくと
も一方の基板に付与されていればよい。
第9図は、本発明による階調表現方式をマトリクス駆
動に適用した際の別の具体例を表わしている。
第9図に示す表示パネルは、ガラス基板91の上にスト
ライプ状抵抗層101(101a,101b,101c)が複数配列さ
れ、さらにそれぞれのストライプ状抵抗層101の長手方
向における両端部には低抵抗の伝送電極102(102a,102
b,102c)と103(103a,103b,103c)が配線されている。
基板91と対向する対向基板(図示せず)に設けたストラ
イプ状の導電膜からなる対向電極104(104a,104b)が配
置され、前述のストライプ状抵抗層101と対向電極104と
の間に強誘電性液晶が配置される。
本発明では、書込みに先立って、たとえば伝送電極10
2および103を同電位にして、ストライプ状抵抗層101と
ストライプ状対向電極104との交差部で形成される画素
の全部又は所定部を一時に明状態か暗状態のうちの何れ
か一方の状態とするか、又は書込みライン毎に書込みに
先立ってライン上の画素の全部又は所定部を明状態から
暗状態のうちの何れか一方の状態とした後に、一方の伝
送電極102(102a,102b,102c)毎に第3図(B)又は第
5図に示すパルスを走査信号として順次印加するととも
に、他方の伝送電極103(103a,103b,103c)を基準電位
点(例えば0ボルト)に接続することによって、スライ
プ状抵抗層101に順次伝送電極102と103間での電位勾配
を付与することができる。この際、走査選択信号は強誘
電性液晶の反転閾値電圧と等しいか、これにより若干小
さめの電圧のパルスとすることが好ましい。
一方、複数のストライプ状対向電極には、各電極毎に
伝送電極102に印加した走査選択信号と同期させて、第
3図(C)(i)〜(v)又は第6図(i)〜(v)に
示す様な階調情報に応じた電圧信号を印加することによ
って、走査線上の画素を階調に応じて書込みを行うこと
ができる。従って、上述の書込みを順次書込みを行うこ
とによって、階調性を持つ1画面を形成することができ
る。
この場合は、前記の画素Aはストライプ電極101と104
の交差部になり、また液晶の反転領域は102,103のいず
れか所定の伝送電極側から階調に従って広がっていく。
また、本発明では前述のストライプ状電極104毎に第
3図(B)又は第5図に示すパルス信号を走査信号とし
て順次印加し、この走査信号と同期させて前述の一方の
伝送電極102に第3図(C)(i)〜(v)又は第6図
(i)〜(v)に示す様な階調情報に応じた電圧信号を
印加するとともに、他方の伝送電極103を基準電圧点に
接続することによっても階調性をもつ画面を形成するこ
とができる。
ここで第9図に示した構成においては、ストライプ抵
抗層101は各ライン毎に分離している。このストライプ
抵抗層は本発明によれば通常低抵抗のITOよりも103Ω/
□以上の高抵抗が得られるSnO2膜等の方が良い。ここで
SnO2膜の効率的な微細エツチング方法について簡単に述
べる。
すなわち、SnO2膜のエツチング法としては亜鉛粉末に
水を加えてペースト状にしたもの、あるいは場合によっ
ては希塩酸を加えたものよりSnO2膜をエツチングする方
法が知られているが、好ましくは微細なエツチングを行
う方法としてBF3(三ふつ化ほう素)プラズマをSnO2
反応させることによりSnO2を分離し、これでSnO2膜のエ
ツチングを行うことができる。第10図は本発明の別の具
体例を表わしている。第10図に示す液晶光学素子は、一
方の一枚の抵抗層121には平行な複数の伝送電極122が配
線され、それぞれが走査信号発生回路(図示せず)に接
続したS1,S2,……S7に接続されている。これら伝送電極
122と交差させて複数のストライプ状導電膜からなる電
極123が対向配置され、前述の抵抗層121とストライプ状
電極123との間には強誘電性液晶が配置されている。こ
のストライプ状電極123の端子I1,I2,……I5はそれぞれ
情報信号発生回路(図示せず)に接続されている。
従って、本例では消去ステップを経た後、液晶光学素
子のS1,S2,……S7に順次走査信号を印加し、かかる走査
信号が印加されていない端子は基準電位点に接続するこ
とによって電位勾配を形成する。一方、ストライプ状電
極123には走査信号と同期させて階調信号を印加するこ
とによって階調性の画面を形成することができる。
ここで前記の走査信号は、たとえば最初に端子の奇数
番目S1,S3,S5,……S2n−1に順次印加し、次に端子の偶
数番目S2,S4,S6……S2nに順次印加するようにしても良
い。
さらに、以上までの説明においては前記基準電位点を
主に0電位とした基準電位点の電位をもち上げてやって
もよい。この時Va−Veの値が小さくなるため階調のため
の電位勾配は緩やかになるが、情報信号に印加する電位
点の絶対値を小さくすることができる。
又、逆に基準電位点の電位を下げてやることでVa−Ve
の値を大きくして階調の幅を広げることもできる。
又、本発明によれば前述のストライプ状電極123に順
次走査信号を印加し、この走査信号と同期させて奇数番
目(又は偶数番目)伝送電極に階調信号を印加し、偶数
番目(又は奇数番目)の伝送電極を基準電位点に接続す
ることによっても階調駆動が行える。
又、本発明では前述の強誘電性液晶の他に通常のスメ
クチツク液晶,ゲストホスト液晶などを用いることがで
きるが、最も好ましくは強誘電性液晶、特に少なくとも
2つの安定状態をもつ強誘電性結晶が適している。
〔発明の効果〕
本発明によれば、分子層と等電位線が平行に並ぶよう
に電位勾配が形成されるので、中間調の為の反転領域形
成の制御性、再現性が向上して、良好な階調表示ができ
る。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明で用いた一方の基板を表わす斜視図であ
る。第2図は本発明で用いた電位勾配を模式的に表わし
た説明図である。第3図(A)は本発明の光学変調素子
の断面図である。第3図(B)及び第3図(C)は、本
発明で用いたパルス波形の波形図である。第4図は画素
の階調性を表わす模式図である。第5図,第6図及び第
7図は、本発明で用いた別のパルス波形の波形図であ
る。第8図(A)は本発明の光学変調素子の断面図で、
第8図(B)はその平面図である。第9図は本発明で用
いた別の一方の基板を表わす斜視図である。第10図は本
発明で用いた別の一方の基板を表わす平面図である。第
11図と第12図は、本発明で用いた強誘電性液晶素子を模
式的に表わす斜視図である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 鈴木 由美子 東京都大田区下丸子3丁目30番2号 キ ヤノン株式会社内 (56)参考文献 特開 昭62−8124(JP,A) 特開 昭61−241727(JP,A) 特開 昭62−28716(JP,A) 特開 昭61−260222(JP,A) 特開 昭60−14219(JP,A)

Claims (7)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】第1の電極群が設けられた第1の基板と該
    第1の電極群と交差する第2の電極群が設けられた第2
    の基板との間に配されたスメクチック液晶を有する液晶
    表示セルと、階調表示を行う為の信号を該液晶表示セル
    に供給する為の手段と、を具備するディスプレイ装置に
    おいて、 該第1の電極は、抵抗層と、該抵抗層に所定の間隔を置
    いて接続され該抵抗層より低抵抗の複数の電送電極と、
    を備え、 該手段は、該複数の電送電極間の該抵抗層に電位勾配を
    形成する様に、互いに異なる電圧を該複数の電送電極に
    供給する駆動回路を備え、 該スメクチック液晶は、その分子層法線が該電送電極の
    長手方向と直交するように配向しており、 階調情報に応じて、一方の該電送電極から他方の該電送
    電極側に向かって広がる該スメクチック液晶の反転領域
    の面積を定めることにより階調表示を行うことを特徴と
    するディスプレイ装置。
  2. 【請求項2】該スメクチック液晶は、強誘電性液晶であ
    る特許請求の範囲第1項に記載のディスプレイ装置。
  3. 【請求項3】該第1の電極群は、該第1の基板の表面上
    に設けられた該抵抗層としてのシート抵抗が103Ω/□
    〜109Ω/□の膜と、該膜上に所定の間隔をおいて多数
    配された該電送電極としての金属と、からなる特許請求
    の範囲第1項に記載のディスプレイ装置。
  4. 【請求項4】該第1の電極群は、該第1の基板の表面上
    に設けられた該抵抗層としての酸化すず膜と、該膜の上
    に所定の間隔をおいて多数配された該電送電極としての
    金属と、からなる特許請求の範囲第1項に記載のディス
    プレイ装置。
  5. 【請求項5】該第1の電極は、該第1の基板の表面上に
    設けられたストライプ状の該抵抗層と、該抵抗層の上の
    両端に配された一対の該電送電極と、からなる特許請求
    の範囲第1項に記載のディスプレイ装置。
  6. 【請求項6】該第1の基板には、該電送電極の長手方向
    と交差する向きに一軸性配向処理軸が付与された配向膜
    が設けられている特許請求の範囲第1項に記載のディス
    プレイ装置。
  7. 【請求項7】該第1の基板には、該電送電極の長手方向
    と交差する向きにラビング処理軸が付与された配向膜が
    設けられている特許請求の範囲第1項に記載のディスプ
    レイ装置。
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