JPS62125330A

JPS62125330A - 光学変調素子の駆動法

Info

Publication number: JPS62125330A
Application number: JP26698085A
Authority: JP
Inventors: Akihiro Mori; 明広毛利; Hiroyuki Kitayama; 北山　宏之; Shuzo Kaneko; 金子　修三; Toru Takahashi; 通高橋
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 1985-11-26
Filing date: 1985-11-26
Publication date: 1987-06-06
Anticipated expiration: 2010-10-25
Also published as: JPH0799415B2

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】〈産業上の利用分野〉本発明は１表示パネルのための光学変調素子の駆動法に
関し、詳しくは双安定性を有する液晶物質、特に強誘電
性液晶を用いた表示パネル、とくに階調表示に適した液
晶光学素子の駆動法に関する。

〈従来の技術〉従来のアクティブマトリクス駆動方式を用いた液晶テレ
ビジョンパネルでは、薄膜トランジスタ（Ｔ　Ｐ　Ｔ）
を画素毎のマトリクス配置し、ＴＰＴにゲートオンパル
スを印加してソースとドレイン間を導通状態とし、この
とき映像画像信号がソースから印加され、キャパシタに
蓄積され、この蓄積された画像信号に対応して液晶（例
えばツィステッド争ネマチック、ＴＮ−液晶）が駆動し
、同時に映像信号の電圧を変調することによって階調表
示が行なわれている。

〈発明が解決しようとする問題点〉しかし、この様なＴＮ液晶を用いたアクティブマトリク
ス駆動方式のテレビジョンパネルでは、使用するＴＰＴ
が複雑な構造を有しているため、構造工程数が多く、高
い製造コストがネックとなっているうえに、ＴＰＴを構
成している薄膜半導体（例えば、ポリシリコン、アモル
ファスシリコン）を広い面積に亘って被膜形成すること
が難しいなどの問題点がある。

一方、低い製造コストで製造できるものとしてＴＮ液晶
を用いたパッシブマトリックス駆動方式の表示パネルが
知られているが、この表示パネルでは走査線（Ｎ）が増
大するに従って、１画面（１フレーム）を走査する間に
１つの選択点に有効な電界が印加されている時間（デユ
ーティ−比）がｌ／Ｎの割合で減少し、このためクロス
トークが発生し、しがも高コントラストの画像とならな
いなどの欠点を有している上、デユーティ−比が低くな
ると各画素の階調を電圧変調により制御することが難し
くなるなど、高密度配線数の表示パネル、特に液晶テレ
ビジョンパネルには適していない。

く問題点を解決するための手段〉及びく作用〉本発明の
目的は、前述の欠点を解消したもので、詳しくは広い面
積に亘って高密度画素をもつ表示パネルの駆動法、とく
に階調表示に適した光学変調素子の駆動方式を提供する
ことにある。

すなわち本発明は、第１の導電膜を有する第１の基板と
、前記第１の導電膜に対向する第２の導電膜を有する第
２の基板と、前記第１の基板と第２の基板との間に配置
した光学変調物質とを有し、第１の導電膜又は第１の導
′ｒｒｉ膜及び第２の導電膜の面内に電位勾配を形成し
、第１の導電膜又は第２の導電■々に階調情報を有する
信号を印加する光学変調素子の駆動法に特徴を有してい
る。すなわち、本発明は１つの画素を構成する相対向す
る２つの導電膜の少なくとも一方に面内で電位勾配を付
与し、他方の導電膜に階調に応じた波高値のパルス信号
あるいは階調に応じたパルス幅又はパルス数の信号を印
加し１画素内で反転閾値電圧を越えた領域と越えない領
域を形成することによって階調性を表現する駆動方式に
特徴を有している。

〈実施例〉以下、本発明を図面に従って説明する０本発明の駆動法
で用いる光学変調物質としては。

加えられる電界に応じて第１の光学的安定状態（例えば
明状態を形成するものとする）と第２の光学的安定状態
（例えば暗状態を形成するものとする）を有する、すな
わち電界に対する少くとも２つの安定状態を有する物質
、特にこのような性質を有する液晶が用いられる。

本発明の駆動法で用いることができる双安定性を有する
液晶としては、強誘電性を有するカイラルスメクチック
液晶が最も好ましく、そのうちカイラルスメクチックＣ
相（３ｍ０本）、Ｈ相（ＳｍＨ本）、Ｉ相（ＳｍＩ＊）
、Ｆ相（ＳｍＦ本）やＧ相（Ｓ　ｍＧ本）の液晶が適し
ている。この強誘電性液晶については、ル・ジュルナー
ル・ド・フイジイク・レットノソ（”ＬＥ　ＪＯＵＲＮ
ＡＬ　ＤＥ　ＰＨＹＳＩＱＵＥ　ＬＥＴＴＲＥ”）第３
６０　（Ｌ−６９）１９７５年の「フェロエレクトリッ
ク・リキッド・クリスタルス」（ｒＦｅｒｒｏｅｌｅｃ
ｔｒｉｃ　Ｌｉｑｕｉｄ　ＣｒｙｓｔａｌｓＪ）；“ア
プライド・フイジイツクス命しターズ（”Ａｐｐｌｉｅ
ｄ　Ｐｈｙｓｉｃｓ　Ｌｅｔｔｅｒｓ”）第３６巻。

第１１号、１９８０年の「サブミクロ・セカンド・バイ
スティプル・エレクトロオプティック・スイッチング・
イン・リキッド・クリスタルス」（ｒｓｕｂｍｉｃｒｏ
　　５ｅｃｏｎｄ　　Ｂ１５ｔａｂｌｅＥｌｅｃｔｒｏ
ｏｐｔｉｃ　Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ　ｉｎ　Ｌｉｑｕｉｄ
ＣｒｙｓｔｅｌｓＪ）；　”固体物理１６　（１４１）
１９８１「液晶」等に記載されており０本発明ではこれ
らに開示された強誘電性液晶を用いることができる。

より具体的には、本発明法に用いられる強誘電性液晶化
合物の例としては、デシロキシベンジリデン−ｙ−アミ
ノ−２−メチルブチルシンナメート（ＤｏＢＡＭＢＣ）
、ヘキシルオキシベンジリデン−ビーアミノ−２−クロ
ロプロビルシンナメー）　（ＨＯＢＡＣＰＣ）および４
−ｏ−（２−メチル）−ブチルレゾルシリテン−４′−
オクチルアニリン（ＭＢＲＡ８）等が挙げられる。

これらの材料を用いて、素子を構成する場合。

液晶化合物が、ＳｍＣ木、ＳｍＨ木、ＳｍＩ木。

ＳｍＦ木、ＳｍＧ木となるような温度状態に保持する為
、必要に応じて素子をヒーターが埋め込まれた銅ブロッ
ク等により支持することができる。

第１図は１強誘電性液晶セルの例を模式的に描いたもの
である。１１と１１’は、Ｉ　ｎ２０３　。

Ｓ　ｎ０２やＩＴＯ（インジウム−ティン−オキサイド
）等の透明電極がコートされた基板（ガラス板）であり
、その間に液晶分子層１２がガラス面に垂直になるよう
配向したＳｍＣ＊相の液晶が封入されている。太線で示
した線１３が液晶分子を表わしており、この液晶分子１
３は、その分子に直交した方向に双極子モーメント（Ｐ
上）１４を有している。基板１１と１１′上の電極間に
一定の閾値以上の電圧を印加すると、液晶分子１３のら
せん構造がほどけ、双極子モーメント（Ｐ工）１４はす
べて電界方向に向くよう、液晶分子１３の配向方向を変
えることができる。液晶分子１３は細長い形状を有して
おり、その長袖方向と短軸方向で屈折率異方性を示し、
従って例えばガラス面の上下に互いにクロスニコルの位
置関係に配置した偏光子を置けば、電圧印加極性によっ
て光学特性が変わる液晶光学変調素子となることは、容
易に理解される。さらに液晶セルの厚さを充分に薄くし
た場合（例えばＩＩＬ）には、第２図に示すように電界
を印加していない状態でも液晶分子のらせん構造はほど
け（非らせん構造）、その双極子モーメントＰ又はｙは
上向き（２４）又は下向き（２４’）のどちらかの配向
状態をとる。このようなセルに第２図に示す如く一定の
閾値以上の極性の異る電界ＥはＥ′を付与すると、双極
子モーメント電界Ｅ又はＥ′の電界ベクトルに対応して
上向き２４又は下向き２４′と向きを変え、それに応じ
て液晶分子は第１の安定状態２３（明状態）か或は第２
の安定状態２３′（暗状態）の何れか一方に配向する。

この様な強誘電性液晶を光学変調素子として用いること
の利点を２つある。第１に応答速度が極めて速いこと、
第２に液晶分子の配向が双安定性を有することである。

第２の点を例えば第２図によって説明すると、電界Ｅを
印加すると液晶分子は第１の安定状態２３に配向するが
、この状態は電界を切ってもこの第１の安定状態２３が
維持され、又、逆向きの電界Ｅ′を印加すると、液晶分
子は第２の安定状態２３′に配向してその分子の向きを
変えるが、やはり電界を切ってもこの状態に保ち、それ
ぞれの安定状態でメモリー機能を有している。このよう
な応答速度の速さと、双安定性が有効に実現されるには
、セルとしては出来るだけ薄い方が好ましく、一般的に
は０．５ＪＬ〜２０ｊＬ、特に１ｗ〜５ルが適している
。この種の強誘電性液晶を用いたマトリクス電極構造を
有する液晶−電気光学装置は、例えばクラークとラガバ
ルにより。

米国特許第４，３６７．９２４号明細書で提案されてい
る。

次に、本発明で用いる液晶光学素子の詳細を第３図を参
照して説明する。

第３図中の３１は、一方の基板である。３２は表示導電
膜であり３１の基板上に積層されている。３３は、低抵
抗の金属フィルムからなる伝送電極であり、表示導電膜
３２上に等間隔に平行に並んで積層されている。又基板
３１に対して図示されていない他方の基板が対向してお
り該他方の基板上の図中画素Ａの領域に対応する領域に
は対向導電膜（対向電極）３４が配置されている。表示
用導電膜３２と対向電極３４との間には、前述した光学
的変調物質がサンドイッチされている。

前記により構成される液晶光学素子では、伝送電極３３
に印加された信号電圧により表示用導電膜３２の面内に
電位勾配を付与することによって対向電極３４との間の
電界に電位差勾配を生じさせる。この際、電送電極３３
ｂを基準電位点ＶＥ　（例えばＯポルト）に接続し、電
送電極３３ａと３３ｃの様に基準電位点に接続した電送
電極と隣合う電送電極に所定の信号電圧Ｖａを印加する
と、第１３図（ａ）の如く電送電極間３３ａと３３ｂあ
るいは３３ｂと３３ｃの導電膜３２の面内の長さ方向文
１と文２にＶａの電位勾配を付与することができる。

この時、強誘電性液晶の反転閾値電圧ｖｔｈをＶａとし
た時、対向電極３４に−ｖｂを印加すると、第１３図（
ｂ）に示す様に導電膜３２の面内の長さ方向ｍ１とｍ２
に対応する強誘電性液晶に反転闇値電圧ｖｔｈ以上の電
位差Ｖａ＋ｖｂが印加されることになり、かかるｍｌと
ｍ２に対応した領域が例えば明状態から暗状態に反転す
ることができる。従って、本発明では画素毎に階調に応
じた値でｖｂを印加することによって階調性を表現する
ことができる。この際、対向電極３４に印加する電圧信
号−ｖｂを階調情報に応じてその電圧値を変調してもよ
く、又は階調情報に応じてそのパルス幅を変調してもよ
く若しくはそのパルス数を変調することによって階調性
を制御することができる。

又１本発明では前述の階調信号を印加するに先立って、
画素を明状態か暗状態のうち何れが一方の状態にする消
去ステップを経てから、その状態を反転させる反転電圧
が階調に応じて制御されて強誘電性液晶に印加される様
にしておくことが必要である。

さらに、本発明の好ましい具体例を挙げて説明する。

第３図においてガラス基板３１上にスパッタリング法に
よって約１００人の厚さの透明導電膜であるＩＴＯ（イ
ンジウム・ティン拳オキサイド）膜を形成し表示用導電
膜３２とした。

このＩＴＯ膜のシート抵抗は２５０Ω／口であった。次
いで、１０００人厚でＡＭを前述のＩＴＯ膜上に真空蒸
着し、再びパターニングすることにより第３図の如く伝
送電極３３を複数本形成した０本例では伝送電極３３の
間隔を２３０にとした、この伝送電極３３のシート抵抗
は約０．４Ω／口であり、その幅を約２０ｐＬとした。

一方、対向基板には領域Ａをカへ−するような、ＩＴＯ
膜を対向電極３４として設けた。この対向電極３４とな
るＩＴＯ膜のシート抵抗は約２０Ω／口であった。

このようにして作製された２つの基板のそれぞれの表面
に液晶配向膜として約５００人のポリビニルアルコール
層を形成し、ラビング処理を施した。

次に、２つの基板を対抗させ、間隙が約１ルとなるよう
調節し、強誘電性液晶（ｐ−η−オクチルオキシ安息香
酸−Ｐ’−（２−メチルブチルオキシ）フェニルエステ
ルとｐ−η−ノニルオキシ安息香酸−ｙ−（２−メチル
ブチルオキシ）フェニルエステルを主成分とした液晶組
成物）を注入した。表示用導電膜３２と対向電極３４か
重なる部分画素Ａの形状は、２３０ル×２″３０ＪＬで
あって、液晶注入後の静電容量は約３ＰＦであった。但
し、画素Ａの幅はこのようにして形成した液晶セルの両
側に。

偏光板をクロスニコルにして配設し、光学特性を観測し
た。

第４図は電気信号の印加力法を模式的に示したものであ
り、第５図及び第６図は電気信号である。第５図は、第
４図の駆動回路４３で発生するシグナル（ａ）の波形を
、第６図（ｉ）〜（Ｖ）は第４図の駆動回路４４で発生
するシグナル（ｂ）の波形を表わしている。

さてシグナル（ａ）として、−１２ｖの２００４ｓｅｃ
パルスを又シグナル（ｂ）として、８ｖの２００ｐｓｅ
ｃパルスをあらかじめ同期して与える（これを消去パル
スと呼ぶ）消去ステップを設ける。すると、液晶は第１
の安定状態にスイッチングされ、画素へ全体が明状態と
なる（このようにクロス偏光板を配置した）。

この状態より、第６図（ｉ）〜（Ｖ）に示されるような
種々のパルスをシグナル（ｂ）として電送電極３３に印
加した第５図のパルスに同期させて対向電極３４に与え
たときの画素Ａの光学的状態を第７図に示す。

パルス印加電圧−２Ｖ（第６図（ａ）に対応）と−５Ｖ
（第６図（ｂ）に対応）では全く明状態７１からの変化
は生じない（第７図（ａ）に対応）が、パルス印加電圧
−８Ｖ（第６図（Ｃ）に対応）では伝送電極３３の近傍
の液晶は暗状態７２ヘスイツチングする（第７図（ｂ）
に対応）、さらに、印加電圧を一１４ｖ（第６図（ｄ）
に対応）と長くした場合には、暗状態７２の領域は図示
の如く広くなり（第７図（ｃ）に対応）、印加電圧２０
Ｖ（第６図（ｅ）に対応）で画素Ａ全体が暗状態７２に
スイッチングされる（第７図（ｄ）に対応）、このよう
にして、階調性のある画像を形成することができる。

又、第９図（ａ）〜（ｅ）に示されるような種々のパル
ス幅の異なるシグナル（ｂ）と第８図に示されるような
、三角波であるシグナル（ａ）を同期して与えたときで
も、前記に第７図に図示した光学的状態変化を示すこと
ができる。この際、第８図に示すパルスを電送電極に印
加し、このパルスと同期して第９図（ａ）〜（ｅ）に示
すパルスを階調に応じて対向電極３４に印加することに
よって階調性を表現することができる。

尚、第４図中、４１は強誘電性液晶、好ましくは双安定
状態下のカイラルスメクチック液送電極３３の他に銀、
銅、金、クロムなどの金属を電送電極３３として使用す
ることができ、好ましくはそのシート抵抗を１０２Ω／
口以下とすることができる。又、電位勾配が付与される
導電膜３２としてはｌＯΩ／口〜ＩＫΩ／口のシート抵
抗をもつ透明導電膜を用いることができる。かかるシー
ト抵抗は、透明導電膜の膜厚を調節することによって適
当な値に設計することができる。

第１０図は１本発明による階調表現方式をマトリクス駆
動に適用した際の具体例を表わしている。

第１０図に示す表示パネルは、ガラス基板３１の上にス
トライプ状導電膜１０１　（１０１ａ、１０１ｂ、１０
１ｃ）が複数配列され、さらにそれぞれのストライプ状
導電膜１０１の長手方向における両端部には低抵抗の電
送電極１０２　（１０２ａ；１０２ｂ、１０２ｃ）と１
０３　（１０３ａ、１０３ｂ、１０３Ｃ）が配線されて
いる。基板３１と対向する対向基板（図・示せず）に設
けたストライプ状の導電膜からなる対向電極１０４　（
１０４ａ、１０４ｂ）が配置され、前述のストライプ状
導電膜１０１と対向電極１０４との間に強誘電性液晶が
配置される。

本発明の駆動法では、書込みに先立ってストライプ状導
電膜ｌｏｔとストライプ状対向電極１０４との交差部で
形成される画素の全部又は所定部′を一時に明状態か暗
状態のうちの何れか１方の状態とするか、又は書込みラ
イン毎に書込みに先立ってライン上の画素の全部又は所
定部を明状態か暗状態のうちの何れか１方の状態とした
後に、一方の電送電極１０２　（１０２ａ。

１０２ｂ、１０２ｃ）毎に第５図又は第８図に示すパル
スを走査信号として順次印加するとともに、他方の電送
電極１０３　（１０３ａ。

１０３ｂ、１０３ｃ）を基準電位点（例えば０ポルト）
に接続することによって、ストライプ状導電膜ｌＯ１に
順次電送電極１０２と１０３間での電位勾配を付与する
ことができる。この際、走査選択信号は、強誘電性液晶
の反転閾値電圧と等しい電圧のパルスとすることが好ま
しい。

一方、複数のストライプ状対向電極には、各電極毎に電
送電極１０２に印加した走査選択信号と同期させて、第
６図（ａ）〜（ｅ）又は第９図（ａ）〜（ｅ）に示す様
な階調情報に応じた電圧信号を印加することによって、
走査線上の画素を階調に応じて書込みを行なうことがで
きる。従って、上述の書込みを線順次書込みを行なうこ
とによって、階調性をもつ１画面を形成することができ
る。

また、本発明では前述のストライプ状電極１０４毎に第
５図又は第８図に示すパルス信号を走査信号として順次
印加し、この走査信号と同期させて前述の一方の電送電
極１０２に第６図又は第９図に示す様な階調情報に応じ
た電圧信号を印加するとともに、他方の電送電極１０３
を基準電位点に接続することによっても階調性をもつ画
面を形成することができる。

第１１図は、本発明の別の具体例を表わしている。第１
１図で示す液晶光学素子は、複数のストライプ状導電膜
１１１が一方の基板上に設けられ、このストライプ状導
電膜１１１と交差させて対向配置した複数のストライプ
状導電膜１１２が強誘電性液晶を介して他方の基板上に
設けられている。さらに、前述のストライプ状導電膜１
１１と１１２のそれぞれの両端部には低抵抗の電送電極
１１３，１１４，１１５と１１６が配線されている。

本発明の別の駆動法では、電送電極１１３のそれぞれの
端子Ｓ　１．　Ｓ　２　、−−−−−　Ｓ　７が走査信
号発生回路（図示せず）に接続され、一方の電送電極１
１５のそれぞれの端子ＩＩ、Ｉ２゜−−−−−Ｉ　６が
情報信号発生回路（図示せず）に接続されている。又、
端子Ｇ　１１　、　Ｇ　１２、−’−−−Ｇ　１６とＧ
２１　、　Ｇ２２　、−−−−−　Ｇ２７は基準電位点
（例えばＯポルト）に接続されている。

従って、本発明の駆動法では消去ステップを経た各画素
が走査信号側導電膜の面内で電位勾配を発生し、さらに
情報信号側導電膜の面内でも電位勾配を発生し、両側の
電位勾配で発生する電位差勾配が画素内の強誘電性液晶
に印助口されることになり、多階調の表示画面の形成が
可能となる。

第１２図は、本発明の別の具体例を表わしている。第１
２図に示す姉晶光学素子は、一方の一枚の導電膜１２１
には平行な複数の電送電極１２２が配線され、それぞれ
が走査信号発生回路（図示せず）に接続した端子ｓ１．
ｓ２．−−−−Ｓ７に接続されている。これら電送電極
１２２と交差させて複数のストライプ状導？Ｉ！膜から
なる電極１２３が対向配置され、前述の導？！膜１２１
とストライプ状電極１２３との間には強誘電性液晶が記
者されている。このストライプ状電極１２３の端子Ｉ　
ｌ　、　Ｉ　２−−−一−工５はそれぞれ情報信号発生
回路（図示せず）に接続されている。

従って、本例では消去ステップを経た後、液晶光学素子
の端子ｓ　１　、　ｓ　２　、−−−−−　ｓ　７　ニ
順次走査信号を印加し、かかる走査信号が印加されてい
ない端子は基Ｓ４電位点に接続することによって電位勾
配を形成する。一方、ストライプ状電極１２３には走査
信号と同期させて階調信号を印加することによって階調
性の画面を形成することができる。又、本発明では前述
のストライプ状電極１２３に順次走査信号を印加し、こ
の走査信号と同期させて奇数番目（又は偶数゛番目）電
送電極に階調信号を印加し、偶数番目（又は奇数番目）
の電送電極を基準電位点に接続することによっても階調
駆動が行なえる。

又、本発明では前述の強誘電性液晶の他にツィステッド
ネマチック液晶、ゲストホスト液晶などを用いることが
できるが、最も好ましくは強誘電性液晶、特に少なくと
も２つの安定状態をもつ強誘電性液晶が適している。

〈発明の効果〉画素を構成する少なくとも一方の導電膜面内に電位勾配
を形成し、入力信号として電圧値。

あるいはパルス幅あるいはパルス数等によって変調され
た階調信号を印加することにより、階調表示を行なうこ
とができる。

【図面の簡単な説明】

第１図及び第２図は、本発明で用いる強誘電性液晶素子
を模式的に示す斜視図である。第３図は本発明で用いる
一方の基板を表わす斜視図である。第４図は、本発明で
用いる液晶光学素子の断面図である。第５図及び第６図
（ａ）〜（ｅ）は、本発明で用いるパルス波形を表わす
説明図である。第７図（ａ）〜（ｄ）は、画素の階調性
を表わす模式図である。第８図及び第９図（ａ）〜（ｅ
）は、本発明で用いる別のパルスの波形を表わす説明図
である。第１０図は、本発明で用いる別の液晶光学素子
を表わす斜視図である。第１１図及び第１２図は、本発
明で用いる別の液晶光学素子を表わす平面図である。第
１３図（ａ）及び（ｂ）は１本発明で用いる電位勾配を
模式的に表わす説明図である。けう口

Claims

【特許請求の範囲】

（１）第１の導電膜を有する第１の基板と、前記第１の
導電膜と対向する第２の導電膜を有する第２の基板と、
前記第１の基板と第２の基板との間に配置した光学変調
物質を有し；第１の導電膜又は第１の導電膜及び第２の導電膜の面内
に電位勾配を形成し、第１の導電膜又は第２の導電膜に
階調情報を有する信号を印加することを特徴とする光学
変調素子の駆動法。
（２）第１の導電膜及び該第１の導電膜に接続した２本
以上の電送電極を有する第１の基板と、前記第１の導電
膜に対向する第２の導電膜を有する第２の基板と、前記
第１の基板と第２の基板との間に配置した光学変調物質
とを有し、前記電送電極間の導電膜に電位勾配を付与す
る電圧信号を該電送電極に印加し、前記第２の導電膜に
階調情報を有する信号を印加する駆動法である特許請求
の範囲第１項記載の光学変調素子の駆動法。
（３）前記第１の導電膜と第２の導電膜を複数配列した
マトリックス構造とし、該第１の導電膜に接続された電
送電極に順次走査信号を印加し、前記第２の導電膜に階
調情報をもつ信号を印加する特許請求の範囲第１項記載
の光学変調素子の駆動法。
（４）前記第１の導電膜がストライプ形状を有しており
、該ストライプ状導電膜の長手方向における両端部に電
送電極が接続され、一方の電送電極に前記走査信号を印
加するとともに、他方の電送電極を基準電位点に接続し
た特許請求の範囲第３項記載の光学変調素子の駆動法。
（５）ストライプ形状の複数の導電膜及び、該ストライ
プ状導電膜の長手方向における両端部に配線した第１の
電送電極及び第２の電送電極を有する第１の基板と、前
記ストライプ状導電膜と交差させて対向配置した複数の
ストライプ状電極を有する第２の基板と、前記第１の基
板と第２の基板との間に配置した光学変調物質とを有し
、前記第１の電送電極に順次走査信号を印加するととも
に、前記第２の電送電極を基準電位点に接続し、前記走
査信号と同期して前記ストライプ状電極に階調情報を有
する信号を印加する駆動法である特許請求の範囲第１項
記載の光学変調素子の駆動法。
（６）導電膜及び該導電膜に接続した２本以上の電送電
極を有する第１の基板と、前記電送電極と交差させて対
向配置した複数のストライプ状電極を有する第２の基板
と、前記第１の基板と第２の基板との間に配置した光学
変調物質を有し、前記電送電極に順次走査信号を印加す
るとともに、該走査信号を印加していない電送電極を基
準電位点に接続し、前記ストライプ状電極に前記走査信
号と同期して階調情報を有する信号を印加する駆動法で
ある特許請求の範囲第１項記載の光学変調素子の駆動法
。
（７）ストライプ形状の複数の導電膜及び、該ストライ
プ状導電膜の長手方向における両端部に配線した第１の
電送電極及び第２の電送電極を有する第１の基板と、前
記ストライプ状導電膜と交差させて対向配置した複数の
ストライプ状電極を有する第２の基板と、前記第１の基
板と第２の基板との間に配置した光学変調物質とを有し
、前記ストライプ状電極に順次走査信号を印加し、該走
査信号と同期して前記第１の電送電極に階調情報を有す
る信号を印加するとともに、前記第２の電送電極を基準
電位点に接続した駆動法である特許請求の範囲第１項記
載の光学変調素子の駆動法。
（８）導電膜及び該導電膜に接続した２本以上の電送電
極を有する第１の基板と、前記電送電極と交差させて対
向配置した複数のストライプ状電極を有する第２の基板
と、前記第１の基板と第２の基板との間に配置した光学
変調物質を有し、前記ストライプ状電極に順次走査信号
を印加し、前記走査信号と同期して前記電送電極に階調
情報を有する信号を印加するとともに、該階調情報を有
する信号を印加していない電送電極を基準電位点に接続
した駆動法である特許請求の範囲第１項記載の光学変調
素子の駆動法。
（９）複数の第１のストライプ状導電膜及び該導電膜の
長手方向における両端部に配線した第１の電送電極及び
第２の電送電極を有する第１の基板と、前記第１のスト
ライプ状導電膜と交差させて対向配置した複数の第２の
ストライプ状導電膜及び該導電膜の長手方向における両
端部に配線した第３の電送電極及び第４の電送電極を有
する第２の基板と、前記第１の基板と第２の基板との間
に配置した光学変調物質を有し、前記第１の電送電極に
順次走査信号を印加するとともに前記第２の電送電極を
基準電位点に接続し、前記第３の電送電極に前記走査信
号と同期して階調情報を有する信号を印加するとともに
前記第４の電送電極を基準電位点に接続した駆動法であ
る特許請求の範囲第１項記載の光学変調素子の駆動法。
（１０）前記階調情報を有する信号が電圧値変調パルス
信号である特許請求の範囲第１項ないし第８項記載の光
学変調素子の駆動法。
（１１）前記階調情報を有する信号がパルス幅変調信号
である特許請求の範囲第１項ないし第９項記載の光学変
調素子の駆動法。
（１２）前記階調情報を有する信号がパルス数変調信号
である特許請求の範囲第１項ないし第９項記載の光学変
調素子の駆動法。
（１３）前記光学変調物質が液晶である特許請求の範囲
第１項ないし第９項記載の光学変調素子の駆動法。
（１４）前記液晶が強誘電性液晶である特許請求の範囲
第１３項記載の光学変調素子の駆動法。
（１５）前記強誘電性液晶がカイラルスメクチック液晶
である特許請求の範囲第１４項記載の光学変調素子の駆
動法。
（１６）前記強誘電性液晶が非らせん構造のカイラルス
メクチック液晶である特許請求の範囲第１４項記載の光
学変調素子の駆動法。