JPS62239128A - 光学変調素子の駆動法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〈産業上の利用分野〉 本発明は、表示パネルのための光学変調素子の駆動法に
関し、詳しくは双安定性を有する液晶物質、特に強誘電
性液晶を用いた表示パネル。

とくに階調表示に適した液晶光学素子の駆動法に関する
。

〈従来の技術〉 従来のアクティブマトリクス駆動方式を用いた液晶テレ
ビジョンパネルでは、薄膜トランジスタ（Ｔ　Ｐ　Ｔ）
を画素毎のマトリクス配置し、ＴＰＴにゲートオンパル
スを印加してソースとドレイン間を導通状態とし、この
とき映像画像信号がソースから印加され、キャパシタに
蓄積され、この蓄積された画像信号に対応して液晶（例
えばツィステッド・ネマチック、ＴＮ−液晶）が駆動し
、同時に映像信号の電圧を変調することによって階調表
示が行なわれていス− 〈発明が解決しようとする問題点〉 しかし、この様なＴＮ液晶を用いたアクティブマトリク
ス駆動方式のテレビジョンパネルでは、使用するＴＰＴ
が複雑な構造を有しているため、構造工程数が多く、高
い製造コストがネックとなっているうえに、ＴＰＴを構
成している薄膜半導体（例えば、ポリシリコン、アモル
ファスシリコン）を広い面積に亘って被膜形成すること
が難しいなどの問題点がある。

一方、低い製造コストで製造できるものとしてＴＮ液晶
を用いたパッシブマトリックス駆動方式の表示パネルが
知られているが、この表示パネルでは走査線（Ｎ）が増
大するに従って、１画面（１フレーム）を走査する間に
１つの選択点に有効な電界が印加されている時間（デユ
ーティ−比）が１／Ｎの割合で減少し、このためクロス
トークが発生し、しかも高コントラストの画像とならな
いなどの欠点を有している上、デユーティ−比が低くな
ると各画素の階調を電圧変調により制御することが難し
くなるほど、高密度配線数の表示パネル、特に液晶テレ
ビジョンパネルには適していない。

く問題点を解決するための手段〉及びく作用〉本発明の
目的は、前述の欠点を解消したもので、詳しくは広い面
積に亘って高密度画素をもつ表示パネルの駆動法、とく
に階調表示に適した光学変調素子の駆動方式を提供する
ことにある。

すなわち本発明は、第１のストライプ状導電膜及び該第
１の導電膜と電気的に接続させて配線した少なくとも２
本の電送ラインを有する第１基板と、前記第１のストラ
イプ状導電膜に対して対向配置した第２のストライプ状
導電膜を有する第２基板と、第１基板と第２基板との間
に配置した光学変調物質とを有する光学変調素子の駆動
法であって、前記第２のストライプ状導電膜に順次印加
した走査信号と同期して、前記第１のストライプ状導電
膜と電気的に接続させて配線した少なくとも２本の電送
ラインのうちの一方の電送ラインである第１の電送ライ
ンに情報信号を印加し、他方の電送ラインである第２の
電送ラインを基準電位点に接続する第１ステップと、前
記第２のストライプ状導電膜に順次印加した走査信号と
同期して、前記第１のストライプ状導電膜と電気的に接
続させて配線した少なくとも２本の電送ラインのうちの
他方の電送ラインである第２の電送ラインに情報信号を
印加し、一方の電送ラインである第１の電送ラインを基
準電位点に接続する第２ステップとを有する光学変調素
子の駆動法に第１の特徴を有し、別に本発明は、第１の
ストライプ状導電膜及び該第１の導電膜と電気的に接続
させて配線した少なくとも２本の電送ラインを有する第
１基板と、前記第１のストライプ状導電膜に対して対向
配置した第２のストライプ状導電膜を有する第２基板と
、第１基板と第２基板との間に配置した光学変調物質と
を有する光学変調素子の駆動法であって、前記ストライ
プ状導電膜と電気的に接続させて配線した少なくとも２
本の電送ラインのうちの一方の電送ラインである第１の
電送ラインに順次走査信号を印加するとともに、他方の
電送ラインである第２の電送ラインを基準電位点に接続
し、前記第２のストライプ状導電膜に情報信号を走査信
号と同期して印加する第１ステップと、前記ストライプ
状導電膜と電気的に接続させて配線した少なくとも２本
の電送ラインのうちの他方の電送ラインである第２の電
送ラインに順次走査信号を印加するとともに、一方の電
送ラインである第１の電送ラインを基準電位点に接続し
、前記第２のストライプ状導電膜に情報信号を走査信号
と同期して印加する第２ステップとを有する光学変調素
子の駆動法に第２の特徴を有している。さらに、本発明
の今一つの特徴は、１つの画素内に電位勾配を付与し、
画素毎に階調に応じた波高値のパルス信号あるいは階調
に応じたパルス幅又はパルス数の信号を印加し、画素内
で反転閾値電圧を越えた領域と越えない領域を形成する
ことによって階調性を表現する駆動方式にある。

〈実施例〉 以下、本発明を図面に従って説明する０本発明の駆動法
で用いられる光学変調物質としては、加えられる電界に
応じて第１の光学的安定状態（例えば明状態を形成する
ものとする）と第２の光学的安定状態（例えば暗状態を
形成するものとする）を有する、すなわち電界に対する
少なくとも２つの安定状態を有する物質、特にこのよう
な性質を有する液晶が用１．Ｘられる。

本発明の駆動法で用いることができる双安定性を有する
液晶としては、強誘電性を有するカイラルスメクチック
液晶が最も好ましく、そのうちカイラルスメクチックＣ
相（３ｍ０本）、Ｈ相（ＳｍＨ本）、１相（Ｓ　ｍ　Ｉ
本）、Ｆ相（ＳｍＦ本）やＧ相（５ｍ０本）の液晶が適
している。この強誘電性液晶につｌ、Ｎては、°“ル・
ジュルナール・ド争フイジイク拳し゛ノトルパ（”ＬＥ
　　ＪＯＵＲＮＡＬ　　ＤＥ　　ＰＨＹＳＩＱＵＥ　　
ＬＥＴＴＲＥ”）第３６巻（Ｌ−６９）１９７５年の「
フェロエレクトリック・リキッド・クリスタルスＪ　　
（ｒＦｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃ　　Ｌｉｑｕｉｄ　　
ＣｒｙｓｔａｌＳ」）；　°“アプライド・フイジイツ
クス番しターズ′”（Ａｐｐｌｉｅｄ　　Ｐｈｙｓｉｃ
ｓ　　Ｌｅｔｔｅｒｓ”）第３６巻、第１１号、１９８
０年の「サブミクロ・セカンド・バイスティプル・エレ
クトロオプティック・スイッチング番イン・リキッド・
クリスタルスＪ　　（ｒｓｕｂｍｉｃｒｏ　　５ｅｃｏ
ｎｄ　　Ｂ１５ｔａｂｌｅ　　Ｅｌｅｃｔｒｏｏｐｔｔ
ｃ　　Ｓｗｉｔｃｈｎｇｉｎ　　Ｌｔｑｕｉｄ　　Ｃｒ
ｙｓｔａｌＳ４）；“固体物理上６　（１４１）１９第
１　ｒ液晶」等に記載されており、本発明ではこれらに
開示された強誘電性液晶を用いることができる。

より具体的には、本発明法に用いられる強誘電性液晶化
合物の例としては、デシロキシベンジリデン−ｙ−アミ
ノ−２−メチルブチルシンナメート（ＤｏＢＡＭＢＣ）
、ヘキシルオキシベンジリデン−ｙ−アミノ−２−クロ
ロプロピルシンナメー）　（ＨＯＢＡＣＰＣ）および４
−ｏ−（２−メチル）−ブチルレゾルシリチン−４′−
オクチルアニリン（ＭＢＲＡ８）等が挙げられる。

これらの材料を用いて、素子を構成する場合、液晶化合
物が、ＳｍＣ木、ＳｍＨ木、ＳｍＩ本、ＳｍＦ＊、Ｓｍ
Ｇ木となるような温度状態に保持する為、必要に応じて
素子をヒーターが埋め込まれた銅ブロック等により支持
することができる。

第１図は、強誘電性液晶セルの例を模式的に描いたもの
である。１１とｌ　ｌ’は、Ｉｎ２Ｏ３゜Ｓ　ｎ　Ｏ２
やＩＴＯ（インジウム−ティン−オキサイド）等の透明
電極がコートされた基板（ガラス板）であり、その間に
液晶分子層１２がガラス面に垂直になるよう配向したＳ
ｍＣ本相０液晶が封入されている。太線で示した線１３
が液晶分子を表わしており、この液晶分子１３は、その
分子に直交した方向に双極子モーメント（Ｐ＋’＋　　
１４を＊１．でいる、基板１１と１１′上の電極間に一
定の閾値以上の電圧を印加すると、液晶分子１３のらせ
ん構造がほどけ、双極子モーメント（Ｐ上）１４はすべ
て電界方向に向くよう、液晶分子１３の配向方向を変え
ることができる。液晶分子１３は細長い形状を有してお
り、その長袖方向と短軸方向で屈折率異方性を示し、従
って例えばガラス面の上下に互いにクロスニコルの位置
関係に配置した偏光子を置けば、電圧印加極性によって
光学特性が変わる液晶光学変調素子となることは、容易
に理解される。さらに液晶セルの厚さを充分に薄くした
場合（例えば１用）には、第２図に示すように電界を印
加していない状態でも液晶分子のらせん構造はほどけ（
非らせん構造）、その双極子モーメン）Ｐ又はｙは上向
き（２４）又は下向き（２４’）のどちらかの配向状態
をとる。

このようなセルに第２図に示す如く一定の閾値以上の極
性の異る電界Ｅ又はＥ′を付与すると、双極子モーメン
ト電界Ｅ又はＥ′の電界ベクトルに対応して上向き２４
又は下向き２４′と向きを変え、それに応じて液晶分子
は第１の安定状態２３（明状態）か或は第２の安定状態
２３′（暗状態）の何れか一方に配向する。

この様な強誘電性液晶を光学変調素子として用いること
の利点を２つあげる。第１に応答速度が極めて速いこと
、第２に液晶分子の配向が双安定性を有することである
。第２の点を例えば第２図によって説明すると、電界Ｅ
を印加すると液晶分子は第１の安定状態２３に配向する
が、この状態は電界を切ってもこの第１の安定状態２３
が維持され、又、逆向きの電界ビを印加すると、液晶分
子は第２の安定状態２３′に配向してその分子の向きを
変えるが、やはり電界を切ってもこの状態に保ち、それ
ぞれの安定状態でメモリー機能を有している。このよう
な応答速度の速さと、双安定性が有効に実現されるには
、セルとしては出来るだけ薄い方が好ましく、一般的に
は０．５ｇ〜２０用、特に１座〜５ルが適している。こ
の種の強誘電性液晶を用いたマトリクス電極構造を有す
る液晶−電気光学装置は、例えばクラークとラガバルに
より、米国特許第４，３６７．９２４号明細書で提案さ
れている。

次に、本発明で用いる液晶光学素子の詳細を第３図を参
照して説明する。

第３図においてガラス基板３１上にスパッタリング法に
よって約２００人の厚さの透明導電膜であるＳ　ｎ　Ｏ
２膜をストライプ状に形成し表示用導電膜１０１とした
。このＳ　ｎ　Ｏ２ｆＩ＊１０１のシート抵抗は１０５
Ω／□であった。

次いで、１０００人厚で低抵抗の金属であるＡｉを前述
のストライプ状５ｎ０２１０１膜上に真空蒸着し、再び
パターニングすることに二 より第３図の如く電送電極１０２及び１０３ストライプ
状Ｓ　ｎ　Ｏ２膜１０１毎に形成した。

本例では電送電極１０２と１０３の間隔を１９０ｔｚと
した、この電送電極１０２及び１０３のシート抵抗は約
０．４Ω／□であり、その幅を約２０用とした。一方、
対向基板には領域Ａをカバーするような、導電性Ｉ　Ｔ
　ＯＩ＋！を対向電極１０４として設けた。この対向電
極１０４となるＩＴＯ膜のシート抵抗は約２０Ω／□で
あった。

このようにして作製された２つの基板のそれぞれの表面
に液晶配向膜として約５００人のポリビニルアルコール
層を形成し、ラビング処理を施した。

次に、２つの基板を対抗させ、間隙が約１牌となるよう
調節し１強誘電性液晶（ｐ−η−オクチルオキシ安息香
酸−Ｆ’−（２−メチルブチルオキシ）フェニルエステ
ルとｐ−η−ノニルオキシ安息香酸−Ｙ−（２−メチル
ブチルオキシ）フェニルエステルを主成分とした液晶組
成物）を注入した０表示用導電［９１０１と対向電極１
０４が重なる部分画素Ａの形状は、１９０ｇｘ２３０Ｉ
Ｌであって、強誘電性液晶注入後の静電容量は約３ＰＦ
であった。

このようにして形成した液晶セルの両側に。

偏光板をクロスニコルにして配設し、光学特性を観測し
た。

また、第３図は、本発明による階調表現方式をマトリク
ス駆動に適用した際の具体例を表わしている。

第３図に示す表示パネルは、ガラス基板３１の上にスト
ライプ状導電膜１０１　（１０１ａ。

１０１ｂ、ｌ０Ｉｃ）が複数配列され、さらにそれぞれ
のストライプ状導電膜１０１の長手方向における両端部
には低抵抗の電送電極１０２（１０２ａ、１０２ｂ　、
１０２ｃ）と１０３（１０３ａ、１０３ｂ、１０３ｃ）
が配線されている。基板３１と対向する対向基板（図示
せず）に設けたストライプ状の導電膜からなる対向電極
１０４　（１０４ａ　、１０４ｂ）が配置され、前述の
ストライプ状導電膜１０１と対向電極１０４との間に強
誘電性液晶が配置される。

本発明による駆動法では、例えば１次の様な駆動法によ
って、階調性のある画面を形成できる。

まず、ストライプ状導電膜１０４ａ、１０４ｂ−−−一
に、走査選択信号パルスを順次印加する。この際、走査
選択信号パルスとしては１強誘電性液晶の反転閾値電圧
より若干小さめの電圧パルスとすることが好ましい。

他方、階調画像を形成するための階調信号としては、上
記走査パルスと同期して、まず、一方の電送電極ライン
となっているストライプ電極１０２ａ、１０２ｂ、１０
２ｃｍ−一−ｋ１．。

例えば、第４図（ａ）〜（ｅ）または、第５図（Ｌ）〜
（ｅ）に示す様な１階調情報に応じた電圧信号パルスを
印加することによって、走査線上の画素を階調に応じて
、書込みを行なうことができる。このとき、他方の電送
電極ラインとなっているストライプ電極１０３ａ、１０
３ｂ、ＬＯ３ｃｍ−−一は、全て、基準電位点（例えば
、Ｏｖ）に接続しておく、又、この際、この段階では、
第６図に示す様に、ストライプ電極１０１ａ、１０１ｂ
、１０１ｃｍ−−一の最大的１／２の領域（第６図のＢ
部）まで書き込む様に、走査信号パルス、及び階調信号
パルスの最大値を設定することが望ましい、その理由を
第７図（ａ）、（ｂ）と（Ｃ）に基ずいて、説明する０
例えば、走査信号パルスとして、第７図（ａ）に示す様
な、波高値−Ｖｂを液晶の閾値電圧（Ｖ　Ｔ）より若干
小さめの電圧に選ぶ、即ち、Ｖｂ＝ＶＴ−β（但し、０
くβく７丁、望ましくは、β≦ＶＴ／２とする。この時
、走査パルスのみで、書き込めないから、ｖｂ＞ｖＴに
はできない。〉 また、階調信号パルスの最大値（Ｖａｍａｘ）も、７丁
より大きくできない（クロストークを起こさないため）
から、第７図（ｂ）に示す様に、 Ｖａｍａｘ＝Ｖ７−ａ　（但し、０　＜　ａ　＜　Ｖ　
丁、望ましくは、α≦ｖＴ／２とする） とすれば、走査信号パルスと、階調信号で挟まれた領域
に加わる印加電圧は、第７図（Ｃ）に示す様になる。即
ち、液晶に加わる印加電圧が、Ｖτを超えない、領域Ｃ
′が必ず存在する。このＣ′領領域は、液晶は反転せず
、画素の有効な領域とならない、即ち、Ｃ′領領域分だ
け、有効開口率が減じてしまうが、本発明では走査信号
パルスと情報信号パルスとの合成値の最大値を画素の中
央付近で強誘電性液晶の閾値電圧と略等しくなすことに
よって、有効開口率を大幅に向上させることができる。

以下に、その具体的方法について述べる。

即ちまず、第７図（Ｃ）に於て、Ｂ’＝Ｃ’となる様に
、ｖａ＋ｖｂに条件を選ぶ０例えば、１例として、 Ｖ　ｂ　＝　Ｖ　ｒ　−０，２５Ｖ　Ｔ　＝　０．７５
　Ｖ　ＴＶ　ａｍ　ａ　ｘ　＝　Ｖ　丁−０，５Ｖ　７
　＝　０．５　Ｖ　７とすれば良い、また、別の典型的
な１例として、 Ｖ　　ｂ＝　Ｖ　７−０．５　Ｖ　Ｔ　＝　０．５　Ｖ
　ＴＶｚｍａｘ申ｖＴ としても良い。

走査信号パルスＶｂと、階調信号パルスの最大電圧Ｖ　
ａｍ　ａ　ｘを上記の様に選べば、前述した様に、まず
、最初の段階として、第６図に示す様に、ストライプ導
電膜１０１の１７２の領域（Ｂ部）に階調信号を書き込
める０次ぎに、残りの０部に１階調信号を書き込む方法
について述べる。走査信号パルスと、階調信号パルスの
条件は、上記と同じに選ぶ、かくして、走査４８号パル
スを順次、１０４ａ、１０４ｂ。

１０４　ｃ−−−−１と印加していくとき、各走査信号
パルスと同期して、階調信号パルスを、ストライプ電極
１０３ａ、１０３ｂ、１０３ｃｍ−−−１に印加する。

この時、ストライプ電極１０２ａ、１０２ｂ、１０２ｃ
ｍ−−−は、全て、基準電位点（例えばＯｖ）に接続し
ておく、かくして、０部にも、階調信号を書き込むこと
ができる。

又、本発明の駆動法を階調表示方式に適用する場合には
、前述の階調信号を印加するに先立って１画素を明状態
か暗状態のうち何れか一方の状態にする消去ステップを
経てから、その状態を反転させる反転電圧が階調に応じ
て制御されて強誘電性液晶に印加される様にしておくこ
とが必要である。又、階調信号としては、第４図及び第
５図に示す階調信号の他に階調に応じたパルス数のパル
ス信号を用いることができる。

又、本発明の別の好ましい具体例では、第３図に示す液
晶光学素子の電送電極ラインであるストライプ電極１０
２ａ、１０２ｂ、１０２ｃｍ−一−に順次走査信号パル
スを印加し、かかる走査パルスと同期させて情報信号、
例えば階調に応じたパルス幅、波高値又はパルス数のパ
ルス信号をストライプ状電極１０４ａ、１０４ｂ−一一
一に印加しく第１フイールド）１次いで第２ステップと
してもう一方の電送電極ラインであるストライプ電極１
０３ａ、１０３ｂ、１０３Ｃ−−ｍ−に走査信号パルス
を印加し、かかる走査パルスと同期させて情報信号を印
加する（第２フイールド）ことによって一画面の階調画
像を形成することができる。又、この駆動法を階調駆動
方式に適用する際情報信号を印加するに先立って、走査
信号パルスが印加された走査線の画素は、強誘電性液晶
の第１安定状態又は第２安定状態に基づく一方の表示状
態に揃えておくことが必要である。又、第１フイールド
の時の電送電極ライン１０３ａ、１０３ｂ、１０３ｃｍ
−一−と第２フイールドの時の電送電極ライン１０２ａ
、１０２ｂ、１０２ｃｍ−−−は基準電位点（例えば、
Ｏポルト）に接続しておく。

第８図は、本発明の別の具体例を表わしている。第８図
で示す液晶光学素子は、複数のストライプ状導電膜第１
が一方の基板上に設けられ、このストライプ状導電Ｉ！
１Ｉ第１と交差させて対向配置した複数のストライプ状
導電膜８２が強誘電性液晶を介して他方の基板上に設け
られている。さらに、前述のストライプ状導電膜第１と
８２のそれぞれの両端部には低抵抗の電送電極８３．８
４．８５と８６が配線されている。

本発明の別の駆動法では、電送電極８３のそれぞれの端
子ｓｌ、ｓ２．−−−−ｓ７が走査信号発生回路（図示
せず）に接続され、一方の電送電極８５のそれぞれの端
子Ｉ　１　、　Ｉ　２　、−−−−−−Ｉ６が情報信号
発生回路（図示せず）に接続されているが、第１フイー
ルドで奇数番目の走査線ｓ１．ｓ３．ｓ５−一−−に順
次走査信号パルスを印加し、奇数番目の情報線１１．Ｉ
３．Ｉ５−一−−に走査信号パルスと同期させて情報信
号を印加する。この際、偶数番目の走査線Ｓ２゜Ｓ４＋
Ｓ６−−−−と偶数番目の情報線Ｉ２．Ｉ４゜ｒ　６−
−−−はそれぞれ基準電位点に接続されている。次いで
、第２フイールドで奇数番目の走査線ｓ、、ｓ３，５５
−−−−に順次走査パルスを印加し、偶数番目の情報線
Ｉ　２　、　Ｉ　４　、　Ｉ　６−−−−に走査信号パ
ルスと同期して情報信号を印加する。この際、偶数番目
の走査線Ｓ２．Ｓ４゜ｓ　６−−−−と奇数番目の情報
線１１．Ｉ３．Ｉ５−−−−は、それぞれ基準電位点に
接続する。続く、第３フイールドで偶数番目の走査線Ｓ
２＋Ｓ　４　＊　Ｓ　６−−−−に順次走査信号パルス
を印加し、奇数番目の情報線１１．Ｉ３．Ｉ５−−−一
に走査信号パルスと同期して情報信号を印加する。この
時、奇数番目の走査線Ｓ　１　、Ｓ　３　＊ｓ　５−−
−−と偶数番目の情報線Ｉ２．Ｉ４．Ｉ。

−一−−は、それぞれ基準電位点に接続する。さらに、
第４フイールドで、偶数番目の走査線Ｓ２゜Ｓ　４　、
　Ｓ　８−−−一に順次走査信号パルスを印加し、偶数
番目の情報線１２．Ｉ４．Ｉ６−−−−に走査信号パル
スと同期して情報信号を印加する。

この時、奇数番目の走査線Ｓ　１　、Ｓ　３　＋　Ｓ　
５−−と奇数番目の情報線Ｉ　：１　、　Ｉ　、３　、
　Ｉター−−−は、それぞれ基準電位点に接続される。

この際に用いる情報信号としては、前述した階調信号を
好ましく用いることができる。

従って、大発明の駆動法では消去ステップを経た各画素
が走査信号側導電膜の面内で電位勾配を発生し、さらに
情報信号側導電膜の面内でも電位勾配を発生し、両側の
電位勾配で発生する電位差勾配が画素内の強誘電性液晶
に印加されることになり、多階調の表示画面の形成が可
能となる。

又、本発明では前述の例で使用したアルミニウム（Ａ文
）の電送電極１０２，１０３゜８３，８４．８５と８６
の他に銀、銅、金、クロムなどの金属を電送電極３３と
して使用することができ、好ましくはそのシート抵抗を
１０２Ω／□以下とすることができる。又、電位勾配が
付与されるストライプ導電膜ｌｏｔ　。

第１と８２としては１０２Ω／□〜ＩＭΩ／□のシート
抵抗をもつ透明導電膜を用いることができる。

又、本発明では前述の強誘電性液晶の他にツィステッド
ネマチック液晶、ゲストホスト液晶などを用いることが
できるが、最も好ましくは強誘電性液晶、特に少なくと
も２つの安定状態をもつ強誘電性液晶が適している。

〔発明の効果〕

本発明によれば、パターニングで製作した画素の２倍の
表示解像力を有するパネルを提供することに第１の効果
がある。即ち、パターニングした画素の両端に電送電極
を設け、且つ、電送電極に印加する電圧の最大値を制限
することによって、表示画素の解像力をパターニング画
素の２倍にすることができる。逆に言えば、パターニン
グ画素数は、表示画素数の１／２で良いということであ
り、これは、１０本／　ｍ　ｍ以上の表示画素数を有す
る高解像パネルを製作する場合等には、特にパターニン
グ、エツチング工程の容易さという点で、製作上のメリ
ットを有する。

本発明によるもう１つの効果としては、有効開口率を大
幅に向上させることができる。

画素を構成する少なくとも一方の導電膜面内に電位勾配
を形成し、入力信号として電圧値、あるいはパルス幅あ
るいはパルス数等によって変調された階調信号を印加す
ることにより、階調表示を行なうことができる。

【図面の簡単な説明】

第１図及び第２図は、本発明で用いる強誘電性液晶素子
を模式的に示す斜視図である。第３図は本発明で用いる
電極構造を表わす斜視図である。第４図（ａ）〜（ｅ）
及び第５図（ａ）〜（ｅ）は、階調に応じた情報信号パ
ルスの波形図である。第６図は、画素の表示状態を表わ
す説明図で、第７図（ａ）〜（Ｃ）はその時の電位勾配
状態を模式的に表わす説明図である。 第８図は、本発明で用いた別の電極構造を表わす平面図
である。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 （１）第１のストライプ状導電膜及び該第１の導電膜と
   電気的に接続させて配線した少なくとも２本の電送ライ
   ンを有する第１基板と、前記第１のストライプ状導電膜
   に対して対向配置した第２のストライプ状導電膜を有す
   る第２基板と、第１基板と第２基板との間に配置した光
   学変調物質とを有する光学変調素子の駆動法であって、
   前記第２のストライプ状導電膜に順次印加した走査信号
   と同期して、前記第１のストライプ状導電膜と電気的に
   接続させて配線した少なくとも２本の電送ラインのうち
   の一方の電送ラインである第１の電送ラインに情報信号
   を印加し、他方の電送ラインである第２の電送ラインを
   基準電位点に接続する第１ステップと、前記第２のスト
   ライプ状導電膜に順次印加した走査信号と同期して、前
   記第１のストライプ状導電膜と電気的に接続させて配線
   した少なくとも２本の電送ラインのうちの他方の電送ラ
   インである第２の電送ラインに情報信号を印加し、一方
   の電送ラインである第１の電送ラインを基準電位点に接
   続する第２ステップとを有することを特徴とする光学変
   調素子の駆動法。 （２）前記情報信号が階調に応じたパルス幅のパルス信
   号である特許請求の範囲第１項記載の駆動法。 （３）前記情報信号が階調に応じたパルス数のパルス信
   号である特許請求の範囲第１項記載の駆動法。 （４）前記情報信号が階調に応じた波高値をもつパルス
   信号である特許請求の範囲第１項、記載の駆動法。 （５）前記第１の電極のシート抵抗が前記導電膜のシー
   ト抵抗より小さいシート抵抗である特許請求の範囲第１
   項記載の駆動法。 （６）前記導電膜のシート抵抗が１０＾２Ω／□以上で
   ある特許請求の範囲第１項記載の駆動法。 （７）前記光学変調物質が強誘電性液晶である特許請求
   の範囲第１項記載の駆動法。 （８）前記強誘電性液晶がカイラルスメクチツク液晶で
   ある特許請求の範囲第７項記載の駆動法。 （９）第１のストライプ状導電膜及び該第１の導電膜と
   電気的に接続させて配線した少なくとも２本の電送ライ
   ンを有する第１基板と、前記第１のストライプ状導電膜
   に対して対向配置した第２のストライプ状導電膜を有す
   る第２基板と、第１基板と第２基板との間に配置した光
   学変調物質とを有する光学変調素子の駆動法であって、
   前記ストライプ状導電膜と電気的に接続させて配線した
   少なくとも２本の電送ラインのうちの一方の電送ライン
   である第１の電送ラインに順次走査信号を印加するとと
   もに、他方の電送ラインである第２の電送ラインを基準
   電位点に接続し、前記第２のストライプ状導電膜に情報
   信号を走査信号と同期して印加する第１ステップと、前
   記ストライプ状導電膜と電気的に接続させて配線した少
   なくとも２本の電送ラインのうちの他方の電送ラインで
   ある第２の電送ラインに順次走査信号を印加するととも
   に、一方の電送ラインである第１の電送ラインを基準電
   位点に接続し、前記第２のストライプ状導電膜に情報信
   号を走査信号と同期して印加する第２ステップとを有す
   ることを特徴とする光学変調素子の駆動法。 （１０）前記情報信号が階調に応じたパルス幅のパルス
   信号である特許請求の範囲第９項記載の駆動法。 （１１）前記情報信号が階調に応じたパルス数のパルス
   信号である特許請求の範囲第９項記載の駆動法。 （１２）前記情報信号が階調に応じた波高値をもつパル
   ス信号である特許請求の範囲第９項記載の駆動法。 （１３）前記第１の電極のシート抵抗が前記導電膜のシ
   ート抵抗より小さいシート抵抗である特許請求の範囲第
   ９項記載の駆動法。 （１４）前記導電膜のシート抵抗が１０＾２Ω／□以上
   である特許請求の範囲第９項記載の駆動法。 （１５）前記光学変調物質が強誘電性液晶である特許請
   求の範囲第９項記載の駆動法。 （１６）前記強誘電性液晶がカイラルスメクチツク液晶
   である特許請求の範囲第１５項記載の駆動法。 （１７）第１のストライプ状導電膜及び該第１の導電膜
   と電気的に接続させて配線した少なくとも２本の第１及
   び第２電送ラインを有する第１基板と、前記第１のスト
   ライプ状導電膜に対して対向配置した第２のストライプ
   状導電膜及び該第２の導電膜と電気的に接続させて配置
   した少なくとも２本の第３及び第４電送ラインを有する
   第２基板と、第１基板と第２基板との間に配置した光学
   変調物質とを有する光学変調素子の駆動法であって、第
   １電送ラインに順次走査信号を印加するとともに、第２
   電送ラインを基準電位点に接続し、第３電送ラインに情
   報信号を走査信号と同期して印加するとともに、第４電
   送ラインを基準電位点に接続する第１ステップと、第１
   電送ラインに順次走査信号を印加するとともに、第２電
   送ラインを基準電位点に接続し、第４電送ラインに情報
   信号を走査信号と同期して印加するとともに、第３電送
   ラインを基準電位点に接続する第２ステップとを有する
   ことを特徴とする光学変調素子の駆動法。 （１８）前記情報信号が階調に応じたパルス幅のパルス
   信号である特許請求の範囲第１７項記載の駆動法。 （１９）前記情報信号が階調に応じたパルス数のパルス
   信号である特許請求の範囲第１７項記載の駆動法。 （２０）前記情報信号が階調に応じた波高値をもつパル
   ス信号である特許請求の範囲第１７項記載の駆動法。 （２１）前記第１の電極のシート抵抗が前記導電膜のシ
   ート抵抗より小さいシート抵抗である特許請求の範囲第
   １７項記載の駆動法。 （２２）前記導電膜のシート抵抗が１０＾２Ω／□以上
   である特許請求の範囲第１７項記載の駆動法。 （２３）前記光学変調物質が強誘電性液晶である特許請
   求の範囲第１７項記載の駆動法。 （２４）前記強誘電性液晶がカイラルスメクチツク液晶
   である特許請求の範囲第２３項記載の駆動法。 （２５）第１のストライプ状導電膜及び該第１の導電膜
   と電気的に接続させて配線した少なくとも２本の第１及
   び第２電送ラインを有する第１基板と、第１のストライ
   プ状導電膜に対して対向配量した第２のストライプ状導
   電膜及び第２の導電膜と電気的に接続させて配置した少
   なくとも２本の第３及び第４電送ラインを有する第２基
   板と、第１基板と第２基板との間に配置した光学変調物
   質とを有する光学変調素子の駆動法であって、第１電送
   ラインに順次走査信号を印加するとともに、第２電送ラ
   インを基準電位点に接続し、第３電送ラインに情報信号
   を走査信号と同期して印加するとともに、第４電送ライ
   ンを基準電位点に接続する第１ステップと、第１電送ラ
   インに順次走査信号を印加するとともに、第２電送ライ
   ンを基準電位点に接続し、第４電送ラインに情報信号を
   走査信号と同期して印加するとともに、第３電送ライン
   を基準電位点に接続する第２ステップと、第２電送ライ
   ンに順次走査信号を印加するとともに、第１電送ライン
   を基準電位点に接続し、第３電送ラインに情報信号を走
   査信号と同期して印加するとともに、第４電送ラインを
   基準電位点に接続する第３ステップと、第２電送ライン
   に順次走査信号を印加するとともに、第１電送ラインを
   基準電位点に接続し、第４電送ラインに情報信号を走査
   信号と同期して印加するとともに、第３電送ラインを基
   準電位点に接続する第４ステップとを有することを特徴
   とする光学変調素子の駆動法。 （２８）前記情報信号が階調に応じたパルス幅のパルス
   信号である特許請求の範囲第２５項記載の駆動法。 （２７）前記情報信号が階調に応じたパルス数のパルス
   信号である特許請求の範囲第２５項記載の駆動法。 （２８）前記情報信号が階調に応じた波高値をもつパル
   ス信号である特許請求の範囲第２５項記載の駆動法。 （２９）前記第１の電極のシート抵抗が前記導電膜のシ
   ート抵抗より小さいシート抵抗である特許請求の範囲第
   ２５項記載の駆動法。 （３０）前記導電膜のシート抵抗が１０＾２Ω／□以上
   である特許請求の範囲第２５項記載の駆動法。 （３１）前記光学変調物質が強誘電性液晶である特許請
   求の範囲第２５項記載の駆動法。 （３２）前記強誘電性液晶がカイラルスメクチツク液晶
   である特許請求の範囲第３１項記載の駆動法。 （３３）走査信号パルスと情報信号パルスとの合成値の
   最大値が画素の中央付近で光学変調物質の閾値電圧と略
   等しい値となっている特許請求の範囲第１項、第９項、
   第１７項又は第２５項記載の駆動法。