JPS63281031A - チツプ温度検出回路 - Google Patents
チツプ温度検出回路Info
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- JPS63281031A JPS63281031A JP11609987A JP11609987A JPS63281031A JP S63281031 A JPS63281031 A JP S63281031A JP 11609987 A JP11609987 A JP 11609987A JP 11609987 A JP11609987 A JP 11609987A JP S63281031 A JPS63281031 A JP S63281031A
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- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims abstract description 5
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 19
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 1
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Measuring Temperature Or Quantity Of Heat (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、半導体集積回路において、特に所定温度に
なったときこれを検出してハイ又はロウの所定電圧を出
力するチップ温度検出回路に関するものである。
なったときこれを検出してハイ又はロウの所定電圧を出
力するチップ温度検出回路に関するものである。
第2図は従来のチップ温度検出回路を示す回路図であり
、図において、1は定電流源、10〜12.14は抵抗
、13はトランジスタである。このチップ温度検出回路
は、安定化電圧v、7.を抵抗10.11により分圧し
た電圧■、と温度により変化するトランジスタ13の■
1とを利用し、出力(OUT)をハイからロウに変化さ
せるものである。
、図において、1は定電流源、10〜12.14は抵抗
、13はトランジスタである。このチップ温度検出回路
は、安定化電圧v、7.を抵抗10.11により分圧し
た電圧■、と温度により変化するトランジスタ13の■
1とを利用し、出力(OUT)をハイからロウに変化さ
せるものである。
このようなチップ温度検出回路では、安定化電圧V3□
を抵抗10.11により分圧した電圧V。
を抵抗10.11により分圧した電圧V。
とトランジスタ13のベース・エミッタ間電圧vlfと
が比較され、vll!がV、より小さい場合に出力がロ
ウになる。
が比較され、vll!がV、より小さい場合に出力がロ
ウになる。
Vatは温度上昇に伴って下降するが、安定化電圧v、
7.の分圧として得られるvlは一定であるため、vI
とV□が交差する点が現われ、その点を始点にしてトラ
ンジスタ13がオンする。
7.の分圧として得られるvlは一定であるため、vI
とV□が交差する点が現われ、その点を始点にしてトラ
ンジスタ13がオンする。
従って、voの温度係数を利用して、トランジスタ13
をオンさせる温度を自由に設定することができる。
をオンさせる温度を自由に設定することができる。
従来のチップ温度検出回路は以上のように構成されてい
るので、安定化電圧V 1?lが温度に関して安定でな
ければならず、その構成に多くの素子が必要であるとい
う問題点があった。
るので、安定化電圧V 1?lが温度に関して安定でな
ければならず、その構成に多くの素子が必要であるとい
う問題点があった。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、安定化電圧V、□を設けることなく、簡単な
素子構成により得ることができるチップ温度検出回路を
提供することを目的とする。
たもので、安定化電圧V、□を設けることなく、簡単な
素子構成により得ることができるチップ温度検出回路を
提供することを目的とする。
C問題点を解決するための手段〕
この発明に係るチップ温度検出回路は、コレクタ・ベー
ス間に拡散抵抗を接続し、ベースを電流源に、エミッタ
をアースに接続した第1のトランジスタと、ベースを該
第1のトランジスタのコレクタに、エミッタをアースに
接続した第2のトランジスタを設け、上記拡散抵抗によ
る電圧降下により上記第2のトランジスタをオンさせて
、ハイ又はロウの所定電圧の出力を得るようにしたもの
である。
ス間に拡散抵抗を接続し、ベースを電流源に、エミッタ
をアースに接続した第1のトランジスタと、ベースを該
第1のトランジスタのコレクタに、エミッタをアースに
接続した第2のトランジスタを設け、上記拡散抵抗によ
る電圧降下により上記第2のトランジスタをオンさせて
、ハイ又はロウの所定電圧の出力を得るようにしたもの
である。
この発明においては、拡散抵抗による電圧降下と第2の
トランジスタのvlとが温度により変化するので、所定
の温度にて上記電圧降下がVIEより大きくなり、第2
のトランジスタがオンすることとなる。
トランジスタのvlとが温度により変化するので、所定
の温度にて上記電圧降下がVIEより大きくなり、第2
のトランジスタがオンすることとなる。
以下、この発明の実施例を図について説明する。
第1図はこの発明の一実施例によるチップ温度検出回路
を示す回路図であり、図において、1は定電流源、2は
拡散抵抗、3はコレクタ・ベース間に拡散抵抗2を接続
したトランジスタ、4,5゜6は定電流回路(カレント
ミラー回路)を構成するトランジスタ、7はトランジス
タ5のコレクタ電流がオーブンになるのを防ぐために用
いられる拡散抵抗、8は拡散抵抗、9は出力端子(OU
T)とGND間に設けられたトランジスタであり、これ
ら拡散抵抗及びトランジスタのvoは各々温度係数を持
っている。
を示す回路図であり、図において、1は定電流源、2は
拡散抵抗、3はコレクタ・ベース間に拡散抵抗2を接続
したトランジスタ、4,5゜6は定電流回路(カレント
ミラー回路)を構成するトランジスタ、7はトランジス
タ5のコレクタ電流がオーブンになるのを防ぐために用
いられる拡散抵抗、8は拡散抵抗、9は出力端子(OU
T)とGND間に設けられたトランジスタであり、これ
ら拡散抵抗及びトランジスタのvoは各々温度係数を持
っている。
このような構成になるチップ温度検出回路では、温度が
上昇すると、拡散抵抗2の抵抗値2が大きくなりその電
圧降下が大きくなる。そのためトランジスタ3と4のエ
ミッタ・ベース間電圧に差が生じる。
上昇すると、拡散抵抗2の抵抗値2が大きくなりその電
圧降下が大きくなる。そのためトランジスタ3と4のエ
ミッタ・ベース間電圧に差が生じる。
ここで拡散抵抗2の抵抗値をR1増加分をΔR1定電流
源1の電流をI、、トランジスタ4に流れる電流をI8
、トランジスタ3.4のエミッタ・ベース間電圧をそれ
ぞれV□l+V□、とすると、拡散抵抗2による電圧降
下は次式で表わされる。
源1の電流をI、、トランジスタ4に流れる電流をI8
、トランジスタ3.4のエミッタ・ベース間電圧をそれ
ぞれV□l+V□、とすると、拡散抵抗2による電圧降
下は次式で表わされる。
!、(R+ΔR) =Vmt+ Vmtz(ただし、
n、mはトランジスタ3.4のエミッタサイズ比、Is
+、 Is□は飽和電流、v7はサーマル電圧である
。) この式から電流I2が求まり、カレントミラー回路によ
りトランジスタ6に流れる電流■3が得られる。
n、mはトランジスタ3.4のエミッタサイズ比、Is
+、 Is□は飽和電流、v7はサーマル電圧である
。) この式から電流I2が求まり、カレントミラー回路によ
りトランジスタ6に流れる電流■3が得られる。
次に拡散抵抗8の抵抗値をR8とすると、温度が上昇す
るとその抵抗値はR6+ΔR8となる。
るとその抵抗値はR6+ΔR8となる。
従って抵抗8による電圧降下(R,+ΔR1)×13が
トランジスタ9のベースにかかることとなる。この時電
流I2によるトランジスタ9のエミッタ・ベース間電圧
を■。、とすると、電圧降下(R,+ΔR11)×I3
がV 1t9を越えた時にトランジスタ9がオンし、出
力(OUT)がロウとなる。
トランジスタ9のベースにかかることとなる。この時電
流I2によるトランジスタ9のエミッタ・ベース間電圧
を■。、とすると、電圧降下(R,+ΔR11)×I3
がV 1t9を越えた時にトランジスタ9がオンし、出
力(OUT)がロウとなる。
このように、本実施例回路では、拡散抵抗2による電圧
降下により所定の温度でトランジスタ4がオンし、該ト
ランジスタ4に流れる電流I!に基づいてトランジスタ
9がオンするようにしたので、所定の温度にてロウレベ
ルの電圧を出力することができ、従来回路のような“安
定化電圧、□を設けることなく、拡散抵抗とトランジス
タとの簡単な素子構成によりチップ温度検出回路を得る
ことができる。
降下により所定の温度でトランジスタ4がオンし、該ト
ランジスタ4に流れる電流I!に基づいてトランジスタ
9がオンするようにしたので、所定の温度にてロウレベ
ルの電圧を出力することができ、従来回路のような“安
定化電圧、□を設けることなく、拡散抵抗とトランジス
タとの簡単な素子構成によりチップ温度検出回路を得る
ことができる。
なお、上記実施例では、ロウレベルの電圧を出力する場
合について述べたが、トランジスタ6゜9、拡散抵抗8
を用いない回路構成とすれば、ハイレベルを出力するこ
とができる。
合について述べたが、トランジスタ6゜9、拡散抵抗8
を用いない回路構成とすれば、ハイレベルを出力するこ
とができる。
また、上記実施例では、電流I、を一定のものとし、電
流1x、Ixを拡散抵抗2.及びトランジスタ3.4の
エミッタ比により得るものについて説明しているが、電
流■1は温度により変化するものであってもよく、上記
実施例と同様の効果を奏する。
流1x、Ixを拡散抵抗2.及びトランジスタ3.4の
エミッタ比により得るものについて説明しているが、電
流■1は温度により変化するものであってもよく、上記
実施例と同様の効果を奏する。
以上のように、この発明によれば、コレクタ・ベース間
に拡散抵抗を接続し、ベースを電流源に、エミッタをア
ースに接続した第1のトランジスタと、ベースを該第1
のトランジスタのコレクタに、エミッタをアースに接続
した第2のトランジスタを設け、上記拡散抵抗による電
圧降下により上記第2のトランジスタをオンさせて、ハ
イ又はロウの所定電圧の出力を得るようにしたので、安
定化電圧を設けることなく、拡散抵抗及びトランジスタ
による簡単な素子構成によりチップ温度検出回路を得る
ことができる効果がある。
に拡散抵抗を接続し、ベースを電流源に、エミッタをア
ースに接続した第1のトランジスタと、ベースを該第1
のトランジスタのコレクタに、エミッタをアースに接続
した第2のトランジスタを設け、上記拡散抵抗による電
圧降下により上記第2のトランジスタをオンさせて、ハ
イ又はロウの所定電圧の出力を得るようにしたので、安
定化電圧を設けることなく、拡散抵抗及びトランジスタ
による簡単な素子構成によりチップ温度検出回路を得る
ことができる効果がある。
第1図はこの発明の一実施例によるチップ温度検出回路
を示す回路図、第2図は従来のチップ温度検出回路を示
す回路図である゛。 図において、1は定電流源、2,7.8は拡散抵抗、3
,4.9はnpnトランジスタ、5.6はpnpトラン
ジスタ、Il、Il、Isは電流である。 なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
を示す回路図、第2図は従来のチップ温度検出回路を示
す回路図である゛。 図において、1は定電流源、2,7.8は拡散抵抗、3
,4.9はnpnトランジスタ、5.6はpnpトラン
ジスタ、Il、Il、Isは電流である。 なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
Claims (3)
- (1)周囲温度が所定温度になったときこれを検出して
ハイ又はロウの所定電圧を出力するチップ温度検出回路
において、 コレクタ・ベース間に拡散抵抗を接続し、ベースを電流
源に、エミッタをアースに接続した第1のトランジスタ
と、 ベースを該第1のトランジスタのコレクタに、エミッタ
をアースに接続し、上記拡散抵抗による電圧降下により
所定温度にてオンする第2のトランジスタと、 該第2のトランジスタに流れる電流があるときハイ又は
ロウの所定電圧を出力端子に出力する出力回路とを備え
たことを特徴とするチップ温度検出回路。 - (2)上記出力回路は、 第1のコレクタを上記第2のトランジスタのコレクタに
、第2のコレクタを上記出力端子に接続した第3のpn
pトランジスタと、 上記出力端子とアース間に接続された第1の拡散抵抗と
を備え、 検出出力としてハイレベルの電圧を出力するものである
ことを特徴とする特許請求の範囲第1項記載のチップ温
度検出回路。 - (3)上記出力回路は、 第1のコレクタを上記第2のトランジスタのコレクタに
、第2のコレクタを上記出力端子に接続した第3のpn
pトランジスタと、 上記出力端子とアース間に接続された第1の拡散抵抗と
、 ベースを該第3のトランジスタのベースに、コレクタを
第2の拡散抵抗を介してアースに接続した第4のpnp
トランジスタと、 ベースを上記第4のトランジスタのコレクタに接続し、
コレクタ・エミッタ間を上記出力端子とアース間に接続
した第5のトランジスタとを備え、検出出力としてロウ
レベルの電圧を出力するものであることを特徴とする特
許請求の範囲第1項記載のチップ温度検出回路。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11609987A JPS63281031A (ja) | 1987-05-13 | 1987-05-13 | チツプ温度検出回路 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11609987A JPS63281031A (ja) | 1987-05-13 | 1987-05-13 | チツプ温度検出回路 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63281031A true JPS63281031A (ja) | 1988-11-17 |
Family
ID=14678677
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP11609987A Pending JPS63281031A (ja) | 1987-05-13 | 1987-05-13 | チツプ温度検出回路 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63281031A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5918982A (en) * | 1996-09-12 | 1999-07-06 | Denso Corporation | Temperature detecting using a forward voltage drop across a diode |
CN103050423A (zh) * | 2012-12-20 | 2013-04-17 | 上海宏力半导体制造有限公司 | 晶圆温度的检测方法 |
-
1987
- 1987-05-13 JP JP11609987A patent/JPS63281031A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5918982A (en) * | 1996-09-12 | 1999-07-06 | Denso Corporation | Temperature detecting using a forward voltage drop across a diode |
CN103050423A (zh) * | 2012-12-20 | 2013-04-17 | 上海宏力半导体制造有限公司 | 晶圆温度的检测方法 |
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