JP2574931B2 - バンドギャップ型定電流回路 - Google Patents
バンドギャップ型定電流回路Info
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Description
【発明の詳細な説明】 ＜産業上の利用分野＞ 本発明は、例えばパワーデバイスのように、動作温度
が広範囲にわたるモノリシック集積回路等に用いられる
バンドギャップ型定電流回路に関するものである。
が広範囲にわたるモノリシック集積回路等に用いられる
バンドギャップ型定電流回路に関するものである。
＜従来の技術＞ 従来のバンドギャップ型定電流回路（以下、単に定電
流回路と記す）について、第７図及び第８図を参照して
説明する。
流回路と記す）について、第７図及び第８図を参照して
説明する。
従来の定電流回路は、例えば第７図に示すように、３
個のPNPトランジスタ１乃至３と、３個のNPNトランジス
タ４乃至６と、ベース拡散抵抗７と起動抵抗８とから構
成されている。図中、１及び２はそれぞれカレントミラ
ー回路を構成する入力側の第１及び出力側の第２のトラ
ンジスタ、また4,5はそれぞれ前記第１及び第２のトラ
ンジスタに接続される電流制御用の第３及び第４のトラ
ンジスタ、３は定電流出力用のトランジスタである。
個のPNPトランジスタ１乃至３と、３個のNPNトランジス
タ４乃至６と、ベース拡散抵抗７と起動抵抗８とから構
成されている。図中、１及び２はそれぞれカレントミラ
ー回路を構成する入力側の第１及び出力側の第２のトラ
ンジスタ、また4,5はそれぞれ前記第１及び第２のトラ
ンジスタに接続される電流制御用の第３及び第４のトラ
ンジスタ、３は定電流出力用のトランジスタである。
このような定電流回路では、NPNトランジスタ６にお
けるベース・エミッタ間の電圧をVBE01,ベース拡散抵抗
７の抵抗値をR01とすると、 I01＝VBE01/R01 ・・・式（１） で示される出力電流I01が得られる。
けるベース・エミッタ間の電圧をVBE01,ベース拡散抵抗
７の抵抗値をR01とすると、 I01＝VBE01/R01 ・・・式（１） で示される出力電流I01が得られる。
しかし、上記従来の定電流回路では、通常NPNトラン
ジスタ６におけるベース・エミッタ間の電圧VBE01の温
度係数は、約−3200PPMでありベース拡散抵抗７の抵抗
値R01の温度係数は約2800PPMである。それゆえ定電流回
路の温度係数は、合計で約−6000PPMと大きな値とな
る。そのために広範囲な動作温度のもとでは、出力電流
I01の変動が大きく、安定した定電流を供給することが
できないという問題点がある。
ジスタ６におけるベース・エミッタ間の電圧VBE01の温
度係数は、約−3200PPMでありベース拡散抵抗７の抵抗
値R01の温度係数は約2800PPMである。それゆえ定電流回
路の温度係数は、合計で約−6000PPMと大きな値とな
る。そのために広範囲な動作温度のもとでは、出力電流
I01の変動が大きく、安定した定電流を供給することが
できないという問題点がある。
これに対し、温度係数の減少を図った定電流回路とし
て第８図に示す回路が提案されている。
て第８図に示す回路が提案されている。
第８図では、第７図のトランジスタ６がなく、また第
７図のベース拡散抵抗７に代えてイオン注入抵抗11を接
続して構成される。
７図のベース拡散抵抗７に代えてイオン注入抵抗11を接
続して構成される。
以上のような定電流回路では、トランジスタ４及びト
ランジスタ５におけるベース・エミッタ間の電圧をそれ
ぞれVBE02,VBE03、エミッタ電流をIE02,IE03、イオン注
入抵抗11の抵抗値をR02、ボルツマン定数をＫ、動作温
度の絶対温度をＴ、素電荷をｑ、トランジスタ４とトラ
ンジスタ５とのエミッタ面積比をＮとすると、この定電
流回路によって得られる出力電流I02は、 I02＝（1/R02）・（VBE03−VBE02） ＝（1/R02）・｛（KT/q）・1n（IE03/Is） −（KT/q）・1n（IE02/N・Is）｝ ＝（1/R02）・｛（KT/q）・1n（Ｎ・Is/Is） ・（IE03/IE02）｝ ・・・式（２） となる。ここでIsはベース−エミッタ逆方向飽和電流で
ある。
ランジスタ５におけるベース・エミッタ間の電圧をそれ
ぞれVBE02,VBE03、エミッタ電流をIE02,IE03、イオン注
入抵抗11の抵抗値をR02、ボルツマン定数をＫ、動作温
度の絶対温度をＴ、素電荷をｑ、トランジスタ４とトラ
ンジスタ５とのエミッタ面積比をＮとすると、この定電
流回路によって得られる出力電流I02は、 I02＝（1/R02）・（VBE03−VBE02） ＝（1/R02）・｛（KT/q）・1n（IE03/Is） −（KT/q）・1n（IE02/N・Is）｝ ＝（1/R02）・｛（KT/q）・1n（Ｎ・Is/Is） ・（IE03/IE02）｝ ・・・式（２） となる。ここでIsはベース−エミッタ逆方向飽和電流で
ある。
上式（２）においてトランジスタ１及びトランジスタ
２でカレントミラー回路を構成していることから、それ
ぞれのコレクタ電流I2,I3はI2＝I3であり、一方、I2≒I
E02,I3≒IE03であるので、式（２）は I02＝（1/R02）・｛（KT/q）・1nN｝ ・・・式（３） となる。
２でカレントミラー回路を構成していることから、それ
ぞれのコレクタ電流I2,I3はI2＝I3であり、一方、I2≒I
E02,I3≒IE03であるので、式（２）は I02＝（1/R02）・｛（KT/q）・1nN｝ ・・・式（３） となる。
さらに、第８図の場合、Ｎ＝２であるので、 I02＝（1/R02）・｛（KT/q）・1n2｝ ・・・式（４） となる。
＜発明が解決しようとする課題＞ ところで、第８図の定電流回路において、上式（３）
の（KT/q）・1nNにおける温度係数は1/Tであるから、動
作温度Ｔを300゜Kとすると、約＋3300PPMとなる一方、
イオン注入抵抗11の抵抗値R02の温度係数は、約5000PPM
である。従って、第８図の定電流回路の温度係数は合計
で−1700PPMとなり、第７図に示す回路例に対して比較
的小さく抑えることができる。
の（KT/q）・1nNにおける温度係数は1/Tであるから、動
作温度Ｔを300゜Kとすると、約＋3300PPMとなる一方、
イオン注入抵抗11の抵抗値R02の温度係数は、約5000PPM
である。従って、第８図の定電流回路の温度係数は合計
で−1700PPMとなり、第７図に示す回路例に対して比較
的小さく抑えることができる。
しかし、第８図の定電流回路は、前記イオン注入抵抗
11が高抵抗であるため微小電流しか流すことができない
うえ、イオン注入抵抗11を形成するためにイオン注入プ
ロセスを必要とし、製造コストがかなり高くつくという
問題点を有していた。
11が高抵抗であるため微小電流しか流すことができない
うえ、イオン注入抵抗11を形成するためにイオン注入プ
ロセスを必要とし、製造コストがかなり高くつくという
問題点を有していた。
そこで、第８図の回路例において、上記イオン注入抵
抗11に代えてベース拡散抵抗を用いれば、イオン注入プ
ロセスを廃止することはできるが、この場合には、ベー
ス拡散抵抗の温度係数が＋2800PPMであるため、定電流
回路の温度係数が約＋500PPMとなり、正の温度係数を有
するようになってしまう。このように定電流回路が正の
温度係数を有していると、自己発熱による動作温度の上
昇と出力電流の増大が相俟って熱暴走を引き起こす恐れ
が生じる。
抗11に代えてベース拡散抵抗を用いれば、イオン注入プ
ロセスを廃止することはできるが、この場合には、ベー
ス拡散抵抗の温度係数が＋2800PPMであるため、定電流
回路の温度係数が約＋500PPMとなり、正の温度係数を有
するようになってしまう。このように定電流回路が正の
温度係数を有していると、自己発熱による動作温度の上
昇と出力電流の増大が相俟って熱暴走を引き起こす恐れ
が生じる。
本発明の目的は以上の問題点に鑑み、製造コストの高
いイオン注入抵抗を使用することなく、負の温度係数を
有し、かつその温度係数が小さく、広範囲な動作温度の
下でも安定した出力定電流が得られる定電流回路を提供
することにある。
いイオン注入抵抗を使用することなく、負の温度係数を
有し、かつその温度係数が小さく、広範囲な動作温度の
下でも安定した出力定電流が得られる定電流回路を提供
することにある。
＜課題を解決するための手段＞ 前記目的を達成するために本発明は、カレントミラー
回路を構成する入力側の第１のトランジスタ（１）及び
出力側の第２のトランジスタ（２）と、前記第１及び第
２のトランジスタ（１及び２）それぞれに接続される電
流制御用の第３のトランジスタ（４）及び第４のトラン
ジスタ（５）を有し、前記第３のトランジスタ（４）の
エミッタ及び前記第４のトランジスタ（５）のエミッタ
間に介挿される第１の抵抗（12）と、前記第４のトラン
ジスタ（５）のエミッタとGND間に介挿される第２の抵
抗（14）とを備え、前記第２の抵抗（14）の両端に、ト
ランジスタ（13）のベース・エミッタを接続するととも
に、該トランジスタ（13）のコレクタを前記第２及び第
４のトランジスタ（２及び５）の接続点に接続してなる
ことを特徴とする。
回路を構成する入力側の第１のトランジスタ（１）及び
出力側の第２のトランジスタ（２）と、前記第１及び第
２のトランジスタ（１及び２）それぞれに接続される電
流制御用の第３のトランジスタ（４）及び第４のトラン
ジスタ（５）を有し、前記第３のトランジスタ（４）の
エミッタ及び前記第４のトランジスタ（５）のエミッタ
間に介挿される第１の抵抗（12）と、前記第４のトラン
ジスタ（５）のエミッタとGND間に介挿される第２の抵
抗（14）とを備え、前記第２の抵抗（14）の両端に、ト
ランジスタ（13）のベース・エミッタを接続するととも
に、該トランジスタ（13）のコレクタを前記第２及び第
４のトランジスタ（２及び５）の接続点に接続してなる
ことを特徴とする。
＜作 用＞ 上記構成により、カレントミラー回路の出力側の第
３、第４のトランジスタの接続点に接続したトランジス
タが、ある温度以上になるとオンするので、カレントミ
ラー回路から流出する電流の一部を分流し、全体として
定電流回路は負の温度係数が得られ熱暴走を解消でき
る。
３、第４のトランジスタの接続点に接続したトランジス
タが、ある温度以上になるとオンするので、カレントミ
ラー回路から流出する電流の一部を分流し、全体として
定電流回路は負の温度係数が得られ熱暴走を解消でき
る。
また前記トランジスタを設けることによって、イオン
注入抵抗を使用せずに所要の定電流回路が実現できる。
注入抵抗を使用せずに所要の定電流回路が実現できる。
＜実施例＞ 本発明の一実施例について第１図及び第２図を参照し
て説明する。
て説明する。
第１図は本発明による定電流回路例である。
以下、第８図に示す従来例と異なる点のみを説明す
る。尚、第８図の従来例と同一機能部品については同記
号を付している。
る。尚、第８図の従来例と同一機能部品については同記
号を付している。
まず、第１図において、トランジスタ13のコレクタ
を、カレントミラー回路を構成する第２のトランジスタ
２と電流制御用の第４のトランジスタ５との接続点に接
続する。そして、トランジスタ13のベースを第４のトラ
ンジスタ５のエミッタに接続する。また、トランジスタ
13のエミッタはグランド（GND）に接続する。そして、
第４のトランジスタ５のエミッタ及びトランジスタ13の
ベースの接続点とGNDとの間にベース拡散抵抗14を設け
ている。また、第３、第４のトランジスタ4,5の各エミ
ッタ間に接続する抵抗12もベース拡散抵抗により形成さ
れた抵抗である。
を、カレントミラー回路を構成する第２のトランジスタ
２と電流制御用の第４のトランジスタ５との接続点に接
続する。そして、トランジスタ13のベースを第４のトラ
ンジスタ５のエミッタに接続する。また、トランジスタ
13のエミッタはグランド（GND）に接続する。そして、
第４のトランジスタ５のエミッタ及びトランジスタ13の
ベースの接続点とGNDとの間にベース拡散抵抗14を設け
ている。また、第３、第４のトランジスタ4,5の各エミ
ッタ間に接続する抵抗12もベース拡散抵抗により形成さ
れた抵抗である。
以下、第１図に示す定電流回路の動作について述べ
る。
る。
まず、回路にVcc電圧が印加されると、起動抵抗８よ
り電流I1が流れて、第３のトランジスタ４及び第４のト
ランジスタ５をオンし、次に第１のトランジスタ１をオ
ンする。続いて、第１のトランジスタ１とカレントミラ
ー回路を構成している第２のトランジスタ２がオンし、
電流I2が流れ、同様にトランジスタ３もオンし、出力電
流I02が流れ、回路が起動する。
り電流I1が流れて、第３のトランジスタ４及び第４のト
ランジスタ５をオンし、次に第１のトランジスタ１をオ
ンする。続いて、第１のトランジスタ１とカレントミラ
ー回路を構成している第２のトランジスタ２がオンし、
電流I2が流れ、同様にトランジスタ３もオンし、出力電
流I02が流れ、回路が起動する。
ベース拡散抵抗14の抵抗値な起動後通常は接合温度Tj
（以下、単にTjと記す）＝25℃ではトランジスタ13をオ
ンさせないような値が選ばれており、実質的に従来例と
同等となる。Tj＝25℃では、Ｎ＝2,R02＝90Ωの時に、
式（３）によりIE02＝IE03＝200uAとなる。よって、I3
＝IE02＋IE03＝400uAとなり、トランジスタ13のベース
電位は、V1＝1KΩ×400uA＝0.4Vとなっている。
（以下、単にTjと記す）＝25℃ではトランジスタ13をオ
ンさせないような値が選ばれており、実質的に従来例と
同等となる。Tj＝25℃では、Ｎ＝2,R02＝90Ωの時に、
式（３）によりIE02＝IE03＝200uAとなる。よって、I3
＝IE02＋IE03＝400uAとなり、トランジスタ13のベース
電位は、V1＝1KΩ×400uA＝0.4Vとなっている。
一方、Tjが高くなると、V1の電位が上昇していく一
方、トランジスタ13のVBEがダウンしてくるので、ある
ポイントでトランジスタ13がオンし始め、第４のトラン
ジスタ５のコレクタに流れ込む電流を引き込み始める。
方、トランジスタ13のVBEがダウンしてくるので、ある
ポイントでトランジスタ13がオンし始め、第４のトラン
ジスタ５のコレクタに流れ込む電流を引き込み始める。
このため、第４のトランジスタ５のエミッタ電流が減
少し、第３のトランジスタ４のVBEと第４のトランジス
タ５のVBEの差が減少し、この結果、発生する出力定電
流が小さくなる方向に進み、負の温度係数をもつように
なる。
少し、第３のトランジスタ４のVBEと第４のトランジス
タ５のVBEの差が減少し、この結果、発生する出力定電
流が小さくなる方向に進み、負の温度係数をもつように
なる。
次に、本発明の定電流回路による実験結果を示す。
本定電流回路の温度特性を計算式から求めることは困
難であることから、回路シミュレーションソフトを使用
し、シミュレーションを行った。さらに、本発明の定電
流回路をICとして試作を行った。その実験結果を第２図
に示す。
難であることから、回路シミュレーションソフトを使用
し、シミュレーションを行った。さらに、本発明の定電
流回路をICとして試作を行った。その実験結果を第２図
に示す。
この実験結果の設定条件は以下のとうりである。
Vcc＝7v、抵抗12の抵抗値＝90Ω、抵抗14の抵抗値＝1
KΩ、起動抵抗８の抵抗値＝100KΩ、NPNトランジスタ４
及び５のエミッタ面積比Ｎ＝２である。
KΩ、起動抵抗８の抵抗値＝100KΩ、NPNトランジスタ４
及び５のエミッタ面積比Ｎ＝２である。
第２図より明らかなように、本定電流回路は、Tj＝50
℃付近から負の温度係数をもつようになっていることが
判る。
℃付近から負の温度係数をもつようになっていることが
判る。
またTj＝25℃からTj＝125℃のポイントで比較すると
約−1900PPMの負の温度係数となっており、第４図に示
す従来例に比べて、小さな値となっている。
約−1900PPMの負の温度係数となっており、第４図に示
す従来例に比べて、小さな値となっている。
第３図は本発明の他の実施例を示す図である。
本回路例は起動後において起動抵抗８を電気回路的に
分離するようにし、より正確に定電流動作を行わしめる
ようにしたものである。すなわち、トランジスタ21,22
が付加され、起動時にトランジスタ21を介して起動抵抗
８に電流を流し、これによってトランジスタ22、第一ト
ランジスタ１を順次オンし起動する。起動後はトランジ
スタ22をオフし、起動抵抗８をカレントミラー回路部分
等より電気的に分離する。起動後の動作は第１図で説明
したものと同様である。
分離するようにし、より正確に定電流動作を行わしめる
ようにしたものである。すなわち、トランジスタ21,22
が付加され、起動時にトランジスタ21を介して起動抵抗
８に電流を流し、これによってトランジスタ22、第一ト
ランジスタ１を順次オンし起動する。起動後はトランジ
スタ22をオフし、起動抵抗８をカレントミラー回路部分
等より電気的に分離する。起動後の動作は第１図で説明
したものと同様である。
起動抵抗８が起動後も接続されていれば、カレントミ
ラー回路における電流にも影響を与え、その定電流動作
にも悪影響を及ぼす恐れがあるが、第３図のように起動
後起動抵抗８を電気的に分離することにより、より正確
な定電流動作が期待できる。
ラー回路における電流にも影響を与え、その定電流動作
にも悪影響を及ぼす恐れがあるが、第３図のように起動
後起動抵抗８を電気的に分離することにより、より正確
な定電流動作が期待できる。
第４図は本発明のさらに他の実施例を示す図である。
本定電流回路は、第１図に示す定電流回路のトランジス
タ13のエミッタとGNDとの間にベース拡散抵抗15を追加
し、該ベース拡散抵抗15及びベース拡散抵抗14の抵抗値
を変えることによってそれぞれ負の温度係数及び負の温
度係数になるポイントを任意に変化せしめるようにした
ものである。
本定電流回路は、第１図に示す定電流回路のトランジス
タ13のエミッタとGNDとの間にベース拡散抵抗15を追加
し、該ベース拡散抵抗15及びベース拡散抵抗14の抵抗値
を変えることによってそれぞれ負の温度係数及び負の温
度係数になるポイントを任意に変化せしめるようにした
ものである。
第５図は第４図の定電流回路において、ベース拡散抵
抗14及び15の抵抗値を変えた際に得られる温度特性を示
した図である。
抗14及び15の抵抗値を変えた際に得られる温度特性を示
した図である。
第５図（ａ）はベース拡散抵抗14及び15の初期設定値
による温度特性を示した図、第５図（ｂ）は初期設定値
から、ベース拡散抵抗14の抵抗値を大きくした場合の温
度特性を示した図、第５図（ｃ）は初期設定値からベー
ス拡散抵抗15の抵抗値を大きくした場合の温度特性を示
した図である。
による温度特性を示した図、第５図（ｂ）は初期設定値
から、ベース拡散抵抗14の抵抗値を大きくした場合の温
度特性を示した図、第５図（ｃ）は初期設定値からベー
ス拡散抵抗15の抵抗値を大きくした場合の温度特性を示
した図である。
第５図（ｂ）及び（ｃ）より明らかなように、本定電
流回路は、ベース拡散抵抗14,15の抵抗値を選択するこ
とにより、それぞれ負の温度係数になる温度ポイント及
びその負の温度係数を任意に変えることができる。
流回路は、ベース拡散抵抗14,15の抵抗値を選択するこ
とにより、それぞれ負の温度係数になる温度ポイント及
びその負の温度係数を任意に変えることができる。
第６図は本発明のさらに他の実施例を示す図であり、
第３図に示す定電流回路のトランジスタ13のエミッタと
GNDとの間にベース拡散抵抗15を追加したものである。
本実施例も第４図に示す実施例と同様、ベース拡散抵抗
14,15の抵抗値を選択することにより、それぞれ負の温
度係数になる温度ポイント及びその負の温度係数を任意
に変えることができる。
第３図に示す定電流回路のトランジスタ13のエミッタと
GNDとの間にベース拡散抵抗15を追加したものである。
本実施例も第４図に示す実施例と同様、ベース拡散抵抗
14,15の抵抗値を選択することにより、それぞれ負の温
度係数になる温度ポイント及びその負の温度係数を任意
に変えることができる。
このように、本発明にかかわる定電流回路は正の温度
係数を有する定電流回路にトランジスタのVBEの温度特
性を利用し、任意の温度ポイントで電流の引き込み動作
を始めるトランジスタと抵抗からなる回路をとりつけて
いる構成である。
係数を有する定電流回路にトランジスタのVBEの温度特
性を利用し、任意の温度ポイントで電流の引き込み動作
を始めるトランジスタと抵抗からなる回路をとりつけて
いる構成である。
これにより、任意の温度ポイントで負の温度係数をも
たせることができ、特に広範囲な動作温度にわたって安
定した定電流を出力し得る定電流回路を容易に構成でき
るという効果を奏する。特に、第４図及び第６図の定電
流回路によれば、負の温度係数となる温度ポイント及び
負の温度係数に任意に変えることができる。
たせることができ、特に広範囲な動作温度にわたって安
定した定電流を出力し得る定電流回路を容易に構成でき
るという効果を奏する。特に、第４図及び第６図の定電
流回路によれば、負の温度係数となる温度ポイント及び
負の温度係数に任意に変えることができる。
＜発明の効果＞ 以上のように本発明によれば、製造コストの高いイオ
ン注入抵抗を使用することなく、実質的に負の温度係数
を有し、かつその温度係数が比較的小さい実用価値の高
い定電流回路が提供できる。
ン注入抵抗を使用することなく、実質的に負の温度係数
を有し、かつその温度係数が比較的小さい実用価値の高
い定電流回路が提供できる。
【図面の簡単な説明】 第１図は本発明の一実施例を示す回路図、第２図は本発
明の一実施例の特性例を示す図、第３図は本発明の他の
実施例を示す回路図、第４図は本発明のさらに他の実施
例を示す回路図、第５図は第４図の回路例の特性例を示
す図、第６図は本発明のさらに他の実施例を示す回路
図、第７図は従来例を示す回路図、第８図は他の従来例
を示す回路図である。 １……第１のトランジスタ、２……第２のトランジス
タ、４……第３のトランジスタ、５……第４のトランジ
スタ、12……第１の抵抗、13……電流引き出し用のトラ
ンジスタ、14……第２の抵抗。
明の一実施例の特性例を示す図、第３図は本発明の他の
実施例を示す回路図、第４図は本発明のさらに他の実施
例を示す回路図、第５図は第４図の回路例の特性例を示
す図、第６図は本発明のさらに他の実施例を示す回路
図、第７図は従来例を示す回路図、第８図は他の従来例
を示す回路図である。 １……第１のトランジスタ、２……第２のトランジス
タ、４……第３のトランジスタ、５……第４のトランジ
スタ、12……第１の抵抗、13……電流引き出し用のトラ
ンジスタ、14……第２の抵抗。
Claims (1)
- 【請求項１】カレントミラー回路を構成する入力側の第
１のトランジスタ（１）及び出力側の第２のトランジス
タ（２）と、前記第１及び第２のトランジスタ（１及び
２）それぞれに接続される電流制御用の第３のトランジ
スタ（４）及び第４のトランジスタ（５）を有し、前記
第３のトランジスタ（４）のエミッタ及び前記第４のト
ランジスタ（５）のエミッタ間に介挿される第１の抵抗
（12）と、前記第４のトランジスタ（５）のエミッタと
GND間に介挿される第２の抵抗（14）とを備え、 前記第２の抵抗（14）の両端に、トランジスタ（13）の
ベース・エミッタを接続するとともに、該トランジスタ
（13）のコレクタを前記第２及び第４のトランジスタ
（２及び５）の接続点に接続してなることを特徴とする
バンドギャップ型定電流回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2158511A JP2574931B2 (ja) | 1990-04-10 | 1990-06-15 | バンドギャップ型定電流回路 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9544290 | 1990-04-10 | ||
| JP2-95442 | 1990-04-10 | ||
| JP2158511A JP2574931B2 (ja) | 1990-04-10 | 1990-06-15 | バンドギャップ型定電流回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04512A JPH04512A (ja) | 1992-01-06 |
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