JPS63274174A - 固体撮像装置の製造方法 - Google Patents
固体撮像装置の製造方法Info
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- JPS63274174A JPS63274174A JP62110108A JP11010887A JPS63274174A JP S63274174 A JPS63274174 A JP S63274174A JP 62110108 A JP62110108 A JP 62110108A JP 11010887 A JP11010887 A JP 11010887A JP S63274174 A JPS63274174 A JP S63274174A
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 17
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 claims abstract description 17
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 14
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 10
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 7
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 claims abstract description 6
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 6
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 18
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 16
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 17
- 230000007547 defect Effects 0.000 abstract description 16
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 abstract description 13
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 abstract description 8
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 8
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 abstract description 6
- 239000010453 quartz Substances 0.000 abstract description 4
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 abstract description 2
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 abstract description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 abstract description 2
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 abstract 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 1
- 238000001505 atmospheric-pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004518 low pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14665—Imagers using a photoconductor layer
Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は固体撮像ｇＡ置の受光素子部の製造方法に関す
る。
る。
従来の薄膜トランジスタを用いた固体撮像装置は、第２
図に示すような構造であり、Ｆ！Ｊｌｆｌ）う／ジスタ
上の層間絶縁膜を受光素子部の下地としてそのまま使用
していた。
図に示すような構造であり、Ｆ！Ｊｌｆｌ）う／ジスタ
上の層間絶縁膜を受光素子部の下地としてそのまま使用
していた。
しかし、前述の従来技術では受光素子部の下地に欠陥の
多い層間絶縁膜があるため、受光部に形成される電極お
よびアモルファスシリコン受光素子に層間絶縁膜の欠陥
が引きつがれ、電極やアモルファスシリコン形成時に欠
陥がさらに大きくなるという欠点を存していた。
多い層間絶縁膜があるため、受光部に形成される電極お
よびアモルファスシリコン受光素子に層間絶縁膜の欠陥
が引きつがれ、電極やアモルファスシリコン形成時に欠
陥がさらに大きくなるという欠点を存していた。
層間絶縁膜は一般的にＣＶＤで形成したＳｉＯ２が用い
られるが、このような堆積＆ａは工業的に利用できる範
囲ではフレーク、異ｇ成長等の欠陥が多い。
られるが、このような堆積＆ａは工業的に利用できる範
囲ではフレーク、異ｇ成長等の欠陥が多い。
受光素子部に欠陥があると、アモルファスシリコンの光
電特性が低下し、歩留を低下させる一因となる。また、
アモルファスシリコンは３００゜Ｃ以上で、光電特性が
著しく劣化するため、バシベーシロン膜を通゛ｉＳの半
導体素子のように高温のＣＶＤ法で形成することができ
ないので、耐湿信頼性には特に開口しなくてはならない
。受光素子部の欠陥は、水分が入ると上下電極のシリー
トを発生させるため、耐湿信頼性を低下させる大きな要
因のひとつである。
電特性が低下し、歩留を低下させる一因となる。また、
アモルファスシリコンは３００゜Ｃ以上で、光電特性が
著しく劣化するため、バシベーシロン膜を通゛ｉＳの半
導体素子のように高温のＣＶＤ法で形成することができ
ないので、耐湿信頼性には特に開口しなくてはならない
。受光素子部の欠陥は、水分が入ると上下電極のシリー
トを発生させるため、耐湿信頼性を低下させる大きな要
因のひとつである。
以上に述べたように、従来の固体撮像装置は受光素子部
に欠陥が多く、歩留が低く、信頼性も低いという問題点
を有していた。
に欠陥が多く、歩留が低く、信頼性も低いという問題点
を有していた。
本発明は、この上うな問題点を解決するもので歩留、信
頼性の優れた固体撮像装置の製造方法を提供することを
目的とする。
頼性の優れた固体撮像装置の製造方法を提供することを
目的とする。
本発明の固体撮像５Ａ置の製造方法は、絶縁性基板上に
アモルファスシリコンからなる受光素子と該受光素子を
駆動させるｉ’ｌＵ）ランジスタとを形成してなる固体
撮像装置の製造方法において、受光素子部にトランジス
タ材料あるいはゲート電極材料を形成し、該トランジス
タ材ｆ：［あるいはゲート電極材料を、受光素子部の層
間絶縁膜の除去時のエツチングストッパとすることを特
徴とする。
アモルファスシリコンからなる受光素子と該受光素子を
駆動させるｉ’ｌＵ）ランジスタとを形成してなる固体
撮像装置の製造方法において、受光素子部にトランジス
タ材料あるいはゲート電極材料を形成し、該トランジス
タ材ｆ：［あるいはゲート電極材料を、受光素子部の層
間絶縁膜の除去時のエツチングストッパとすることを特
徴とする。
第１図は、本発明における実施例の（ｌｒＦＩ造断面間
断面図、薄厚トランジスタ及びアモルファスシリコン受
光索子（・１近を示す。ここでは薄りトランジスタは多
結晶シリコンを用いた。
断面図、薄厚トランジスタ及びアモルファスシリコン受
光索子（・１近を示す。ここでは薄りトランジスタは多
結晶シリコンを用いた。
第１図において、ｌは絶縁性基板、２は多結晶シリコン
、３はゲート酸化膜、４はゲート電極、５は層間絶縁膜
、６はアルミ電極、７はアモルファスシリコン、８は透
明電極、９はバシベーシ３〕層である。
、３はゲート酸化膜、４はゲート電極、５は層間絶縁膜
、６はアルミ電極、７はアモルファスシリコン、８は透
明電極、９はバシベーシ３〕層である。
絶縁性基板は両面研摩した透明石英基板を用い多結晶シ
リコンは減圧ＣＶＤ法でチャンネルドープはイオン打込
み法で、ゲート電極は多結晶シリコンを用い、層間絶縁
膜はＳ ｉ Ｏ＊を常圧ＣＶＤ法で、アルミ電極、透明
電極はスパッタ法で、アモルファスシリコンはプラズマ
ＣＶ Ｉ） 法でそれぞれ形成した。透明電極はＳ ｎ
Ｏ＊をドープしたＩｎ、０．（ＩＴＯ）を用いた。
リコンは減圧ＣＶＤ法でチャンネルドープはイオン打込
み法で、ゲート電極は多結晶シリコンを用い、層間絶縁
膜はＳ ｉ Ｏ＊を常圧ＣＶＤ法で、アルミ電極、透明
電極はスパッタ法で、アモルファスシリコンはプラズマ
ＣＶ Ｉ） 法でそれぞれ形成した。透明電極はＳ ｎ
Ｏ＊をドープしたＩｎ、０．（ＩＴＯ）を用いた。
次に、第３図に従って製造方法を述べる。
第３図（ａ）に示すように、石英基板ｌにポリシリコン
２を形成し、フォトエツチング法で必要部を残して除去
し、シのち、高！ｌ酸化法でゲート酸化膜３を形成する
。次にリンをドープしたポリシリコンを形成してフォト
エツチング法でゲート電極４を形成する。この時、受光
素子部にもポリシリコン４を残す。次に、イオン打ち込
み法でＰチャンネル、Ｎチャンネルをそれぞれ形成した
のち第３図（ｂ）に示すように基板全面にＣＶＤ法で層
間絶縁膜５をＳ ｉ Ｏ＊で形成する。
２を形成し、フォトエツチング法で必要部を残して除去
し、シのち、高！ｌ酸化法でゲート酸化膜３を形成する
。次にリンをドープしたポリシリコンを形成してフォト
エツチング法でゲート電極４を形成する。この時、受光
素子部にもポリシリコン４を残す。次に、イオン打ち込
み法でＰチャンネル、Ｎチャンネルをそれぞれ形成した
のち第３図（ｂ）に示すように基板全面にＣＶＤ法で層
間絶縁膜５をＳ ｉ Ｏ＊で形成する。
次に、ｆｔ５３図（ｃ）に示すように、フォトエッチ法
を用いて受光素子部の層間絶縁膜およびポリシリコンを
除去する。この時、下地のポリシリコンは上の層間絶縁
膜のエツチングストッパーとして機能する。このポリシ
リコンがない場合は、層間絶縁膜を除去する時に層間絶
縁膜に生じた欠陥が石英基板にも凹凸を生じさせるため
好ましくない。エツチングストッパーとしてのポリシリ
コンは、トランジスタを形成する第１層でもゲート電極
を形成する第２層でも同様の効果が得られる。
を用いて受光素子部の層間絶縁膜およびポリシリコンを
除去する。この時、下地のポリシリコンは上の層間絶縁
膜のエツチングストッパーとして機能する。このポリシ
リコンがない場合は、層間絶縁膜を除去する時に層間絶
縁膜に生じた欠陥が石英基板にも凹凸を生じさせるため
好ましくない。エツチングストッパーとしてのポリシリ
コンは、トランジスタを形成する第１層でもゲート電極
を形成する第２層でも同様の効果が得られる。
次に第３図（ｄ）に示すように、透明型１！ｉ ８、ア
モルファスシリコン７をフォトエツチング法で形成し、
ＦＥ膜トランジスタ部に、コンタクトホールを形成した
のちＡ１電極６をフォトエッヂ法で形成する。次に、パ
シベーシ９ン膜９をＳ ｉ Ｏｓスパッタ法で形成し、
ポンディングパッド部をフォトエツチング法で形成して
固定撮像装置の製造を完成した。
モルファスシリコン７をフォトエツチング法で形成し、
ＦＥ膜トランジスタ部に、コンタクトホールを形成した
のちＡ１電極６をフォトエッヂ法で形成する。次に、パ
シベーシ９ン膜９をＳ ｉ Ｏｓスパッタ法で形成し、
ポンディングパッド部をフォトエツチング法で形成して
固定撮像装置の製造を完成した。
このようにして製造した固体撮像装置について受光素子
部の欠陥密度の従来例との比較を第１表に示す。なお、
欠陥密度は金ｖ４顯微鏡の２００倍の倍率で１μ以上の
欠陥を計数した。
部の欠陥密度の従来例との比較を第１表に示す。なお、
欠陥密度は金ｖ４顯微鏡の２００倍の倍率で１μ以上の
欠陥を計数した。
第１表
この結果かられかるように、受光素子部の欠陥密度は、
従来の製造決方と比較して半分以下となリ、特に歩留に
大きく影響する３μ以上の欠陥は約１／３となっており
、著しい効果が得られた。
従来の製造決方と比較して半分以下となリ、特に歩留に
大きく影響する３μ以上の欠陥は約１／３となっており
、著しい効果が得られた。
次に、従来の構造と本発明のｔｌが造の固体撮像装置に
対して、６０＠ＣＯＯ％の高４高湿試験を行なった結果
を第２表に示す。
対して、６０＠ＣＯＯ％の高４高湿試験を行なった結果
を第２表に示す。
第２表
これかられかるように、従来の製造方法に比較して本発
明の構造では耐湿性に関しても著しい改善効果が得られ
た。
明の構造では耐湿性に関しても著しい改善効果が得られ
た。
本発明による固体撮像装置の製造方法の効果を以下に述
べる。
べる。
（１） 受光素子部の欠陥密度が著しく少なくなり、
歩留が向上する。また同時に受光素子部の光電特性が安
定し、品質が向上する。
歩留が向上する。また同時に受光素子部の光電特性が安
定し、品質が向上する。
（２） 耐湿信頼性が向上する。
（３） 製造方法が従来技術を使用でさるため、容易
に製造できる。
に製造できる。
このように、本発明は高歩留、高品質、高信頼性の固体
撮像装置の製造方法を提供するものであり、半導体やＣ
ｄＳを用いた固体振作装置等広範囲な電子デバイスに応
用できるため、実用」−イｒ１１１な発明である。
撮像装置の製造方法を提供するものであり、半導体やＣ
ｄＳを用いた固体振作装置等広範囲な電子デバイスに応
用できるため、実用」−イｒ１１１な発明である。
第１図は、本発明の製造方法で作成した、固体撮像装置
の主要断面図。第２図は、従来の製造方法で作成した固
体撮像装置の主要断面図。第３図（ａ）〜（ｄ）は本発
明の固体撮像装置の製造プロセスを示す図である。 以 上 出願人 セイコーエプソン株式会社 代理人 弁理士 最 上 務 他１名・、１１．。 ・ｉ′！’・− 第１図 第２図 （Ｃ） 第３図
の主要断面図。第２図は、従来の製造方法で作成した固
体撮像装置の主要断面図。第３図（ａ）〜（ｄ）は本発
明の固体撮像装置の製造プロセスを示す図である。 以 上 出願人 セイコーエプソン株式会社 代理人 弁理士 最 上 務 他１名・、１１．。 ・ｉ′！’・− 第１図 第２図 （Ｃ） 第３図
Claims (1)
- 絶縁性基板上にアモルファスシリコンからなる受光素子
と該受光素子を駆動させる薄膜トランジスタとを形成し
てなる固体撮像装置の製造方法において、受光素子部に
トランジスタ材料あるいはゲート電極材料を形成し、該
トランジスタ材料あるいはゲート電極材料を、受光素子
部の層間絶縁膜の除去時のエッチングストッパーとする
ことを特徴とする固体撮像装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62110108A JPS63274174A (ja) | 1987-05-06 | 1987-05-06 | 固体撮像装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62110108A JPS63274174A (ja) | 1987-05-06 | 1987-05-06 | 固体撮像装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63274174A true JPS63274174A (ja) | 1988-11-11 |
Family
ID=14527245
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62110108A Pending JPS63274174A (ja) | 1987-05-06 | 1987-05-06 | 固体撮像装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63274174A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5779918A (en) * | 1996-02-14 | 1998-07-14 | Denso Corporation | Method for manufacturing a photo-sensor |
| US6936904B2 (en) | 1997-04-10 | 2005-08-30 | Denso Corporation | Photo sensing integrated circuit device and related circuit adjustment |
-
1987
- 1987-05-06 JP JP62110108A patent/JPS63274174A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5779918A (en) * | 1996-02-14 | 1998-07-14 | Denso Corporation | Method for manufacturing a photo-sensor |
| US6936904B2 (en) | 1997-04-10 | 2005-08-30 | Denso Corporation | Photo sensing integrated circuit device and related circuit adjustment |
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