JPS63274173A - 固体撮像装置 - Google Patents
固体撮像装置Info
- Publication number
- JPS63274173A JPS63274173A JP62110107A JP11010787A JPS63274173A JP S63274173 A JPS63274173 A JP S63274173A JP 62110107 A JP62110107 A JP 62110107A JP 11010787 A JP11010787 A JP 11010787A JP S63274173 A JPS63274173 A JP S63274173A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- solid
- receiving element
- amorphous silicon
- insulating film
- interlayer insulating
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000010408 film Substances 0.000 claims abstract description 20
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 11
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 11
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 claims abstract description 9
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 8
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 16
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 12
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 abstract description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 9
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 abstract description 8
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 8
- 239000010453 quartz Substances 0.000 abstract description 4
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 abstract description 2
- 238000002161 passivation Methods 0.000 abstract description 2
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 abstract description 2
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 abstract 3
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 abstract 2
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 abstract 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 abstract 2
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 abstract 2
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 abstract 2
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 abstract 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 14
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 2
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 230000001010 compromised effect Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003394 haemopoietic effect Effects 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 238000004518 low pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14665—Imagers using a photoconductor layer
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は固体撮像装置の受光素子部の溝造に関する。
（従来の技術〕
従来の薄膜トランジスタを用いた固体撮像装置は、第２
図に示すような晴造であり、薄膜トランジスタ上の層間
絶縁膜を受光素子部の下地とじてそのまま使用していた
。
図に示すような晴造であり、薄膜トランジスタ上の層間
絶縁膜を受光素子部の下地とじてそのまま使用していた
。
しかし、前述の従来技術では受光素子部の下地−欠陥の
多い層間絶縁膜があるため、受光部に形成される電極お
よびアモルファスシリコン受光Ｗ子に層間絶縁膜の欠陥
が引きつがれ、電極やアモルファスシリコン形成時に欠
陥がさらに大きくなるという欠点を有していた。
多い層間絶縁膜があるため、受光部に形成される電極お
よびアモルファスシリコン受光Ｗ子に層間絶縁膜の欠陥
が引きつがれ、電極やアモルファスシリコン形成時に欠
陥がさらに大きくなるという欠点を有していた。
Ｄ間絶縁膜は、一般的にＣＶＤで形成した５ｉＯ１が用
いられるが、このような堆積装置は工業的ニ利用できる
範囲ではフレーク、異常成長等の欠陥が多い。
いられるが、このような堆積装置は工業的ニ利用できる
範囲ではフレーク、異常成長等の欠陥が多い。
受光素子部に欠陥があると、アモルファスシリコンの光
電特性が低下し、歩留を低下させる一因となる。また、
アモルファスシリコンは３００℃以上で光電特性が苦し
く劣化するため、パシベーション膜を通常の半導体素子
のように高温のＣＶＤ法で形成することができないので
、耐湿信頼性には特に開広しな（ではならない。受光素
子部の欠陥は、水分が入ると上下ｒｒｉ極のシｑ−トを
発生させるため、耐湿信頓性を低下させる大きな要因の
ひとつである。
電特性が低下し、歩留を低下させる一因となる。また、
アモルファスシリコンは３００℃以上で光電特性が苦し
く劣化するため、パシベーション膜を通常の半導体素子
のように高温のＣＶＤ法で形成することができないので
、耐湿信頼性には特に開広しな（ではならない。受光素
子部の欠陥は、水分が入ると上下ｒｒｉ極のシｑ−トを
発生させるため、耐湿信頓性を低下させる大きな要因の
ひとつである。
以上に述べたように、従来の固体撮像装置は受光素子部
に欠陥が多く、歩留が低く、信頼性も低いという問題点
を打していた。
に欠陥が多く、歩留が低く、信頼性も低いという問題点
を打していた。
本発明はこのような問題点を解決するもので、歩留、信
頼性の優れた固体撮像装置を提供することを目的とする
。
頼性の優れた固体撮像装置を提供することを目的とする
。
本発明の固体撮像装置は、絶縁性基板上にアモルファス
シリコンからなる受光素子と該受光素子を駆動させる薄
膜トランジスタとを形成して成る固体撮像装置において
、受光素子部に層間絶縁膜を形成しないことを特徴とす
る。
シリコンからなる受光素子と該受光素子を駆動させる薄
膜トランジスタとを形成して成る固体撮像装置において
、受光素子部に層間絶縁膜を形成しないことを特徴とす
る。
第１図は、本発明における実施例のＩＲ造造血面図あり
、薄膜トランジスタ及びアモルファスシリコン受光素子
付近を示す。ここでは薄膜トランジスタは多結晶シリコ
ンを用いた。
、薄膜トランジスタ及びアモルファスシリコン受光素子
付近を示す。ここでは薄膜トランジスタは多結晶シリコ
ンを用いた。
第１図において、１は絶縁性基板、２は多結晶シリコン
、３はゲー）Ｍ化膜、４はゲート電極、５は層間絶縁膜
、６はアルミ電極、７はアモルファスシリコン、８は透
明電極、０はバシベーシマン層である。
、３はゲー）Ｍ化膜、４はゲート電極、５は層間絶縁膜
、６はアルミ電極、７はアモルファスシリコン、８は透
明電極、０はバシベーシマン層である。
絶縁性基板は、両面研摩した透明石英基板を用い、多結
晶シリコンは減圧ＣＶＤ法で、チャンネルドープはイオ
ン打込み法で、ゲート電極は多結晶シリコンを用い、居
間絶縁膜は５ｉｎｓを常圧ＣＶＤ法で、アルミ電極、透
明電極はスパッタ法で、アモルファスシリコンはプラズ
マＣＶＤ法でそれぞれ形成した。透明電極はＳ ｎ Ｏ
＊をドープしたＩｎｎ’ｓ（夏ＴＯ）を用いた。
晶シリコンは減圧ＣＶＤ法で、チャンネルドープはイオ
ン打込み法で、ゲート電極は多結晶シリコンを用い、居
間絶縁膜は５ｉｎｓを常圧ＣＶＤ法で、アルミ電極、透
明電極はスパッタ法で、アモルファスシリコンはプラズ
マＣＶＤ法でそれぞれ形成した。透明電極はＳ ｎ Ｏ
＊をドープしたＩｎｎ’ｓ（夏ＴＯ）を用いた。
次に、第３図に従って製造方法を述べる。
第３図（ａ）に示すように、石英基板１にポリシリコン
２を形成しフォトエッチ法で必要部を残して除去したの
ち、高温酸化法でゲート酸化膜３を形成する。次にリン
をドープしたポリシリコンを形成してフォトエッチ法で
ゲート電極４を形成する。この時、受光素子部にもポリ
シリコン４を残す。次に、イオン打込み法で、Ｐチャン
ネル、Ｎチャンネルを形成したのち第３図（ｂ）に示す
ように基板全面にＣＶＤ法で月間絶縁Ｉｔ！２５を５ｉ
Ｏ１で形成する。
２を形成しフォトエッチ法で必要部を残して除去したの
ち、高温酸化法でゲート酸化膜３を形成する。次にリン
をドープしたポリシリコンを形成してフォトエッチ法で
ゲート電極４を形成する。この時、受光素子部にもポリ
シリコン４を残す。次に、イオン打込み法で、Ｐチャン
ネル、Ｎチャンネルを形成したのち第３図（ｂ）に示す
ように基板全面にＣＶＤ法で月間絶縁Ｉｔ！２５を５ｉ
Ｏ１で形成する。
次に、ｍ３図（Ｃ）に示すように、フォトエッチ法を用
いて受光素子部の層間絶縁膜およびポリシリコンを除去
する。この時、下地のポリシリコ／は上の居間絶縁膜の
エッチングス）２バーとして機能する。このポリシリコ
ンがない場合は、居間絶縁膜を除去する時に居間絶縁膜
に生じた欠陥が石英基板にも凹凸を生じさせるため好ま
しくない。エツチングストッパーとしてのポリシリコン
は、トランジスタを形成する第１厄でもゲート電極を形
成する第２層でも同様の効果が得られる。
いて受光素子部の層間絶縁膜およびポリシリコンを除去
する。この時、下地のポリシリコ／は上の居間絶縁膜の
エッチングス）２バーとして機能する。このポリシリコ
ンがない場合は、居間絶縁膜を除去する時に居間絶縁膜
に生じた欠陥が石英基板にも凹凸を生じさせるため好ま
しくない。エツチングストッパーとしてのポリシリコン
は、トランジスタを形成する第１厄でもゲート電極を形
成する第２層でも同様の効果が得られる。
次に、第３図（ｄ）に示すように透明電極８、アモルフ
ァスシリコン７をフォトエツチング法で形成し、薄膜ト
ランジスタ部にコンタクトホールを形成したのちＡＩ電
極６をフォトエッチ法で形成する。次に、パンベージリ
フ較９をＳ ｉ Ｏｓスパック法で形成し、ボンディン
グパッド部をフォトエツチング法で形成して固体撮像装
置の製造を完成した。
ァスシリコン７をフォトエツチング法で形成し、薄膜ト
ランジスタ部にコンタクトホールを形成したのちＡＩ電
極６をフォトエッチ法で形成する。次に、パンベージリ
フ較９をＳ ｉ Ｏｓスパック法で形成し、ボンディン
グパッド部をフォトエツチング法で形成して固体撮像装
置の製造を完成した。
このようにして製造した固体撮像装置について受光素子
部の欠陥密度の従来例との比較を第１表に示す。なお、
欠陥密度は金Ｆｙ４顕微鏡の２００倍の倍率で１バ以上
の欠陥を計数した。
部の欠陥密度の従来例との比較を第１表に示す。なお、
欠陥密度は金Ｆｙ４顕微鏡の２００倍の倍率で１バ以上
の欠陥を計数した。
第１表
この結果かられかるように、受光素子部の欠陥密度は従
来の構造と比較して半分以下となり、特に歩留に大きく
影響する３バ以上の欠陥は約１／３となって勿り、著し
い効果が得られた。
来の構造と比較して半分以下となり、特に歩留に大きく
影響する３バ以上の欠陥は約１／３となって勿り、著し
い効果が得られた。
次に、従来の構造と本発明の構造の固体撮像装置に対し
て、６０°Ｃ９０％の高温高温試験を行なった結果を第
２表に示す。
て、６０°Ｃ９０％の高温高温試験を行なった結果を第
２表に示す。
第２表
これかられかるように、従来の構造に比較して本発明の
構造では耐湿性に関しても著しい数倍効果が得られた。
構造では耐湿性に関しても著しい数倍効果が得られた。
（発明の効果）
本発明による固体撮像装置の効果を以下に述べる。
０） 受光素子部の欠陥密度が著しく少なくなり、歩留
が向上する。また同時に受光素子部の光電特性が安定し
、品質が向上する。
が向上する。また同時に受光素子部の光電特性が安定し
、品質が向上する。
（２耐湿信願性が向上する。
（３） 製造方法が従来技術を使用できるため、容易
に製造できる。
に製造できる。
このように、本発明は高歩留、高品質、高信頼性の固体
撮像装置を提供するものであり、半導体やＣｄＳを用い
た固体撮像装置等広範囲な電子デバイスに応用できるた
め、実用上有用な発明である。
撮像装置を提供するものであり、半導体やＣｄＳを用い
た固体撮像装置等広範囲な電子デバイスに応用できるた
め、実用上有用な発明である。
第１図は本発明の固体撮像装置の主要断面図。
第２図は従来の固体撮像装置の主要断面図。第３図（８
Ｌ）〜（ｄ）は本発明の固体撮像装置の製造プロセスを
示す図である。 以 上 出願人 セイプーエプソン株式会社 代理人 弁理士 最 上 務 他１名 〜、ご↓ 第１図 ↓ 第２図 （ａ） （ｂ） （Ｃ） 第３図
Ｌ）〜（ｄ）は本発明の固体撮像装置の製造プロセスを
示す図である。 以 上 出願人 セイプーエプソン株式会社 代理人 弁理士 最 上 務 他１名 〜、ご↓ 第１図 ↓ 第２図 （ａ） （ｂ） （Ｃ） 第３図
Claims (1)
- 絶縁性基板上にアモルファスシリコンからなる受光素子
と該受光素子を駆動させる薄膜トランジスタとを形成し
て成る固体撮像装置において、受光素子部に層間絶縁膜
を形成しないことを特徴とする固体撮像装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62110107A JPS63274173A (ja) | 1987-05-06 | 1987-05-06 | 固体撮像装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62110107A JPS63274173A (ja) | 1987-05-06 | 1987-05-06 | 固体撮像装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63274173A true JPS63274173A (ja) | 1988-11-11 |
Family
ID=14527218
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62110107A Pending JPS63274173A (ja) | 1987-05-06 | 1987-05-06 | 固体撮像装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63274173A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02143559A (ja) * | 1988-11-25 | 1990-06-01 | Mitsubishi Electric Corp | イメージセンサおよびその製造方法 |
-
1987
- 1987-05-06 JP JP62110107A patent/JPS63274173A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02143559A (ja) * | 1988-11-25 | 1990-06-01 | Mitsubishi Electric Corp | イメージセンサおよびその製造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH0237771A (ja) | Ｓｏｉ基板 | |
| JP4003888B2 (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JP3295178B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS63274173A (ja) | 固体撮像装置 | |
| KR20030074108A (ko) | 반도체 장치 및 그 제조 방법 | |
| JPH06260644A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS63274174A (ja) | 固体撮像装置の製造方法 | |
| JPS6336574A (ja) | 薄膜トランジスタ | |
| JPS6228591B2 (ja) | ||
| JP2794833B2 (ja) | 薄膜トランジスタの製造方法 | |
| KR0163934B1 (ko) | 다결성 규소 산화 게이트 절연층 및 그 제조 방법, 이를 이용한 다결정 규소 박막 트랜지스터 | |
| JP2508601B2 (ja) | 電界効果型薄膜トランジスタ | |
| JPH03165066A (ja) | 多結晶シリコン薄膜トランジスタ及びその製造方法 | |
| JPH0230186B2 (ja) | ||
| JPH0393273A (ja) | 薄膜半導体装置の製造方法 | |
| JPS631071A (ja) | 薄膜半導体装置 | |
| JPH0284716A (ja) | 半導体素子とその製造方法 | |
| JPH0256965A (ja) | 半導体記憶装置 | |
| JPH036022A (ja) | 多層絶縁膜の形成方法 | |
| JPH022310B2 (ja) | ||
| JPH0334462A (ja) | 電界効果型半導体装置並びに作製方法 | |
| JPS6360550A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JPH03241874A (ja) | 薄膜半導体装置の製造方法 | |
| JPH03108319A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH03248538A (ja) | 電荷結合素子及びその製造方法 |