JPS63250155A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPS63250155A JPS63250155A JP8595687A JP8595687A JPS63250155A JP S63250155 A JPS63250155 A JP S63250155A JP 8595687 A JP8595687 A JP 8595687A JP 8595687 A JP8595687 A JP 8595687A JP S63250155 A JPS63250155 A JP S63250155A
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Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置の製造方法に関し、特に空気絶縁を
介し互いに交差する多層線、所謂エア・ブリッジ（Ａｉ
ｒ−Ｂｒｉｄｇｅ）配線を有する半導体装置の製造方法
に関する。
介し互いに交差する多層線、所謂エア・ブリッジ（Ａｉ
ｒ−Ｂｒｉｄｇｅ）配線を有する半導体装置の製造方法
に関する。
従来この種半導体装置のエア・ブリッジ配線は上層が基
板上の下方配線を山なりに跨ぐ形に形成される。
板上の下方配線を山なりに跨ぐ形に形成される。
第２図＜ａ）〜（ｈ）は従来のエア・ブリッジ配線の製
造プロセス・フロー図でまず第２図（ａ）の如く半導体
基板ｌ上にタングステン・シリサイド（Ｈ３ｉ ）をス
パッタ被着し加工して第１層配線２を形成し、更にシリ
コン酸化膜（ＳｉＯｚ）３をその全面に成長させる。〔
第２図（ｂ）参照〕。つぎにシリコン酸化膜（Ｓｉ０２
）３上にチタン−白金−金（Ｔｉ−Ｐｔ −Ａｕ）をス
パッタし、ついで第２Ｍ配線を形成すべき箇所だけをレ
ジストで覆いドライエツチングをして第２層配線４を形
成する。〔第２図（ｃ）参照〕。ついで全面に感光性ポ
リミド材５を厚く塗布し第１層配線２上にエア・ブリッ
ジ（Ａｉｒ−）ｌｒｉｄｇｅ）配線を形成させたい箇所
だけレジスト６で覆う、〔第２図（ｄ）参照〕。ここで
、ウェットエツチングを行ない感光性ポリミド材５をパ
ターニングする。〔第２図（ｅ）ｔ”照〕。つぎに不要
となったレジスト６を除去して熱処理し感光性ポリミド
材５の側壁をたらす。〔第２図（ｆ）参照〕。この段階
でチタン−金（Ｔ ｉ −Ａｕ ）の合金膜７を全面に
スパッタし更に金（Ａｕ）メッキ形成用のレジスト（図
示しない）を形成してから金（Ａｕ）メッキをエア・ブ
リッジ配線とすべき部分だけに行なう。ついで、レジス
トを除去しこの金メッキ層をマスクとしてイオンミリン
グを行ない基板上に付着しているチタン−金（Ｔｉ−Ａ
ｕ）のスパッタ膜を除去すれば金（Ａｕ）メッキ層から
なる第３層配線８が形成される。〔第２図（ｇ）参照〕
。最後に酸素（０２）プラズマによって感光性ポリミド
材５は除去され第３層配線８は第１層配線２上を山なり
に跨ぐエア・ブリッジ（＾ｉｒ−Ｂｒｉｄｇｅ）配線と
される。〔第２図（ｈ）参照〕。
造プロセス・フロー図でまず第２図（ａ）の如く半導体
基板ｌ上にタングステン・シリサイド（Ｈ３ｉ ）をス
パッタ被着し加工して第１層配線２を形成し、更にシリ
コン酸化膜（ＳｉＯｚ）３をその全面に成長させる。〔
第２図（ｂ）参照〕。つぎにシリコン酸化膜（Ｓｉ０２
）３上にチタン−白金−金（Ｔｉ−Ｐｔ −Ａｕ）をス
パッタし、ついで第２Ｍ配線を形成すべき箇所だけをレ
ジストで覆いドライエツチングをして第２層配線４を形
成する。〔第２図（ｃ）参照〕。ついで全面に感光性ポ
リミド材５を厚く塗布し第１層配線２上にエア・ブリッ
ジ（Ａｉｒ−）ｌｒｉｄｇｅ）配線を形成させたい箇所
だけレジスト６で覆う、〔第２図（ｄ）参照〕。ここで
、ウェットエツチングを行ない感光性ポリミド材５をパ
ターニングする。〔第２図（ｅ）ｔ”照〕。つぎに不要
となったレジスト６を除去して熱処理し感光性ポリミド
材５の側壁をたらす。〔第２図（ｆ）参照〕。この段階
でチタン−金（Ｔ ｉ −Ａｕ ）の合金膜７を全面に
スパッタし更に金（Ａｕ）メッキ形成用のレジスト（図
示しない）を形成してから金（Ａｕ）メッキをエア・ブ
リッジ配線とすべき部分だけに行なう。ついで、レジス
トを除去しこの金メッキ層をマスクとしてイオンミリン
グを行ない基板上に付着しているチタン−金（Ｔｉ−Ａ
ｕ）のスパッタ膜を除去すれば金（Ａｕ）メッキ層から
なる第３層配線８が形成される。〔第２図（ｇ）参照〕
。最後に酸素（０２）プラズマによって感光性ポリミド
材５は除去され第３層配線８は第１層配線２上を山なり
に跨ぐエア・ブリッジ（＾ｉｒ−Ｂｒｉｄｇｅ）配線と
される。〔第２図（ｈ）参照〕。
〔発明が解決しようとする問題点〕
この従来の製造方法によると、エア・ブリッジ（Ａｉｒ
−Ｂｒｉｄｇｅ）による交差配線容量を小さくするため
には第３Ｍ配線８の高さを高くする必要があるので、架
橋材料となるポリリド材５を２μｍ以上の厚膜に塗布し
なければならない。従って、最終の酸素（０２）プラズ
マによる感光性ポリミド材５の除去工程に長時間を要し
、時に除去しきれない場合も生じる。
−Ｂｒｉｄｇｅ）による交差配線容量を小さくするため
には第３Ｍ配線８の高さを高くする必要があるので、架
橋材料となるポリリド材５を２μｍ以上の厚膜に塗布し
なければならない。従って、最終の酸素（０２）プラズ
マによる感光性ポリミド材５の除去工程に長時間を要し
、時に除去しきれない場合も生じる。
このようにエア・ブリッジ（Ａｉｒ−１１ｒｉｄｇｅ）
配線が山なりの構造をとる場合には第１層配線と第３層
配線との間に生じる交差配線容量は対向面による容量以
外に配線の側壁との間に生じる容量成分が加わるので交
差配線容量を少なくするためには第３暦配線の高さを高
く設定せざるを得す、従って、この配線構造をとりつづ
ける限り上記ｇＡ造プロセス上の問題点は解決されない
。
配線が山なりの構造をとる場合には第１層配線と第３層
配線との間に生じる交差配線容量は対向面による容量以
外に配線の側壁との間に生じる容量成分が加わるので交
差配線容量を少なくするためには第３暦配線の高さを高
く設定せざるを得す、従って、この配線構造をとりつづ
ける限り上記ｇＡ造プロセス上の問題点は解決されない
。
本発明の目的は、上記の状況に鑑み、感光性ポリミド材
の除去工程時間を大幅に短縮し得るエア・ブリッジ（Ａ
ｉｒ Ｂｒｉｄｇｅ）配線工程を備えた半導体装置の製
造方法を提供することである。
の除去工程時間を大幅に短縮し得るエア・ブリッジ（Ａ
ｉｒ Ｂｒｉｄｇｅ）配線工程を備えた半導体装置の製
造方法を提供することである。
本発明によれば、半導体装置の製造方法は、半導体基板
上に凹部を形成する工程と、前記凹部内に第１層配線を
形成する工程と、前記凹部と隣接する基板上に絶縁膜を
介し第２層配線を形成する工程と、前記第１および第２
の各層配線を含む半導体基板全面にポリミド材を塗布す
る工程と、前記第２層配線上のポリミド材に貫通孔を設
ける工程と、前記貫通孔を介し第２配線と電気的に接触
する第３層配線を前記ポリミド材上に形成する工程と、
前記ポリミド材のみを前記半導体基板面上から除去する
工程とを含むエア・ブリッジ配線形成工程を具備するこ
とを含む。
上に凹部を形成する工程と、前記凹部内に第１層配線を
形成する工程と、前記凹部と隣接する基板上に絶縁膜を
介し第２層配線を形成する工程と、前記第１および第２
の各層配線を含む半導体基板全面にポリミド材を塗布す
る工程と、前記第２層配線上のポリミド材に貫通孔を設
ける工程と、前記貫通孔を介し第２配線と電気的に接触
する第３層配線を前記ポリミド材上に形成する工程と、
前記ポリミド材のみを前記半導体基板面上から除去する
工程とを含むエア・ブリッジ配線形成工程を具備するこ
とを含む。
すなわち本発明によ九ば、第１層配線が半導体基板に形
成された凹部内に設けられているので第３層のエア・ブ
リッジ（Ａｉｒ Ｂｒｉｄｇｅ）配線と第１層配線との
間の空気による絶縁距離を従来構造と同一に設定した場
合でもエア・ブリッジ（ＡｉｒＢｒｉｄｇｅ）配線の実
効的高さを低くすることができ、酸素（ｏ２）プラズマ
によるポリミド材の除去工程時間を著しく短縮すること
が可能となる。
成された凹部内に設けられているので第３層のエア・ブ
リッジ（Ａｉｒ Ｂｒｉｄｇｅ）配線と第１層配線との
間の空気による絶縁距離を従来構造と同一に設定した場
合でもエア・ブリッジ（ＡｉｒＢｒｉｄｇｅ）配線の実
効的高さを低くすることができ、酸素（ｏ２）プラズマ
によるポリミド材の除去工程時間を著しく短縮すること
が可能となる。
以下図面を参照して本発明の詳細な説明する。
第１図（ａ）〜（ｋ）は本発明の一実施例を示すエア・
ブリッジ（Ａｉｒ Ｂｒｉｄｇｅ）配線の製造プロセス
・フロー図である０本実施例によれば、エア・ブリッジ
゛（Ａｉｒ Ｂｒｉｄｇｅ）配線の形成は半導体基板１
上にレジスト９をパターン形成しウェット・エツチング
により深さ２μｍ程度の凹部１０を半導体基板１上に形
成することから始まる。〔第１図（ａ）、（ｂ）参照〕
。ついでアルミ（Ａｌ）蒸着膜１１を５０００人の膜厚
に被着させ凹部１０内に第１層配線２を形成する。〔第
・１図（Ｃ）参照〕、ここで、レジスト９上のアルミ（
Ａｌ）蒸着膜１１をレジストと共にリフト・オフし半導
体基板１上にシリコン酸化膜（ＳｉＯ２）３を厚さ３０
００人に成長させる。〔第１図（ｄ）参照〕。つぎに、
このシリコン酸化膜（ＳｉＯ２）３上にタングステン・
シリサイド（ＷＳｉ）を３０００人の膜厚で全面スパッ
タしドライ・工・ンチング法でパターニングして第２層
配線４を形成する。〔第１図（ｅ）参照〕９ここで、感
光性ポリミド材５を全面に１μｍ程度の膜厚で塗布する
。〔第１図（ｆ）参照〕。つぎに、その感光性ポリミド
材５上にレジスト１２を形成しウェット・エツチング法
で第２Ｍ配線４上を窓明けする。
ブリッジ（Ａｉｒ Ｂｒｉｄｇｅ）配線の製造プロセス
・フロー図である０本実施例によれば、エア・ブリッジ
゛（Ａｉｒ Ｂｒｉｄｇｅ）配線の形成は半導体基板１
上にレジスト９をパターン形成しウェット・エツチング
により深さ２μｍ程度の凹部１０を半導体基板１上に形
成することから始まる。〔第１図（ａ）、（ｂ）参照〕
。ついでアルミ（Ａｌ）蒸着膜１１を５０００人の膜厚
に被着させ凹部１０内に第１層配線２を形成する。〔第
・１図（Ｃ）参照〕、ここで、レジスト９上のアルミ（
Ａｌ）蒸着膜１１をレジストと共にリフト・オフし半導
体基板１上にシリコン酸化膜（ＳｉＯ２）３を厚さ３０
００人に成長させる。〔第１図（ｄ）参照〕。つぎに、
このシリコン酸化膜（ＳｉＯ２）３上にタングステン・
シリサイド（ＷＳｉ）を３０００人の膜厚で全面スパッ
タしドライ・工・ンチング法でパターニングして第２層
配線４を形成する。〔第１図（ｅ）参照〕９ここで、感
光性ポリミド材５を全面に１μｍ程度の膜厚で塗布する
。〔第１図（ｆ）参照〕。つぎに、その感光性ポリミド
材５上にレジスト１２を形成しウェット・エツチング法
で第２Ｍ配線４上を窓明けする。
〔第１図（ｇ＞参照〕。ついでレジスト１２を除去しチ
タン−金（Ｔ １−Ａｕ ）の金属膜７を１５０〜２０
００人の膜厚で基板全面にスバ・・ツタ形成する。〔第
１図（ｈ）参照〕。ここで金（Ａｕ）メッキ形成用のレ
ジスト１３を形成してから、金（Ａｕ）メッキをエア・
ブリッジ配線とすべき部分だけに厚さ２μｍ程度行なう
。〔第１図（ｉ）参照〕。つぎに不要となったレジスト
１３を除去しこの金（Ａｕ）メッキ層１４をマスクとし
て、イオンミリングを行ない基板上に付着するチタン−
金（Ｔ ｉ −Ａｕ ）のスパッタ金属膜７をレジス１
〜１３と共に除去すれば第３層配線８が形成される。〔
第１図（ｊ＞参照〕。最後に酸素（０２）プラズマで感
光性ポリミド材５を除去することにより第３層配線８は
第１Ｍ配線２と平行し、また半導体基板１とは水平関係
を保つエア・ブリッジ（Ａｉｒ Ｂｒｉｄｇｅ）配線
として形成される。
タン−金（Ｔ １−Ａｕ ）の金属膜７を１５０〜２０
００人の膜厚で基板全面にスバ・・ツタ形成する。〔第
１図（ｈ）参照〕。ここで金（Ａｕ）メッキ形成用のレ
ジスト１３を形成してから、金（Ａｕ）メッキをエア・
ブリッジ配線とすべき部分だけに厚さ２μｍ程度行なう
。〔第１図（ｉ）参照〕。つぎに不要となったレジスト
１３を除去しこの金（Ａｕ）メッキ層１４をマスクとし
て、イオンミリングを行ない基板上に付着するチタン−
金（Ｔ ｉ −Ａｕ ）のスパッタ金属膜７をレジス１
〜１３と共に除去すれば第３層配線８が形成される。〔
第１図（ｊ＞参照〕。最後に酸素（０２）プラズマで感
光性ポリミド材５を除去することにより第３層配線８は
第１Ｍ配線２と平行し、また半導体基板１とは水平関係
を保つエア・ブリッジ（Ａｉｒ Ｂｒｉｄｇｅ）配線
として形成される。
〔第１図（ｋ）９照〕。
本実施例によれば感光性ポリミド材５の厚さは約ｌ ）
ｔ ｍで従来の１／２で済むので酸素（０２）プラズマ
による感光性ポリミド材除去工程の所要時間は半分に節
減される。以上は第１層配線２にアルミ（Ａｆｆ）金属
膜を、また、第２．第３の配線４および８にタングステ
ン・シリサイド（ＷＳｉ）および金（ＡＪ？）の各薄膜
を用いた場合を説明したが、その他の配線材の使用を阻
なげるものではない。すなわち、従来と同様に第１層配
線２にタングステン・シリサイド（ＷＳｉ）膜を、また
、第２層配線４にチタン−白金−金（Ｔ ｉ、 −Ｐ
ｔ −Ａ ｕ ）の金属膜を用いても何等差支えないも
のである。
ｔ ｍで従来の１／２で済むので酸素（０２）プラズマ
による感光性ポリミド材除去工程の所要時間は半分に節
減される。以上は第１層配線２にアルミ（Ａｆｆ）金属
膜を、また、第２．第３の配線４および８にタングステ
ン・シリサイド（ＷＳｉ）および金（ＡＪ？）の各薄膜
を用いた場合を説明したが、その他の配線材の使用を阻
なげるものではない。すなわち、従来と同様に第１層配
線２にタングステン・シリサイド（ＷＳｉ）膜を、また
、第２層配線４にチタン−白金−金（Ｔ ｉ、 −Ｐ
ｔ −Ａ ｕ ）の金属膜を用いても何等差支えないも
のである。
以上詳細に説明したように、本発明によれば半導体基板
上に形成した凹部内に第１層配線を形成することにより
この上を水平に第３層配線を架橋することができ、架橋
に用いる感光性ポリミド材の厚さを従来法に比べ少なく
とも半減し得るので酸素（０２）プラズマによる架橋工
程の所要時間を少なくとも１／２に節減することが可能
である。また、完成するエア・ブリッジ（Ａｉｒ Ｂｒ
ｉｄｇｅ）配線は基板に対し平坦構造であり機械的強度
も大きいので半導体装置の信頼性の向上に顕著なる効果
を奏し得る。
上に形成した凹部内に第１層配線を形成することにより
この上を水平に第３層配線を架橋することができ、架橋
に用いる感光性ポリミド材の厚さを従来法に比べ少なく
とも半減し得るので酸素（０２）プラズマによる架橋工
程の所要時間を少なくとも１／２に節減することが可能
である。また、完成するエア・ブリッジ（Ａｉｒ Ｂｒ
ｉｄｇｅ）配線は基板に対し平坦構造であり機械的強度
も大きいので半導体装置の信頼性の向上に顕著なる効果
を奏し得る。
第１図（ａ）〜（ｋ）は本発明の一実施例を示すエア・
ブリッジ（Ａｉｒ Ｂｒｉｄｇｅ）配線の製造プロセス
・フロー図、第２図（ａ）〜（ｈ）は従来のエア・ブリ
ッジ（Ａｉｒ Ｂｒｉｄｇｅ）配線の製造プロセス・フ
ロー図である。 １・・・半導体基板、２・・・第１層配線、３・・・シ
リコン酸化膜（ＳｉＯ２）、４・・・第２層配線、５・
・・感光性ポリミド材、６，９．１２・・・レジスト、
８・・・第３層配線、１０・・・凹部、１１・・・アル
ミ蒸着膜、１３・・・金メツキ用レジスタ、１４・・・
金（Ａｕ）メッキ層。 １．［； 代理人 弁理士 内 原 晋″パ ｌ ・“２ 〈二 （Ｌノ 半ＩＴ￥］ た１０ （ｅ） 亭２図 （子ン （９〕 （Ｌ） 第２切
ブリッジ（Ａｉｒ Ｂｒｉｄｇｅ）配線の製造プロセス
・フロー図、第２図（ａ）〜（ｈ）は従来のエア・ブリ
ッジ（Ａｉｒ Ｂｒｉｄｇｅ）配線の製造プロセス・フ
ロー図である。 １・・・半導体基板、２・・・第１層配線、３・・・シ
リコン酸化膜（ＳｉＯ２）、４・・・第２層配線、５・
・・感光性ポリミド材、６，９．１２・・・レジスト、
８・・・第３層配線、１０・・・凹部、１１・・・アル
ミ蒸着膜、１３・・・金メツキ用レジスタ、１４・・・
金（Ａｕ）メッキ層。 １．［； 代理人 弁理士 内 原 晋″パ ｌ ・“２ 〈二 （Ｌノ 半ＩＴ￥］ た１０ （ｅ） 亭２図 （子ン （９〕 （Ｌ） 第２切
Claims (1)
- 半導体基板上に凹部を形成する工程と、前記凹部内に第
１層配線を形成する工程と、前記凹部と隣接する基板上
に絶縁膜を介し第２層配線を形成する工程と、前記第１
および第２の各層配線を含む半導体基板全面にポリミド
材を塗布する工程と、前記第２層配線上のポリミド材に
貫通孔を設ける工程と、前記貫通孔を介し第２配線と電
気的に接触する第３層配線を前記ポリミド材上に形成す
る工程と、前記ポリミド材のみを前記半導体基板面上か
ら除去する工程とを含むエア・ブリッジ配線形成工程を
具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62085956A JP2615608B2 (ja) | 1987-04-07 | 1987-04-07 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62085956A JP2615608B2 (ja) | 1987-04-07 | 1987-04-07 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63250155A true JPS63250155A (ja) | 1988-10-18 |
| JP2615608B2 JP2615608B2 (ja) | 1997-06-04 |
Family
ID=13873199
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62085956A Expired - Lifetime JP2615608B2 (ja) | 1987-04-07 | 1987-04-07 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2615608B2 (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02218150A (ja) * | 1988-12-16 | 1990-08-30 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 一対の重畳した部材の間に電気的絶縁媒体を設ける方法及び設けた構造体 |
| JPH03280542A (ja) * | 1990-03-29 | 1991-12-11 | Fujitsu Ltd | リフトオフ法に依るパターン形成方法 |
| US5459092A (en) * | 1989-01-27 | 1995-10-17 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method for fabricating an active matrix addressed liquid crystal image device |
| JPH0886850A (ja) * | 1994-08-30 | 1996-04-02 | Lg Semicon Co Ltd | 導電性マイクロブリッジの製造方法 |
| US5965914A (en) * | 1997-06-18 | 1999-10-12 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Thin film transistor having a branched gate and channel |
| JP2001226599A (ja) * | 2000-02-18 | 2001-08-21 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 空洞多層配線形成用樹脂組成物及びこれを用いた空洞多層配線 |
| CN110323128A (zh) * | 2019-07-10 | 2019-10-11 | 芜湖启迪半导体有限公司 | 一种空气桥的制作方法以及空气桥 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6265346A (ja) * | 1985-09-17 | 1987-03-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
-
1987
- 1987-04-07 JP JP62085956A patent/JP2615608B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6265346A (ja) * | 1985-09-17 | 1987-03-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02218150A (ja) * | 1988-12-16 | 1990-08-30 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 一対の重畳した部材の間に電気的絶縁媒体を設ける方法及び設けた構造体 |
| US5459092A (en) * | 1989-01-27 | 1995-10-17 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method for fabricating an active matrix addressed liquid crystal image device |
| JPH03280542A (ja) * | 1990-03-29 | 1991-12-11 | Fujitsu Ltd | リフトオフ法に依るパターン形成方法 |
| JPH0886850A (ja) * | 1994-08-30 | 1996-04-02 | Lg Semicon Co Ltd | 導電性マイクロブリッジの製造方法 |
| US5965914A (en) * | 1997-06-18 | 1999-10-12 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Thin film transistor having a branched gate and channel |
| JP2001226599A (ja) * | 2000-02-18 | 2001-08-21 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 空洞多層配線形成用樹脂組成物及びこれを用いた空洞多層配線 |
| CN110323128A (zh) * | 2019-07-10 | 2019-10-11 | 芜湖启迪半导体有限公司 | 一种空气桥的制作方法以及空气桥 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2615608B2 (ja) | 1997-06-04 |
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