JPS61280636A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPS61280636A JPS61280636A JP12220585A JP12220585A JPS61280636A JP S61280636 A JPS61280636 A JP S61280636A JP 12220585 A JP12220585 A JP 12220585A JP 12220585 A JP12220585 A JP 12220585A JP S61280636 A JPS61280636 A JP S61280636A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- insulating film
- interlayer insulating
- opening part
- wiring layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置の製造方法に関し、特に配線の形成
方法に関する。
方法に関する。
近年、半導体装置は大容量化、高集積化が進められてい
るが、それに伴なって多層配線構造が用いられてきてい
る。多層配線構造を形成するには、金属配線と層間絶縁
膜とを繰り返し形成する必要があるが、配線や開孔を繰
り返し形成するにつれ段差が急峻となり、配線に断線を
生じる恐れがある。
るが、それに伴なって多層配線構造が用いられてきてい
る。多層配線構造を形成するには、金属配線と層間絶縁
膜とを繰り返し形成する必要があるが、配線や開孔を繰
り返し形成するにつれ段差が急峻となり、配線に断線を
生じる恐れがある。
特に第２図に示すように、下層配線５上の厚さ１〜２μ
ｍの層間絶縁膜１に形成された開孔部２の幅Ｗが２．０
μｍ以下になると、層間絶縁膜１上に形成される上層の
ＡＩ配線３が断線する可能性が大きくなる。例え断線し
ない場合でも半導体装置の動作中にトラブルを発生し、
信頼性を低下させるという欠点がある。
ｍの層間絶縁膜１に形成された開孔部２の幅Ｗが２．０
μｍ以下になると、層間絶縁膜１上に形成される上層の
ＡＩ配線３が断線する可能性が大きくなる。例え断線し
ない場合でも半導体装置の動作中にトラブルを発生し、
信頼性を低下させるという欠点がある。
この対策として第３図に示すように、開孔部２のエツジ
にテーバ４を設ける方法が提案され実施されているが、
この方法ではテーバを設けるためのマージンが大きくな
り微細素子の形成が困難となる不都合がある。
にテーバ４を設ける方法が提案され実施されているが、
この方法ではテーバを設けるためのマージンが大きくな
り微細素子の形成が困難となる不都合がある。
本発明の目的は、上記欠点を除去し、絶縁膜の開孔部を
、金属化合物を含むアルコール溶液を塗布し焼成するこ
とにより埋めて平坦化し、この上に配線層を形成して配
線の断線をなくし、信頼性が高く、集積度の向上した半
導体装置の製造方法を提供することにある。
、金属化合物を含むアルコール溶液を塗布し焼成するこ
とにより埋めて平坦化し、この上に配線層を形成して配
線の断線をなくし、信頼性が高く、集積度の向上した半
導体装置の製造方法を提供することにある。
本発明の半導体装置の製造方法は、半導体基板上の絶縁
膜に開孔部を形成する工程と、この開孔部を含む絶縁膜
上に金属化合物を含むアルコール溶液を塗布し焼成して
金属膜を形成する工程と。
膜に開孔部を形成する工程と、この開孔部を含む絶縁膜
上に金属化合物を含むアルコール溶液を塗布し焼成して
金属膜を形成する工程と。
この金属膜上に配線層を形成する工程とを含んで構成さ
れる。
れる。
本発明によれば、絶縁膜に設けられた開孔部は塗布・焼
成された金属化合物から形成された金属膜により埋めら
れるため、この上に形成される金属配線は平坦なものと
なり、断線等の不良は発生しない。
成された金属化合物から形成された金属膜により埋めら
れるため、この上に形成される金属配線は平坦なものと
なり、断線等の不良は発生しない。
次に本発明の実施例を図面を用いて説明する。
第１図（ａ）〜（Ｃ）は本発明の一実施例を説明するた
めの工程断面図であり、特に下層配線上に上層配線を形
成する場合を示している。
めの工程断面図であり、特に下層配線上に上層配線を形
成する場合を示している。
まず第１図（ａ）に示すように、シリコン基板１０表面
に形成された下層配線５上の層間絶縁膜１に幅１〜２μ
ｍの開孔部２を形成する。このように微細な開孔部の形
成には反応性イオンエツチング（Ｒ，ＩＥ）法等のドラ
イエツチング法が適当である。
に形成された下層配線５上の層間絶縁膜１に幅１〜２μ
ｍの開孔部２を形成する。このように微細な開孔部の形
成には反応性イオンエツチング（Ｒ，ＩＥ）法等のドラ
イエツチング法が適当である。
次に第１図（ｂ）に示すように、開孔部２を含む層間絶
縁膜１全面に金属化合物１例えば塩化白金（ＰｔＣ１ｓ
）を含むアルコール溶液をスピンナー法等により塗布
し約１５０℃で乾燥する。必要に応じて複数回塗布・乾
燥を行ない開孔部２を塩化白金で埋める。続いて窒素雰
囲気中で約６００℃で焼成して塩化白金を分解し、開孔
部２を含む層間絶縁膜１上に白金膜６を形成する。焼成
温度は金属化合物の分解温度より２００℃以上高くする
ことが望ましい。
縁膜１全面に金属化合物１例えば塩化白金（ＰｔＣ１ｓ
）を含むアルコール溶液をスピンナー法等により塗布
し約１５０℃で乾燥する。必要に応じて複数回塗布・乾
燥を行ない開孔部２を塩化白金で埋める。続いて窒素雰
囲気中で約６００℃で焼成して塩化白金を分解し、開孔
部２を含む層間絶縁膜１上に白金膜６を形成する。焼成
温度は金属化合物の分解温度より２００℃以上高くする
ことが望ましい。
次に第１図（Ｃ）に示すように、全面に配線層として、
例えばＡｌ膜７をスパッタ法等により堆積させる。以下
Ａｌ膜７及びＰｔ膜６をパターニングし上層配線８を形
成する。
例えばＡｌ膜７をスパッタ法等により堆積させる。以下
Ａｌ膜７及びＰｔ膜６をパターニングし上層配線８を形
成する。
このようにして形成された２層配線においては、層間絶
縁膜１の開孔部２はＰｔ膜６により埋められて平坦とな
るため、その上く形成されるＡ／膜７と下層配線５との
接続は確実とたり、上層配線８の断線は生じることはな
くなる。
縁膜１の開孔部２はＰｔ膜６により埋められて平坦とな
るため、その上く形成されるＡ／膜７と下層配線５との
接続は確実とたり、上層配線８の断線は生じることはな
くなる。
また、３層以上の多層配線は、上記実施例の２層配線の
形成工程を単位とし、同様の工程を繰り ４゜返すこ
とにより容易に形成することができる。この場合、層間
絶縁膜１上に形成されるＡＩ膜７には開孔部２による段
差はほとんど形成されないため、３層以上の多層配線を
形成した場合においても段差が急峻になることはない。
形成工程を単位とし、同様の工程を繰り ４゜返すこ
とにより容易に形成することができる。この場合、層間
絶縁膜１上に形成されるＡＩ膜７には開孔部２による段
差はほとんど形成されないため、３層以上の多層配線を
形成した場合においても段差が急峻になることはない。
尚、上記実施例においては金属化合物として塩 。
化白金（Ｐｔ（Ｊｓ）を用いた場合について説明したが
、これに限定されるものではなく、アルコール等の有機
溶媒に溶け、分解温度の比較的低い銅。
、これに限定されるものではなく、アルコール等の有機
溶媒に溶け、分解温度の比較的低い銅。
金、チタン等の化合物を用いることが可能である。
以上詳細に説明したように、本発明によれば、眉間絶縁
膜に形成される開孔部による段差を、金属化合物を含む
アルコール溶液の塗布、焼成により形成される金属膜に
より埋めて平坦化するため、配線の断線がなくなり信頼
性が高く、集積度の向上した半導体装置が得られるので
その効果線大き＾。
膜に形成される開孔部による段差を、金属化合物を含む
アルコール溶液の塗布、焼成により形成される金属膜に
より埋めて平坦化するため、配線の断線がなくなり信頼
性が高く、集積度の向上した半導体装置が得られるので
その効果線大き＾。
第１図（ａ）〜（Ｃ）は本発明の一実施例を説明するた
６の工程断面図、第２図及び第３図は従来の多層配線構
造を説明するための断面図である。 １・・・・・・１間絶縁膜、２・・・・・・開孔部、３
・・・・・・Ａｌ配線、４・・・・・・テーパ、５・・
・・・・下層配線、６・・・・・・ｐｔ莫、７・・・・
・・Ａｌ膜、８・・・・・・上層配線、１０・・・・・
・シリコン基板。 第１図 ＄２ａ 募 ３Ｉ！Ｉ
６の工程断面図、第２図及び第３図は従来の多層配線構
造を説明するための断面図である。 １・・・・・・１間絶縁膜、２・・・・・・開孔部、３
・・・・・・Ａｌ配線、４・・・・・・テーパ、５・・
・・・・下層配線、６・・・・・・ｐｔ莫、７・・・・
・・Ａｌ膜、８・・・・・・上層配線、１０・・・・・
・シリコン基板。 第１図 ＄２ａ 募 ３Ｉ！Ｉ
Claims (1)
- 半導体基板上の絶縁膜に開孔部を形成する工程と、該開
孔部を含む絶縁膜上に金属化合物を含むアルコール溶液
を塗布し焼成して金属膜を形成する工程と、該金属膜上
に配線層を形成する工程とを含むことを特徴とする半導
体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12220585A JPS61280636A (ja) | 1985-06-05 | 1985-06-05 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12220585A JPS61280636A (ja) | 1985-06-05 | 1985-06-05 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61280636A true JPS61280636A (ja) | 1986-12-11 |
Family
ID=14830149
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12220585A Pending JPS61280636A (ja) | 1985-06-05 | 1985-06-05 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61280636A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05190549A (ja) * | 1991-07-08 | 1993-07-30 | Samsung Electron Co Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
-
1985
- 1985-06-05 JP JP12220585A patent/JPS61280636A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05190549A (ja) * | 1991-07-08 | 1993-07-30 | Samsung Electron Co Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
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