JPS63246851A - 半導体装置の保持器および集積回路をプラスチック・パッケージの内部に収納する方法 - Google Patents

半導体装置の保持器および集積回路をプラスチック・パッケージの内部に収納する方法

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JPS63246851A
JPS63246851A JP63003264A JP326488A JPS63246851A JP S63246851 A JPS63246851 A JP S63246851A JP 63003264 A JP63003264 A JP 63003264A JP 326488 A JP326488 A JP 326488A JP S63246851 A JPS63246851 A JP S63246851A
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体装置のプラスチック収納の分野に関する
ものであシ、更に詳しくいえば、プラスチック製収納容
器内部への多リード集積回路の収納に関するものである
0 〔従来の技術〕 集積回路の収納の開発の初期の段階においては、集積回
路は金属製またはプラスチック製の収納容器内にパッケ
ージされることが典型的なものであった0セラミツク収
納は効果的であるが、セラミックの絶縁は費用がかさみ
、集積回路チップの製造の全コストのかなシの部分を占
める。最近、プラスチック収納技術が開発された。プラ
スチック収納技術は集積回路装置のパッケージングの費
用を大幅に低下させる。
典を的なプラスチックパッケージング技術においては、
通常はダイの態様の集積回路がリードフレームの近くに
置かれる。それから、集積回路の各種の端子がリードフ
レームのリードヘ線により物理的に接続されるようにチ
ップすなわちダイが結線される。次に、集積回路チップ
が接合され、チップがプラスチックパッケージ内に包み
こまれてリードだけがパッケージの外部へ延長するよう
にプラスチックが注型される。
〔発明が解決しようとする課題〕
従来知られている、金属リードを用いる単層成型プラス
チックパッケージは、ダイ上の各種の集積回路の端子を
リードヘ1対1で接続することを通常必要とする。パッ
ケージの′f!1源リードと接地リードの数と位置は、
ダイ上の電源接合パッドおよび接地接合パッドの数およ
び位置に直接依存する。多数の接続をダイパッドから各
種の電源リードおよび各種の接地リードに対して行うこ
とができるが、その接続の作業は各種のパッドの位置ぎ
めに一層の制約を果す。また、ある種の大電流用途にお
いては、付加電流をシャントするために付加パッドと付
加リードを必要とする。リードの数を増大させる結果を
もたらすダイ上の電源パッドおよび接地パッドの増大に
より、電源パッドと接地パッドの間のインダクタンスが
大きくなシ、電気容量が小さくなるから、集積回路の応
答速度が低下することになる。東に、単一層パッケージ
における接合パッドが増大するととくよシパッケージリ
ードの数が増大してパッケージの寸法が大きくなシ、パ
ッケージを小さくしようという試みが妨げられるという
問題がある。
また、単層成製プラスチックパッケージは基本的には平
らであるから全ての■10(入力/出力)−接地リード
電流ループが一平面内に置かれることになって、高いリ
ードカウントパッケージにおける漏話がかなシ大きくて
通信の質が低下するという問題がある。
従来の単層成製プラスチックパッケージは各種の低リー
ドカウントすなわち低速集積回路に対してはよく適する
が、小型パッケージ内で実現された高リードカウントの
高速集積回路を従来の技術を用いて得ることは困難であ
る。したがって、必要なものは、小製のシステムにおけ
る32ビツトマイクロプロセツサのような高速、高リー
ドカウント集積回路を収納するためのパッケージである
〔発明の概要〕
本発明は集積回路を収納するための多層成型プラスチッ
クパッケージを開示するものである。プラスチックパッ
ケージは、平らな金属板から形成された電源プレーンと
接地プレーンを有する多層キャリヤを含む。電源プレー
ンはベースとして機能し、接地プレーンは電源プレーン
の上方に配置される。集積回路を置くための開口部を設
けるために、接地プレーンの中央部が打抜かれる。
2枚の板を一緒に接合し、かつ絶縁体として機能するた
めに1ポリイミド接着剤を有するテープが用いられる0
それから、リードを第2の板に接合するために、ポリイ
ミド接着剤を用いる第2の絶縁テープ層が用いられる。
集積回路を接地プレーンに設けられている開口部を通じ
て電源プレーンに取付けてから、線を用いて集積回路の
電源パッドを電源プレーンへ結合し、接地パッドを接地
プレーンに接合する。
電源プレーンと接地プレーンを用いることにより、接地
端子と電源端子を各種の接地リードと電晒−ドと電源リ
ードヘ直結する必要が無くなる。
接地プレーンと電源プレーンを用いることによりパッケ
ージが小聾となシ、熱性能が向上し、リードと相互イン
ダクタンスが減少する。
〔実施例〕
以下、図面を参照して本発明の詳細な説明する。
この明細書においてはコンパクトな収納を行う多層成型
プラスチック集積回路パッケージについて詳しく説明す
る。本発明を完全に理解できるようにするために1以下
の説明においては、特定の形状、材料のような数多くの
特定の事項の詳細について述べである。しかし、そのよ
うな特定の詳細事項々しに本発明を実施できることが当
業者には明らかであろう。その他の場合には、本発明を
不必要に詳しく説明して本発明をあいまいにし表いよう
にするために1周知の技術は説明しない。
まず、外部環14によ〕所定位置く保持されている複数
のリード11を有するリードフレームが示されている第
1図を参照する。リードチップ12が損傷を受けないよ
うにするためiC,リードチップ12が内部環13によ
り所定位置に保持される。リードフレーム10は、リー
ドを構成するために従来良く知られている各種の金属か
ら製作される。本発明のリードフレーム10は平らであ
って、希望の金属板から打抜きまたはエツチングによっ
て製作される。内部環13はリードフレーム10の中央
開口部15のための境界部として機能する。好適な実施
例の内部環13と、外部環14と、開口部15の形は、
正方形の集積回路(IC)を収納するために正方形であ
るが、どのような形も任意であシ、それらの部品の形は
、開口部15の内部に置く集積回路の形によ)決定され
る。本発明の実現例では、後で行う金線接合のためにリ
ードチップ12の上面16が銀めっきされる。
イー′・アイ・デュポン・ド・ネムール・アンドカンパ
ニー(E、I、dupont do Nemours 
&Co、)により製造され九Kapton (商標)テ
ープのような絶縁テープ1Bが用いられる。この絶縁テ
ープ18の両面19と20にはポリイミド接着剤が被覆
されている。ポリイミドを被覆された絶縁テープ18の
寸法がリードフレーム10の開口部15よシも大きいよ
うにして、その絶縁テープ18は切断される。絶縁テー
プ18が開口部15を覆うように、絶縁テープ18の表
面19がリードフレーム10の銀めっきされていない側
に接触するようKして絶縁テープ18を置く。絶縁テー
プ18をリードフレーム10に接着させるために、絶縁
テープ18とリードフレームIOK対して周知のホット
・タック(hat taek)操作を行う。
しかし、そのホット・タック操作中は、表面19と20
に付着されている接着剤は完全には硬化しない0第2図
はホット・タック操作が終った時の様子を示すものであ
って、絶縁テープ18とリードフレーム10が接合され
て開口部15を囲んでいることがわかる。ここで説明し
ている実施例においては特定の材料および特定の接着剤
を用いているが、この分野において周知の他の材料およ
び接着剤も同様の機能を発揮することがわかるであろう
次に第3図を参照する。絶縁テープ18と内部環13の
一部を打抜くことにより中央開ロ部23が形成される。
この段階においては、開口部23が設けられた絶縁テー
プ18はリードチップ12へ取付けられる。内部環13
が除去されるために、各種のリードチップ12が互いに
分離される。開口部23の境界寸法は、集積回路チップ
すなわち集積回路ダイを開口部23の内部に入れること
ができるようなものでなければならない。製造のこの段
階においては、組立体24が形成される。
次に第4図を参照する。第1図の絶縁テープ18の寸法
とほぼ同じ寸法で金属板30が打抜かれる。ζこて説明
している実施例においては、金属板30は銅板から形成
されて、それの一方の表面32が銀めっきされる金属板
30はタブ31を含む。このタブは第3図に示されてい
るリードフレーム10の適切なリード11に係合する。
タブ31は金属板30の面から少しもちあげられる。タ
ブ31をリードフレーム10へ接合す名ことを助けるた
めに1タブ310表面は金めつきまたはニッケルめっき
のような冶金学的処理を施される。
この実施例ではタブ31の表面を金めつきする。
それから、両面にポリイミド接着剤が付着されているテ
ープ35が金属板30の寸法と同じ寸法に切断され、第
1図を参照して説明したようにポリイミド接着剤を用い
てホットタック法により金属板30のめつきされていな
い側33に接合される。
このようにして金属板がテープ35の接合されたものが
ユニット37として第5図に示されている。
次に第6図を参照する。板ユニット37から開口部3B
が打抜かれる0開口部36の寸法は集積回路ダイをその
中に置くことができるような寸法である。しかし、正し
く組合わされた時に、ユニット370表面32の部分が
開口部23の内部に入るように、開口部36の寸法は開
口部23の寸法よシ小さい。
次に第7図を参照する。第4図に示されている金属板3
0の金属と同じ金属で作られた金属板40が、金属板3
0の寸法にほぼ等しい寸法に製作される。ここで説明し
ている実施例においては、対向する隅41を切落して隅
を斜めKする。金属板40へ結合される各種の対応する
リード11に係合するために、金属板30のりfグ31
と同様のやp方でタブ42が形成される0タブ41はタ
ブ31とは異なる場所に設けられる0ポリイミドを被覆
されたテープ35が金属板30と40の間に挾まれるよ
うに1金属板ユニツト37は金属板40に係合される0
金属板30と、テープ35と、金属板40との完成され
た組合わせが第8図に組立体8として示されている0 次に第9図を参照する0テープ18がリードフレーム1
0と金属板300間に挾まれるように、組立体24が組
立体43に係合される。中央領域46を有する完成され
た組立体45が第10図に示されている。好適な実施例
はほぼ平らで正方形の組立体45で構成されるが、その
形は収納すべき集積回路の形および寸法とは独立してい
る。それから、熱圧接により組立体45は硬化させられ
て全ての要素1G、18.30,35.40を永久に接
合する。領域46のためのペースとして機能する金属板
40で組立体24が構成される。テープ35と金属板3
0は金属板40の上に置かれる。金属板30の一部が露
出されるように、テープ18とリードフレーム10のリ
ード11が金属板30の上に置かれる。この実施例にお
いては、金属板40は電源プレーン52を形成し、金属
板30が接地プレーン53を形成する。
タブ31と42は、正しく形成された時に、テープ18
の外部境界を過ぎて延びる。それらのタブは少しもちあ
がっているから、タブ31.42はそれぞれの金属板3
0.40から延びて、それらの下側に沿って各種の対応
するリード11に保合する。平行間隙溶接、超音波接合
、コンブライアント接合(compliant bon
ding )、ウオツプル接合(wobbl@bond
ing)、たは熱圧接(脈動はんだリフo −(pul
sed molder r@flow))のような各種
の従来の方法の1つを用いてリード11へ接合される。
次に第11図を参照する。ダイ50の形の集積回路が中
央領域46C内部で電源プレーン52の上に置かれる。
接着剤による取付けのような各種の先行技術を用いてダ
イ50を電源プレーン54へ結合し、バンド58を接地
プレーン53へ結合するために線54が用いられる。線
56のような別の線を用いてダイ50の他のパッド59
を各種のリードのリードチップ12へ結合する。
次に第12図を参照する。タブ31.42が適切なリー
ド11に係合して接地プレーン53と電源プレーン53
に結合するから、接地プレーンと電源プレーンの前記形
成において各種のタブ31と42が正しく位置させられ
たことが明らかである。この好適な実施例においては、
前記したよりに線54〜56を置く前にタブ31.42
が接合される。第11図と第12図にはただ1つの接地
プレーンタブ31が示されているが、他の接地タブ31
と電源プレーン42がそれぞれのリード11へ同様のや
シ方で係合される。線54〜56を銀スポットめっきさ
れたプレーン52〜53と銀めっきされたリードチップ
12へ接合することにより各種のワイヤ接合が行われる
本発明を実施するために各種接合技術または各種の接合
構造を使用できることが明らかである0別の実施例にお
いては、プレーン52.53の外縁部にタブ31.42
を用いる代シに、接地プレーンと電源プレーンをリード
チップ12へ相互接続するために太い線を利用できる。
更に、電源プレーンと接地プレーンの間のプレーン上に
減結合コンデンサを設けることができる。最後に、半導
体装置の製造に用いられる周知の打抜き技術および成形
技術により完成されたユニットがプラスチックパッケー
ジ60の内部に収納され、リードフレーム10の外部環
14が除去され、各種のり一ド11が分離されて集積回
路パッケージの個々のリード11を形成する。組立体4
5を周知の従来のパッケージ組立技術により加工する。
本発明による性能向上により種々の利点が得られる。大
きな改善は、リードの、長さの大きな部分がインダクタ
ンスが小さい金属ブレーンによ)置き換えられるから、
集積回路の電源路と接地路とのインダクタンスが大幅に
小さくなることである。
電源路と接地路との容量も、典型的には1009Fの近
くまで増大して、電源ノイズを減少することを助ける。
先に述べたように、電源ブレーンと接地ブレーンを結合
して集積回路のリードインダクタンスを更に減少させる
ために1減給合容量をパッケージ内部に置くことができ
る。リードのインダクタンスはリード11によるばかシ
ではなく、外部回路におけるリードの長さによっても決
定される。すなわち、電源プレーンと接地プレーンが存
在するととくよシ、集積回路のリード11へ結合される
各種のI10線のインダクタンスが減少し、単位長さ当
シのインダクタンスを一層一様な値に維持することを助
ける。したがって、本発明によって、従来のパッケージ
とは異って、電源プレーンと接地プレーンを使用するこ
となしに、形状に非常に依存するパッケージが得られる
電源プレーンと接地プレーンを使用しない従来のプラス
チックパッケージとは異なシ、本発明はダイの電源端子
と接地端子をリードヘ1対1で接続することを必要とせ
ず、それによリダイとパッケージリードの接地端子と電
源端子の位置と数を独立して制御する。また、パッケー
ジのインダクタンスとコンデンサの好ましい増大のため
に、同等の性能を達成するために必要とする電源プレー
ンと接地プレーンの数は従来のパッケージと比較しては
るかに少い。
性能向上における各種の利点のを与によって半導体装置
のパッケージが小さくなる。電源プレーンおよび接地プ
レーンとして金属板を使用することも集積回路により発
生される熱の放散にを与し、それKよって熱性能が向上
する。「高温の装置」に対してはこの熱性能の向上によ
り内部の[熱伝導手段」を設ける必要が無くなる。
本発明の実施により達成されるその他の利点は次の通シ
である。すなわち、製造作業中に1 リードフレームの
リードチップが接着剤を被覆されたテープと金属環によ
り保護され、それにより損傷を防ぐ。タブが用いられる
場合には、接地リードチップと電源リードチップを他の
リードチップよシ短<シ、集積回路のワイヤ接合部分の
近くの非常に重要な部分を自由にできるように、ワイヤ
接合のためには電源リードチップと接地リードチップを
用いる必要はない。更に1ダイパツドはもはや結合バー
を支持する必要がないから、付加110のために別の部
分を利用できる。また、電源の電位とアース電位の間の
電流ループが、先行技術の場合のようにリードの間では
なくて、ブレーンに垂直に生ずるから、リードの間およ
びI10線の間の相互インダクタンスが減少する。
【図面の簡単な説明】
第1図はリードフレームと、接着剤を被覆されてリード
フレームに接合される絶縁テープを示す斜視図、第2図
は第1図の完成された組立体を示す斜視図、第3図は中
央領域の打抜きと、各種のリードチップを所定位置に保
持する内部環の除去の後の第2図に示されている組立体
を示す斜視図。 第4図は接地プレーンと接着剤を被覆された絶縁テープ
を示す斜視図、第5図は第4図の完成された組立体の斜
視図、第6図は中央開口部を打抜かれた第5図の完成さ
れた組立体の斜視図、第7図は電源プレーンへ接合され
ている第6図の組立体を示す斜視図、第8図は第7図の
完成された組立体の斜視図、第9図は第3図のリードフ
レームと第8図の二重層板組立体の接合を示す斜視図、
第10図は第9図の完成された組立体の斜視図、第11
図は第10図の組立体の一部と集積回路の接合およびそ
れの端子接続のいくつかを示す斜視図、第12図は本発
明の完成されたパッケージの断面図である。 10・・・・リードフレーム、11・−・・リード、1
2・・・・リードチップ、13−・・・内部環、14・
Φ・・外部環、15,23.36  ・・・・開口部、
18,35・・・・絶縁テープ、30.40・・・・金
属板、31,42.5?、59・・・・タブ、52・・
・・電源ブレーン、53・・・・接地プレーン、60・
・・・プラスチックパッケージ。

Claims (10)

    【特許請求の範囲】
  1. (1).半導体装置の保持器であつて、 前記半導体装置の第1の端子が結合された第1の導体板
    と、 この第1の導体板へ結合され、その第1の導体板の少く
    とも一部の上に置かれた絶縁体と、この第1の絶縁体を
    前記第1の導体板との間に配置するように、前記第1の
    絶縁体の上でその第1の絶縁体に結合され、かつ前記半
    導体装置の第2の端子が結合された第2の導体板と、 前記第1の導体板に結合された第1のリードと、前記第
    2の導体板へ結合された第2のリードと、前記保持器を
    囲む収納容器にしてその外部へ前記リードが延長してい
    る収納容器とを備え、それにより、前記半導体装置の前
    記第1の端子との前記第2の端子が前記導体板により前
    記第1のリードと前記第2のリードヘそれぞれ電気的に
    結合されることを特徴とする半導体装置の保持器。
  2. (2).不透明なプラスチツク製収納容器と、この収納
    容器内に収納された集積回路保持器と、 前記収納容器内に延長し、前記保持器に結合される複数
    のリードと、 を備え、前記保持器は、 (a)集積回路が上に配置される第1の導体板と、 (b)この第1の導体板の上に設けられ、前記集積回路
    の周囲に配置される第2の導体板と、 (c)前記第1の導体板と前記第2の導体板の間に配置
    されて、それらの導体板に接合される第1の絶縁体と、 (d)前記第2の導体板と前記複数のリードの間に配置
    されて、その第2の導体板とリードへ接合される第2の
    絶縁体と、 を備え、 (e)前記集積回路の電源端子が前記導体板の一方へ電
    気的に結合され、 (f)前記集積回路の接地端子が前記導体板の他方へ電
    気的に結合され、 それにより前記接地端子と前記電源端子は各前記導体板
    により接地リードと電源リードヘそれぞれ結合されるこ
    とを特徴とする集積回路のプラスチックパッケージ。
  3. (3).請求項2記載のプラスチックパッケージにおい
    て、前記絶縁体は接着剤を被覆された絶縁テープで構成
    されることを特徴とする保持器。
  4. (4).請求項3記載のプラスチックパッケージにおい
    て、前記導体板は銅で構成されることを特徴とする保持
    器。
  5. (5).請求項4記載のプラスチックパッケージにおい
    て、前記集積回路の前記電源端子は前記第1の導体板へ
    結合され、前記接地端子は前記第2の導体板へ結合され
    ることを特徴とするプラスチックパッケージ。
  6. (6).請求項5記載のプラスチックパッケージにおい
    て、前記第1の導体板と前記第2の導体板は、それらの
    導体板を各種の所定の電源リードと各種の所定の接地リ
    ードへ結合するために導体板の外縁部上に配置されたタ
    ブを更に含むことを特徴とするプラスチックパッケージ
  7. (7).請求項6記載のプラスチックパッケージにおい
    て、前記接着剤はポリイミドで構成されることを特徴と
    するプラスチックパッケージ。
  8. (8).請求項7記載のプラスチックパッケージにおい
    て、前記集積回路の前記他方の端子は各種の所定の対応
    するリードの先端部へ選択的に直結されることを特徴と
    するプラスチックパッケージ。
  9. (9).請求項5記載のプラスチックパッケージにおい
    て、減結合のために前記第1の導体板と前記第2の導体
    板の間にコンデンサが結合されることを特徴とするプラ
    スチックパッケージ。
  10. (10).複数のリードが内部に配置され、集積回路を
    置くための中央開口部を有するリードフレームを用意す
    る工程と、 前記開口部の上に取付けるために接着剤被覆の絶縁テー
    プを切断する工程と、 リードフレーム組立体を形成するために前記絶縁テープ
    を前記リードフレームに接合する工程と、前記テープに
    中央開口部を打抜く工程と、 第1の板を切断する工程と、 第2の接着剤被覆の絶縁テープを切断する工程と、 前記第2の絶縁テープを前記第1の板へ接合する工程と
    、 前記第2の絶縁テープと前記第1の板に中央開口部を打
    抜く工程と、 第2の板を打抜く工程と、 前記第2のテープが前記第1の板と前記第2の板の間に
    配置されるように前記第2のテープを前記第2の絶縁テ
    ープに接合する工程と、 前記第1のテープが前記第1の板と前記リードフレーム
    の間に配置されるように、前記第1の板を前記第1テー
    プに接合する工程と、 前記集積回路を前記第2の板に接合する工程と、線を前
    記集積回路の各種の端子パッドに接合する工程と、 前記線の他の端部を前記リードフレームの各種のリード
    と前記第1の板および前記第2の板に終端する工程と、 プラスチック製収納容器の内部に収納する工程と、を備
    え、それにより前記集積回路の接地端子と電源端子を前
    記第1の板と前記第2の板により接地端子と電源リード
    ヘ結合することを特徴とする集積回路をプラスチックパ
    ッケージ内部に収納する方法。
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Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63299370A (ja) * 1987-05-29 1988-12-06 Shinko Electric Ind Co Ltd 高周波用半導体装置
JPH03124055A (ja) * 1989-10-06 1991-05-27 Mitsui High Tec Inc リードフレームの製造方法およびこれを用いた半導体装置
US5105257A (en) * 1990-08-08 1992-04-14 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Packaged semiconductor device and semiconductor device packaging element
JPH04286148A (ja) * 1991-03-14 1992-10-12 Hitachi Cable Ltd 多ピン多層配線リードフレーム
JPH0555440A (ja) * 1991-08-29 1993-03-05 Hitachi Cable Ltd 樹脂封止型半導体装置
JPH0563130A (ja) * 1991-08-30 1993-03-12 Sumitomo Special Metals Co Ltd リードフレームとその製造方法並びに半導体パツケージ
JPH0745780A (ja) * 1993-07-30 1995-02-14 Nec Corp 半導体装置用クワッドフラットパッケージ
US5726490A (en) * 1994-09-26 1998-03-10 Nec Corporation Semiconductor device
US5936303A (en) * 1996-06-28 1999-08-10 Kabushiki Kaisha Gotoh Seisakusho Plastic molded semiconductor package

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
IT1252136B (it) * 1991-11-29 1995-06-05 St Microelectronics Srl Struttura di dispositivo a semiconduttore con dissipatore metallico e corpo in plastica, con mezzi per una connessione elettrica al dissipatore di alta affidabilita'
EP0562629A2 (en) * 1992-03-26 1993-09-29 Sumitomo Electric Industries, Limited Semiconductor device comprising a package
US5629559A (en) * 1993-04-06 1997-05-13 Tokuyama Corporation Package for semiconductor device
GB2293918A (en) * 1994-10-06 1996-04-10 Ibm Electronic circuit packaging
JP2928190B2 (ja) * 1997-04-09 1999-08-03 九州日本電気株式会社 テーピングリードフレーム
WO2002063684A2 (en) * 2001-02-02 2002-08-15 Stratedge Corporation Single layer surface mount package

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5332233B1 (ja) * 1968-12-25 1978-09-07
US3784883A (en) * 1971-07-19 1974-01-08 Communications Transistor Corp Transistor package
US3908185A (en) * 1974-03-06 1975-09-23 Rca Corp High frequency semiconductor device having improved metallized patterns
US4168507A (en) * 1977-11-21 1979-09-18 Motorola, Inc. Structure and technique for achieving reduced inductive effect of undesired components of common lead inductance in a semiconductive RF power package
JPS5852534A (ja) * 1981-09-24 1983-03-28 Junkosha Co Ltd 温度検知装置
US4639760A (en) * 1986-01-21 1987-01-27 Motorola, Inc. High power RF transistor assembly

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63299370A (ja) * 1987-05-29 1988-12-06 Shinko Electric Ind Co Ltd 高周波用半導体装置
JPH03124055A (ja) * 1989-10-06 1991-05-27 Mitsui High Tec Inc リードフレームの製造方法およびこれを用いた半導体装置
JPH0793406B2 (ja) * 1989-10-06 1995-10-09 株式会社三井ハイテック リードフレームの製造方法およびこれを用いた半導体装置
US5105257A (en) * 1990-08-08 1992-04-14 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Packaged semiconductor device and semiconductor device packaging element
JPH04286148A (ja) * 1991-03-14 1992-10-12 Hitachi Cable Ltd 多ピン多層配線リードフレーム
JPH0555440A (ja) * 1991-08-29 1993-03-05 Hitachi Cable Ltd 樹脂封止型半導体装置
JPH0563130A (ja) * 1991-08-30 1993-03-12 Sumitomo Special Metals Co Ltd リードフレームとその製造方法並びに半導体パツケージ
JPH0745780A (ja) * 1993-07-30 1995-02-14 Nec Corp 半導体装置用クワッドフラットパッケージ
US5726490A (en) * 1994-09-26 1998-03-10 Nec Corporation Semiconductor device
US5936303A (en) * 1996-06-28 1999-08-10 Kabushiki Kaisha Gotoh Seisakusho Plastic molded semiconductor package
KR100262180B1 (ko) * 1996-06-28 2000-07-15 고토 하지메 수지밀봉형반도체장치및그의제조방법

Also Published As

Publication number Publication date
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GB2199988B (en) 1990-04-25

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