JPS5852534A - 温度検知装置 - Google Patents

温度検知装置

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JPS5852534A
JPS5852534A JP56151848A JP15184881A JPS5852534A JP S5852534 A JPS5852534 A JP S5852534A JP 56151848 A JP56151848 A JP 56151848A JP 15184881 A JP15184881 A JP 15184881A JP S5852534 A JPS5852534 A JP S5852534A
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temperature
resistance
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洋介 鈴木
Akira Kobayashi
暁 小林
Yoshiaki Sato
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    • G01MEASURING; TESTING
    • G01KMEASURING TEMPERATURE; MEASURING QUANTITY OF HEAT; THERMALLY-SENSITIVE ELEMENTS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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    • G01K7/16Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements using resistive elements
    • G01K7/22Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements using resistive elements the element being a non-linear resistance, e.g. thermistor
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 この発明はマイクロ波等の電磁波中に任意に配設しても
温度の誤検出や電磁波の反射を生じない温度検知装置に
関する。
例えばマイクロ波を用いて人間の体温を45℃〜47℃
に温ためてガン細胞を破壊して治療するいわゆるハイパ
サーミア(IIyperthermia)療法において
は、人体に温度検知装置を埋置して実際値を剖測しつつ
有効にガン細胞のみを破壊する必要がある。この際温度
検知装置はマイクロ波によって自己発熱したり、或いは
又マイクロ波を反射してしまっては治療効率を低めてし
まうので好1しくない。そこで発明者はこのような用途
に適した温度検知装置を得るべく鋭意研究を重ねた結果
、電気的温度検知素子のリード部を極力短くシ、高抵抗
導電体によって電気的温度検知素子の温度に比例する電
気量を取り出すようにすれば、良好な結果が得られるこ
とをつきとめた。
従ってこの発明は、電磁波中に任意に配設しても温度の
誤検出や電磁波の反射を生じない温度検知装置を提供す
ることを目的とする。
このためこの発明によれば、電気的温度検知素子と、こ
の温度検知素子に導電接続される少なくとも二条の高抵
抗導電体(以下リード部という)とを備えてなる温度検
知装置を形成する。このように形成することによって、
リード部による自己発熱はほとんど無くなり温度の誤検
出が無くなり、電磁波の反射もほとんど無くなる。特に
高抵抗導電体として導電性弗素樹脂体を用いれば、自己
発熱や電磁波の反射は全く無くなるばかりか人体組織に
接触してもほとんど拒絶反応が無いので好都合である。
まだ、電気的温度検知素子の外周部を弗素樹脂体によっ
て液密封止しておくと、人体組織による温度検知に対す
る悪影響を阻1]−できると共に人体組織に対する累卵
反応を阻止できるので好都合である。
次に実施例IC基いてこの発明を更に詳細に説明する。
第1図はこの発明による温度検知装置1の概念的斜視図
を示す。この温度検知装置1は電気的温度検知素子とし
てのサーミスタ2の金属接続部3を高抵抗導電体と1〜
での導電性弗素樹脂体4に導電性接着剤5によって導電
接続して形成されている。導電性接着剤5としては例え
ば米国デーボン社のシ/l/バーコンポジ/ヨノ(Sl
lverCOmp〇−5ition) NO,4817
0,いは藤倉化成社のドータイト等を用いることができ
る。
導電性弗素樹脂体4は、弗素樹脂体である厚さ 3− 0、2 m m幅0.4mmの四弗化エチレン樹脂シー
]・の両面に0.1mm厚、幅0.4mmのシート状体
として熱融着されている。四弗化エチレン樹脂シー]・
は例えば特公昭51−18,991号公報に記載の方法
によって製造され、導電性弗素樹脂体4は充填材として
カーボンブラック等を四弗化エチレン樹脂内に充填させ
て」−記の方法に準じて製造される。四弗化エチレン樹
脂にカーボンブラ、り等を混入する方法としては、四弗
化エチレン樹脂ディスパージョンにカーボンブラック等
を混入後コアギュレーンヨンさせるか、四弗化エチレン
樹脂ファインパウダーとカーボンブラ、り等を機械的ブ
レンダーで混合するなどがある。
カーボンブラックとしてはオランダのアクゾ社(AKZ
OChemie G、m、b、H) (D’y 、7 
チ:r−7フランクを用い、これを20重量パーセン]
・充填した四弗化エチレンシー1を0.1mm厚に形成
し、これを別に製造した厚さ0.2 m mの四弗化エ
チレン樹脂体の両面に配置して圧接熱融着させた三層成
層体を幅0.4mmで切断して第1図に示すような 4
− 導電性弗素樹脂体4を得だ。この導電性弗素樹脂体4は
長さ300mmで電気抵抗値が25にΩであった。導電
性弗素樹脂体4の長さは電磁波の影響の及ぶ範囲内に限
られ、そこから先は導電性接着剤6によって導電接続さ
れた金属リード部7を介して測温部に導かれる方が好ま
しい。
電気的温度検知素子とj〜てのサーミスタ2の金属接続
部3はできるだけ短い方が自己発熱も電磁波の反射も少
ないので好ましい。このため第2図に示すように、サー
ミスタ8を導電性弗素樹脂体9間に挾持して導電接続す
るようにしても良い。
いずれにしろこの電気的温度検知素子およびリード部外
周は、四弗化エチレン樹脂、四弗化エチレン−パーフロ
ロアルキルビニルエーテル共重合樹脂地の人体に対して
拒絶反応の少ない弗素樹脂体によって液密封止され、そ
れによって温度検知素子部への体液の浸入を阻止すると
共に人体組織内への温度検知装置の挿入による人体の拒
絶反応を防止している。
上記のような構成によって20℃で5MΩの負性抵抗形
ザーミスタを用いて完成品外径0.9 m mの温度検
知装置を得、電磁波に対して人体組織と同じ特性を持つ
ファンi・ムモデル(人体模型:phantom  )
内の例表面から5mm、10mm。
20mmの各位置に留置釧を介して挿入し、直径40m
mの円形をなした電磁波照射アンテナを前記ファントム
モテル外表面に接触させて245GHz出力10W〜3
9Wの電磁波を照射した所、第3図に示す」:うな温度
上昇がみられ、それによって加温されたファントムモデ
ルの温度が25℃から50℃の温度範囲内において、時
点1)において電磁波の照射を01i’ Fにした所、
分解能01℃の精度において、この発明による温度検知
装置による温度表示値に電磁波照射OF Ii’に応す
る急激な温度降下はみられなかった。すなわちこの発明
による温度検知装置によれば、電磁θUによって何らの
影響をも受けないことが確認された。寸だ、このリード
部はX線を透過するという特徴もある。
第4図は、この発明による異なる実施例を示す温度検知
装置10の概念的斜視図図を示す。
この実施例においては、電気的温度検知素子として20
℃においてIMΩの抵抗値を示す負性抵抗形のサーミス
タ11が用いられ、その一方の金属接続部12は外周に
弗素樹脂被覆13を施した高抵抗金属細線14に半田1
5付けされ、他方の金属接続部16は弗素樹脂被覆13
外周に付設された導電性弗素樹脂体17に導電性接着剤
18によって導電接続されている。そして、導電性弗素
樹脂体17の他端側からは導電性接着剤19によって導
電接続された金属リード部20が導出され、共線の高抵
抗金属細線14と共に測温部に導かれる。
この実施例においても電気的温度検知素子であるサーミ
スタ11およびリード部の外周部は弗素樹脂体によって
液密封止された。この場合の電気抵抗値は導電性弗素樹
脂体が長さ300mmで15にΩ、高抵抗金属細線はS
US 316外径50μm K 0.3μmの金メッキ
を施したもの300mmで93Ωであった。この実施例
において完成品外径0.9mmの温度検知装置を得、第
1図に示す実 7− 流側と同様な結果を’441だ。
第5図は、この発明に」:る更に異なる実施例を示す温
度検知装置23の概念的斜視図を示す。この場合電気的
温度検知素子としてのサーミスタ24の両金属接続部2
5は、外周に弗素樹脂被覆26を施した一対の高抵抗金
属細線27ど半ぽ128に」:って導電接続されている
。この場合特筆すべきは、高抵抗金属細線27は、真空
中の電磁波の波長の1/40以下のピッチをもってより
合せられていることである。
この実施例において高抵抗金属細線27は5US316
の外径50μm線に03μmの金メッキを施して半田伺
着性を改良したものを用い、電気抵抗値は長さ300m
mで一本】00Ω、往復で2000であった。サーミス
タ24は20℃で11MΩの負性抵抗形を用いた。寸だ
温度検知素子部およびリード部は弗素樹脂体によって液
密封止しだ。このような構成に」=す、完成品外径0.
8mmの温度検知装置を得、第1図の実施例と同様な結
果を得た。
 8− 以上の通りこの発明によれば、電磁波中に任意に設置し
ても電磁波の反射や温度の誤検知を生ずることのない温
度検知装置が得られしかも人体組織に拒絶反応を生ぜし
めないものとすることができるばかりか、電子レンジそ
の他に用いて特別の遮蔽構造を施すとと々〈温度検知を
することができ、医療上ばかりでな〈産業上にも多くの
利益をもたらすことができる。
尚この発明は実施例に限定されるものではなく、電気的
温度検知素子として熱電対その他の感温素子を用いるこ
とができ、寸だリード部を4本の各各絶縁された高抵抗
導電体とし2本を電流を通す導体に、他の2本を電圧を
測定する導体として使用する、いわゆる4端子方法で使
用してもよいなど、この発明の思想を含む構成において
種々変更できることは勿論である。
【図面の簡単な説明】
第1図はこの発明による温度検知装置の概念的斜視図、
第2図はこの発明による他の実施例を示す温度検知装置
の部分的斜視図、第3図はファントムモデルの温度特性
図、第4図及び第5図はそれぞれこの発明に」:る更に
異なる実施例を示す温度検知装置の概念的斜視図である
。 1.10.23:温度検知装置、 2.8.11124:ザーミスタ、 3.12.16.25:金属接続部、 4.9.17:導電性弗素樹脂体、 14.27:高抵抗金属細線、 13.26二弗素樹脂被覆。 特許出願人 株式会社 潤 工 社 FIG、1 −11− コIG、4 FIG、5 手続補正書C自発) 特許庁長官 島  1) 春  #  殿鴇 補正をす
る者 事件との関係  特許出願人 4、補正の内容  「明細書の発明の詳細な説明の欄」
5、補正の内容 1) 明細書第2頁第]、7行から第18行にわたり、
「45°C〜47°C」とあるを、「410C〜43°
C」と訂正します。 2) 同第4頁第4行に「−である。」とある次に次の
文を加入します。 「この際、導電性弗素樹脂体の芯体又は補強月として、
引張強度の大きい性質を有する延伸多孔質四弗化エチレ
ン樹脂体を用いれば好適である。コ 1− 2−

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1)電気的温度検知素:rと、この温度検知素子に導電
    接続される少なくとも二条の高抵抗導電体とを備えてな
    る温度検知装置。 2、特許請求の範囲第1項に記載の温度検知装置におい
    て、高抵抗導電体は弗素樹脂体の表面に配設された少な
    くとも二条の導電性弗素樹脂体からなることを特徴とす
    る温度検知装置。 3)特許請求の範囲第1項に記載の温度検知装置におい
    て、高抵抗導電体は外周に弗素樹脂被覆を施した高抵抗
    金属細線と前記弗素樹脂被覆に付設された導電性弗素樹
    脂体からなることを特徴とする温度検知装置。 4)特許請求の範囲第1項に記載の温度検知装置におい
    て、高抵抗導電体は外周に弗素樹脂被覆を施した高抵抗
    金属細線からなり、これらの複数が電磁波の真空中にお
    ける波長のl/40以下のピッチをもってより合せられ
    てなることを特徴とする温度検知装置 5)特許請求の範囲第2項に記載の温度検知装置におい
    て、二条の導電性弗素樹脂体は弗素樹脂体の両側に対向
    して配設され、その端部において電気的温度検知素子を
    挾持して導電接続されることを特徴とする温度検知装置
    。 6)特許請求の範囲第1項から第5項のいずれかに記載
    の温度検知素子と少なくとも二条の高抵抗導電体におい
    て、電気的温度検知素子と少なくとも二条の高抵抗導電
    体はその外周部を弗素樹脂体によって液密封止されるこ
    とを特徴とする温度検知装置。
JP56151848A 1981-09-24 1981-09-24 温度検知装置 Granted JPS5852534A (ja)

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GB08226365A GB2107116B (en) 1981-09-24 1982-09-16 Temperature sensing device with high resistance connecting leads
EP82304927A EP0076071B1 (en) 1981-09-24 1982-09-17 Temperature sensing device
AT82304927T ATE25553T1 (de) 1981-09-24 1982-09-17 Temperaturfuehlvorrichtung.
DE8282304927T DE3275483D1 (en) 1981-09-24 1982-09-17 Temperature sensing device
NO823219A NO823219L (no) 1981-09-24 1982-09-23 Temperaturfoeler.
FI823264A FI78556C (fi) 1981-09-24 1982-09-23 Temperaturgivare.
US06/825,796 US4750497A (en) 1981-09-24 1986-02-04 Temperature sensor

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AT (1) ATE25553T1 (ja)
DE (1) DE3275483D1 (ja)
DK (1) DK158750C (ja)
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GB (1) GB2107116B (ja)
NO (1) NO823219L (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63297524A (ja) * 1987-05-28 1988-12-05 High Frequency Heattreat Co Ltd ラツク部とパイプ部とからなるラツクバ−の焼入れ方法

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2566905B1 (fr) * 1984-06-29 1986-07-18 Cgr Mev Dispositif de mesure de temperature notamment pour le controle des traitements d'hyperthermie
GB2199988B (en) * 1987-01-12 1990-04-25 Intel Corp Multi-layer molded plastic ic package
US4891687A (en) * 1987-01-12 1990-01-02 Intel Corporation Multi-layer molded plastic IC package
US4835120A (en) * 1987-01-12 1989-05-30 Debendra Mallik Method of making a multilayer molded plastic IC package
US5271410A (en) * 1991-04-01 1993-12-21 Baxter International Inc. Catheter with rapid response thermistor and method
US5372427A (en) * 1991-12-19 1994-12-13 Texas Instruments Incorporated Temperature sensor
JP2005312950A (ja) * 2004-03-31 2005-11-10 Terumo Corp エネルギー照射用医療器具および医療用エネルギー照射装置
US8303173B2 (en) * 2007-10-29 2012-11-06 Smiths Medical Asd, Inc. Dual potting temperature probe
US9024264B2 (en) * 2011-10-18 2015-05-05 Siemens Medical Solutions Usa, Inc. Temperature compensation for a detection device in an imaging system and detection devices and imaging systems therefrom

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5560829A (en) * 1978-11-01 1980-05-08 Hitachi Tobu Semiconductor Ltd Temperature sensor

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3485102A (en) * 1967-04-17 1969-12-23 Allied Precision Lab Inc Electronic temperature measuring device
US3513432A (en) * 1969-02-10 1970-05-19 Continental Sensing Inc Shielded thermoelectric transducer/conductor construction
US4148005A (en) * 1977-10-14 1979-04-03 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army Thermometric transducer device
US4346715A (en) * 1978-07-12 1982-08-31 The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration Hyperthermia heating apparatus
US4237731A (en) * 1979-04-09 1980-12-09 General Electric Company Temperature sensing probe for microwave ovens
US4253469A (en) * 1979-04-20 1981-03-03 The Narda Microwave Corporation Implantable temperature probe

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5560829A (en) * 1978-11-01 1980-05-08 Hitachi Tobu Semiconductor Ltd Temperature sensor

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63297524A (ja) * 1987-05-28 1988-12-05 High Frequency Heattreat Co Ltd ラツク部とパイプ部とからなるラツクバ−の焼入れ方法

Also Published As

Publication number Publication date
FI78556B (fi) 1989-04-28
FI823264A0 (fi) 1982-09-23
US4750497A (en) 1988-06-14
JPS6328253B2 (ja) 1988-06-07
GB2107116B (en) 1986-04-09
DK158750C (da) 1990-12-10
DE3275483D1 (en) 1987-04-02
GB2107116A (en) 1983-04-20
EP0076071B1 (en) 1987-02-25
DK412482A (da) 1983-03-25
EP0076071A2 (en) 1983-04-06
FI823264L (fi) 1983-03-25
EP0076071A3 (en) 1983-09-07
FI78556C (fi) 1989-08-10
NO823219L (no) 1983-03-25
ATE25553T1 (de) 1987-03-15
DK158750B (da) 1990-07-09

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