JPS5852534A - 温度検知装置 - Google Patents
温度検知装置Info
- Publication number
- JPS5852534A JPS5852534A JP56151848A JP15184881A JPS5852534A JP S5852534 A JPS5852534 A JP S5852534A JP 56151848 A JP56151848 A JP 56151848A JP 15184881 A JP15184881 A JP 15184881A JP S5852534 A JPS5852534 A JP S5852534A
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- JP
- Japan
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- temperature sensing
- fluororesin
- sensing device
- temperature
- resistance
- Prior art date
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-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01K—MEASURING TEMPERATURE; MEASURING QUANTITY OF HEAT; THERMALLY-SENSITIVE ELEMENTS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- G01K7/00—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements
- G01K7/16—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements using resistive elements
- G01K7/22—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements using resistive elements the element being a non-linear resistance, e.g. thermistor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
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- Physics & Mathematics (AREA)
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- Measuring Temperature Or Quantity Of Heat (AREA)
- Thermistors And Varistors (AREA)
- Indication And Recording Devices For Special Purposes And Tariff Metering Devices (AREA)
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- Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
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- Electrical Discharge Machining, Electrochemical Machining, And Combined Machining (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明はマイクロ波等の電磁波中に任意に配設しても
温度の誤検出や電磁波の反射を生じない温度検知装置に
関する。
温度の誤検出や電磁波の反射を生じない温度検知装置に
関する。
例えばマイクロ波を用いて人間の体温を45℃〜47℃
に温ためてガン細胞を破壊して治療するいわゆるハイパ
サーミア(IIyperthermia)療法において
は、人体に温度検知装置を埋置して実際値を剖測しつつ
有効にガン細胞のみを破壊する必要がある。この際温度
検知装置はマイクロ波によって自己発熱したり、或いは
又マイクロ波を反射してしまっては治療効率を低めてし
まうので好1しくない。そこで発明者はこのような用途
に適した温度検知装置を得るべく鋭意研究を重ねた結果
、電気的温度検知素子のリード部を極力短くシ、高抵抗
導電体によって電気的温度検知素子の温度に比例する電
気量を取り出すようにすれば、良好な結果が得られるこ
とをつきとめた。
に温ためてガン細胞を破壊して治療するいわゆるハイパ
サーミア(IIyperthermia)療法において
は、人体に温度検知装置を埋置して実際値を剖測しつつ
有効にガン細胞のみを破壊する必要がある。この際温度
検知装置はマイクロ波によって自己発熱したり、或いは
又マイクロ波を反射してしまっては治療効率を低めてし
まうので好1しくない。そこで発明者はこのような用途
に適した温度検知装置を得るべく鋭意研究を重ねた結果
、電気的温度検知素子のリード部を極力短くシ、高抵抗
導電体によって電気的温度検知素子の温度に比例する電
気量を取り出すようにすれば、良好な結果が得られるこ
とをつきとめた。
従ってこの発明は、電磁波中に任意に配設しても温度の
誤検出や電磁波の反射を生じない温度検知装置を提供す
ることを目的とする。
誤検出や電磁波の反射を生じない温度検知装置を提供す
ることを目的とする。
このためこの発明によれば、電気的温度検知素子と、こ
の温度検知素子に導電接続される少なくとも二条の高抵
抗導電体(以下リード部という)とを備えてなる温度検
知装置を形成する。このように形成することによって、
リード部による自己発熱はほとんど無くなり温度の誤検
出が無くなり、電磁波の反射もほとんど無くなる。特に
高抵抗導電体として導電性弗素樹脂体を用いれば、自己
発熱や電磁波の反射は全く無くなるばかりか人体組織に
接触してもほとんど拒絶反応が無いので好都合である。
の温度検知素子に導電接続される少なくとも二条の高抵
抗導電体(以下リード部という)とを備えてなる温度検
知装置を形成する。このように形成することによって、
リード部による自己発熱はほとんど無くなり温度の誤検
出が無くなり、電磁波の反射もほとんど無くなる。特に
高抵抗導電体として導電性弗素樹脂体を用いれば、自己
発熱や電磁波の反射は全く無くなるばかりか人体組織に
接触してもほとんど拒絶反応が無いので好都合である。
まだ、電気的温度検知素子の外周部を弗素樹脂体によっ
て液密封止しておくと、人体組織による温度検知に対す
る悪影響を阻1]−できると共に人体組織に対する累卵
反応を阻止できるので好都合である。
て液密封止しておくと、人体組織による温度検知に対す
る悪影響を阻1]−できると共に人体組織に対する累卵
反応を阻止できるので好都合である。
次に実施例IC基いてこの発明を更に詳細に説明する。
第1図はこの発明による温度検知装置1の概念的斜視図
を示す。この温度検知装置1は電気的温度検知素子とし
てのサーミスタ2の金属接続部3を高抵抗導電体と1〜
での導電性弗素樹脂体4に導電性接着剤5によって導電
接続して形成されている。導電性接着剤5としては例え
ば米国デーボン社のシ/l/バーコンポジ/ヨノ(Sl
lverCOmp〇−5ition) NO,4817
0,いは藤倉化成社のドータイト等を用いることができ
る。
を示す。この温度検知装置1は電気的温度検知素子とし
てのサーミスタ2の金属接続部3を高抵抗導電体と1〜
での導電性弗素樹脂体4に導電性接着剤5によって導電
接続して形成されている。導電性接着剤5としては例え
ば米国デーボン社のシ/l/バーコンポジ/ヨノ(Sl
lverCOmp〇−5ition) NO,4817
0,いは藤倉化成社のドータイト等を用いることができ
る。
導電性弗素樹脂体4は、弗素樹脂体である厚さ 3−
0、2 m m幅0.4mmの四弗化エチレン樹脂シー
]・の両面に0.1mm厚、幅0.4mmのシート状体
として熱融着されている。四弗化エチレン樹脂シー]・
は例えば特公昭51−18,991号公報に記載の方法
によって製造され、導電性弗素樹脂体4は充填材として
カーボンブラック等を四弗化エチレン樹脂内に充填させ
て」−記の方法に準じて製造される。四弗化エチレン樹
脂にカーボンブラ、り等を混入する方法としては、四弗
化エチレン樹脂ディスパージョンにカーボンブラック等
を混入後コアギュレーンヨンさせるか、四弗化エチレン
樹脂ファインパウダーとカーボンブラ、り等を機械的ブ
レンダーで混合するなどがある。
]・の両面に0.1mm厚、幅0.4mmのシート状体
として熱融着されている。四弗化エチレン樹脂シー]・
は例えば特公昭51−18,991号公報に記載の方法
によって製造され、導電性弗素樹脂体4は充填材として
カーボンブラック等を四弗化エチレン樹脂内に充填させ
て」−記の方法に準じて製造される。四弗化エチレン樹
脂にカーボンブラ、り等を混入する方法としては、四弗
化エチレン樹脂ディスパージョンにカーボンブラック等
を混入後コアギュレーンヨンさせるか、四弗化エチレン
樹脂ファインパウダーとカーボンブラ、り等を機械的ブ
レンダーで混合するなどがある。
カーボンブラックとしてはオランダのアクゾ社(AKZ
OChemie G、m、b、H) (D’y 、7
チ:r−7フランクを用い、これを20重量パーセン]
・充填した四弗化エチレンシー1を0.1mm厚に形成
し、これを別に製造した厚さ0.2 m mの四弗化エ
チレン樹脂体の両面に配置して圧接熱融着させた三層成
層体を幅0.4mmで切断して第1図に示すような 4
− 導電性弗素樹脂体4を得だ。この導電性弗素樹脂体4は
長さ300mmで電気抵抗値が25にΩであった。導電
性弗素樹脂体4の長さは電磁波の影響の及ぶ範囲内に限
られ、そこから先は導電性接着剤6によって導電接続さ
れた金属リード部7を介して測温部に導かれる方が好ま
しい。
OChemie G、m、b、H) (D’y 、7
チ:r−7フランクを用い、これを20重量パーセン]
・充填した四弗化エチレンシー1を0.1mm厚に形成
し、これを別に製造した厚さ0.2 m mの四弗化エ
チレン樹脂体の両面に配置して圧接熱融着させた三層成
層体を幅0.4mmで切断して第1図に示すような 4
− 導電性弗素樹脂体4を得だ。この導電性弗素樹脂体4は
長さ300mmで電気抵抗値が25にΩであった。導電
性弗素樹脂体4の長さは電磁波の影響の及ぶ範囲内に限
られ、そこから先は導電性接着剤6によって導電接続さ
れた金属リード部7を介して測温部に導かれる方が好ま
しい。
電気的温度検知素子とj〜てのサーミスタ2の金属接続
部3はできるだけ短い方が自己発熱も電磁波の反射も少
ないので好ましい。このため第2図に示すように、サー
ミスタ8を導電性弗素樹脂体9間に挾持して導電接続す
るようにしても良い。
部3はできるだけ短い方が自己発熱も電磁波の反射も少
ないので好ましい。このため第2図に示すように、サー
ミスタ8を導電性弗素樹脂体9間に挾持して導電接続す
るようにしても良い。
いずれにしろこの電気的温度検知素子およびリード部外
周は、四弗化エチレン樹脂、四弗化エチレン−パーフロ
ロアルキルビニルエーテル共重合樹脂地の人体に対して
拒絶反応の少ない弗素樹脂体によって液密封止され、そ
れによって温度検知素子部への体液の浸入を阻止すると
共に人体組織内への温度検知装置の挿入による人体の拒
絶反応を防止している。
周は、四弗化エチレン樹脂、四弗化エチレン−パーフロ
ロアルキルビニルエーテル共重合樹脂地の人体に対して
拒絶反応の少ない弗素樹脂体によって液密封止され、そ
れによって温度検知素子部への体液の浸入を阻止すると
共に人体組織内への温度検知装置の挿入による人体の拒
絶反応を防止している。
上記のような構成によって20℃で5MΩの負性抵抗形
ザーミスタを用いて完成品外径0.9 m mの温度検
知装置を得、電磁波に対して人体組織と同じ特性を持つ
ファンi・ムモデル(人体模型:phantom )
内の例表面から5mm、10mm。
ザーミスタを用いて完成品外径0.9 m mの温度検
知装置を得、電磁波に対して人体組織と同じ特性を持つ
ファンi・ムモデル(人体模型:phantom )
内の例表面から5mm、10mm。
20mmの各位置に留置釧を介して挿入し、直径40m
mの円形をなした電磁波照射アンテナを前記ファントム
モテル外表面に接触させて245GHz出力10W〜3
9Wの電磁波を照射した所、第3図に示す」:うな温度
上昇がみられ、それによって加温されたファントムモデ
ルの温度が25℃から50℃の温度範囲内において、時
点1)において電磁波の照射を01i’ Fにした所、
分解能01℃の精度において、この発明による温度検知
装置による温度表示値に電磁波照射OF Ii’に応す
る急激な温度降下はみられなかった。すなわちこの発明
による温度検知装置によれば、電磁θUによって何らの
影響をも受けないことが確認された。寸だ、このリード
部はX線を透過するという特徴もある。
mの円形をなした電磁波照射アンテナを前記ファントム
モテル外表面に接触させて245GHz出力10W〜3
9Wの電磁波を照射した所、第3図に示す」:うな温度
上昇がみられ、それによって加温されたファントムモデ
ルの温度が25℃から50℃の温度範囲内において、時
点1)において電磁波の照射を01i’ Fにした所、
分解能01℃の精度において、この発明による温度検知
装置による温度表示値に電磁波照射OF Ii’に応す
る急激な温度降下はみられなかった。すなわちこの発明
による温度検知装置によれば、電磁θUによって何らの
影響をも受けないことが確認された。寸だ、このリード
部はX線を透過するという特徴もある。
第4図は、この発明による異なる実施例を示す温度検知
装置10の概念的斜視図図を示す。
装置10の概念的斜視図図を示す。
この実施例においては、電気的温度検知素子として20
℃においてIMΩの抵抗値を示す負性抵抗形のサーミス
タ11が用いられ、その一方の金属接続部12は外周に
弗素樹脂被覆13を施した高抵抗金属細線14に半田1
5付けされ、他方の金属接続部16は弗素樹脂被覆13
外周に付設された導電性弗素樹脂体17に導電性接着剤
18によって導電接続されている。そして、導電性弗素
樹脂体17の他端側からは導電性接着剤19によって導
電接続された金属リード部20が導出され、共線の高抵
抗金属細線14と共に測温部に導かれる。
℃においてIMΩの抵抗値を示す負性抵抗形のサーミス
タ11が用いられ、その一方の金属接続部12は外周に
弗素樹脂被覆13を施した高抵抗金属細線14に半田1
5付けされ、他方の金属接続部16は弗素樹脂被覆13
外周に付設された導電性弗素樹脂体17に導電性接着剤
18によって導電接続されている。そして、導電性弗素
樹脂体17の他端側からは導電性接着剤19によって導
電接続された金属リード部20が導出され、共線の高抵
抗金属細線14と共に測温部に導かれる。
この実施例においても電気的温度検知素子であるサーミ
スタ11およびリード部の外周部は弗素樹脂体によって
液密封止された。この場合の電気抵抗値は導電性弗素樹
脂体が長さ300mmで15にΩ、高抵抗金属細線はS
US 316外径50μm K 0.3μmの金メッキ
を施したもの300mmで93Ωであった。この実施例
において完成品外径0.9mmの温度検知装置を得、第
1図に示す実 7− 流側と同様な結果を’441だ。
スタ11およびリード部の外周部は弗素樹脂体によって
液密封止された。この場合の電気抵抗値は導電性弗素樹
脂体が長さ300mmで15にΩ、高抵抗金属細線はS
US 316外径50μm K 0.3μmの金メッキ
を施したもの300mmで93Ωであった。この実施例
において完成品外径0.9mmの温度検知装置を得、第
1図に示す実 7− 流側と同様な結果を’441だ。
第5図は、この発明に」:る更に異なる実施例を示す温
度検知装置23の概念的斜視図を示す。この場合電気的
温度検知素子としてのサーミスタ24の両金属接続部2
5は、外周に弗素樹脂被覆26を施した一対の高抵抗金
属細線27ど半ぽ128に」:って導電接続されている
。この場合特筆すべきは、高抵抗金属細線27は、真空
中の電磁波の波長の1/40以下のピッチをもってより
合せられていることである。
度検知装置23の概念的斜視図を示す。この場合電気的
温度検知素子としてのサーミスタ24の両金属接続部2
5は、外周に弗素樹脂被覆26を施した一対の高抵抗金
属細線27ど半ぽ128に」:って導電接続されている
。この場合特筆すべきは、高抵抗金属細線27は、真空
中の電磁波の波長の1/40以下のピッチをもってより
合せられていることである。
この実施例において高抵抗金属細線27は5US316
の外径50μm線に03μmの金メッキを施して半田伺
着性を改良したものを用い、電気抵抗値は長さ300m
mで一本】00Ω、往復で2000であった。サーミス
タ24は20℃で11MΩの負性抵抗形を用いた。寸だ
温度検知素子部およびリード部は弗素樹脂体によって液
密封止しだ。このような構成に」=す、完成品外径0.
8mmの温度検知装置を得、第1図の実施例と同様な結
果を得た。
の外径50μm線に03μmの金メッキを施して半田伺
着性を改良したものを用い、電気抵抗値は長さ300m
mで一本】00Ω、往復で2000であった。サーミス
タ24は20℃で11MΩの負性抵抗形を用いた。寸だ
温度検知素子部およびリード部は弗素樹脂体によって液
密封止しだ。このような構成に」=す、完成品外径0.
8mmの温度検知装置を得、第1図の実施例と同様な結
果を得た。
8−
以上の通りこの発明によれば、電磁波中に任意に設置し
ても電磁波の反射や温度の誤検知を生ずることのない温
度検知装置が得られしかも人体組織に拒絶反応を生ぜし
めないものとすることができるばかりか、電子レンジそ
の他に用いて特別の遮蔽構造を施すとと々〈温度検知を
することができ、医療上ばかりでな〈産業上にも多くの
利益をもたらすことができる。
ても電磁波の反射や温度の誤検知を生ずることのない温
度検知装置が得られしかも人体組織に拒絶反応を生ぜし
めないものとすることができるばかりか、電子レンジそ
の他に用いて特別の遮蔽構造を施すとと々〈温度検知を
することができ、医療上ばかりでな〈産業上にも多くの
利益をもたらすことができる。
尚この発明は実施例に限定されるものではなく、電気的
温度検知素子として熱電対その他の感温素子を用いるこ
とができ、寸だリード部を4本の各各絶縁された高抵抗
導電体とし2本を電流を通す導体に、他の2本を電圧を
測定する導体として使用する、いわゆる4端子方法で使
用してもよいなど、この発明の思想を含む構成において
種々変更できることは勿論である。
温度検知素子として熱電対その他の感温素子を用いるこ
とができ、寸だリード部を4本の各各絶縁された高抵抗
導電体とし2本を電流を通す導体に、他の2本を電圧を
測定する導体として使用する、いわゆる4端子方法で使
用してもよいなど、この発明の思想を含む構成において
種々変更できることは勿論である。
第1図はこの発明による温度検知装置の概念的斜視図、
第2図はこの発明による他の実施例を示す温度検知装置
の部分的斜視図、第3図はファントムモデルの温度特性
図、第4図及び第5図はそれぞれこの発明に」:る更に
異なる実施例を示す温度検知装置の概念的斜視図である
。 1.10.23:温度検知装置、 2.8.11124:ザーミスタ、 3.12.16.25:金属接続部、 4.9.17:導電性弗素樹脂体、 14.27:高抵抗金属細線、 13.26二弗素樹脂被覆。 特許出願人 株式会社 潤 工 社 FIG、1 −11− コIG、4 FIG、5 手続補正書C自発) 特許庁長官 島 1) 春 # 殿鴇 補正をす
る者 事件との関係 特許出願人 4、補正の内容 「明細書の発明の詳細な説明の欄」
5、補正の内容 1) 明細書第2頁第]、7行から第18行にわたり、
「45°C〜47°C」とあるを、「410C〜43°
C」と訂正します。 2) 同第4頁第4行に「−である。」とある次に次の
文を加入します。 「この際、導電性弗素樹脂体の芯体又は補強月として、
引張強度の大きい性質を有する延伸多孔質四弗化エチレ
ン樹脂体を用いれば好適である。コ 1− 2−
第2図はこの発明による他の実施例を示す温度検知装置
の部分的斜視図、第3図はファントムモデルの温度特性
図、第4図及び第5図はそれぞれこの発明に」:る更に
異なる実施例を示す温度検知装置の概念的斜視図である
。 1.10.23:温度検知装置、 2.8.11124:ザーミスタ、 3.12.16.25:金属接続部、 4.9.17:導電性弗素樹脂体、 14.27:高抵抗金属細線、 13.26二弗素樹脂被覆。 特許出願人 株式会社 潤 工 社 FIG、1 −11− コIG、4 FIG、5 手続補正書C自発) 特許庁長官 島 1) 春 # 殿鴇 補正をす
る者 事件との関係 特許出願人 4、補正の内容 「明細書の発明の詳細な説明の欄」
5、補正の内容 1) 明細書第2頁第]、7行から第18行にわたり、
「45°C〜47°C」とあるを、「410C〜43°
C」と訂正します。 2) 同第4頁第4行に「−である。」とある次に次の
文を加入します。 「この際、導電性弗素樹脂体の芯体又は補強月として、
引張強度の大きい性質を有する延伸多孔質四弗化エチレ
ン樹脂体を用いれば好適である。コ 1− 2−
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1)電気的温度検知素:rと、この温度検知素子に導電
接続される少なくとも二条の高抵抗導電体とを備えてな
る温度検知装置。 2、特許請求の範囲第1項に記載の温度検知装置におい
て、高抵抗導電体は弗素樹脂体の表面に配設された少な
くとも二条の導電性弗素樹脂体からなることを特徴とす
る温度検知装置。 3)特許請求の範囲第1項に記載の温度検知装置におい
て、高抵抗導電体は外周に弗素樹脂被覆を施した高抵抗
金属細線と前記弗素樹脂被覆に付設された導電性弗素樹
脂体からなることを特徴とする温度検知装置。 4)特許請求の範囲第1項に記載の温度検知装置におい
て、高抵抗導電体は外周に弗素樹脂被覆を施した高抵抗
金属細線からなり、これらの複数が電磁波の真空中にお
ける波長のl/40以下のピッチをもってより合せられ
てなることを特徴とする温度検知装置 5)特許請求の範囲第2項に記載の温度検知装置におい
て、二条の導電性弗素樹脂体は弗素樹脂体の両側に対向
して配設され、その端部において電気的温度検知素子を
挾持して導電接続されることを特徴とする温度検知装置
。 6)特許請求の範囲第1項から第5項のいずれかに記載
の温度検知素子と少なくとも二条の高抵抗導電体におい
て、電気的温度検知素子と少なくとも二条の高抵抗導電
体はその外周部を弗素樹脂体によって液密封止されるこ
とを特徴とする温度検知装置。
Priority Applications (9)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP56151848A JPS5852534A (ja) | 1981-09-24 | 1981-09-24 | 温度検知装置 |
DK412482A DK158750C (da) | 1981-09-24 | 1982-09-15 | Temperaturfoeleanordning |
GB08226365A GB2107116B (en) | 1981-09-24 | 1982-09-16 | Temperature sensing device with high resistance connecting leads |
EP82304927A EP0076071B1 (en) | 1981-09-24 | 1982-09-17 | Temperature sensing device |
AT82304927T ATE25553T1 (de) | 1981-09-24 | 1982-09-17 | Temperaturfuehlvorrichtung. |
DE8282304927T DE3275483D1 (en) | 1981-09-24 | 1982-09-17 | Temperature sensing device |
NO823219A NO823219L (no) | 1981-09-24 | 1982-09-23 | Temperaturfoeler. |
FI823264A FI78556C (fi) | 1981-09-24 | 1982-09-23 | Temperaturgivare. |
US06/825,796 US4750497A (en) | 1981-09-24 | 1986-02-04 | Temperature sensor |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP56151848A JPS5852534A (ja) | 1981-09-24 | 1981-09-24 | 温度検知装置 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP62227743A Division JPS63198838A (ja) | 1987-09-10 | 1987-09-10 | 温度検知装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5852534A true JPS5852534A (ja) | 1983-03-28 |
JPS6328253B2 JPS6328253B2 (ja) | 1988-06-07 |
Family
ID=15527588
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP56151848A Granted JPS5852534A (ja) | 1981-09-24 | 1981-09-24 | 温度検知装置 |
Country Status (9)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4750497A (ja) |
EP (1) | EP0076071B1 (ja) |
JP (1) | JPS5852534A (ja) |
AT (1) | ATE25553T1 (ja) |
DE (1) | DE3275483D1 (ja) |
DK (1) | DK158750C (ja) |
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