JPH06249716A - サーミスタ温度センサ - Google Patents
サーミスタ温度センサInfo
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- JPH06249716A JPH06249716A JP3384093A JP3384093A JPH06249716A JP H06249716 A JPH06249716 A JP H06249716A JP 3384093 A JP3384093 A JP 3384093A JP 3384093 A JP3384093 A JP 3384093A JP H06249716 A JPH06249716 A JP H06249716A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】電磁波が照射されている環境下で行われる温度
測定に使用されるサーミスタ温度センサに関し、2端子
法による簡単な温度測定を可能にし、電磁波の照射によ
るノイズも十分に小さくする。 【構成】SiCセラミックサーミスタとして得られた高
抵抗サーミスタ1と、高抵抗サーミスタ1の端子を引き
出す炭化珪素繊維で作られた一対の高抵抗リード線2、
高抵抗リード線を高抵抗サーミスタに接続するカーボン
入りエポキシ接着剤などの非金属導電性接着剤3とを備
える。高抵抗サーミスタ1、高抵抗リード線2およびリ
ード線接続用の非金属導電性接着剤3は、テフロン熱収
縮チューブで被覆される。
測定に使用されるサーミスタ温度センサに関し、2端子
法による簡単な温度測定を可能にし、電磁波の照射によ
るノイズも十分に小さくする。 【構成】SiCセラミックサーミスタとして得られた高
抵抗サーミスタ1と、高抵抗サーミスタ1の端子を引き
出す炭化珪素繊維で作られた一対の高抵抗リード線2、
高抵抗リード線を高抵抗サーミスタに接続するカーボン
入りエポキシ接着剤などの非金属導電性接着剤3とを備
える。高抵抗サーミスタ1、高抵抗リード線2およびリ
ード線接続用の非金属導電性接着剤3は、テフロン熱収
縮チューブで被覆される。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、電磁波が照射されてい
る環境下で行われる温度測定に使用されるサーミスタ温
度センサに関する。
る環境下で行われる温度測定に使用されるサーミスタ温
度センサに関する。
【0002】
【従来の技術】従来よりハイパーサーミアとして知られ
た温熱療法は、身体を暖めて病気を治療する方法である
が、最近ではマイクロ波などによる癌の温熱療法を示す
ことが多い。ハイパーサーミアによる癌の温熱療法にあ
っては、マイクロ波を照射する身体の部位の温度を厳密
に管理する必要があり、マイクロ波が照射されている環
境下でも正確に温度を測定できるセンサが必要となる。
た温熱療法は、身体を暖めて病気を治療する方法である
が、最近ではマイクロ波などによる癌の温熱療法を示す
ことが多い。ハイパーサーミアによる癌の温熱療法にあ
っては、マイクロ波を照射する身体の部位の温度を厳密
に管理する必要があり、マイクロ波が照射されている環
境下でも正確に温度を測定できるセンサが必要となる。
【0003】従来、この種のハイパーサーミア用の温度
測定には、ボーマン型(Bowman type)のサーミスタ温度
センサが使用されている。図6はボーマン型のサーミス
タ温度センサを用いた温度測定装置を示す。ボーマン型
のサーミスタ温度センサ20は、例えば750KΩの高
抵抗厚膜サーミスタ21に、4本の炭素粉入りテフロン
線(線抵抗率40KΩ/cm)を用いた高抵抗リード線
23a,23b,23c,23dを、銀入りエポキシ接
着剤22によって電極端子に接続したものである。
測定には、ボーマン型(Bowman type)のサーミスタ温度
センサが使用されている。図6はボーマン型のサーミス
タ温度センサを用いた温度測定装置を示す。ボーマン型
のサーミスタ温度センサ20は、例えば750KΩの高
抵抗厚膜サーミスタ21に、4本の炭素粉入りテフロン
線(線抵抗率40KΩ/cm)を用いた高抵抗リード線
23a,23b,23c,23dを、銀入りエポキシ接
着剤22によって電極端子に接続したものである。
【0004】このサーミスタ温度センサ20を用いた温
度測定は、一対の高抵抗リード線23a,23bを定電
流発生装置24に接続して一定電流を流し、高抵抗厚膜
サーミスタ21の両端に温度に依存した抵抗値に応じて
発生する電圧を、他の一対の高抵抗リード線23c,2
3dにより高インピーダンスアンプ25に入力し、ログ
アンプ26で対数増幅した後に記録器27に記録表示さ
せている。
度測定は、一対の高抵抗リード線23a,23bを定電
流発生装置24に接続して一定電流を流し、高抵抗厚膜
サーミスタ21の両端に温度に依存した抵抗値に応じて
発生する電圧を、他の一対の高抵抗リード線23c,2
3dにより高インピーダンスアンプ25に入力し、ログ
アンプ26で対数増幅した後に記録器27に記録表示さ
せている。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな従来のボーマン型のサーミスタ温度センサにあって
は、高抵抗リード線23a〜23dとして炭素粉入りテ
フロン線を使用しているため、抵抗値が不安定であり、
このため、定電流発生装置24を用いた4端子法でなけ
れば高精度な温度測定が不可能であった。また4端子法
により測定回路が複雑で高価になるという問題もあっ
た。
うな従来のボーマン型のサーミスタ温度センサにあって
は、高抵抗リード線23a〜23dとして炭素粉入りテ
フロン線を使用しているため、抵抗値が不安定であり、
このため、定電流発生装置24を用いた4端子法でなけ
れば高精度な温度測定が不可能であった。また4端子法
により測定回路が複雑で高価になるという問題もあっ
た。
【0006】更に、電磁波の照射によるサーミスタ自体
の若干の発熱による影響があり、これが測定誤差の要因
になるという問題もあった。本発明は、このような従来
の問題点に鑑みてなされたもので、2端子法によって簡
単に温度測定ができ、また電磁波の照射による温度誤差
も十分に小さいサーミスタ温度センサを提供することを
目的とする。
の若干の発熱による影響があり、これが測定誤差の要因
になるという問題もあった。本発明は、このような従来
の問題点に鑑みてなされたもので、2端子法によって簡
単に温度測定ができ、また電磁波の照射による温度誤差
も十分に小さいサーミスタ温度センサを提供することを
目的とする。
【0007】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
本発明のサーミスタ温度センサは、電磁波の吸収が少な
い材料を用いた高抵抗サーミスタと、高抵抗サーミスタ
の電極端子を外部に引き出す電磁波の吸収が少なく且つ
抵抗値の安定した材料を用いた一対の高抵抗リード線
と、一対の高抵抗リード線のそれぞれを高抵抗サーミス
タの電極端子に接続固定した非金属導電性接着剤とを備
えたことを特徴とする。
本発明のサーミスタ温度センサは、電磁波の吸収が少な
い材料を用いた高抵抗サーミスタと、高抵抗サーミスタ
の電極端子を外部に引き出す電磁波の吸収が少なく且つ
抵抗値の安定した材料を用いた一対の高抵抗リード線
と、一対の高抵抗リード線のそれぞれを高抵抗サーミス
タの電極端子に接続固定した非金属導電性接着剤とを備
えたことを特徴とする。
【0008】ここで高抵抗サーミスタは、一例として緻
密化した炭化珪素を用いる。また高抵抗リード線は、一
例として炭化珪素繊維(SiC繊維)で作られる。更
に、高抵抗サーミスタの電極端子に高抵抗リード線を接
続固定する非金属導電性接着剤として、カーボン入りエ
ポキシ接着剤を使用する。また高抵抗リード線、リード
線の先端に非金属導電性接着剤で接続固定した高抵抗サ
ーミスタを含む部分をフッ素樹脂系熱収縮チューブ(テ
フロン熱収縮チューブ)で被覆する。
密化した炭化珪素を用いる。また高抵抗リード線は、一
例として炭化珪素繊維(SiC繊維)で作られる。更
に、高抵抗サーミスタの電極端子に高抵抗リード線を接
続固定する非金属導電性接着剤として、カーボン入りエ
ポキシ接着剤を使用する。また高抵抗リード線、リード
線の先端に非金属導電性接着剤で接続固定した高抵抗サ
ーミスタを含む部分をフッ素樹脂系熱収縮チューブ(テ
フロン熱収縮チューブ)で被覆する。
【0009】このフッ素樹脂系熱収縮チューブは、リー
ド線の先端に非金属導電性接着剤で接続固定した高抵抗
サーミスタを含むセンサ本体部分を覆って設けた第1チ
ューブと、第1チューブから引き出された高抵抗リード
線の一方を覆って設けた第2チューブと、第1および第
2チューブを含むセンサ全体を覆って設けた第3チュー
ブとの多重チューブ構造を備える。
ド線の先端に非金属導電性接着剤で接続固定した高抵抗
サーミスタを含むセンサ本体部分を覆って設けた第1チ
ューブと、第1チューブから引き出された高抵抗リード
線の一方を覆って設けた第2チューブと、第1および第
2チューブを含むセンサ全体を覆って設けた第3チュー
ブとの多重チューブ構造を備える。
【0010】フッ素樹脂系熱収縮チューブは、例えば4
フッ化エチレン(テトラフルオロエチレン)で作成す
る。
フッ化エチレン(テトラフルオロエチレン)で作成す
る。
【0011】
【作用】このような構成を備えた本発明のサーミスタ温
度センサによれば、高抵抗でしかも抵抗値が安定な炭化
珪素繊維の高抵抗リード線を使用しているので、リード
線の抵抗値は固定抵抗と見做すことができ、温度測定時
にリード線の抵抗値の影響を排除することができる。そ
のためボーマン型サーミスタ温度センサのように4端子
法を用いる必要がなく、規定電圧をサーミスタの電極端
子間に印加した時に流れる電流から温度を検出する通常
の2端子法で高精度の温度測定ができる。
度センサによれば、高抵抗でしかも抵抗値が安定な炭化
珪素繊維の高抵抗リード線を使用しているので、リード
線の抵抗値は固定抵抗と見做すことができ、温度測定時
にリード線の抵抗値の影響を排除することができる。そ
のためボーマン型サーミスタ温度センサのように4端子
法を用いる必要がなく、規定電圧をサーミスタの電極端
子間に印加した時に流れる電流から温度を検出する通常
の2端子法で高精度の温度測定ができる。
【0012】またリード線の接続に、電気伝導率の低い
非金属系の導電性接着剤、例えばカーボン入り接着剤を
使用したので、電磁波による誘導電流を低く抑えること
によって、電磁波の照射による自己発熱に起因した測定
誤差を無視できる程度に小さくすることができる。
非金属系の導電性接着剤、例えばカーボン入り接着剤を
使用したので、電磁波による誘導電流を低く抑えること
によって、電磁波の照射による自己発熱に起因した測定
誤差を無視できる程度に小さくすることができる。
【0013】
【実施例】図1は本発明のサーミスタ温度センサの一実
施例を示した説明図であり、内部構造を透視状態で示し
ている。図1において、サーミスタ温度センサ7は、高
抵抗サーミスタとしてセラミックサーミスタ1を使用し
ている。セラミックサーミスタ1の抵抗率は1MΩ・c
m(導電率10-4S/m)であり、素子としての抵抗値
は15MΩであり、更に温度係数は200KΩ/℃であ
る。
施例を示した説明図であり、内部構造を透視状態で示し
ている。図1において、サーミスタ温度センサ7は、高
抵抗サーミスタとしてセラミックサーミスタ1を使用し
ている。セラミックサーミスタ1の抵抗率は1MΩ・c
m(導電率10-4S/m)であり、素子としての抵抗値
は15MΩであり、更に温度係数は200KΩ/℃であ
る。
【0014】このセラミックサーミスタ1は、セラミッ
ク粉末材料に、2.0重量パーセントのカーボン(炭
素)および0.6重量パーセントの炭化ボロンB4 Cを
添加し、真空中において2000℃で1時間焼成して得
られる。またマイクロ波照射下におけるセラミックスサ
ーミスタ1の発熱は、計算上で約1×10-6℃/秒程度
と見積られ、測定上問題とはならない。
ク粉末材料に、2.0重量パーセントのカーボン(炭
素)および0.6重量パーセントの炭化ボロンB4 Cを
添加し、真空中において2000℃で1時間焼成して得
られる。またマイクロ波照射下におけるセラミックスサ
ーミスタ1の発熱は、計算上で約1×10-6℃/秒程度
と見積られ、測定上問題とはならない。
【0015】またサーミスタ温度センサ7は、これに限
定されず、電磁波の吸収が少ない適宜の材料を用いるこ
とができる。セラミックサーミスタ1の両端の電極部に
対しては、一対の高抵抗リード線2が非金属系導電性の
接着剤3により接続固定されている。高抵抗リード線2
として本発明にあっては、炭化珪素繊維(SiC繊維)
を使用しており、高抵抗リード線2の線形抵抗率は約4
0KΩ/cmで、線温度係数は約10Ω/℃・cmとな
っている。高抵抗リード線2もこれ以外に、電磁波の吸
収が少く、且つ抵抗値の安定した適宜の材料を使用でき
る。
定されず、電磁波の吸収が少ない適宜の材料を用いるこ
とができる。セラミックサーミスタ1の両端の電極部に
対しては、一対の高抵抗リード線2が非金属系導電性の
接着剤3により接続固定されている。高抵抗リード線2
として本発明にあっては、炭化珪素繊維(SiC繊維)
を使用しており、高抵抗リード線2の線形抵抗率は約4
0KΩ/cmで、線温度係数は約10Ω/℃・cmとな
っている。高抵抗リード線2もこれ以外に、電磁波の吸
収が少く、且つ抵抗値の安定した適宜の材料を使用でき
る。
【0016】このように高抵抗リード線2の温度による
抵抗変化はセラミックサーミスタ1に比べ非常に小さ
く、無視できる。また炭化珪素繊維は化学的にも安定
で、抵抗値は非常に安定しており、電気的には固定抵抗
と見做すことができる。セラミックサーミスタ1と高抵
抗リード線2を接続固定する非金属系導電性の接着剤3
には、カーボン入りエポキシ接着剤を使用している。カ
ーボン入りエポキシ接着剤の抵抗率は、図6に示したボ
ーマン型のセラミック温度センサに使用していた銀入り
エポキシ接着剤の約1×105 倍であり、電磁波の照射
による誘導電流の影響を受けにくくしている。
抵抗変化はセラミックサーミスタ1に比べ非常に小さ
く、無視できる。また炭化珪素繊維は化学的にも安定
で、抵抗値は非常に安定しており、電気的には固定抵抗
と見做すことができる。セラミックサーミスタ1と高抵
抗リード線2を接続固定する非金属系導電性の接着剤3
には、カーボン入りエポキシ接着剤を使用している。カ
ーボン入りエポキシ接着剤の抵抗率は、図6に示したボ
ーマン型のセラミック温度センサに使用していた銀入り
エポキシ接着剤の約1×105 倍であり、電磁波の照射
による誘導電流の影響を受けにくくしている。
【0017】高抵抗リード線2の先端にカーボン入りエ
ポキシ接着剤3で接続固定されたセラミックサーミスタ
1を含むセンサ本体部分は、円柱状のテフロン熱収縮チ
ューブ4の中に封入されている。またセンサ全体は両端
を閉鎖したテフロン熱収縮チューブ6の中に組み込まれ
ている。更に内部のテフロン熱収縮チューブ4から取り
出された高抵抗リード線2の一方には、他方との接触に
よる短絡を防止するため絶縁用のテフロン熱収縮チュー
ブ5を被覆している。
ポキシ接着剤3で接続固定されたセラミックサーミスタ
1を含むセンサ本体部分は、円柱状のテフロン熱収縮チ
ューブ4の中に封入されている。またセンサ全体は両端
を閉鎖したテフロン熱収縮チューブ6の中に組み込まれ
ている。更に内部のテフロン熱収縮チューブ4から取り
出された高抵抗リード線2の一方には、他方との接触に
よる短絡を防止するため絶縁用のテフロン熱収縮チュー
ブ5を被覆している。
【0018】これらのテフロン熱収縮チューブとして
は、フッ素樹脂系熱収縮材料として知られた例えば4フ
ッ化エチレン(テトラフロオロエチレン)を使用する。
図2は図1に示した本発明のセラミック温度センサを用
いた温度測定装置の説明図である。図2において、本発
明のセラミック温度センサ7は、電子電圧電流計として
知られたエレクトロメータ8に接続され、測定用の基準
電圧、例えば5ボルトの印加を受けている。エレクトロ
メータ8はサーミスタ7に基準電圧を印加したときに流
れる電流を測定し、温度測定データとしてGP−IBな
どのインタフェースボード9を介してパーソナルコンピ
ュータ10に送る。
は、フッ素樹脂系熱収縮材料として知られた例えば4フ
ッ化エチレン(テトラフロオロエチレン)を使用する。
図2は図1に示した本発明のセラミック温度センサを用
いた温度測定装置の説明図である。図2において、本発
明のセラミック温度センサ7は、電子電圧電流計として
知られたエレクトロメータ8に接続され、測定用の基準
電圧、例えば5ボルトの印加を受けている。エレクトロ
メータ8はサーミスタ7に基準電圧を印加したときに流
れる電流を測定し、温度測定データとしてGP−IBな
どのインタフェースボード9を介してパーソナルコンピ
ュータ10に送る。
【0019】インタフェースボード部9に対しては、サ
ーミスタ温度センサ7の校正時に、図示のように、クロ
メル・アルメルを用いた参照用熱電対11を備えた校正
用温度測定器12を接続する。図3は、図2のエレクト
ロメータ8によるサーミスタ温度センサ7の2端子法に
よる測定状態を示した等価回路図である。図3におい
て、エレクトロメータ8にはプログラマブル直流電圧源
13が設けられ、一対の高抵抗リード線2を介してセラ
ミックサーミスタ1の両端に例えば基準電圧5ボルトを
印加する。このときセラミックサーミスタ1の抵抗値に
依存して流れる電流をエレクトロメータ8の電流検出回
路14で検出し、ADコンバータ15でディジタルデー
タに変換した後、転送処理部16からインタフェースボ
ード9を介してパーソナルコンピュータ10に転送す
る。
ーミスタ温度センサ7の校正時に、図示のように、クロ
メル・アルメルを用いた参照用熱電対11を備えた校正
用温度測定器12を接続する。図3は、図2のエレクト
ロメータ8によるサーミスタ温度センサ7の2端子法に
よる測定状態を示した等価回路図である。図3におい
て、エレクトロメータ8にはプログラマブル直流電圧源
13が設けられ、一対の高抵抗リード線2を介してセラ
ミックサーミスタ1の両端に例えば基準電圧5ボルトを
印加する。このときセラミックサーミスタ1の抵抗値に
依存して流れる電流をエレクトロメータ8の電流検出回
路14で検出し、ADコンバータ15でディジタルデー
タに変換した後、転送処理部16からインタフェースボ
ード9を介してパーソナルコンピュータ10に転送す
る。
【0020】また校正時には、サーミスタ温度センサ7
にエレクトロメータ8から基準電圧5ボルトを印加して
測定した電流データと、校正用温度測定器12で測定し
た参照用熱電対11による測定温度データをパーソナル
コンピュータ10に転送する。パーソナルコンピュータ
10は、校正用温度測定器12からの温度データとエレ
クトロメータ8によるサーミスタ温度センサ7の電流デ
ータから、サーミスタ温度センサ7の測定電流を温度に
変換するテーブルあるいは変換式を作成し、実際の測定
で得られた電流データからテーブルまたは変換式を使用
して測定温度を求める。
にエレクトロメータ8から基準電圧5ボルトを印加して
測定した電流データと、校正用温度測定器12で測定し
た参照用熱電対11による測定温度データをパーソナル
コンピュータ10に転送する。パーソナルコンピュータ
10は、校正用温度測定器12からの温度データとエレ
クトロメータ8によるサーミスタ温度センサ7の電流デ
ータから、サーミスタ温度センサ7の測定電流を温度に
変換するテーブルあるいは変換式を作成し、実際の測定
で得られた電流データからテーブルまたは変換式を使用
して測定温度を求める。
【0021】ここでマイクロ波の照射によって本発明の
セラミック温度センサに生じるノイズを調べるため、4
30MHzのマイクロ波加温装置を使用し、被検体とし
て筋肉等価寒天ファントムを加温し、ファントム内に挿
入した本発明のセラミック温度センサでマイクロ波照射
時のファントム温度を実測したところ、図4に示す実測
結果が得られた。
セラミック温度センサに生じるノイズを調べるため、4
30MHzのマイクロ波加温装置を使用し、被検体とし
て筋肉等価寒天ファントムを加温し、ファントム内に挿
入した本発明のセラミック温度センサでマイクロ波照射
時のファントム温度を実測したところ、図4に示す実測
結果が得られた。
【0022】この測定実験にあっては、測定開始後1分
でマイクロ波の照射による加温を開始し、5分間加温し
てマイクロ波を照射を停止したものである。またマイク
ロ波の送信電力を100W、300Wおよび500Wと
切替えて測定している。図4の測定結果をみると、加温
中にファントム温度はほぼ直線的に上昇している。この
状態で加温を停止すると、加温停止と同時にマイクロ波
の照射に起因したノイズとしての加熱要因が無くなり、
もしノイズが含まれていれば急激な温度変化が見られる
はずである。
でマイクロ波の照射による加温を開始し、5分間加温し
てマイクロ波を照射を停止したものである。またマイク
ロ波の送信電力を100W、300Wおよび500Wと
切替えて測定している。図4の測定結果をみると、加温
中にファントム温度はほぼ直線的に上昇している。この
状態で加温を停止すると、加温停止と同時にマイクロ波
の照射に起因したノイズとしての加熱要因が無くなり、
もしノイズが含まれていれば急激な温度変化が見られる
はずである。
【0023】図5は、図4で加温を停止した部分A,
B,Cの拡大図を示す。図5で拡大した加温停止部分を
見ても、急激な温度変化は起きておらず、マイクロ波に
よるノイズは確認できない。
B,Cの拡大図を示す。図5で拡大した加温停止部分を
見ても、急激な温度変化は起きておらず、マイクロ波に
よるノイズは確認できない。
【0024】
【発明の効果】以上説明してきたように本発明によれ
ば、電磁波の照射されている環境下でも、簡単で低いコ
ストの2端子法を用いて基準電圧の印加で流れる電流を
測定して高精度の温度測定ができる。また電磁波を照射
してもノイズ発生はなく、高い電磁波耐性をもつことが
実験によっても確認された。
ば、電磁波の照射されている環境下でも、簡単で低いコ
ストの2端子法を用いて基準電圧の印加で流れる電流を
測定して高精度の温度測定ができる。また電磁波を照射
してもノイズ発生はなく、高い電磁波耐性をもつことが
実験によっても確認された。
【図1】本発明のサーミスタ温度センサの構造を示した
説明図
説明図
【図2】本発明のサーミスタ温度センサを用いた温度測
定装置の説明図
定装置の説明図
【図3】図2のエレクトロメータによるサーミスタ温度
センサとの測定等価回路を示した回路ブロック図
センサとの測定等価回路を示した回路ブロック図
【図4】本発明のサーミスタ温度センサを用いた電磁波
照射時の時間変化に対する測定温度の変化を示した測定
グラフ図
照射時の時間変化に対する測定温度の変化を示した測定
グラフ図
【図5】図4の加温停止部分を拡大して示した測定グラ
フ図
フ図
【図6】ボーマン型のサーミスタ温度センサを用いた従
来の温度測定装置を示した回路ブロック図
来の温度測定装置を示した回路ブロック図
1:セラミックサーミスタ(高抵抗サーミスタ) 2:高抵抗リード線(炭化珪素繊維製) 3:非金属系接着剤(カーボン入りエポキシ接着剤) 4,5,6:熱収縮チューブ 7:サーミスタ温度センサ 8:エレクトロメータ(電子電圧電流計) 9:インタフェースボード 10:パーソナルコンピュータ 11:参照用熱電対 12:校正用温度測定器 13:プログラマブル直流電圧源 14:電流検出回路 15:ADコンバータ 16:転送処理部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 松井 岳巳 栃木県小山市扶桑2丁目1番5号 (72)発明者 近藤 正博 東京都大田区南蒲田2丁目16番46号 株式 会社トキメック内
Claims (7)
- 【請求項1】電磁波の吸収が少ない材料を用いた高抵抗
サーミスタと、該高抵抗サーミスタの電極端子を外部に
引き出す電磁波の吸収が少く且つ抵抗値の安定した材料
を用いた一対の高抵抗リード線と、該一対の高抵抗リー
ド線のそれぞれを前記高抵抗サーミスタの電極端子に接
続固定した非金属導電性接着剤とを備えたことを特徴と
するサーミスタ温度センサ。 - 【請求項2】請求項1記載のサーミスタ温度センサに於
いて、前記高抵抗サーミスタは、緻密化した炭化珪素セ
ラミックを用いたことを特徴とするサーミスタ温度セン
サ。 - 【請求項3】請求項1記載のサーミスタ温度センサに於
いて、前記高抵抗リード線は、炭化珪素繊維で作られた
ことを特徴とするサーミスタ温度センサ。 - 【請求項4】請求項1記載のサーミスタ温度センサに於
いて、前記高抵抗サーミスタの電極端子に高抵抗リード
線を接続固定する非金属導電性接着剤として、カーボン
入りエポキシ接着剤を使用したことを特徴とするサーミ
スタ温度センサ。 - 【請求項5】請求項1記載のサーミスタ温度センサに於
いて、前記高抵抗リード線、該リード線の先端に非金属
導電性接着剤で接続固定した高抵抗サーミスタを含む部
分をフッ素樹脂系熱収縮チューブで被覆したことを特徴
とするサーミスタ温度センサ。 - 【請求項6】請求項3記載のサーミスタ温度センサに於
いて、前記フッ素系熱収縮チューブは、前記リード線の
先端に非金属導電性接着剤で接続固定した高抵抗サーミ
スタを含むセンサ本体部分を覆って設けた第1チューブ
と、該第1チューブから引き出された高抵抗リード線の
一方を覆って設けた第2チューブと、前記第1および第
2チューブを含むセンサ全体を覆って設けた第3チャー
ブとの多重チューブ構造を備えたことを特徴とするサー
ミスタ温度センサ。 - 【請求項7】請求項5又は6記載のサーミスタ温度セン
サに於いて、前記フッ素樹脂系熱収縮チューブを4フッ
化エチレンで作成したことを特徴とするサーミスタ温度
センサ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3384093A JPH06249716A (ja) | 1993-02-24 | 1993-02-24 | サーミスタ温度センサ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3384093A JPH06249716A (ja) | 1993-02-24 | 1993-02-24 | サーミスタ温度センサ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH06249716A true JPH06249716A (ja) | 1994-09-09 |
Family
ID=12397694
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3384093A Pending JPH06249716A (ja) | 1993-02-24 | 1993-02-24 | サーミスタ温度センサ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH06249716A (ja) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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1993
- 1993-02-24 JP JP3384093A patent/JPH06249716A/ja active Pending
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