JPS63233956A - ハロゲン化第4級アンモニウム化合物の製造法 - Google Patents
ハロゲン化第4級アンモニウム化合物の製造法Info
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- JPS63233956A JPS63233956A JP6757787A JP6757787A JPS63233956A JP S63233956 A JPS63233956 A JP S63233956A JP 6757787 A JP6757787 A JP 6757787A JP 6757787 A JP6757787 A JP 6757787A JP S63233956 A JPS63233956 A JP S63233956A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明はハロゲン化第4級アンモニウム化合物の製造方
法に関する。ハロゲン化第4級アンモニウム化合物は、
医農薬中間体の製造触媒として有用である。
法に関する。ハロゲン化第4級アンモニウム化合物は、
医農薬中間体の製造触媒として有用である。
(従来の技術)
ハロゲン化第4級アンモニウム化合物の製造法としては
、■有機溶媒の存在下、3級アミンとハロゲン化アルキ
ルとを反応させて、反応終了後析出したハロゲン化第4
級アンモニウム化合物をP別して得る方法、■水溶媒中
で3級アミンとハロゲン化アルキルとを反応させて、ハ
ロゲン化第4級アンモニウム化合物水溶液として得る方
法がある。
、■有機溶媒の存在下、3級アミンとハロゲン化アルキ
ルとを反応させて、反応終了後析出したハロゲン化第4
級アンモニウム化合物をP別して得る方法、■水溶媒中
で3級アミンとハロゲン化アルキルとを反応させて、ハ
ロゲン化第4級アンモニウム化合物水溶液として得る方
法がある。
(発明が解決しようとする問題点)
前記のいずれの従来法においても、■では有機溶媒中も
しくは原料中の水分などの影響、また■では水溶媒など
の影響により、ハロゲン化水素が副生する。更にハロケ
ン化水素は原料の@8級アミン及びこの原料中に含まれ
るアンモニア、01級アミン、02級アミン等と反応し
、アミンとハロケン化水素との塩ないしハロゲン化アン
モニウム(以下、これらを総称して、ハロゲン化アンモ
ニウム塩という)を形成する。このようにハロゲン化第
4級アンモニウム化合物を製造する場合、不純物として
ハロゲン化水素及びハロゲン化アンモニウム塩が極めて
両生じ易く、ハロゲン化第4級アンモニウム化合物の純
度低下の大きな要因となっている。
しくは原料中の水分などの影響、また■では水溶媒など
の影響により、ハロゲン化水素が副生する。更にハロケ
ン化水素は原料の@8級アミン及びこの原料中に含まれ
るアンモニア、01級アミン、02級アミン等と反応し
、アミンとハロケン化水素との塩ないしハロゲン化アン
モニウム(以下、これらを総称して、ハロゲン化アンモ
ニウム塩という)を形成する。このようにハロゲン化第
4級アンモニウム化合物を製造する場合、不純物として
ハロゲン化水素及びハロゲン化アンモニウム塩が極めて
両生じ易く、ハロゲン化第4級アンモニウム化合物の純
度低下の大きな要因となっている。
近年、特に重子工業用薬品分野より、かかる不純物の含
イj′量の少ないハロゲン化第4級アンモニウム化合物
が要望され、高純度ハロゲン化第4級アンモニウム化合
物の製造法の出現がまたれている。
イj′量の少ないハロゲン化第4級アンモニウム化合物
が要望され、高純度ハロゲン化第4級アンモニウム化合
物の製造法の出現がまたれている。
そこで本発明性は目的物と前記不純物との酸性度に差が
あることに着目し検討を止ねた結果、有機塩基の性質を
持つ水酸化第4級アンモニウム化合物でかかる不純物を
含有するハロゲン化第4級アンモニウム化合物を処理す
ると、この不純物の含有量の極めて少ないハロゲン化第
4級アンモニウム化合物を製造できることを見出した。
あることに着目し検討を止ねた結果、有機塩基の性質を
持つ水酸化第4級アンモニウム化合物でかかる不純物を
含有するハロゲン化第4級アンモニウム化合物を処理す
ると、この不純物の含有量の極めて少ないハロゲン化第
4級アンモニウム化合物を製造できることを見出した。
(問題点を解決するための手段)
本発明は、8級アミンとハロゲン化アルキルとを反応さ
せてハロゲン化第4級アンモニウム化合物を製造する方
法において、反応後、生成したハロゲン化第4級アンモ
ニウムを含有する液を水酸化第4級アンモニウム化合物
で処理することを特徴とするハロゲン化第4級アンモニ
ウム化合物の製造法に関するものである。
せてハロゲン化第4級アンモニウム化合物を製造する方
法において、反応後、生成したハロゲン化第4級アンモ
ニウムを含有する液を水酸化第4級アンモニウム化合物
で処理することを特徴とするハロゲン化第4級アンモニ
ウム化合物の製造法に関するものである。
本発明によれば、水酸化第4級アンモニウム化合物は、
不純物であるハロゲン化アンモニウム塩及びハロゲン化
水素と選択的に反応し、それぞれハロケン化’lZ4級
アンモニウム化合物、アンモニア、アミン及び水、なら
びにハロゲン化第4級アンモニウム化合物及び水を生成
する。この反応を式で示めせば下記式(1) 、 T2
)のとおりである。なお、式(1)のハロゲン化アンモ
ニウム塩は3級アミンとハロゲン化水素との塩を例示す
るものである。
不純物であるハロゲン化アンモニウム塩及びハロゲン化
水素と選択的に反応し、それぞれハロケン化’lZ4級
アンモニウム化合物、アンモニア、アミン及び水、なら
びにハロゲン化第4級アンモニウム化合物及び水を生成
する。この反応を式で示めせば下記式(1) 、 T2
)のとおりである。なお、式(1)のハロゲン化アンモ
ニウム塩は3級アミンとハロゲン化水素との塩を例示す
るものである。
R3’hH9+ 丸’RoMヨ*、9♀+d3N +H
20式(1)(式中、R及びマはいずれもアルキル基を
示し、Xは塩素原子、臭素原子又はヨウ素原子を示す)
HX + R’、たO背−→y4背父+H20式(2)
(式中、k及びXは前記に同じ) このようにして生成するアンモニア、アミンおよび水な
どは、水酸化第4級アンモニウム化合物処理して得ら八
を加熱留去することにより除去することができる。
20式(1)(式中、R及びマはいずれもアルキル基を
示し、Xは塩素原子、臭素原子又はヨウ素原子を示す)
HX + R’、たO背−→y4背父+H20式(2)
(式中、k及びXは前記に同じ) このようにして生成するアンモニア、アミンおよび水な
どは、水酸化第4級アンモニウム化合物処理して得ら八
を加熱留去することにより除去することができる。
本発明を実施するに際し用いる水酸化第4級アンモニウ
ム化合物の量は不純物のモル数に対して等モル用いるの
が好ましいが、加える水酸化第4級アンモニウム化合物
が不純物として何ら影響がない場合は等モル以上であっ
ても何ら問題はない。
ム化合物の量は不純物のモル数に対して等モル用いるの
が好ましいが、加える水酸化第4級アンモニウム化合物
が不純物として何ら影響がない場合は等モル以上であっ
ても何ら問題はない。
又含まれる不純物の量にも特に制限はない。処理温度は
0〜130℃で行えるが好ましくは10〜100℃であ
る。処理時間は攪拌下5分以内で完結するが特に制限は
ない。用いる溶氾はハロゲン化第4級アンモニウム塩の
製造に用いた溶媒で行うことができ、例えば水、メタノ
ール、エタノール、イソプロパツール、アセトン、メチ
ルエチルケトン、アセトニトリルなどが挙げられる。
0〜130℃で行えるが好ましくは10〜100℃であ
る。処理時間は攪拌下5分以内で完結するが特に制限は
ない。用いる溶氾はハロゲン化第4級アンモニウム塩の
製造に用いた溶媒で行うことができ、例えば水、メタノ
ール、エタノール、イソプロパツール、アセトン、メチ
ルエチルケトン、アセトニトリルなどが挙げられる。
ハロゲン化第4級アンモニウム化合物としては、一般式
(式中、R1、R2,R3およびR4はそれぞれ同−又
は異なってアルキル基を示しXはハロゲン原子を示す)
で表わされる化合物であり、例えばテトラメチルアンモ
ニウムクロライド、テトラメチルアンモニウムブロマイ
ド、テトラブチルアンモニウムクロライド、テトラブチ
ルアンモニウムブロマイドなどがあげられる。かかるハ
ロゲン化第4級アンモニウム化合物ハ4153級アミン
とハロゲン化アルキルを反応させれば容易に製造できる
。この製造する際の反応条件は特に限定的ではなく、公
知の条件を採用できる。一般には、前記溶媒の存在下で
03級アミン1モルに対してハロゲン化アルチル1〜1
.5モルを用いて、反応温度20〜100℃、反応圧は
常圧から5Kp/cJ(ケージ圧)の範囲される化合物
であり、例えばトリメチルアミン、トリブチルアミンな
どがあげられる。
は異なってアルキル基を示しXはハロゲン原子を示す)
で表わされる化合物であり、例えばテトラメチルアンモ
ニウムクロライド、テトラメチルアンモニウムブロマイ
ド、テトラブチルアンモニウムクロライド、テトラブチ
ルアンモニウムブロマイドなどがあげられる。かかるハ
ロゲン化第4級アンモニウム化合物ハ4153級アミン
とハロゲン化アルキルを反応させれば容易に製造できる
。この製造する際の反応条件は特に限定的ではなく、公
知の条件を採用できる。一般には、前記溶媒の存在下で
03級アミン1モルに対してハロゲン化アルチル1〜1
.5モルを用いて、反応温度20〜100℃、反応圧は
常圧から5Kp/cJ(ケージ圧)の範囲される化合物
であり、例えばトリメチルアミン、トリブチルアミンな
どがあげられる。
またハロゲン化アルキルとしては、一般式R4−X(式
中、R4およびXは前記に同じ)で表わされる化合物で
あり、例えばメチルクロライド、メチルブロマイド、ブ
チルクロライド、ブチルブロマイドなどがあげられる。
中、R4およびXは前記に同じ)で表わされる化合物で
あり、例えばメチルクロライド、メチルブロマイド、ブ
チルクロライド、ブチルブロマイドなどがあげられる。
水酸化第4級アンモニウム化合物としては、一般式
(式中R5、R6、R7およびR8はそれぞれ同−又は
異なってアルキル基を示す)で表わされる化合物であり
、例えばテトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド
、テトラブチルアンモニウムハイドロオキサイドなどが
あげられる。水酸化第4級アンモニウム化合物としてそ
の第4級アンモニウムイオンが目的とするハロゲン化第
4級アンモニウム化合物のそれと同一である水酸化第4
級アンモニウム化合物は、それを本発明の処理に使用す
ると前記式(1)および式(2)から明らかなように、
この処理で目的とするハロゲン化第4級アンモニウム化
合物が生成するので好適である。
異なってアルキル基を示す)で表わされる化合物であり
、例えばテトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド
、テトラブチルアンモニウムハイドロオキサイドなどが
あげられる。水酸化第4級アンモニウム化合物としてそ
の第4級アンモニウムイオンが目的とするハロゲン化第
4級アンモニウム化合物のそれと同一である水酸化第4
級アンモニウム化合物は、それを本発明の処理に使用す
ると前記式(1)および式(2)から明らかなように、
この処理で目的とするハロゲン化第4級アンモニウム化
合物が生成するので好適である。
ハロゲン化水素酸の例としては、塩酸、臭化水素酸、沃
化水素酸などがあげられる。ハロゲン化アンモニウム塩
の例としては、ハロゲン化第4級アンモニウム化合物の
製造の際に用いる原料3級アミン中に含まれる1級、2
級アミン、アンモニア及び原料の3級アミンのハロゲン
化水素酸塩であり、例としてはメチルアミン塩酸塩、ジ
メチルアミン塩酸塩、塩化アンモニウム、トリメチルア
ミン塩酸塩などが挙げられる。
化水素酸などがあげられる。ハロゲン化アンモニウム塩
の例としては、ハロゲン化第4級アンモニウム化合物の
製造の際に用いる原料3級アミン中に含まれる1級、2
級アミン、アンモニア及び原料の3級アミンのハロゲン
化水素酸塩であり、例としてはメチルアミン塩酸塩、ジ
メチルアミン塩酸塩、塩化アンモニウム、トリメチルア
ミン塩酸塩などが挙げられる。
水酸化第4級アンモニウム化合物の添加後生酸するアミ
ン類としては、アンモニア、メチルアミン、ジメチルア
ミン、トリメチルアミン、ブチルアミン、ジブチルアミ
ン、トリブチルアミンなどがあげられる。これらの遊離
アミンは必要に応じてハロゲン化第4級アンモニウム化
合物溶液の一部溶媒と共に蒸留留去するだけで除去でき
る。蒸留に際し、その加熱温度は50〜120℃で好ま
しくは70〜100℃で行える。又、減圧、常圧下いず
れにおいても実施することができる。
ン類としては、アンモニア、メチルアミン、ジメチルア
ミン、トリメチルアミン、ブチルアミン、ジブチルアミ
ン、トリブチルアミンなどがあげられる。これらの遊離
アミンは必要に応じてハロゲン化第4級アンモニウム化
合物溶液の一部溶媒と共に蒸留留去するだけで除去でき
る。蒸留に際し、その加熱温度は50〜120℃で好ま
しくは70〜100℃で行える。又、減圧、常圧下いず
れにおいても実施することができる。
(発明の効果)
本発明はハロゲン化第4級アンモニウム化合物溶液中の
不純物として存在するハロゲン化アンモニウム塩及びハ
ロゲン化水素酸に水酸化第4級アンモニウム化合物を作
用させることにより、これらの不純物の含有量を容易に
低減でき、又ハロゲン化第4級アンモニウム化合物と同
一の第4級アンモニウムイオンからなる水酸化第4級ア
ンモニウム化合物を用いれば、いずれも目的物に変化す
ることを見出したところにあり、従来にはない極めて簡
便な高純度ハロゲン化第4級アンモニウム化合物の製造
法を提供することができる。
不純物として存在するハロゲン化アンモニウム塩及びハ
ロゲン化水素酸に水酸化第4級アンモニウム化合物を作
用させることにより、これらの不純物の含有量を容易に
低減でき、又ハロゲン化第4級アンモニウム化合物と同
一の第4級アンモニウムイオンからなる水酸化第4級ア
ンモニウム化合物を用いれば、いずれも目的物に変化す
ることを見出したところにあり、従来にはない極めて簡
便な高純度ハロゲン化第4級アンモニウム化合物の製造
法を提供することができる。
これによりハロゲン化第4級アンモニウム化合物を製造
する際、溶媒及び原料中の水分が限定されることなく、
水を溶媒とする最も簡単な系で製造できる利点を有する
。
する際、溶媒及び原料中の水分が限定されることなく、
水を溶媒とする最も簡単な系で製造できる利点を有する
。
次に本発明の実施例をあげるが、これらに本発明は限定
されるものではない。
されるものではない。
なお実施例における不純物のハロゲン化アンモニウム化
合物及びハロゲン化水素酸の定量は、試料をアルカリ中
和滴定法による分別滴定を行い、それぞれのアルカリ消
費量により、ハロゲン化アンモニウム塩及びハロゲン化
水素酸の含有量を求めた。但しハロゲン化アンモニウム
化合物はアンモニア及び各種アミン類の混合ハロゲン化
物なので、便宜上すべてトリメチルアミンもしくはトリ
ブチルアミンのハロゲン化水素酸塩として換算しその値
をTMA−HX値(X=ハロゲン)及びTBA−HX値
(X==ハロゲン)とし、又、ハロゲン化水素酸の含有
量もHX値とする。
合物及びハロゲン化水素酸の定量は、試料をアルカリ中
和滴定法による分別滴定を行い、それぞれのアルカリ消
費量により、ハロゲン化アンモニウム塩及びハロゲン化
水素酸の含有量を求めた。但しハロゲン化アンモニウム
化合物はアンモニア及び各種アミン類の混合ハロゲン化
物なので、便宜上すべてトリメチルアミンもしくはトリ
ブチルアミンのハロゲン化水素酸塩として換算しその値
をTMA−HX値(X=ハロゲン)及びTBA−HX値
(X==ハロゲン)とし、又、ハロゲン化水素酸の含有
量もHX値とする。
(実施例1)
IJオートクレーブに30優トリメチルアミン水溶液6
00yを仕込み、それに塩化メチル1601を供給しな
がら50℃、4時間反応させた。内容物を取り出し11
0〜120℃で水を961留去し粗製の50%テトラメ
チルアンモニウムクロライド水溶液を6482得た。
00yを仕込み、それに塩化メチル1601を供給しな
がら50℃、4時間反応させた。内容物を取り出し11
0〜120℃で水を961留去し粗製の50%テトラメ
チルアンモニウムクロライド水溶液を6482得た。
この粗製の50%テトラメチルアンモニウムクロライド
水溶液(TMA−HCI値889 ppm、 HCJ値
180ppm) 5009にTMA −HCを及びHC
Jと当量のテトラメチルアンモニウムハイドロキサイド
の粉末824rnfを加え5分間、室温で攪拌した。混
合物を圧力500 WHfで1001: 1時間加熱し
、水を50f留去した。次いでイオン交換水50fを加
え、50%テトラメチルアンモニウムクロライド水溶液
とし、TMA、 −r−ICi値及びHCl値をアルカ
リ中和滴定により求めたところそれぞれ25 ppm及
び101)I)m以下(検出限界I Q ppm )で
あった。
水溶液(TMA−HCI値889 ppm、 HCJ値
180ppm) 5009にTMA −HCを及びHC
Jと当量のテトラメチルアンモニウムハイドロキサイド
の粉末824rnfを加え5分間、室温で攪拌した。混
合物を圧力500 WHfで1001: 1時間加熱し
、水を50f留去した。次いでイオン交換水50fを加
え、50%テトラメチルアンモニウムクロライド水溶液
とし、TMA、 −r−ICi値及びHCl値をアルカ
リ中和滴定により求めたところそれぞれ25 ppm及
び101)I)m以下(検出限界I Q ppm )で
あった。
(実施例2)
トリブチルアミン210Fをアセトニトリル2252に
溶解しn−ブチルブロマイド170fを加えて80℃、
10時間反応させた。反応後、アセトニトリルを留去し
水aoorを加える。オイル層を分離した後、水層を濃
縮すると粗製の50%テトラブチルアンモニウムブロマ
イド5732を得た。この粗製の50優テトラブチルア
ンモニウムプロマイト水溶液(TBALHBr値:45
00ppm )(HB r値: 1700ppm)50
0 ?にテトラブチルアンモニウムハイドロキサイドの
粉末4.92を加え攪拌した。水を留去した後、イオン
交換水を加え、50%テトラブチルアンモニウムブロマ
イドに調整し、TBA二HBr値及びHBr値を求めた
ところそれぞれs o ppm及び15 ppmであっ
た。
溶解しn−ブチルブロマイド170fを加えて80℃、
10時間反応させた。反応後、アセトニトリルを留去し
水aoorを加える。オイル層を分離した後、水層を濃
縮すると粗製の50%テトラブチルアンモニウムブロマ
イド5732を得た。この粗製の50優テトラブチルア
ンモニウムプロマイト水溶液(TBALHBr値:45
00ppm )(HB r値: 1700ppm)50
0 ?にテトラブチルアンモニウムハイドロキサイドの
粉末4.92を加え攪拌した。水を留去した後、イオン
交換水を加え、50%テトラブチルアンモニウムブロマ
イドに調整し、TBA二HBr値及びHBr値を求めた
ところそれぞれs o ppm及び15 ppmであっ
た。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、3級アミンとハロゲン化アルキルとを反応させてハ
ロゲン化第4級アンモニウム化合物を製造する方法にお
いて、反応後、生成したハロゲン化第4級アンモニウム
化合物を含有する液を水酸化第4級アンモニウム化合物
で処理することを特徴とするハロゲン化第4級アンモニ
ウム化合物の製造法。 2、水酸化第4級アンモニウム化合物での処理後、揮発
性物質を留去することを特徴とする特許請求の範囲第1
項記載の方法。 3、ハロゲン化第4級アンモニウム化合物が一般式:R
_4N^■X^■ (式中、Rはアルキル基を示し、Xは塩素原子、臭素原
子又はヨウ素原子を示す)で表わされる化合物であり、
且つ水酸化第4級アンモニウム化合物が一般式:R′_
4N^■・OH^■(式中R′はアルキル基を示す)で
表わされる化合物である特許請求の範囲第1又は2項記
載の方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6757787A JPH0745442B2 (ja) | 1987-03-20 | 1987-03-20 | ハロゲン化第4級アンモニウム化合物の製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6757787A JPH0745442B2 (ja) | 1987-03-20 | 1987-03-20 | ハロゲン化第4級アンモニウム化合物の製造法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63233956A true JPS63233956A (ja) | 1988-09-29 |
JPH0745442B2 JPH0745442B2 (ja) | 1995-05-17 |
Family
ID=13348927
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP6757787A Expired - Lifetime JPH0745442B2 (ja) | 1987-03-20 | 1987-03-20 | ハロゲン化第4級アンモニウム化合物の製造法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0745442B2 (ja) |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1998003466A1 (fr) * | 1996-07-23 | 1998-01-29 | Tokuyama Corporation | Procede de preparation de solutions aqueuses d'hydroxydes de tetraalkyle-ammonium |
KR19980059282A (ko) * | 1996-12-31 | 1998-10-07 | 박영구 | 고순도 할로겐화 4급 암모늄염의 제조방법 |
WO2004099118A1 (ja) * | 2003-05-12 | 2004-11-18 | Yokohama Tlo Company, Ltd. | テルペン類の製法 |
JP2006306753A (ja) * | 2005-04-27 | 2006-11-09 | Sumitomo Chemical Co Ltd | 弗化4級アンモニウムの製造方法 |
WO2008035808A1 (en) * | 2006-09-19 | 2008-03-27 | Otsuka Chemical Co., Ltd. | Process for production of highly pure quaternary ammonium salt |
CN104974048A (zh) * | 2014-04-11 | 2015-10-14 | 湖州欧美新材料有限公司 | 一种高纯四烷基氯化铵水溶液及其制备方法与应用 |
JP2016044149A (ja) * | 2014-08-25 | 2016-04-04 | フタムラ化学株式会社 | テトラブチルアンモニウムアセテートの製造方法 |
CN113200869A (zh) * | 2021-04-28 | 2021-08-03 | 南京长江江宇环保科技有限公司 | 一种从半导体显影废水中回收四甲基氯化铵的方法 |
-
1987
- 1987-03-20 JP JP6757787A patent/JPH0745442B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1998003466A1 (fr) * | 1996-07-23 | 1998-01-29 | Tokuyama Corporation | Procede de preparation de solutions aqueuses d'hydroxydes de tetraalkyle-ammonium |
EP0860425A4 (ja) * | 1996-07-23 | 1998-10-07 | ||
US5929280A (en) * | 1996-07-23 | 1999-07-27 | Tokuyama Corporation | Process for the preparation of aqueous solutions of tetraalkylammonium hydroxides |
KR19980059282A (ko) * | 1996-12-31 | 1998-10-07 | 박영구 | 고순도 할로겐화 4급 암모늄염의 제조방법 |
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WO2008035808A1 (en) * | 2006-09-19 | 2008-03-27 | Otsuka Chemical Co., Ltd. | Process for production of highly pure quaternary ammonium salt |
JPWO2008035808A1 (ja) * | 2006-09-19 | 2010-01-28 | 大塚化学株式会社 | 高純度第4級アンモニウム塩の製造方法 |
US8029690B2 (en) | 2006-09-19 | 2011-10-04 | Otsuka Chemical Co., Ltd. | Process for production of highly pure quaternary ammonium salt |
JP5130218B2 (ja) * | 2006-09-19 | 2013-01-30 | 大塚化学株式会社 | 高純度第4級アンモニウム塩の製造方法 |
CN104974048A (zh) * | 2014-04-11 | 2015-10-14 | 湖州欧美新材料有限公司 | 一种高纯四烷基氯化铵水溶液及其制备方法与应用 |
JP2016044149A (ja) * | 2014-08-25 | 2016-04-04 | フタムラ化学株式会社 | テトラブチルアンモニウムアセテートの製造方法 |
CN113200869A (zh) * | 2021-04-28 | 2021-08-03 | 南京长江江宇环保科技有限公司 | 一种从半导体显影废水中回收四甲基氯化铵的方法 |
CN113200869B (zh) * | 2021-04-28 | 2023-06-23 | 南京长江江宇环保科技股份有限公司 | 一种从半导体显影废水中回收四甲基氯化铵的方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0745442B2 (ja) | 1995-05-17 |
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