JPS6320798A - リフレツシユ自動切替制御方式 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔概要〕 この発明は、外部リフレノン１信号が供給されたことを
検出してリフレッシュ切替信号を発生するリフレッシュ
切替信号発生回路をもうけ、内部リフレッシュ信号に代
えて外部リフレッシュ信号を出力するようにし、切り替
えて出力されたリフレッシュ信号を用いてダイナミック
・ランダムアクセスメモリのリフレッシュを行うように
している。

（産業上の利用分野〕 本発明は、自動的に外部リフレッシュ信号あるいは内部
リフレッシュ信号に切り替えてダイナミツク・ランダム
アクセスメモリをリフレッシュするリフレッシュ自動切
替制御方式に関するものである。

Ｃ従来の技術］ 従来、コンビエータシステムにおいて、グイナミソク・
ランダムアクセスメモリ　（以下ＤＲＡＭという）を基
板上に搭載したメモリ基板がある。

このメモリ基板は、ＤＲＡＭを搭載した関係で、リフレ
ッシュを行う必要があり、外部からリフレッシュ信号を
供給して行ういわゆる同期型のものと、内部に設けた水
晶などによって生成したりフレノシニ信号を用いて行う
いわゆる非同期型のものとがある。これらは、使用しよ
うとする機種に対応して同期型のメモリ基板あるいは非
同期型のメモリ基板を選択することによって選ばれてい
た。

しかし、最近上記非同期型のものを同期型の機能をもつ
プロセッサと組にして用いる場合が生じている。

〔発明が解決しようとする問題点〕

このため、外部リフレッシュ信号で動作する同期型のメ
モリ基板を用いたコンビエータシステムに対して、内部
リフレッシュ信号で動作する非同期型のメモリｙ５板が
接続されることになると、リフレッシュとメモリアクセ
スとの間に競合が生し、アクセスタイムが遅くなってし
まうという問題点があった。

〔問題点を解決するための手段〕

本発明は、前記問題点を解決するために、外部リフレッ
シュ信号が供給されたことを検出してリフレッシュ切替
信号を発生するリフレッシュ切替信号発生回路をもうけ
、内部で発生された内部リフレッシュ信号に代えて外部
リフレッシュ信号を出力するようにし、ＤＲＡＭのリフ
レッシュを行うようにしている。

第１図に示す本発明の原理構成を用いて問題点を解決す
るための手段を説明する。

第１図において、リフレッシュ切替信号発生回路ｌは、
外部から外部リフレッシュ信号が供給されたことが検出
された場合に、リフレッシュ切替信号を出力するもので
ある。

内部リフレッシュ発生回路２は、水晶などを用いて発生
させたクロック信号から内部リフレッシュ信号を発生さ
せるものである。

リフレッシュ切替回路３は、リフレッシュ切替信号発生
回路１から通知されたリフレッシュ切替信号に基づいて
、外部リフレッシュ信号あるいは内部リフレッシュ信号
のいずれかを切り替えてリフレッシュ信号を出力するも
のである。

リフレッシュ回路４は、Ｄ　ＲＡ　Ｍをリフレッシュす
るものである。

〔作用〕

第１図を用いて説明した構成を採用し、外部リフレッシ
ュ信号が供給される如きシステムに組み込まれた場合に
は外部リフレッシュ信号がリフレッシュ切替信号発生回
路１に供給されることとなり、Ｈレベルのリフレッシュ
切替信号カリフレッシュ切替回路３に対して出力され、
当該外部リフレッシュ信号がリフレッシュ信号としてリ
フレッシュ回路４に供給される。これにより、外部リフ
レッシュ信号によってＤＲＡＭがリフレッシュされる。

一方、外部リフレッシュ信号がリフレッシュ切替信号発
生回路１に供給されないようなシステムに組み込まれた
場合には、外部リフレッシュ信号は存在せず、内部リフ
レッシュ発生回路２によって発生された内部リフレッシ
ュ信号がリフレッシュ切替回路３を介してリフレッシュ
信号としてリフレッシュ回路４に供給される。これによ
り、内部リフレッシュ信号によってＤＲＡＭがリフレッ
シュされる。

以上のように、外部リフレッシュ信号が供給された場合
に、当該外部リフレッシュ信号を用いてＤＲＡＭをリフ
レッシュし、一方、外部リフレッシュ信号が供給されな
い場合に、内部リフレッシュ信号を用いてＤ　ＲＡ　Ｍ
をリフレッシュするように自動的に切り替える構成を採
用することにより、外部リフレッシュ信号が供給される
如きシステムに組み込まれた場合にも、リフレッシュと
メモリアクセスとの間の競合を防止することが可能とな
ると共に、同期型および非同期型を問わず同一のメモリ
基板を使用することが可能となる。

〔実施例〕

次に、第１図ないし第３図を用いて本発明の１実施例構
成および動作を詳細に説明する。

第２図は第１図に示すリフレッシュ切替信号発生回路１
の具体的回路例を示し、第３図は第２図図示回路例の信
号波形を示す。

第２図において、まず、電源投入時にＬレベルのＲＥＳ
ＥＴ信号をラッチ１−１ないし１−３のリセット端子に
供給してリセット（クリア）する。

次に、Ｌレベルの外部リフレッシュ信号がＨレベルにな
ると、クロック信号の立ち上がりの部分で、ラッチ１−
１の出力ＱがＬレベルとなり、図示■の部分の出力が、
第３図図中傷号■に示すようにＨレベルとなる。次のク
ロック信号の立ち上がりの部分で、う７チ１−２の出力
がＬレベルとなり、図■の部分が、第３図図中傷号■に
示すようにＬレベルとなる。この時、ラッチｌ−３から
の出力信号であるリフレッシュ切替信号は、第３図に示
すようにＨレベルになる。

以上のようにして、ＬレベルからＨレベルに変わる外部
リフレッシュ信号がリフレッシュ切替信号発生回路１に
供給された場合、Ｈレベルのリフレッシュ切替信号がリ
フレッシュ切替回路３に出力され、外部リフレッシュ信
号がリフレッシュ信号としてリフレッシュ回路４に供給
される。これにより、外部リフレッシュ信号によってＤ
ＲＡＭがリフレッシュされる。一方、ＬレベルからＨレ
ベルに変わる外部リフレッシュ信号がリフレッシュ切替
信号発生回路１に供給されない場合、内部リフレッシュ
発生回路２によって発生された内部リフレッシュ信号が
リフレッシュ切替回路３を介して図示リフレッシュ信号
としてリフレッシュ回路４に供給される。これにより、
内部リフレッシュ信号によってＤＲＡＭがリフレッシュ
される。

〔発明の効果〕

以上説明したように、本発明によれば、外部リフレッシ
ュ信号が供給された場合、当該外部リフレッシュ信号を
用いてＤＲＡＭをリフレッシュし、一方、外部リフレッ
シュ信号が供給されない場合、内部リフレッシュ信号を
用いてＤＲＡＭをリフレッシュする構成を採用している
ため、リフレッシュとメモリアクセスとの間の競合を防
止することができると共に、同期型および非同期型を問
わず同一のメモリ基板を使用することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の原理構成図、第２図はリフレッシュ切
替信号発生回路例、第３図はりフレノシ二切替信号のタ
イミング例を示す。 図中、１はリフレッシュ切替信号発生回路、２は内部リ
フレッシュ発生回路、３はリフレッシュ切替回路、４は
リフレッシュ回路を表す。 クロック４を号 ｉ　　： リフレッし田植４乞号のタイミンク゛イ万（１買５３　
し］

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 内部で発生された内部リフレッシュ信号を用いてリフレ
   ッシュを行うダイナミック・ランダムアクセスメモリを
   外部からリフレッシュ信号を供給するシステムに組み込
   んだデータ処理装置において、 リフレッシュ自動切替制御機能をもうけ、 該リフレッシュ自動切替制御機能は、 外部から外部リフレッシュ信号が供給されたことを検出
   してリフレッシュ切替信号を発生するリフレッシュ切替
   信号発生回路（１）と、 このリフレッシュ切替信号発生回路（１）によって発生
   されたリフレッシュ切替信号に基づいて、内部で発生さ
   れた内部リフレッシュ信号に代えて上記外部リフレッシ
   ュ信号を出力するよう切り替えるリフレッシュ切替回路
   （３）と、 このリフレッシュ切替回路（３）によって切り替えて出
   力されたリフレッシュ信号を用いてダイナミック・ラン
   ダムアクセスメモリのリフレッシュを行うよう構成した
   ことを特徴とするリフレッシュ自動切替制御方式。